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1. 发明申请

WO2017167817A1 PISTON RING FOR AN INTERNAL-COMBUSTION ENGINE, AND METHOD FOR OBTAINING A PISTON RING AND AN INTERNAL-COMBUSTION ENGINE 审中-公开
标题翻译：用于内燃机的活塞环以及用于获得活塞环和内燃机的方法
公开(公告)号：WO2017167817A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/EP2017/057441
申请日：2017-03-29
申请人： MAHLE METAL LEVE S/A , MAHLE INTERNATIONAL GMBH
发明人： DA ROCHA MORDENTE, Paulo José
IPC分类号： F16J9/26
CPC分类号： F16J9/12 , C23C14/505 , C23C14/542 , F16J9/26
摘要： The present invention refers to a piston ring (1) and a method for depositing a multi-layer coating (5) with a nanolayer structure able to guarantee a variable thickness of the coating (5) of the peripheral surface (2) of the piston ring (1), such that a region of the immediate vicinity of the butt ends (31, 32) of an opening (3) of the ring (1) includes a layer of coating (5) that is thicker than the layer of coating of the region opposite the immediate vicinity of the butt ends (31, 32) of the ring (1), thereby providing a piston ring (1) with high durability due to the excellent strength and increased thickness in the region of the ring subject to greatest wear.
摘要翻译：本发明涉及活塞环（1）和用于沉积具有纳米层结构的多层涂层（5）的方法，所述纳米层结构能够保证所述涂层（5）的可变厚度（1）的开口（3）的邻接端部（31,32）的紧邻区域包括一层涂层（5），该环形表面其厚度比与环（1）的粗端（31,32）的紧邻区域相对的区域的涂层厚，由此提供了由于优异的强度和增加的厚度而具有高耐久性的活塞环（1）在环的区域受到最大的磨损。

2. 发明申请

WO2017049841A1 膜厚控制系统、膜厚控制方法、蒸镀装置和蒸镀方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017049841A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/CN2016/073623
申请日：2016-02-05
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：付文悦 , 陈立强 , 孙俊民
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/24
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/24 , C23C14/546 , C23C14/547 , G01B11/0683
摘要：一种用于蒸镀装置(100)的膜厚控制系统，包括：移动装置(01)、膜厚测量仪(3)及计算机，其中，膜厚测量仪(3)安装在移动装置(01)上，并连接计算机，用于从计算机获取待测基板(4)的要测量位置的坐标点，并将测得的要测量位置的实际膜厚发送至计算机，计算机用于在实际膜厚不超出预设膜厚的误差范围时根据实际膜厚、预设膜厚及当前补偿值计算新补偿值，并将新补偿值发送至蒸镀装置(100)用作补偿蒸镀参考。以及一种膜厚控制方法、蒸镀装置(100)和蒸镀方法。

3. 发明申请

WO2016152089A1 高周波スパッタリング装置及びスパッタリング方法审中-公开
标题翻译：高频溅射装置和溅射方法
公开(公告)号：WO2016152089A1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：PCT/JP2016/001459
申请日：2016-03-15
申请人：株式会社アルバック
发明人：藤井　佳詞 , 中村　真也
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/40 , C23C14/50 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32697 , C23C14/081 , C23C14/345 , C23C14/35 , C23C14/50 , C23C14/52 , C23C14/542 , H01J37/32715 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/347 , H01J37/3476
摘要：　処理基板での逆スパッタリング量を可及的に抑制して効率よく成膜することができる高周波スパッタリング装置を提供する。　真空中でターゲット２１に高周波電力を投入し、処理基板Ｗの片面Ｗａに対し成膜処理する本発明の高周波スパッタリング装置ＳＭは、処理基板の片面を開放しかつ電気的に絶縁した状態で処理基板を保持するステージ４を備える。ステージは、その処理基板の保持面に窪み部４２を有し、処理基板の外周縁部がステージの保持面４１に当接するように処理基板を保持したときに処理基板他面と窪み部の輪郭とで区画される空間４３に、処理基板に対して近接方向または離間方向に移動自在なアースに接続される可動体４４を設ける。
摘要翻译：提供一种能够通过尽可能地抑制待处理基板上的反溅射量而能够有效地形成膜的高频溅射装置。根据本发明的高频溅射装置SM，其在真空中向目标21输入高频功率，并且在待处理基板W的一个表面Wa上形成膜，包括保持基板的载物台4 被处理，其一个表面在电绝缘状态下打开。台阶包括位于待处理基板的保持表面中的凹陷部分42，其中可移动体44连接到地面并且能够自由地移动和离开待处理的基板。待处理基板的其他表面和待加工基板被保持的凹陷部分的轮廓，使得待处理的基板的外周部分与台阶的保持表面41相邻。

4. 发明申请

WO2016123348A1 COUNTER BASED TIME COMPENSATION TO REDUCE PROCESS SHIFTING IN REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING REACTOR 审中-公开
标题翻译：基于计数器的时间补偿以减少反应性磁控溅射反应器中的工艺转移
公开(公告)号：WO2016123348A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/US2016/015375
申请日：2016-01-28
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： CHOWDHURY, Mohammad Kamruzzaman , GE, Zhenbin , ALLEN, Adolph Miller
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/14 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3492 , C23C14/3414 , C23C14/35 , C23C14/542 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3444 , H01J37/3464 , H01J37/347 , H01J37/3473
摘要： A method of processing a substrate includes: sputtering target material for a first amount of time using a first plasma formed from an inert gas and a first amount of power; determining a first counter, based on a product of a flow rate of the inert gas, the first amount of power, and the first amount of time; sputtering a metal compound material for a second amount of time using a second plasma formed from a process gas comprising a reactive gas and an inert gas and a second amount of power; determining a second counter based on a product of a flow rate of the process gas, the second amount of power, and the second amount of time; determining a third counter; and depositing a metal compound layer onto a predetermined number of substrates, wherein a deposition time for each substrate is adjusted based on the third counter.
摘要翻译：一种处理衬底的方法包括：使用由惰性气体形成的第一等离子体和第一量的功率来溅射靶材料一段时间; 基于所述惰性气体的流量，所述第一功率量和所述第一时间量的乘积确定第一计数器; 使用由包含反应性气体和惰性气体的处理气体形成的第二等离子体和第二量的功率来溅射金属化合物材料第二时间量; 基于所述处理气体的流量，所述第二功率量和所述第二时间量的乘积确定第二计数器; 确定第三个计数器; 以及将金属化合物层沉积到预定数量的基板上，其中基于第三计数器调整每个基板的沉积时间。

5. 发明申请

WO2016095976A1 APPARATUS AND METHOD FOR COATING A SUBSTRATE WITH A MOVABLE SPUTTER ASSEMBLY AND CONTROL OVER POWER PARAMETERS 审中-公开
标题翻译：用于将可移动的飞溅器组件涂覆在基板上的控制装置和方法
公开(公告)号：WO2016095976A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：PCT/EP2014/078057
申请日：2014-12-16
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , SEVERIN, Daniel , HANIKA, Markus , BENDER, Marcus , LINDENBERG, Ralph
发明人： SEVERIN, Daniel , HANIKA, Markus , BENDER, Marcus , LINDENBERG, Ralph
IPC分类号： C23C14/50 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/56 , C23C14/54 , H01J37/34 , C23C14/00 , H01J37/32
CPC分类号： C23C14/3492 , C23C14/0063 , C23C14/352 , C23C14/54 , C23C14/542 , C23C14/562 , H01J37/32733 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3444 , H01J37/3447 , H01J37/347
摘要： According to embodiments, an apparatus and a method for coating a substrate in a vacuum process chamber are provided. The method includes sputtering a sputter material from a sputter source while a first power is applied to the sputter source, wherein the sputter source is located in a first position relative to the substrate. The method includes moving the sputter source in a translational movement relative to the vacuum chamber while sputtering. The method further includes sputtering the sputter material from the sputter source while a second power is applied to the sputter source, wherein the sputter source is located in a second position relative to the substrate.
摘要翻译：根据实施例，提供了一种用于在真空处理室中涂覆基板的装置和方法。该方法包括在将第一功率施加到溅射源的同时从溅射源溅射溅射材料，其中溅射源位于相对于衬底的第一位置。该方法包括在溅射时相对于真空室的平移运动移动溅射源。该方法还包括在溅射源施加第二功率的同时从溅射源溅射溅射材料，其中溅射源相对于衬底位于第二位置。

6. 发明申请

WO2016021112A1 SYSTEM AND METHOD BASED ON MULTI-SOURCE DEPOSITION FOR FABRICATING PEROVSKITE FILM 审中-公开
标题翻译：基于多源沉积的制备薄膜的系统和方法
公开(公告)号：WO2016021112A1
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：PCT/JP2015/003450
申请日：2015-07-08
申请人： OKINAWA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY SCHOOL CORPORATION
发明人： QI, Yabing , ONO, Luis Katsuya , WANG, Shenghao
IPC分类号： C23C16/44 , H01L51/44 , H01L51/48 , C07F7/22 , C07F7/24
CPC分类号： C23C14/542 , C07F7/22 , C07F7/24 , C23C14/0694 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/505 , H01L31/0256 , H01L51/0008 , H01L51/0029 , H01L51/4226
摘要： A system and method for fabricating a perovskite film is provided, the system including a substrate stage configured to rotate around its central axis at a rotation speed, a first set of evaporation units, each coupled to the side section or the bottom section of the chamber, a second set of evaporation units coupled to the bottom section, and a shield defining two or more zones having respective horizontal cross-sectional areas, which are open and facing the substrate, designated for the two or more evaporation units in the second set. The resultant perovskite film includes multiple unit layers, wherein each unit layer is formed by one rotation of the substrate stage, and the composition and thickness of the unit layer are controlled by adjusting at least the evaporation rates, the rotation speed and the horizontal cross-sectional areas.
摘要翻译：提供了一种用于制造钙钛矿膜的系统和方法，该系统包括被配置为围绕其中心轴以旋转速度旋转的衬底台，第一组蒸发单元，每个联接到腔室的侧部或底部，耦合到底部的第二组蒸发单元和限定两个或更多个具有相应的水平横截面面积的屏蔽件，所述两个或多个区域是敞开的且面向衬底，被指定用于第二组中的两个或更多个蒸发单元。所得到的钙钛矿膜包括多个单位层，其中每个单位层通过衬底台的一个旋转形成，并且通过至少调节蒸发速率，转速和水平横截面来控制单元层的组成和厚度，截面积。

7. 发明申请

WO2015149857A1 SPUTTERING ARRANGEMENT FOR SPUTTERING A MATERIAL ON A SUBSTRATE SURFACE 审中-公开
标题翻译：用于在基材表面上溅射材料的溅射装置
公开(公告)号：WO2015149857A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/EP2014/056709
申请日：2014-04-03
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , DIETER, Torsten
发明人： DIETER, Torsten
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/54 , C23C14/56 , H01J37/34
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/225 , C23C14/562 , H01J37/32568 , H01J37/347
摘要： A sputtering arrangement for sputtering a material on a substrate surface is provided. The sputtering arrangement includes at least one sputtering cathode having a first end portion and a second end portion, wherein the sputtering cathode extends along a first axis, at least one substrate support configured to support the substrate and arranged opposite the at least one sputtering cathode, wherein the substrate support extends along a second axis, and wherein the second axis forms a first angle with the first axis, and at least one actuation device connectable to the at least one sputtering cathode, particularly to the first end portion and/or the second end portion. The at least one actuation device is configured to change the first angle, particularly during a sputtering process.
摘要翻译：提供了用于在衬底表面上溅射材料的溅射装置。溅射装置包括至少一个具有第一端部和第二端部的溅射阴极，其中溅射阴极沿着第一轴线延伸，至少一个衬底支撑件构造成支撑衬底并且布置成与至少一个溅射阴极相对，其中所述衬底支撑件沿着第二轴线延伸，并且其中所述第二轴线与所述第一轴线形成第一角度;以及至少一个致动装置，其可连接到所述至少一个溅射阴极，特别是与所述第一端部部分和/ 端部。所述至少一个致动装置被配置为改变第一角度，特别是在溅射过程期间。

8. 发明申请

WO2015127908A1 METHOD OF CARRYING SUBSTRATES DURING THE DEPOSITION OF A THIN FILM ON THE SURFACE OF SUBSTRATES AND A ROTARY TABLE FOR CARRYING THE SUBSTRATES ACCORDING TO THE METHOD 审中-公开
标题翻译：在基板表面沉积薄膜时承载基板的方法以及根据该方法承载基板的旋转台
公开(公告)号：WO2015127908A1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：PCT/CZ2015/000014
申请日：2015-02-23
申请人： HVM PLASMA, SPOL.S R.O.
发明人： KADLEC, Stanislav , PLĺHAL, Petr , VYSKOČIL, Jiří
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/08 , C23C14/22
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/081 , C23C14/225 , C23C14/505 , C23C14/542
摘要： During the deposition of thin surface layers on substrates (2), it is desirable that as many substrates (2) as possible are processed in a single batch in the sputtering device, while ensuring the quality of processing the surface layers on all stored substrates (2), in particular the homogeneity of the thickness of the layer (t) on each substrate (2). Currently there are tables (1) known for a sputtering device that ensure the quality of the surface layers, but their capacity is low due to the design of the sputtering device. Other tables (1), on the contrary, do not guarantee the optimum homogeneity of the layers. The invention presents a method and a rotary table (1) for execution of this method, which includes at least one rotary plate (3) on which there are arranged planetary carriers (5) for the substrates (2). The axes (6) of rotation of the planetary carriers (5) form, with the axis (4) of rotation of the rotary plate (1), an angle (a) ranging from 15° to 75°. The number of rotary plates (3) on the cage of the rotary table (1) can be easily changed so that the rotary table (1) accommodates the highest possible number of substrates (2) while maintaining the quality of the deposited surface layers. The high storage capacity of the rotary table (1) is ensured by the spatial arrangement of the substrates (2).
摘要翻译：在衬底（2）上沉积薄表面层期间，希望尽可能多的衬底（2）在溅射装置中以单次批处理，同时确保处理所有存储的衬底上的表面层的质量（ 2），特别是每个基板（2）上的层（t）的厚度的均匀性。目前，存在用于确保表面层的质量的溅射装置的表（1），但由于溅射装置的设计，它们的容量较低。相反，其他表（1）不能保证层的最佳均匀性。本发明提供了一种用于执行该方法的方法和旋转台（1），其包括至少一个旋转板（3），其上布置有用于基板（2）的行星架（5）。行星架（5）的旋转轴（6）与旋转板（1）的旋转轴线（4）形成15°至75°的角度（a）。可以容易地改变旋转台（1）的保持架上的旋转板（3）的数量，使得旋转台（1）在保持沉积的表面层的质量的同时容纳尽可能多数量的基板（2）。通过基板（2）的空间布置来确保旋转台（1）的高存储容量。

9. 发明申请

WO2014127847A1 APPARATUS WITH NEIGHBORING SPUTTER CATHODES AND METHOD OF OPERATION THEREOF 审中-公开
标题翻译：具有相邻射灯阴极的装置及其操作方法
公开(公告)号：WO2014127847A1
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：PCT/EP2013/053733
申请日：2013-02-25
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , PIERALISI, Fabio , MÜHLFELD, Uwe
发明人： PIERALISI, Fabio , MÜHLFELD, Uwe
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/35 , C23C14/34 , C03C17/00
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/50 , C23C14/542 , H01J37/3435 , H01J37/345
摘要： An apparatus for deposition of a layer stack on a non-flexible substrate or on a substrate provided in a carrier is described. The apparatus includes a vacuum chamber, a transport system, wherein the transport system and the vacuum chamber are configured for inline deposition, a first support for a first rotatable sputter cathode rotatable around a first rotation axis within the vacuum chamber, wherein a first deposition zone for depositing a first material is provided, a second support for a second rotatable sputter cathode rotatable around a second rotation axis within the vacuum chamber, wherein a second deposition zone for depositing a second material is provided, wherein the first rotation axis and the second rotation axis have a distance from each other of 700 mm or below; and a separator structure between the first rotation axis and the second rotation axis, adapted to receive the first material sputtered towards the second deposition zone and the second material sputtered towards the first deposition zone, wherein apparatus is configured for deposition of the layer stack comprising a layer of the first material and a subsequent layer of the second material.
摘要翻译：描述了用于在非柔性基板上或在设置在载体中的基板上沉积层堆叠的装置。所述设备包括真空室，输送系统，其中所述输送系统和所述真空室被构造成用于在线沉积，用于可围绕所述真空室内的第一旋转轴线旋转的第一可旋转溅射阴极的第一支撑件，其中第一沉积区域提供用于沉积第一材料的第二支撑件，用于可在真空室内围绕第二旋转轴线旋转的第二可旋转溅射阴极的第二支撑件，其中提供用于沉积第二材料的第二沉积区域，其中第一旋转轴线和第二旋转轴线之间的距离为700mm以下; 以及在所述第一旋转轴线和所述第二旋转轴线之间的分离器结构，适于接收朝向所述第二沉积区域溅射的所述第一材料，并且所述第二材料溅射朝向所述第一沉积区域，其中，所述设备被构造用于沉积所述层叠体，第一材料的层和第二材料的后续层。

10. 发明申请

WO2013028977A3 APPARATUS AND METHOD FOR THE EVAPORATION AND DEPOSITION OF MATERIALS 审中-公开
标题翻译：用于材料蒸发和沉积的装置和方法
公开(公告)号：WO2013028977A3
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：PCT/US2012052281
申请日：2012-08-24
申请人： MUSTANG VACUUM SYSTEMS INC , CHOQUETTE ROBERT , EGLE LAWRENCE , DICKEY AARON
发明人： CHOQUETTE ROBERT , EGLE LAWRENCE , DICKEY AARON
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/246 , C23C14/54 , C23C14/544 , C23C14/545
摘要： An apparatus and method for the evaporation and deposition of materials onto a substrate. A material hopper assembly may receive source material. An agitator mechanism may be controlled for urging or advancing forward the source material. A grinding mechanism may be controlled for grinding source material. A heating pot vessel may be heated to evaporate the source material. The evaporated source material may be deposited on a proximate substrate. The rate of the deposition may be controlled in part by the agitator mechanism and/or the grinding mechanism. Temperature zones in a heating pot vessel may be independently controlled to evaporate the source material. A reactor chamber may be heated to allow the evaporated source materials to interact. A heated mesh may be charged to accelerate particles of the evaporated source materials onto the substrate.
摘要翻译：一种用于将材料蒸发和沉积到衬底上的设备和方法。料斗组件可以接收源材料。可以控制搅拌器机构来推动或前进源材料。研磨机构可以被控制用于研磨源材料。加热罐容器可以被加热以蒸发源材料。蒸发的源材料可以沉积在邻近的基底上。沉积速率可部分由搅拌器机构和/或研磨机构控制。加热锅容器中的温度区域可以被独立控制以蒸发源材料。可以加热反应室以允许蒸发的源材料相互作用。加热的网可以被充电以将蒸发的源材料的粒子加速到衬底上。

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