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1. 发明申请

WO2014210072A1 SYSTEMS, CIRCUITS, DEVICES, AND METHODS WITH BIDIRECTIONAL BIPOLAR TRANSISTORS 审中-公开
标题翻译：具有双向双极晶体管的系统，电路，器件和方法
公开(公告)号：WO2014210072A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/US2014043962
申请日：2014-06-24
申请人： IDEAL POWER INC
发明人： BLANCHARD RICHARD A , ALEXANDER WILLIAM A
IPC分类号： H01L29/747 , H01L27/102 , H01L29/73
CPC分类号： H02M3/158 , H01L27/0755 , H01L27/0823 , H01L27/0828 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/7375 , H01L29/7393 , H01L29/7395 , H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M7/797 , H02M11/00 , H03K3/012 , H03K17/60 , H03K17/66 , H03K17/687
摘要： Methods, systems, circuits, and devices for power-packet-switching power converters using bidirectional bipolar transistors (BTRANs) for switching. Four-terminal three-layer BTRANs provide substantially identical operation in either direction with forward voltages of less than a diode drop. BTRANs are fully symmetric merged double-base bidirectional bipolar opposite-faced devices which operate under conditions of high non-equilibrium carrier concentration, and which can have surprising synergies when used as bidirectional switches for power-packet-switching power converters. BTRANs are driven into a state of high carrier concentration, making the on-state voltage drop very low.
摘要翻译：用于使用双向双极晶体管（BTRAN）进行开关的功率分组开关电源转换器的方法，系统，电路和器件。四端子三层BTRAN在任一方向提供基本上相同的操作，正向电压小于二极管压降。 BTRAN是在非平衡载流子浓度高的条件下工作的完全对称的双对称双基极双极相对装置，当用作功率分组开关功率转换器的双向开关时，它可以具有惊人的协同作用。 BTRAN被驱动到高载流子浓度的状态，使得导通电压下降很低。

2. 发明申请

WO1983001865A1 BANDGAP CONTROL IN AMORPHOUS SEMICONDUCTORS 审中-公开
标题翻译：非晶半导体中的带状控制
公开(公告)号：WO1983001865A1
公开(公告)日：1983-05-26
申请号：PCT/US1982001640
申请日：1982-11-19
申请人： CHRONAR CORPORATION
发明人： CHRONAR CORPORATION , DALAL, Vikram L. , AKHTAR, M. , GAU, Shek-Chung , RAMAPRASAD, Kackadasam, R.
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L29/1604 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262
摘要： Method of producing amorphous semiconductor hydrides (hydrogenated amorphous semiconductors) with specified bandgaps. The desired bandgap is achieved by controlling the temperature and partial pressure of higher order semiconductanes which are introduced into, for example, in a hotwall epitaxial reactor, to create a deposit on a substrate held in the reactor, said deposit being created by pyrolytic decomposition of said semiconductanes.
摘要翻译：制造具有规定带隙的非晶半导体氢化物（氢化非晶半导体）的方法。所需的带隙通过控制被引入例如在热壁外延反应器中的高级半导体的温度和分压来在保持在反应器中的基板上产生沉积物，所述沉积物是通过热解分解所述半导体。

3. 发明申请

WO2007048393A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH CHARGE COMPENSATION STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：具有电荷补偿结构和工艺半导体部件生产同样
公开(公告)号：WO2007048393A3
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/DE2006001879
申请日：2006-10-23
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA , SEDLMAIER STEFAN , MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK , SCHULZE HANS-JOACHIM , STRACK HELMUT , WILLMEROTH ARMIN
发明人： SEDLMAIER STEFAN , MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK , SCHULZE HANS-JOACHIM , STRACK HELMUT , WILLMEROTH ARMIN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/2252 , H01L21/2255 , H01L29/04 , H01L29/0634 , H01L29/0661 , H01L29/0878 , H01L29/1604 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： Semiconductor component (1) with charge compensation structure (3) and method for producing the same. For that purpose, the semiconductor component (1) has a semiconductor body (4) with a drift section (5) between two electrodes (6, 7). The drift section (5) comprises drift zones of a first conductivity type forming a current path between the electrodes (6, 7) in the drift section, while charge compensation zones (11) of a complementary conductivity type narrow the current path in the drift section (5). The drift section (5) comprises for that purpose two alternating, epitaxially grown diffusion zone types (9, 10), the first drift zone type (9) having a monocrystalline semiconductor material on a monocrystalline substrate (12), and a second drift zone type (10) having a monocrystalline semiconductor material in a trench structure (13), with walls (14, 15) which have a complementary doping and form the charge compensation zones (11).
摘要翻译：本发明涉及一种半导体装置（1）与电荷补偿结构（3）和其制造方法。为了这个目的，在半导体主体（4）的半导体器件（1）（6,7）具有两个电极之间的漂移区（5）。漂移区（5）包括漂移的第一导电类型的区域中，电极之间的电流路径（6,7）提供在漂移路径，而互补的导电类型的电荷补偿区（11）压缩所述漂移区（5）的电流路径。为此，漂移区（5）具有两个交替布置的，外延生长的扩散区类型（9，10），其中，单晶衬底（12）的单晶半导体材料和在严重结构的第二漂移区的类型（10）的单晶半导体材料的第一漂移区类型（9）（13），具有互补掺杂壁（14，15），其中，所述互补掺杂壁（14，15）形成电荷补偿区（11）。

4. 发明申请

WO2007069632A1 炭化珪素バイポーラ型半導体装置审中-公开
标题翻译：碳化硅双极半导体器件
公开(公告)号：WO2007069632A1
公开(公告)日：2007-06-21
申请号：PCT/JP2006/324818
申请日：2006-12-13
申请人：関西電力株式会社 , 財団法人電力中央研究所 , 石井竜介 , 中山浩二 , 菅原良孝 , 三柳俊之 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 中村智宣
发明人：石井竜介 , 中山浩二 , 菅原良孝 , 三柳俊之 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 中村智宣
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/1604 , H01L21/0465 , H01L21/047 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0661 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/8613
摘要：　ＳｉＣ単結晶基板の表面に第１導電型のＳｉＣドリフト層および第２導電型のＳｉＣ電荷注入層をエピタキシャル成長したメサ型形状をもつＳｉＣバイポーラ型半導体装置において、積層欠陥の発生およびその面積拡大を抑制し、これにより順方向電圧の増加を抑制すること。また、逆方向電圧の印加時における耐圧性能を高めること。　メサ壁部またはメサ壁部およびメサ周辺部に、その表面とｐｎ接合界面とを空間的に分離する通電劣化防止層を形成した。ある態様では、逆方向電圧の印加時に等電位となる第２導電型の炭化珪素低抵抗層により通電劣化防止層を構成した。別の態様では、第２導電型の炭化珪素導電層により通電劣化防止層を構成するとともに、その表面に、逆方向電圧の印加時に等電位となる金属膜を形成した。さらに別の態様では、高抵抗のアモルファス層により通電劣化防止層を構成した。
摘要翻译：具有台面形状的SiC双极半导体器件，其中在SiC单晶衬底的表面上外延生长第一导电型SiC漂移层和第二导电型SiC电荷注入层。在SiC双极型半导体器件中，抑制层叠缺陷的产生和面积增加，并且抑制正向电压的增加。此外，在施加反向电压的状态下，耐压特性得到改善。在台面壁部分或台面壁部分和台面周边部分上形成导电劣化防止层，用于将表面与pn结界面空间分离。在一个实施例中，导电劣化防止层由施加反向电压时变为等电位的第二导电型碳化硅低电阻层构成。在另一个实施例中，导电劣化防止层由第二导电型碳化硅导电层构成，并且在导电劣化防止层的表面上形成施加反向电压时变成等电位的金属膜。此外，在另一实施例中，导电劣化防止层由高电阻非晶层构成。

5. 发明申请

WO0215277A9 DENSE ARRAYS AND CHARGE STORAGE DEVICES, AND METHODS FOR MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：渗透阵列和充电储存装置及其制造方法
公开(公告)号：WO0215277A9
公开(公告)日：2002-09-19
申请号：PCT/US0125092
申请日：2001-08-13
申请人： MATRIX SEMICONDUCTOR INC , LEE THOMAS H , SUBRAMANIAN VIVEK , CLEEVES JAMES M , WALKER ANDREW J , PETTI CHRISTOPHER , KOUZNETZOV IGOR G , JOHNSON MARK G , FARMWALD PAUL M , HERNER BRAD
发明人： LEE THOMAS H , SUBRAMANIAN VIVEK , CLEEVES JAMES M , WALKER ANDREW J , PETTI CHRISTOPHER , KOUZNETZOV IGOR G , JOHNSON MARK G , FARMWALD PAUL M , HERNER BRAD
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L27/06 , H01L27/10 , H01L27/112 , H01L27/12 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/861 , H01L27/115 , G11C11/34 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/11582 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C2211/5612 , H01L21/31053 , H01L21/76819 , H01L21/8221 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L27/0688 , H01L27/112 , H01L27/11286 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11558 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L27/1158 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L29/0626 , H01L29/0661 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/42324 , H01L29/42332 , H01L29/42364 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7391 , H01L29/78642 , H01L29/7881 , H01L29/7889 , H01L29/792 , H01L29/7926 , H01L29/861 , H01L29/8616
摘要： There is provided a monolithic three dimensional array of charge storage devices which includes a plurality of device levels, wherein at least one surface between two successive device levels is planarized by chemical mechanical polishing.
摘要翻译：提供了一种包括多个器件级的电荷存储器件的单片三维阵列，其中通过化学机械抛光将两个连续的器件级之间的至少一个表面平坦化。

6. 发明申请

WO2018176537A1 一种场效应晶体管及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2018176537A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：PCT/CN2017/081774
申请日：2017-04-25
申请人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
发明人：谢华飞
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/16
CPC分类号： H01L29/78684 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09D5/24 , C09D7/40 , C09D7/67 , H01L21/0206 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02271 , H01L21/02343 , H01L21/02488 , H01L21/02527 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/042 , H01L21/043 , H01L21/044 , H01L27/1292 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/16 , H01L29/1604 , H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/66045 , H01L29/66227 , H01L29/66742 , H01L29/78696
摘要：提供了一种场效应晶体管及其制备方法，该方法包括在基板上沉积第一绝缘层（S11）；在第一绝缘层上形成源极及漏极（S12）；形成覆盖源极及漏极的碳量子点有源层（S13）；在碳量子点有源层上依次形成第二绝缘层及栅极（S14）。通过上述方法，使用碳量子点为材料制备场效应晶体管中的有源层，丰富了场效应晶体管的制备材料，减少了现有技术中使用金属点膜层制备有源层时对环境的污染，同时降低了对金属元素的依赖性。

7. 发明申请

WO2013015187A1 水素化処理方法および水素化処理装置审中-公开
标题翻译：氢化处理方法和加氢处理装置
公开(公告)号：WO2013015187A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/JP2012/068301
申请日：2012-07-19
申请人：日産化学工業株式会社 , 北野勝久
发明人：北野　勝久
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/208 , H01L21/22 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/3003 , H01J37/32192 , H01J37/32348 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/67017 , H01L21/67115 , H01L29/1604 , H05H1/2406 , H05H1/46 , H05H2001/2412 , H05H2001/4607 , H05H2001/466
摘要：　本発明による水素化処理方法は、プラズマ発生部（２０）を用意する工程と、密閉部材（３０）を用意する工程と、密閉部材（３０）内にアモルファスシリコン膜（Ｓ）を配置する工程と、プラズマ発生部（２０）が、密閉部材（３０）内の少なくとも一部の領域において水素ガスを含む大気圧近傍の圧力のガスにプラズマを発生させることにより、アモルファスシリコン膜（Ｓ）にプラズマ処理を行う工程とを包含する。好適には、アモルファスシリコン膜（Ｓ）を配置する工程は、シラン化合物の溶解した溶液を用いて密閉部材（３０）内にアモルファスシリコン膜（Ｓ）を形成する工程を含む。
摘要翻译：本发明的氢化处理方法包括制备等离子体产生部件（20），制备气密部件（30）的步骤，在气密部件（30）中设置非晶硅膜（S）的步骤，以及通过使等离子体产生部件（20）在接近大气压的含氢气体的气体中的至少一部分内部的区域内产生等离子体来进行非晶硅膜（S）的等离子体处理的步骤气密构件（30）。理想地，用于配置非晶硅膜（S）的步骤包括使用其中硅烷化合物溶解的溶液形成气密构件（30）内的非晶硅膜（S）的步骤。

8. 发明申请

WO2009134291A3 NANOSCALE WIRE-BASED MEMORY DEVICES 审中-公开
标题翻译：基于纳米电路的存储器件
公开(公告)号：WO2009134291A3
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：PCT/US2009000337
申请日：2009-01-21
申请人： HARVARD COLLEGE , LIEBER CHARLES M , DONG YAJIE , LU WEI , YU GUIHUA , MCALPINE MICHAEL
发明人： LIEBER CHARLES M , DONG YAJIE , LU WEI , YU GUIHUA , MCALPINE MICHAEL
IPC分类号： H01L27/10 , H01L29/06 , H01L29/16
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C13/0069 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L27/10 , H01L27/101 , H01L29/0673 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/1604 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The present invention generally relates to nanotechnology and sub- microelectronic devices that can be used in circuitry and, in particular, to nanoscale wires and other nanostructures able to encode data. One aspect of the present invention is directed to a device comprising an electrical crossbar array comprising at least two crossed wires at a cross point. In some cases, at least one of the crossed wires is a nanoscale wire, and in certain instances, at least one of the crossed wires is a nanoscale wire comprising a core and at least one shell surrounding the core. For instance, the core may comprise a crystal (e.g., crystalline silicon) and the shell may be at least partially amorphous (e.g., amorphous silicon). In certain embodiments, the cross point may exhibit intrinsic current rectification, or other electrical behaviors, and the cross point can be used as a memory device. For example, in one embodiment, the cross point may exhibit a first conductance at a positive voltage, and the cross point may exhibit a second conductance at a negative voltage. Accordingly, by applying suitable voltages to the cross point, data may be stored at the cross point. Other aspects of the present invention are directed to systems and methods for making or using such devices, kits involving such devices, or the like.
摘要翻译：本发明一般涉及可用于电路中的纳米技术和亚微电子器件，特别涉及能够对数据进行编码的纳米线和其他纳米结构。本发明的一个方面涉及一种装置，其包括在交叉点处包括至少两根交叉线的电横排阵列。在一些情况下，交叉导线中的至少一个是纳米线，并且在某些情况下，交叉导线中的至少一个是纳米线，其包括芯和围绕芯的至少一个壳。例如，芯可以包括晶体（例如，晶体硅），并且壳可以是至少部分无定形的（例如非晶硅）。在某些实施例中，交叉点可以表现出固有的电流整流或其他电气行为，并且交叉点可以用作存储器件。例如，在一个实施例中，交叉点可以在正电压下呈现第一电导，并且交叉点可以在负电压下显示第二电导。因此，通过向交叉点施加合适的电压，可以在交叉点存储数据。本发明的其他方面涉及用于制造或使用这种装置的系统和方法，涉及这种装置的套件等。

9. 发明申请

WO2009134291A2 NANOSCALE WIRE-BASED MEMORY DEVICES 审中-公开
标题翻译：基于纳米电路的存储器件
公开(公告)号：WO2009134291A2
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/US2009/000337
申请日：2009-01-21
申请人： PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE , LIEBER, Charles, M. , DONG, Yajie , LU, Wei , YU, Guihua , MCALPINE, Michael
发明人： LIEBER, Charles, M. , DONG, Yajie , LU, Wei , YU, Guihua , MCALPINE, Michael
IPC分类号： H01L27/10 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C13/0069 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L27/10 , H01L27/101 , H01L29/0673 , H01L29/16 , H01L29/1602 , H01L29/1604 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The present invention generally relates to nanotechnology and sub- microelectronic devices that can be used in circuitry and, in particular, to nanoscale wires and other nanostructures able to encode data. One aspect of the present invention is directed to a device comprising an electrical crossbar array comprising at least two crossed wires at a cross point. In some cases, at least one of the crossed wires is a nanoscale wire, and in certain instances, at least one of the crossed wires is a nanoscale wire comprising a core and at least one shell surrounding the core. For instance, the core may comprise a crystal (e.g., crystalline silicon) and the shell may be at least partially amorphous (e.g., amorphous silicon). In certain embodiments, the cross point may exhibit intrinsic current rectification, or other electrical behaviors, and the cross point can be used as a memory device. For example, in one embodiment, the cross point may exhibit a first conductance at a positive voltage, and the cross point may exhibit a second conductance at a negative voltage. Accordingly, by applying suitable voltages to the cross point, data may be stored at the cross point. Other aspects of the present invention are directed to systems and methods for making or using such devices, kits involving such devices, or the like.
摘要翻译：本发明一般涉及可用于电路中的纳米技术和亚微电子器件，特别涉及能够对数据进行编码的纳米线和其他纳米结构。本发明的一个方面涉及一种装置，其包括在交叉点处包括至少两根交叉线的电横排阵列。在一些情况下，交叉导线中的至少一个是纳米线，并且在某些情况下，交叉导线中的至少一个是纳米线，其包括芯和围绕芯的至少一个壳。例如，芯可以包括晶体（例如，晶体硅），并且壳可以是至少部分无定形的（例如非晶硅）。在某些实施例中，交叉点可以表现出固有的电流整流或其他电气行为，并且交叉点可以用作存储器件。例如，在一个实施例中，交叉点可以在正电压下呈现第一电导，并且交叉点可以在负电压下显示第二电导。因此，通过向交叉点施加合适的电压，可以在交叉点存储数据。本发明的其他方面涉及用于制造或使用这种装置的系统和方法，涉及这种装置的套件等。

10. 发明申请

WO1992022925A1 STABLE AMORPHOUS MATERIALS SUCH AS SILICON 审中-公开
标题翻译：稳定的非晶材料如硅
公开(公告)号：WO1992022925A1
公开(公告)日：1992-12-23
申请号：PCT/US1992005089
申请日：1992-06-17
申请人： ADVANCED PHOTOVOLTAIC SYSTEMS, INC.
发明人： ADVANCED PHOTOVOLTAIC SYSTEMS, INC. , XI, Jianping , GHOSH, Malathi , LIU, Tongyu , MACNEIL, John
IPC分类号： H01L29/12
CPC分类号： G03G5/08214 , H01L29/1604 , H01L31/03762 , H01L31/03767 , H01L31/075 , Y02E10/548
摘要： An amorphous material such as silicon is doped with a dopant, such as boron, in small amounts effective to reduce light-induced degradation. The dopant preferably is added in the vapor deposition of the amorphous material and results in a concentration of less than about 5x10 atoms/cm in a film. The films may be used in applications such as photovoltaic devices, xerography drums, facsimile elements, thin film transistors, and particle detectors.
摘要翻译：诸如硅之类的无定形材料以少量掺杂有掺杂剂，例如硼，以有效降低光致降解。掺杂剂优选在无定形材料的气相沉积中加入，并导致膜中小于约5×10 18原子/ cm 3的浓度。这些膜可以用于诸如光伏器件，静电鼓，传真元件，薄膜晶体管和粒子检测器的应用中。

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