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1. 发明申请

WO2011121097A3 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR UNTERSUCHUNG VON MOLEKÜLBINDUNGEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2011121097A3
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：PCT/EP2011/055062
申请日：2011-03-31
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT MÜNCHEN , GEISLER, Michael , HUGEL, Thorsten , NETZ, Roland
发明人： GEISLER, Michael , HUGEL, Thorsten , NETZ, Roland
IPC分类号： G01Q60/28 , G01N33/483 , B82Y15/00 , C12Q1/68
摘要： Ein Rasterkraftmikroskop (1) wird für ein Messverfahren verwendet, um die Molekülbindung von sich in Lösung befindenden Einzelmolekülen an ein Sondenmolekül (5) zu untersuchen. Die Bindungsparameter können dabei für den adsorbierten Zustand des Sondenmoleküls (5), in dem das Sondenmolekül (5) an einer Adsorptionsfläche (7) adsorbiert ist, oder für einen desorbierten Zustand des Sondenmoleküls (5) bestimmt werden.

2. 发明申请

WO2008113571A9 GASVERTEILERSYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2008113571A9
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/EP2008/002196
申请日：2008-03-19
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , PFLUG, Andreas , SIEMERS, Michael , SZYSZKA, Bernd , GEISLER, Michael
发明人： PFLUG, Andreas , SIEMERS, Michael , SZYSZKA, Bernd , GEISLER, Michael
IPC分类号： C23C16/455 , C23C14/00 , H01J37/32
摘要： Die Erfindung betrifft ein Gasverteilersystem mit zumindest drei Platten, von denen die erste eine gemeinsame Gaszuleitung, die dritte eine Anordnung von Gasaustrittsdüsen besitzt, und die zweite Platte zwischen der ersten und der dritten angeordnet ist, wobei die dritte Platte zumindest ein Kanalsystem enthält, welches Gaszuleitung und Austrittsdüsen miteinander verbindet, wobei ein Teilbereich des Kanalsystems mit zumindest 60% Anteil an der Gesamtfläche des Kanalsystems in der mittleren Platte, nicht-überlappend und/oder in einer Ebene angeordnet ist und dass zumindest 60% der Verzweigungspunkte des Kanalsystems binäre Verzweigungspunkte sind.

3. 发明申请

WO2011012185A1 REINIGEN EINER PROZESSKAMMER 审中-公开
标题翻译：清洁处理室
公开(公告)号：WO2011012185A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/EP2010/003247
申请日：2010-05-28
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , BECKMANN, Rudolf , GEISLER, Michael , ROST, Harald
发明人： BECKMANN, Rudolf , GEISLER, Michael , ROST, Harald
IPC分类号： C23C16/44 , B08B7/00 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/0071 , H01J37/32862
摘要： Das Verfahren zum Reinigen von zumindest einer im Innenbereich einer Plasma -Prozesskammer angeordneten Komponente mit einem Reinigungsgas, welches Fluorgas aufweist, wobei die Prozesskammer zumindest eine Elektrode und Gegenelektrode zum Erzeugen eines Plasmas zur Plasmabehandlung, insbesondere zur CVD - oder PECVD- Behandlung von flachen Substrate mit einer Oberfläche von mehr als 1m 2 , aufweist, zeichnet sich dadurch aus, dass der Innenbereich mit gasförmigen Fluorverbindungen mit einem Partialdruck von größer als 5 mbar beaufschlagt wird. Bei einem weiteren Verfahren V zum Reinigen von zumindest einer im Innenbereich einer Prozesskammer angeordneten Komponente mittels eines Reinigungsgases, welches Fluorgas aufweist, wobei die Prozesskammer zumindest eine Elektrode und Gegenelektrode zum Erzeugen eines Plasmas, insbesondere zur CVD - oder PECVD- Behandlung von flachen Substrate mit einer Oberfläche von mehr als 1m 2 , aufweist, ist vorgesehen, dass mittels eines Temperiermittels eine thermische Aktivierung des Fluorgases erfolgt, wobei die zu reinigende Komponente eine Temperatur
摘要翻译：用于净化至少一项所述的方法，用清洁气体包括其中氟气，配置在等离子体-Prozesskammer部件的内部，其中，所述处理室中的至少一个电极和用于产生等离子处理的等离子的反电极，特别是用于CVD - 或PECVD处理平坦基板的与的多于一个1平方米表面积，其特征在于，用具有大于5毫巴的分压气态氟化合物的内部区域被施加。在用于清洁的至少一个是由包括氟气的清洁气体的装置，被布置在处理腔室部件的内部的另一种方法V，其中，所述处理室中的至少一个电极和用于产生等离子体的反电极，特别是用于CVD - 或PECVD处理与平面基底的表面积大于1平方米其中，设想由氟气，其中所述组分待清洁的温度控制热激活装置具有温度<350℃更大

4. 发明申请

WO2009003552A9 TREATMENT SYSTEM FOR FLAT SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：救治体系平面基板
公开(公告)号：WO2009003552A9
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/EP2008003414
申请日：2008-04-28
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , GEISLER MICHAEL , MERZ THOMAS , ROEDER MARIO
发明人： GEISLER MICHAEL , MERZ THOMAS , ROEDER MARIO
IPC分类号： H01J37/32 , C23C14/56 , H01L21/00 , H01L21/677
CPC分类号： H01J37/32568 , C23C16/4587 , C23C16/54 , H01J37/32009 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J2237/022 , H01L21/67005
摘要： Disclosed is a reactor for treating flat substrates, comprising a vacuum chamber (11) and a process chamber (9). A first electrode (5) and a counter electrode (7) which form two opposite walls of the process chamber are provided for generating a plasma. The counter electrode can accommodate the substrate (3). The reactor further comprises means for introducing (19, 23, 25) and evacuating gaseous material into and/or from process chamber, an inlet and outlet for the vacuum chamber, and a mechanism (41, 43) for varying the relative distance between the electrodes, a first relatively great distance being used when the process chamber is loaded and discharged and a second relatively short distance being used when the treatment is performed, and/or a device which is associated with the counter electrode, is used for accommodating substrates, and is designed such that the substrate is disposed at an angle alpha ranging from 0° to 90°, preferably at an angle of 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°, relative to the vertical direction at least while the treatment is performed, the substrate surface that is to be treated facing downward.
摘要翻译：为平面基底的处理而形成的反应器，与真空室（11），处理室（9），其中，提供用于产生等离子体与处理室的两个相对壁的第一电极（5）和一对电极（7）; 装置，用于将（19，23，25）和用于去除气态物质（进和/或出处理腔室，其中所述衬底（3）是由对电极，所述真空腔室的装载和卸载开口，和装置可接收的 41，43为改变电极，其特征在于，提供一种在装载或卸载处理室并进行了处理时的第二相对较小的距离的第一相对较大的距离之间的相对距离相关联），和/或用于接收反电极装置基板被形成为使得至少所述治疗的执行期间所述基板，与所述表面被以一角度阿尔法向下处理在范围0°和90°之间，优选地具有1°，3°的值 5设置°，7°，9°，11°，13°，15°，17°，20°，25°，30°，40°，相对于垂直方向45°。

5. 发明申请

WO2008113571A1 GAS DISTRIBUTION SYSTEM 审中-公开
标题翻译：气体分布系统
公开(公告)号：WO2008113571A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/EP2008002196
申请日：2008-03-19
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , PFLUG ANDREAS , SIEMERS MICHAEL , SZYSZKA BERND , GEISLER MICHAEL
发明人： PFLUG ANDREAS , SIEMERS MICHAEL , SZYSZKA BERND , GEISLER MICHAEL
IPC分类号： C23C16/455 , C23C14/00 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , H01J37/32449
摘要： The invention relates to a gas distribution system comprising at least three plates, the first having a common gas supply line, the third an array of gas outlet nozzles and the second plate between situated between said first and third plates. The third plate contains at least one conduit system that interconnects the gas supply line and the outlet nozzles, a sub-region of said system, accounting for at least 60% of the total surface of the system, being located in the central plate in a non-overlapping manner and/or or one plane. At least 60% of the branching points of the conduit system are binary branching points.
摘要翻译：本发明涉及一种包括至少三个板，其中具有所述第一是一个共同的气体供应管线，第三，气体排出喷嘴的阵列，且所述第一与第三之间的第二板的气体分配系统被布置，其中，所述第三板包括至少一个信道的系统，其中气体供应管线和连接所述出口喷嘴，其中所述通道系统的与所述中间板中的管道系统的总面积的至少60％比例的部分，非重叠和/或布置在一个平面上，并且所述通道系统的分支点中的至少60％是二进制分支点。

6. 发明申请

WO2013020592A1 CELL ARRAY AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
标题翻译：细胞阵列及其制备方法
公开(公告)号：WO2013020592A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/EP2011/063757
申请日：2011-08-10
申请人： SCHMID TECHNOLOGY CENTER GMBH , SOLLNER, Juergen , SAEUBERLICH, Frank , GEISLER, Michael , BRAUN, Markus
发明人： SOLLNER, Juergen , SAEUBERLICH, Frank , GEISLER, Michael , BRAUN, Markus
IPC分类号： H01L27/142 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/0465 , Y02E10/50
摘要： An array of a plurality of cells, e.g. solar cells, formed on a stack (10d) comprising an insulating substrate layer (12), whereon at least a first electrical contact layer (14), an intermediate layer (16), and a second electrical contact layer (18) are supported, is disclosed. The array comprises at least a first cell (22) and a second cell (24) adjacent to each other and being separated from each other by at least one insulating ridge (26) extending through the second contact layer (18), the intermediate layer (16) and the first contact layer (14) toward the substrate layer (12); wherein the first cell (22) comprises a conductive member (32) extending through the second layer (18) and the intermediate layer (16) toward the first contact layer (14), the conductive member (32) being insulated against the intermediate layer (16) and the second contact layer (18) of the first cell by surrounding insulating material; wherein the conductive member (32) comprises a conductive portion (34) extending from an end of the conductive member (32) remote from the substrate layer (12) for electrically connecting the first cell to the second cell; wherein the insulating ridge (26) has a certain length extending over the entire length of the first and second cells (22, 24), the conductive member having a certain longitudinal extension in a direction parallel to the insulating ridge (26), the longitudinal extension of the conductive member (32) being substantially shorter than the length of the insulating ridge (26).
摘要翻译：多个单元阵列，例如，在包括绝缘基底层（12）的堆叠（10d）上形成的至少第一电接触层（14），中间层（16）和第二电接触层（18）的太阳能电池被支撑，被披露。阵列至少包括彼此相邻的第一单元（22）和第二单元（24），并且通过延伸穿过第二接触层（18）的至少一个绝缘脊（26）彼此分开，中间层（16）和所述第一接触层（14）朝向所述基板层（12）; 其中所述第一单元（22）包括延伸穿过所述第二层（18）和所述中间层（16）朝向所述第一接触层（14）的导电构件（32），所述导电构件（32）与所述中间层（16）和所述第一电池的第二接触层（18）通过周围的绝缘材料; 其中所述导电构件（32）包括从所述导电构件（32）的远离所述衬底层（12）的端部延伸的导电部分（34），用于将所述第一电池电连接到所述第二电池; 其中所述绝缘脊（26）具有在所述第一和第二电池（22,24）的整个长度上延伸的一定长度，所述导电构件在平行于所述绝缘脊（26）的方向上具有一定的纵向延伸，所述纵向导电构件（32）的延伸部比绝缘脊（26）的长度短。

7. 发明申请

WO2012007165A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR PLASMABEHANDLUNG FLACHER SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：方法和装置的等离子体处理平面基板的
公开(公告)号：WO2012007165A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/EP2011/003516
申请日：2011-07-14
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , GEISLER, Michael , GRABOSCH, Günter , ZEUNER, Arndt , MERZ, Thomas , BECKMANN, Rudolf
发明人： GEISLER, Michael , GRABOSCH, Günter , ZEUNER, Arndt , MERZ, Thomas , BECKMANN, Rudolf
IPC分类号： C23C16/46 , H01J37/32 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/46 , H01J37/32091 , H01J37/32724
摘要： Das Verfahren zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats, wobei das Substrat zwischen einer Elektrode einer planen Aufladefläche, die einer Gegenelektrode zugeordnet ist, angeordnet wird und dabei mit seiner Vorderseite der Elektrode und mit seiner Rückseite der Auflagefläche zugewandt ist, zeichnet sich aus durch - Haltern des Substrats an der Auflagefläche - thermisches Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats mit von der Auflagefläche beabstandeten Randseiten des Substrats entspricht mittels Temperierung von Vorderseite und/ oder Rückseite des Substrats - Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der Auflagefläche mittels zumindest eines Niederhalters - Anregung der Plasmaentladung mittels einer HF-Spannung. Die Erfindung betrifft außerdem eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats, wobei das Substrat zwischen einer Elektrode einer planen Aufladefläche, die einer Gegenelektrode zugeordnet ist, angeordnet werden kann und dabei mit seiner Vorderseite der Elektrode und mit seiner Rückseite der Auflagefläche zugewandt ist, welche sich auszeichnet durch - Mitteln zum Haltern des Substrats an der Auflagefläche - einer Einrichtung zum thermischen Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats mit von der Auflagefläche beabstandeten Randseiten des Substrats entspricht mittels Temperierung von Vorderseite und/ oder Rückseite des Substrats - Mitteln zum Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der Auflagefläche mittels zumindest eines Niederhalters Mitteln zur Anregung der Plasmaentladung mittels einer HF-Spannung.
摘要翻译：用于等离子处理的平的基底的方法，其中其与反电极相关联的布置和平面充电表面的电极之间的衬底与具有支撑表面的背面侧的电极和它的前侧朝向所述的方法，其特征在于 - 支撑衬底于支撑面 - 热产生在衬底上，其对应于从所述基板的电极凹曲率的方向观察，通过控制前部和/或背侧的基板的温度从所述衬底的所述支撑表面的边缘侧间隔开的机械偏置 - 将压力施加到与当地力边缘侧实现由至少一个压紧装置的衬底支撑表面的背面的平坦关注 - 等离子体放电的通过RF电压来激励。本发明还涉及一种用于在平坦的基底，其特征在于，其与反电极相关联的平面的充电表面的电极之间的衬底，可被布置的等离子体处理的装置，并且面临着与支撑表面的背面侧的电极和它的前侧，其特点是通过 - 装置，用于在所述接触表面支撑衬底 - 一个设备，用于热生成在衬底上，其对应于从所述基板的电极凹曲率的方向观察，通过控制前部和/或背侧的温度从所述衬底的所述支撑表面的边缘侧间隔开的机械偏置衬底的 - 用于作用在与本地力边缘侧，以实现所述衬底以通过至少一个坯料夹持器的支撑表面的背面的平坦关注由HF-S的装置，用于等离子体放电的激发 oltage。

8. 发明申请

WO2010051982A8 METHOD AND DEVICE FOR PLASMA TREATMENT OF A FLAT SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：等离子体处理平板基板的方法和装置
公开(公告)号：WO2010051982A8
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/EP2009007905
申请日：2009-11-04
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , LEYBOLD OPTICS GMBH , UNIV RUHR BOCHUM , BECKMANN RUDOLF , GEISLER MICHAEL , ZEUNER ARNDT , FIEDLER MARKS , GRABOSCH GUENTER , PFLUG ANDREAS , CZARNETZKI UWE , BRINKMANN RALF-PETER , SIEMERS MICHAEL
发明人： BECKMANN RUDOLF , GEISLER MICHAEL , ZEUNER ARNDT , FIEDLER MARKS , GRABOSCH GUENTER , PFLUG ANDREAS , CZARNETZKI UWE , BRINKMANN RALF-PETER , SIEMERS MICHAEL
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32091
摘要： Method and device for the plasma treatment of a substrate in a plasma device, wherein - the substrate (110) is arranged between an electrode (112) and a counter-electrode (108) having a distance d between a surface area of the substrate to be treated and the electrode, - a capacitively coupled plasma discharge is excited, forming a DC self-bias between the electrode (112) and the counter-electrode (108), - in an area of the plasma discharge between the surface area to be treated and the electrode having a quasineutral plasma bulk (114), a quantity of at least one activatable gas species, to which a surface area of the substrate to be treated is subjected, is present - it is provided that a plasma discharge is excited, - wherein the distance d has a value comparable to s = se+sg, where se denotes a thickness of a plasma boundary layer (119) in front of the electrode, and sg denotes a thickness of a plasma boundary layer (118) in front of the substrate surface to be treated or - wherein the quasineutral plasma bulk (114) between the surface area to be treated and the electrode has a linear extension dp, where dp
摘要翻译：一种用于在等离子体装置的基板的等离子体处理方法和装置，其特征在于， - 一个电极（112）和带之间的距离d的对置电极（108）之间的所述衬底（110）被放置在基板和电极表面区域被处理， - 所述间电极（112）和对置电极（108）与DC赛义夫的形成的电容耦合等离子体放电 - 偏压被激励时， - 在所述表面之间的等离子体放电的区域来进行处理区域和所述电极与准中性等离子体散装（114）的至少一个的量活化Gasspezie存在时，与其中待处理表面被施加在衬底的区域中， - 它提供了一个等离子体放电被激发， - 其中所述距离d具有值这与S = S + SG，其中知的厚度的在电极前面的等离子体边缘层（119）和等离子体边缘层（118）的厚度，称为或之前的经处理的基材表面 - 在其中间的准中性等离子体散装（114）要被处理的表面区域和所述电极具有线性膨胀DP DP <1 / 3D，DP

9. 发明申请

WO2009003552A2 TREATMENT SYSTEM FOR FLAT SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：救治体系平面基板
公开(公告)号：WO2009003552A2
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：PCT/EP2008003414
申请日：2008-04-28
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , GEISLER MICHAEL , MERZ THOMAS , ROEDER MARIO
发明人： GEISLER MICHAEL , MERZ THOMAS , ROEDER MARIO
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32568 , C23C16/4587 , C23C16/54 , H01J37/32009 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J2237/022 , H01L21/67005
摘要： Disclosed is a reactor for treating flat substrates, comprising a vacuum chamber (11) and a process chamber (9). A first electrode (5) and a counter electrode (7) which form two opposite walls of the process chamber are provided for generating a plasma. The counter electrode can accommodate the substrate (3). The reactor further comprises means for introducing (19, 23, 25) and evacuating gaseous material into and/or from process chamber, an inlet and outlet for the vacuum chamber, and a mechanism (41, 43) for varying the relative distance between the electrodes, a first relatively great distance being used when the process chamber is loaded and discharged and a second relatively short distance being used when the treatment is performed, and/or a device which is associated with the counter electrode, is used for accommodating substrates, and is designed such that the substrate is disposed at an angle alpha ranging from 0° to 90°, preferably at an angle alpha of 1°, 3°, 5°, 7°, 9°, 11°, 13°, 15°, 17°, 20°, 25°, 30°, 40°, 45°, relative to the vertical direction at least while the treatment is performed, the substrate surface that is to be treated facing downward.
摘要翻译：在反应器中用于治疗平坦的基板，与真空室（11），处理室（9），其特征在于，设置有第一电极（5）和用于产生等离子体的反电极（7）和形式的处理腔室的两个相对的壁。装置，用于将（19，23，25）和用于去除气态物质的进入和/或出处理腔室，其中所述衬底（3）是可接收由计数器电极，所述真空腔室的装载和卸载开口，和装置（ 41，43为改变电极，其特征在于，提供一种在装载或卸载处理室并进行了处理时的第二相对较小的距离的第一相对较大的距离之间的相对距离相关联），和/或用于接收反电极装置基板被形成为使得至少所述治疗的执行期间所述基板，与所述表面被以一角度阿尔法向下处理在范围0°和90°之间，优选地具有1°，3°的值 5设置°，7°，9°，11°，13°，15°，17°，20°，25°，30°，40°，相对于垂直方向45°。

10. 发明申请

WO2003087426A3 BESCHICHTUNGSANLAGE 审中-公开
公开(公告)号：WO2003087426A3
公开(公告)日：2003-10-23
申请号：PCT/DE2003/001216
申请日：2003-04-11
申请人： APPLIED FILMS GMBH & CO. KG , GEISLER, Michael , KASTNER, Albert , SZYSZKA, Bernd , PFLUG, Andreas , MALKOMES, Niels
发明人： GEISLER, Michael , KASTNER, Albert , SZYSZKA, Bernd , PFLUG, Andreas , MALKOMES, Niels
IPC分类号： C23C14/00
摘要： Bei einer Beschichtungsanlage ist ein Rezipient (1) durch eine Blende (2) in einen Kathodenraum (3) und einen Substratraum (4) unterteilt. Sowohl der Kathodenraum (3) als auch der Substratraum (4) weisen eine unmittelbare Absaugung (10, 16) und jeweils eine eigene Gaszuführung (8, 14) auf. Die Gaszuführung (8) in den Kathodenraum (3) ist mit einer Prozessgasquelle (9) und die Gaszuführung (14) für den Substratraum (4) mit einer Reaktivgasquelle (15) verbunden.

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