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    • 2. 发明申请
    • TECHNIQUE TO DEPOSIT SIDEWALL PASSIVATION FOR HIGH ASPECT RATIO CYLINDER ETCH
    • 用于沉积高纵横比柱塞的侧壁钝化技术
    • WO2018026867A1
    • 2018-02-08
    • PCT/US2017/044986
    • 2017-08-01
    • LAM RESEARCH CORPORATION
    • HUDSON, Eric A.
    • H01L21/311H01L21/3213H01L21/02H01L21/67H01J37/32H01L27/108
    • H01L21/67748H01J37/32091H01J37/32568H01J37/32715H01L21/31116H01L21/67167H01L21/6719H01L21/67201H01L21/67207H01L21/67259H01L27/10861
    • Various embodiments herein relate to methods, apparatus and systems for forming a recessed feature in dielectric material on a semiconductor substrate. Separate etching and deposition operations are employed in a cyclic manner. Each etching operation partially etches the feature. Each deposition operation forms a protective coating on the sidewalls of the feature to prevent lateral etch of the dielectric material during the etching operations. The protective coating may be deposited using methods that result in formation of the protective coating along substantially the entire length of the sidewalls. The protective coating may be deposited using particular reactants having low sticking coefficients in some embodiments. The protective coating may also be deposited using particular reaction mechanisms that result in substantially complete sidewall coating. In some cases the protective coating is deposited using plasma assisted atomic layer deposition or plasma assisted chemical vapor deposition.
    • 这里的各种实施例涉及用于在半导体衬底上的电介质材料中形成凹陷结构的方法,设备和系统。 以循环方式采用分开的蚀刻和沉积操作。 每个蚀刻操作部分蚀刻该特征。 每个沉积操作在特征的侧壁上形成保护涂层以防止在蚀刻操作期间电介质材料的横向蚀刻。 可以使用导致沿着侧壁的大致整个长度形成保护涂层的方法来沉积保护涂层。 在一些实施例中,可以使用具有低粘着系数的特定反应物来沉积保护涂层。 保护涂层也可以使用导致基本上完全侧壁涂覆的特定反应机理来沉积。 在某些情况下,使用等离子体辅助原子层沉积或等离子体辅助化学气相沉积来沉积保护涂层。
    • 6. 发明申请
    • 웨이퍼 연마장비의 웨이퍼 로딩장치 및 웨이퍼 로딩위치 조정 방법
    • 波浪抛光设备的加载装置和调整加载位置的方法
    • WO2016080629A1
    • 2016-05-26
    • PCT/KR2015/007597
    • 2015-07-22
    • 주식회사 엘지실트론
    • 배재현
    • H01L21/304H01L21/677H01L21/68
    • H01L21/67259B24B37/08B24B37/345B24B49/12H01L21/67219H01L21/67742H01L21/67748H01L21/681H01L21/6838
    • 실시예는 웨이퍼 연마장비의 웨이퍼 로딩장치에 관한 것으로서, 웨이퍼가 로딩되는 웨이퍼 홀이 형성된 연마 캐리어가 구비되며, 웨이퍼의 양면이 상정반과 하정반에 의해 연마되는 웨이퍼 연마부와, 연마 캐리어의 상부에 배치되어 웨이퍼를 이송시키는 이송 암(arm)이 구비되고, 이송 암의 일단에 웨이퍼의 형상에 대응되는 이송 플레이트가 연결되는 웨이퍼 이송부와, 이송 플레이트의 하면에 설치되어 웨이퍼 홀의 위치를 감지하는 웨이퍼 위치 감지부와, 이송 플레이트의 가장자리부에 형성되는 복수 개의 웨이퍼 탈부착 유닛과, 이송 플레이트의 상단면에 설치되어 웨이퍼를 정렬하는 웨이퍼 정렬부와, 웨이퍼 위치 감지부로부터 검출된 웨이퍼 홀의 위치에 대한 데이터가 전송되고, 웨이퍼 탈부착 유닛과 웨이퍼 정렬부에 의해 웨이퍼가 로딩될 위치를 산출하는 제어부를 포함하는 웨이퍼 연마장비의 웨이퍼 로딩장치를 제공한다.
    • 实施例涉及晶片抛光设备的晶片装载装置。 提供了一种晶片抛光设备的晶片装载装置,包括:晶片抛光单元,其包括具有形成在其中的晶片孔的抛光载体,其中晶片被加载,其中晶片的两侧由上表面板和下表面板抛光; 晶片转印单元,其包括设置在所述抛光载体上方以转移所述晶片的转印臂,其中与所述晶片的形状对应的转印板连接到所述转印臂的一端; 晶片位置检测单元,安装在转印板的底部以检测晶片孔的位置; 形成在转印板的边缘部分上的多个晶片安装/拆卸单元; 安装在转印板的顶部以对准晶片的晶片对准单元; 以及控制器,通过晶片位置检测单元检测到的晶圆孔的位置的数据被传送,并且由晶片安装/拆卸单元和晶片对准单元计算要装载晶片的位置的控制器 。
    • 7. 发明申请
    • 基板処理方法および基板処理装置
    • 基板处理方法和基板处理装置
    • WO2015107955A1
    • 2015-07-23
    • PCT/JP2015/050246
    • 2015-01-07
    • 株式会社SCREENホールディングス
    • 山本 真弘
    • H01L21/02H01L21/304H01L21/677
    • H01L21/67276B08B1/002B08B3/04B08B9/093H01L21/02057H01L21/67051H01L21/67748H01L21/67766H01L21/67781H01L21/68707
    •  異常発生時における基板処理装置のスループット低下を防止する技術を提供する。あるレシピが処理ユニットで実行できなくなる事象が発生した場合、発生した事象の種類によっては別のレシピならば当該処理ユニットで実行可能な場合が存在する。発生事象の種類と実行中のレシピを代替できる代替レシピとを予め対応付けておく。異常発生時には、実行レシピを別レシピで差し替え可能か、別レシピで代替できる場合にはそのレシピが未完了のジョブに含まれるかを検討する。これらの条件が満たされる場合には、以降は当該処理ユニットで代替レシピを実行するように基板処理スケジュールを変更する。条件が満たされない場合には当該処理ユニットでの基板処理を中止する。基板処理装置における基板処理の中断をできるだけ回避することができる。
    • 提供了一种用于在发生故障时防止基板处理装置的吞吐量下降的技术。 当发生在处理单元中再现可执行的事件的事件时,根据发生的事件的类型,存在在所述处理单元处执行不同配方的情况。 可能发生的事件类型和可在中间执行中替换配方的替换配方事先关联。 当发生故障时,检查中间执行中的配方是否可以被不同的配方替代,以及如果中间执行配方可以被替换,那么不同的配方是否包括在未完成的作业中 检查。 如果满足这些条件,则基板处理进度以这样的方式改变,随后在所述处理单元处执行替换配方。 如果不符合条件,则处理单元的基板处理被中断。 可以尽可能地避免基板处理装置中的基板处理的中断。