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1. 发明申请

WO2017209881A1 DODECADON TRANSFER CHAMBER AND PROCESSING SYSTEM HAVING THE SAME 审中-公开
标题翻译： DODECADON传送室和具有相同的处理系统
公开(公告)号：WO2017209881A1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：PCT/US2017/030516
申请日：2017-05-02
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： KURITA, Shinichi , INAGAWA, Makoto , LIN, Hanzheng H. , MATSUMOTO, Takayuki , ANWAR, Suhail
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67167 , C23C14/566 , C23C16/042 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/54 , H01J37/32082 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J37/32816 , H01J37/32899 , H01J37/32908 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3326 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67742 , H01L21/67748 , H01L21/68742
摘要： A transfer chamber for a processing system suitable for processing a plurality of substrates and a method of using the same is provided. The transfer chamber includes a lid, a bottom disposed opposite the lid, a plurality of sidewalls sealingly coupling the lid to the bottom and defining an internal volume, wherein the plurality of sidewalls form the faces of a dodecagon. An opening is formed in each of the faces, wherein the opening is configured for a substrate to pass therethrough. A transfer robot is disposed in the internal volume, wherein the transfer robot has effectors configured to support the substrate through one opening to another opening.
摘要翻译：提供了适于处理多个基板的处理系统的传送室及其使用方法。传送室包括盖子，与盖子相对设置的底部，将盖子密封地连接到底部并限定内部体积的多个侧壁，其中多个侧壁形成十二边形的面。在每个面中形成开口，其中该开口被配置为使基板穿过其中。传送机器人布置在内部容积中，其中传送机器人具有构造成通过一个开口将衬底支撑到另一个开口的效应器。

2. 发明申请

WO2014034229A1 プラズマ処理装置及びこれを備えた基板処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和基板处理装置
公开(公告)号：WO2014034229A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/JP2013/066648
申请日：2013-06-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：野沢　俊久 , 岩▲崎▼　征英 , 根本　剛直 , 小林　保男 , ▲斉▼藤　武尚
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/511 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32779 , C23C16/4584 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/32788 , H01J37/32834 , H05H1/46 , H05H2001/463
摘要：　回転載置台を回転させながら複数基板を同時に処理する際に，回転載置台の半径方向の基板表面の処理の均一性を向上させる。　処理室（１０２）内に回転自在に配設された回転軸（１１４）に支持され，ウエハＷを載置するウエハ載置部（１１３）を周方向に複数並べて設けた回転載置台（１１０）と，処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部（１７０）と，回転載置台に対向して処理室の天井に設けられ，処理ガスのプラズマを生成するための複数のマイクロ波導入機構（２２４）を周方向に沿って環状に並べて一列とし，これを回転載置台が回転したときのウエハの軌跡の内側から外側にかけて複数列離間して配列したプラズマ生成部（２００）と，処理室内を排気する排気部（１６４）とを設けた。
摘要翻译：本发明的目的是提高旋转安装台在旋转时在多个基板的同时处理期间在旋转安装台的径向方向上的减滴面的处理的均匀性。本发明提供有：旋转安装台（110），其由旋转轴（114）支撑，旋转轴（114）可旋转地布置在处理室（102）内并具有多个晶片放置单元（113），晶片（W）放置在其上在圆周方向上并排布置; 处理气体供给单元，用于将处理气体供给到所述处理室中; 等离子体产生单元（200），其中多个微波引入机构（224）分别设置在处理室的天花板上以面对旋转安装台并用于产生处理气体的等离子体当旋转安装台到外部时，从晶片的移动路径的内部彼此分开，每行微波引入机构（224）通过沿着处理的周向方向布置微波引入机构（224）而形成房间在一个圆圈; 以及从处理室排出处理气体的排出单元（164）。

3. 发明申请

WO2012053171A1 真空処理装置审中-公开
标题翻译：真空加工设备
公开(公告)号：WO2012053171A1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/JP2011/005773
申请日：2011-10-14
申请人：株式会社アルバック , 藤本信也 , 林信博 , 廣野貴啓 , 多田勲
发明人：藤本　信也 , 林　信博 , 廣野　貴啓 , 多田　勲
IPC分类号： C23C14/56
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/562 , H01J37/32458 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/32761 , H01J37/32788 , H01J2237/3325
摘要：　運搬等にとって便利なように真空処理室と真空補助室とを分けて構成し、設置現場での組立作業が容易でメンテナンス性のよい真空成膜装置を提供する。　長尺のシート状基材Ｓの一部が巻回されるドラム１５と、このドラムの下方に配置されて、上流側からシート状基材を搬送する複数のローラ１６ｃと、処理ユニット４とを有する真空処理室１と、シート状基材を真空処理室へと送る上流側の真空補助室２と、シート状基材を巻取り回収する下流側の真空補助室３とを連設して構成される。上記真空処理室及び真空補助室が、床面に設置される架台上に載置されるベースプレートに、下面に開口した箱体をその下面側から設置して夫々画成される。複数のローラは、一体のローラユニットとして構成し、真空処理室内にてドラムの下方空間に出し入れ自在に設けられる。
摘要翻译：提供一种真空成膜装置，其具有分别构造为便于运输等的真空处理室和辅助真空室，并且易于在安装地点组装，并且具有优异的可维护性。真空成膜装置通过连续地安装：真空处理室（1），其具有卷绕有长片状基材（S）的一部分的滚筒（15），多个辊（16c）），其设置在滚筒下方并从上游传送片状基材，以及处理单元（4）; 上游辅助真空室（2），其将片状基材输送到真空处理室; 以及吸收和回收片状基材的下游辅助真空室（3）。通过将设置在底板上的底部的底部开口的箱体设置在基板上，分别设置在真空处理室和辅助真空室中。辊被构造为一体的辊单元，并且可移除地设置在真空处理室中的滚筒下方的空间中。

4. 发明申请

WO2003054910A1 DISPOSITIF POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR DEPOSITION PLASMA 审中-公开
标题翻译：用于通过等离子体沉积处理物体的装置
公开(公告)号：WO2003054910A1
公开(公告)日：2003-07-03
申请号：PCT/CH2002/000698
申请日：2002-12-16
申请人： AISAPACK HOLDING SA , VOIGTMANN, Jean-Pierre
发明人： VOIGTMANN, Jean-Pierre
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32743 , H01J37/32788
摘要： Dispositif pour le traitement d'objets par déposition plasma comprenant: une chambre de traitement étanche (1), sous pression réduite, pourvue sur l'une de ses parois (4) d'un passage (2) pouvant être obturé, ledit passage (2) permettant d'acheminer des objets à traiter (3) entre l'intérieur et l'extérieur de la chamb re de traitement (1), un espace de transfert (5) pouvant être mis en relation, via ledit passage (2), avec la chambre de traitement (1) de façon à ce que des objets à traiter (3) soient introduits dans l'espace de transfert (5) préalablement à leur introduction dans la chambre de traitement (1), le dispositif étant caractérisé par le fait que l'espace de transfert (5): est délimité par des parois discontinues (6, 7), est mobile relativement à la chambre de traitement (1) de façon à pouvoir franchir le passage (2) de la chambre de traitement (1).
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过等离子体沉积处理物体的装置，包括：密封处理室（1），在减压下设置在其一个壁（4）上，具有能够关闭的通道（2），所述通道（2）使得能够将处理室（1）的内部和外部之间的待处理物体（3）进给; 能够经由所述通道（2）与所述处理室（1）连通的传送空间（5），使得待被处理物体（3）在引入所述传送空间（5）之前被引入所述传送空间治疗室（1）。所述装置的特征在于，由不连续壁（6,7）限定的传送空间（5）可相对于处理室（1）移动，以便能够移动经过处理室的通道（2）（1）。

5. 发明申请

WO01059809A1 AN ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA SYSTEM 审中-公开
标题翻译：大气压力等离子体系统
公开(公告)号：WO01059809A1
公开(公告)日：2001-08-16
申请号：PCT/IE2001/000023
申请日：2001-02-12
IPC分类号： H05H1/24 , B01J19/08 , H01J37/32 , H05H1/34
CPC分类号： H01J37/32825 , H01J37/32743 , H01J37/3277 , H01J37/32788
摘要： An atmospheric pressure plasma system (1) sharing electrodes (4) defining a plasma region (5) mounted in an enclosure housing (2). The enclosure housing has an open to atmosphere entry port assembly (10) and exit port assembly (11) for the continuous transfer of work-pieces through the plasma region (5). The embodiment illustrated is for precursor process gases having a relative density less than that of the ambient air so that the processor gases rise in the enclosure housing (2) expelling the heavier ambient and exhaust gases. Where the gases have a relative density greater than ambient the port assemblies (10 and 11) are sited above the plasma region (5).
摘要翻译：大气压等离子体系统（1）共享限定安装在外壳壳体（2）中的等离子体区域（5）的电极（4）。外壳壳体具有大气进入口组件（10）和出口端口组件（11），用于连续传送工件穿过等离子体区域（5）。所示的实施方案是用于具有小于环境空气的相对密度的前体工艺气体，使得处理器气体在外壳壳体（2）中升高，排出较重的环境和废气。当气体的相对密度大于环境温度时，端口组件（10和11）位于等离子体区域（5）的上方。

6. 发明申请

WO2016013440A1 基板処理システムおよび基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工系统和基板加工设备
公开(公告)号：WO2016013440A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：PCT/JP2015/070063
申请日：2015-07-13
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：川上　聡
IPC分类号： H01L21/3065 , F16B5/10 , H01L21/31 , H01L21/677
CPC分类号： H01J37/3244 , F16B5/10 , H01J37/3211 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J37/32807 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/67069 , H01L21/67167 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67248
摘要：　基板処理システム（１０）は、被処理基板を搬送するＴＭ（１２）と、ＴＭ（１２）の側面に沿って上下方向に並べて複数取り付けられ、それぞれが被処理基板を処理する複数の処理ユニット（３０）とを備える。それぞれの処理ユニット（３０）は、チャンバ（３００）と、シャワーヘッド（３１１）と、ステージ（３２１）とを有する。チャンバ（３００）は、チャンバ（３００）内に空間を形成する側壁（３０１）の一部を含み、シャワーヘッド（３１１）が設けられた上部ユニット（３１）と、チャンバ（３００）内の側壁（３０１）の残りの部分を含み、ステージ（３２１）が設けられた下部ユニット（３２）とを有する。上部ユニット（３１）と下部ユニット（３２）とは、複数の処理ユニット（３０）の配列方向とは異なる方向に分離可能である。
摘要翻译：衬底处理系统（10）设置有传送待处理衬底的传送模块（TM）（12）和沿着TM的侧表面垂直安装和布置的多个处理单元（30） 12），并且每个处理待处理的基板。每个处理单元（30）包括室（300），淋浴头（311）和台（321）。所述腔室（300）包括上部单元（31），所述上部单元（31）包括在所述腔室（300）中形成空间并且配有所述淋浴头（311）的侧壁（301）的一部分，以及下部单元）包括室（300）中的侧壁（301）的剩余部分并且装配在台架（321）上。上部单元（31）和下部单元（32）可以沿与多个处理单元（30）的排列方向不同的方向分离。

7. 发明申请

WO2009003552A9 TREATMENT SYSTEM FOR FLAT SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：救治体系平面基板
公开(公告)号：WO2009003552A9
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/EP2008003414
申请日：2008-04-28
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , GEISLER MICHAEL , MERZ THOMAS , ROEDER MARIO
发明人： GEISLER MICHAEL , MERZ THOMAS , ROEDER MARIO
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/56 , H01L21/00 , H01L21/677
CPC分类号： H01J37/32568 , C23C16/4587 , C23C16/54 , H01J37/32009 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J2237/022 , H01L21/67005
摘要： Disclosed is a reactor for treating flat substrates, comprising a vacuum chamber (11) and a process chamber (9). A first electrode (5) and a counter electrode (7) which form two opposite walls of the process chamber are provided for generating a plasma. The counter electrode can accommodate the substrate (3). The reactor further comprises means for introducing (19, 23, 25) and evacuating gaseous material into and/or from process chamber, an inlet and outlet for the vacuum chamber, and a mechanism (41, 43) for varying the relative distance between the electrodes, a first relatively great distance being used when the process chamber is loaded and discharged and a second relatively short distance being used when the treatment is performed, and/or a device which is associated with the counter electrode, is used for accommodating substrates, and is designed such that the substrate is disposed at an angle alpha ranging from 0° to 90°, preferably at an angle of 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°, relative to the vertical direction at least while the treatment is performed, the substrate surface that is to be treated facing downward.
摘要翻译：为平面基底的处理而形成的反应器，与真空室（11），处理室（9），其中，提供用于产生等离子体与处理室的两个相对壁的第一电极（5）和一对电极（7）; 装置，用于将（19，23，25）和用于去除气态物质（进和/或出处理腔室，其中所述衬底（3）是由对电极，所述真空腔室的装载和卸载开口，和装置可接收的 41，43为改变电极，其特征在于，提供一种在装载或卸载处理室并进行了处理时的第二相对较小的距离的第一相对较大的距离之间的相对距离相关联），和/或用于接收反电极装置基板被形成为使得至少所述治疗的执行期间所述基板，与所述表面被以一角度阿尔法向下处理在范围0°和90°之间，优选地具有1°，3°的值 5设置°，7°，9°，11°，13°，15°，17°，20°，25°，30°，40°，相对于垂直方向45°。

8. 发明申请

WO2009065745A1 PROCÉDÉ ET INSTALLATION DE GALVANISATION PAR ÉVAPORATION PLASMA 审中-公开
标题翻译：通过等离子体蒸发进行加压的方法和系统
公开(公告)号：WO2009065745A1
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：PCT/EP2008/065168
申请日：2008-11-07
申请人： INDUSTRIAL PLASMA SERVICES & TECHNOLOGIES - IPST GMBH , VANDEN BRANDE, Pierre
发明人： VANDEN BRANDE, Pierre
IPC分类号： C23C2/36 , C23C14/32 , C23C14/54 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/16 , C23C2/003 , C23C2/36 , C23C14/28 , C23C14/32 , C23C14/54 , C23C14/542 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/32513 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J37/32889 , H01J2237/327 , H01J2237/332 , H01J2237/334
摘要： L invention est relative à un procédéetune installation de traitement par plasma de substrats successifs comprenant un ou plusieurs produits en acier dans lequel l' on transporte les substrats l un après l autre à travers au moins une zone de traitement par plasma, caractérisé en ce que l onfait varier la puissance électrique fournie pour générer le plasma dans la zone de traitement en fonction de l' aire du substrat présent dans cette zone de traitement lorsque le substrat défile à travers cette zone.
摘要翻译：本发明涉及一种用于等离子体处理连续基片的方法和系统，包括一个或多个钢制品，其中基片通过至少一个等离子体处理区一个接一个地输送，其特征在于，用于产生处理区域中的等离子体在衬底运行通过该区域时，根据衬底存在于该处理区域中的面积而变化。

9. 发明申请

WO2006011757A1 ALUMINUM PLASMA CHAMBER HAVING ONE BODY SEALING MEMBER 审中-公开
标题翻译：具有一个身体密封会员的铝等离子体室
公开(公告)号：WO2006011757A1
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：PCT/KR2005/002446
申请日：2005-07-27
申请人： INNOVATION FOR CREATIVE DEVICES CO., LTD. , LEE, Seung-Ho , JANG, Kyung-Hwan , LEE, Hyuk-Bum , KWON, Sun-Ki
发明人： LEE, Seung-Ho , JANG, Kyung-Hwan , LEE, Hyuk-Bum , KWON, Sun-Ki
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , Y02P80/30
摘要： Disclosed is an aluminum plasma chamber having a one body sealing member. The present invention provides an aluminum plasma chamber capable of maintaining airtightness of the inside of the chamber, as well as reducing the manufacturing cost and time of the aluminum plasma chamber, and improving the surface treatment by separately processing a chamber lid, each of four plates constituting chamber walls, and a chamber bottom, which constitute the aluminum plasma chamber, to connect them to each other using a connecting member such as a bolt, as well as inserting one body sealing members into coupling regions between the chamber lid, each plate constituting the chamber wall, and the chamber bottom.
摘要翻译：公开了具有一体密封构件的铝等离子体室。本发明提供一种能够保持室内气密性的铝等离子体室，并且降低了铝等离子体室的制造成本和时间，并且通过分开处理室盖来改进表面处理，每个四个板构成室壁和室底部，其构成铝等离子体室，以使用诸如螺栓的连接构件将它们彼此连接，以及将一个主体密封构件插入在室盖之间的连接区域中，每个板构成室壁和室底部。

10. 发明申请

WO99026796A1 PLASMA PROCESSING METHODS AND APPARATUS 审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法和装置
公开(公告)号：WO99026796A1
公开(公告)日：1999-06-03
申请号：PCT/US1998/023701
申请日：1998-11-06
IPC分类号： H01L21/302 , C23C16/458 , C23C16/513 , C23C16/54 , H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/677 , H01L21/687 , H05H1/46 , B44C1/22 , B05D3/14 , B28B1/02 , C23C16/00
CPC分类号： H01L21/67017 , C23C16/4584 , C23C16/513 , C23C16/54 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J2237/20228 , H01J2237/31701 , H01L21/67745 , H01L21/67796 , H01L21/68707
摘要： To move an article (134) in and out of plasma (120) during plasma processing, the article (134) is rotated by a first drive (140) around a first axis (140X), and the first drive is itself rotated by a second drive (150). As a result, the article (134) enters the plasma (120) at different angles for different positions of the first axis (140X). The plasma cross section (114-0) at the level at which the plasma (120) contacts the article (134) is asymmetric so that those points on the article (134) that move at a greater linear velocity (due to being farther away from the first axis (140X) move longer distances through the plasma (120). As a result, the plasma processing time becomes more uniform for different points on the article surface. In some embodiments, two shuttles (710-1, 710-2) are provided for loading and unloading the plasma processing system. One of the shuttles (710-1) stands empty waiting to load them into the system, while the other shuttle (710-2) holds unprocessed articles (134) waiting to load them into the system. After the plasma processing terminates, the empty shuttle unloads processed articles (134) from the system, takes articles (134) away, and gets unloaded and reloaded with unprocessed articles (134). Meanwhile the other shuttle loads unprocessed articles (134) into the system and the plasma process begins. Since the plasma processing system does not wait for the first shuttle (710-1), the productivity of the system is increased.
摘要翻译：为了在等离子体处理期间移动物品（134）进入和离开等离子体（120），物品（134）围绕第一轴线（140X）由第一驱动器（140）旋转，并且第一驱动器本身旋转一第二驱动（150）。结果，物品（134）以不同的角度对第一轴（140X）的不同位置进入等离子体（120）。等离子体（120）接触物品（134）的水平面处的等离子体横截面（114-0）是不对称的，使得物品（134）上的那些点以更大的线速度移动（由于更远的距离从第一轴（140X）移动通过等离子体（120）的较长距离，结果是对物品表面上的不同点等离子体处理时间变得更加均匀，在一些实施例中，两个梭（710-1,710-2 ）提供用于装载和卸载等离子体处理系统，其中一个梭（710-1）待机等待装载到系统中，而其他梭子（710-2）保持未加工物品（134）等待加载等离子体处理结束后，空梭从系统中卸载加工物品（134），取物品（134）离开，卸载并重新加载未加工物品（134），另外的梭子装载未加工物品（ 134）进入系统和等离子体处理开始。由于等离子体处理系统不等待第一梭（710-1），因此系统的生产率增加。

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