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热词
    • 2. 发明申请
    • HIGH PRODUCTIVITY SOAK ANNEAL SYSTEM
    • 高生产能力的深度退火系统
    • WO2017127161A1
    • 2017-07-27
    • PCT/US2016/064457
    • 2016-12-01
    • APPLIED MATERIALS, INC.
    • NEWMAN, Jacob
    • H01L21/67H01L21/324
    • H01L21/67109H01L21/67115H01L21/67196H01L21/67201H01L21/67748H01L21/68742H01L21/68757H01L21/68764H01L21/68771
    • Embodiments described herein relate to apparatus and methods for thermally processing substrates. In one embodiment, a processing system includes a factory interface coupled to a plurality of load lock chambers. The plurality of load lock chambers are coupled to a transfer chamber which houses a robot. A thermal processing chamber is coupled to the transfer chamber and the robot is configured to transfer substrate between the load lock chambers and the thermal processing chamber. A multi-substrate support, which is disposed within the thermal processing chamber, rotates to facilitate efficient substrate thermal processing. A gas curtain apparatus disposed in a port plenum provides environment separation between the processing chamber and the transfer chamber while enabling efficient substrate transfer between the thermal processing chamber and the transfer chamber.
    • 这里描述的实施例涉及用于热处理衬底的装置和方法。 在一个实施例中,处理系统包括耦合到多个负载锁定室的工厂接口。 多个加载锁定腔室联接到容纳机器人的传送腔室。 热处理室耦合到传送室,并且机器人被配置为在负载锁定室和热处理室之间传送衬底。 设置在热处理室内的多基板支架旋转以促进有效的基板热处理。 布置在端口增压室中的气幕装置在处理室和传送室之间提供环境分离,同时使得热处理室和传送室之间能够有效地传送基板。
    • 7. 发明申请
    • SYSTEM AND METHOD FOR QUICK-SWAP OF MULTIPLE SUBSTRATES
    • 多基板快速切换系统及方法
    • WO2014189788A1
    • 2014-11-27
    • PCT/US2014/038452
    • 2014-05-16
    • VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
    • VOPAT, Robert, B.SCHALLER, Jason, M.WEAVER, William, T.
    • H01L21/677
    • B25J15/0052B25J11/0095H01L21/67201H01L21/67742H01L21/67757
    • A system and method are disclosed for substrate handling. The system can include a robot adapter configured to connect to a robot, and first and second end effectors connected to the robot adapter. The robot adapter is configured to move the first and second end effectors from a first, retracted, position to a second, extended, position. In the extended position, the first or second end effector is disposed within a top entry load lock for picking or dropping a plurality of substrates therein. The first and second end effectors can be selectively and independently movable. The robot adapter can be rotatable so as to selectively position one of the end effectors over the top entry load lock. Methods for quickly swapping processed and unprocessed substrates in the top entry load lock are also disclosed and claimed.
    • 公开了用于基板处理的系统和方法。 该系统可以包括被配置为连接到机器人的机器人适配器,以及连接到机器人适配器的第一和第二端部执行器。 机器人适配器被配置为将第一和第二末端执行器从第一缩回位置移动到第二延伸位置。 在延伸位置中,第一或第二末端执行器设置在顶部入口装载锁中,用于在其中拾取或掉落多个基板。 第一和第二端部执行器可以选择性地和独立地移动。 机器人适配器可以是可旋转的,以便选择性地将其中一个末端执行器定位在顶部入口装载锁定上。 还公开并要求保护在顶部入口加载锁中快速交换处理和未处理的基板的方法。
    • 8. 发明申请
    • 基板冷却部材、基板処理装置及び基板処理方法
    • 基板冷却部件,基板加工装置以及基板处理方法
    • WO2014073460A1
    • 2014-05-15
    • PCT/JP2013/079652
    • 2013-10-25
    • 東京エレクトロン株式会社
    • 河邊 篤小林 仙尚
    • H01L21/677H01L21/02
    • H01J37/32724H01J37/3244H01J37/32449H01J37/32522H01J37/32733H01J37/32816H01J37/32834H01J37/32899H01J2237/002H01J2237/334H01L21/67109H01L21/67201
    •  基板処理装置において基板を冷却するための処理室の構成を簡単にする。ウエハ(W)にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置(10)において、プラズマ処理されたウエハ(W)をロードロック室(13)に搬入し、ウエハ(W)の表面にガス噴射部材(25)からガスを噴射してウエハ(W)を冷却する。ガス噴射部材(25)は、平板部材(31)の一方の平板面に複数のガス噴射ノズル(35)が形成された構造を有し、ガス噴射ノズル(35)は、円柱状の渦流生成室(41)と、渦流生成室(41)の底壁(52)で開口してガスを噴射するノズル孔(42)を有する。ウエハ(W)の平板面と平板部材(31)においてガス噴射ノズル(35)が形成された平板面とを所定間隔で平行に配置し、ノズル孔(42)からウエハ(W)に向けてパージガスを噴射し、噴射したパージガスに渦を巻く流れを生じさせることによりウエハ(W)を冷却すると同時に、ロードロック室(13)内を真空雰囲気から大気圧雰囲気へと切り替える。
    • 本发明的目的是简化用于冷却衬底处理装置中的衬底的处理室的构造。 在等离子体处理装置(10)中,通过对晶片(W)进行等离子体处理,将等离子体处理的晶片(W)输送到负载锁定室(13),从气体中排出气体 放电构件(25)在晶片(W)的表面上,冷却晶片(W)。 气体排出构件(25)包括在平板构件(31)的一个平板面上形成有多个排气喷嘴(35)的结构。 排气喷嘴(35)包括圆筒形涡流发生室(41)和在涡流发生室(41)的底壁(52)中打开并排出气体的喷嘴孔。 晶片(W)的平板面和平板面,其中在平板构件(31)中形成气体排出喷嘴(35)的平板面以规定间隙平行放置。 吹扫气体从喷嘴孔(42)朝向晶片(W)排出,并且在排出的净化气体中产生涡流,从而冷却晶片(W),同时切换 负载锁定室(13)从真空环境到大气压力环境。
    • 10. 发明申请
    • ロードロック装置
    • 负载锁定装置
    • WO2013136916A1
    • 2013-09-19
    • PCT/JP2013/053874
    • 2013-02-18
    • 東京エレクトロン株式会社
    • 小林 仙尚
    • H01L21/205C23C14/56H01L21/3065H01L21/677
    • C23C14/566C23C16/54H01L21/67201
    •  ロードロック装置(6,7)は、容器(31)と、容器(31)内にパージガスを供給するパージガス供給源(48)と、容器(31)内を排気する排気機構(44)と、容器(31)内の圧力を真空に保持された搬送室(5)に対応する圧力と大気圧との間で調整する圧力調整機構(49)と、容器(31)内で基板(W)を支持する基板支持部材(54)と、基板(W)の上面および/または下面に対向して設けられ、パージガスを基板Wの上面および/または下面に向けて吐出する、多孔質体またはシャワー構造からなるガス吐出部材(51,52)と、ガス吐出部材(51,52)を挟んだ両側の圧力差がほぼ保たれて、吐出した後のガスの温度が低下する効果が得られるように圧力調整機構(49)を制御する制御部(20)とを具備する。
    • 该装载锁定装置(6,7)装有:容器(31); 吹扫气体供应源(48),其将吹扫气体供应到容器(31)中; 排出容器(31)内部的排气机构(44); 压力调节机构(49),其调节大气压力和对应于输送室(5)的压力,由此容器(31)的内部压力保持在真空中; 在所述容器(31)中支撑衬底(W)的衬底支撑构件(54); 面向基板(W)的上表面和/或下表面设置的气体排出构件(51,52),其包括将吹扫气体朝向上表面排出的淋浴结构或多孔体,和/或下部 基板表面(W); 以及控制单元(20),其以如下方式控制压力调节机构(49),使得获得排气后的气体的温度降低的效果,并且使得夹着气体排出构件的两侧的压力差 51,52)几乎是恒定的。