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热词
    • 1. 发明申请
    • 誘電体メモリー素子
    • 电介质元件
    • WO2005045821A1
    • 2005-05-19
    • PCT/JP2004/010624
    • 2004-07-26
    • 株式会社 村田製作所門田 道雄
    • 門田 道雄
    • G11B9/02
    • B82Y10/00G11B9/02G11B9/062G11B9/063G11B9/08G11B9/1463G11B9/149G11B11/08G11C11/22
    •  高密度記録が可能であり、経時による分極されたメモリ領域の拡散が生じ難く、経時による疲労摩耗が生じ難い、信頼性に優れ、かつ長期間に渡り用いることができる誘電体メモリー素子を提供する。  基板2上に、c軸方向に配向されており、導電性を有するバッファ層3が形成されており、バッファ層3上に、(001)配向の圧電単結晶薄膜4が成膜されており、圧電単結晶薄膜4において、厚み方向に分極されるメモリ領域4aが構成されており、該メモリ領域4aの分極方向に依存した、電圧印加時の静電容量変化に基づき、該分極方向が読み出される、誘電体メモリー素子。
    • 一种能够进行高密度记录的高度可靠的介质存储元件,其中极化记忆区域的扩散和由于老化导致的疲劳磨损被延迟以确保长期使用。 介质存储元件包括形成在基板(2)上并沿c轴方向定向的导电缓冲层(3),形成在缓冲层(3)上的压电单晶薄膜(4),同时具有 (001)的方向。 在压电单晶薄膜(4)中形成在厚度方向上极化的存储区域(4a),使得根据取决于方向的电压时的电容变化,读出极化方向 的存储区(4a)中的极化。
    • 4. 发明申请
    • METHOD FOR NANO-STRUCTURING AMORPHOUS CARBON LAYERS
    • 法制备纳米结构的无定形碳涂层的
    • WO9906996B1
    • 2000-03-02
    • PCT/EP9804600
    • 1998-07-22
    • DRESDEN EV INST FESTKOERPERMUEHL THOMASREISS GUENTERBRUECKL HUBERT
    • MUEHL THOMASREISS GUENTERBRUECKL HUBERT
    • B82B3/00G01Q70/14G01Q80/00G11B9/00G11B9/14H01J37/317H01L21/3213G01N27/00G03F7/20
    • G11B9/14B82Y10/00B82Y30/00B82Y40/00G01Q80/00G11B9/1463H01J37/3174H01J2237/31735H01J2237/31738H01L21/32131Y10S977/859
    • The invention relates to the production or treatment of semiconductor or other solid components, especially to a method for directly nano-structuring amorphous carbonlayers. According to the invention, a local, field-induced reaction is activated in the carbon with an electrically conductive or semiconducting probe. Said probe is positioned at a distance from the amorphous carbon layer or is passed over said amorphous carbon layer at a distance. The distance must be such that the electrical conduction mechanism 'field emission' or 'tunnelling' can still occur. An electrical voltage is applied to said probe in relation to the layer at the points where recesses are to be made in the layer or the layer is to be removed. This process alone produces the desired structure without any further technical steps. The inventive method can be used advantageously in the production of electronic components in the sub- mu m and nm areas, and is particularly suitable in those fields for producing nano-structured etching masks whose structures have to be transferred onto layers placed beneath them. The method can also be used advantageously for entering information into amorphous carbon layers for information storage.
    • 本发明涉及一种制造或处理半导体或其它固态装置,并且允许直接纳米结构化的无定形碳层。 根据本发明用导电或半导电的探针,其位于以一定距离,其中场致发射或隧道的电传导机制能够在无定形碳层或通过这一点,并施加相对于所述层中的电电压上执行 将,激活碳的在该凹部引入到层或层被去除的位置的地方,电场感应的反应。 所需的结构而没有任何进一步的技术步骤生产。 这个过程是有利地适用于在子域和μnm范围内的电子部件的制造和有特别是用于制造纳米结构Ätzmasren其结构将被转移到下面的层。 所述方法还可以有利地应用于插入的信息到用于信息存储的无定形碳薄膜。
    • 6. 发明申请
    • METHOD OF PRODUCING A HIGH DENSITY PATTERN OF ISOLATED CLUSTERS
    • 生产隔离群集高密度图案的方法
    • WO2004035855A8
    • 2004-07-08
    • PCT/CA0301581
    • 2003-10-17
    • ECOLE POLYTECHSACHER EDWARDPIYAKIS KONSTANTINOSYANG DE-QUAN
    • SACHER EDWARDPIYAKIS KONSTANTINOSYANG DE-QUAN
    • C23C14/02C23C14/04C23C14/58G11B5/00G11B5/74G11B9/00
    • G11B5/00B82Y10/00C23C14/022C23C14/04C23C14/5833G11B5/74G11B5/743G11B7/26G11B9/1463G11B11/10582G11B2005/0002G11B2005/0005
    • The present invention relates to a method of producing a high density pattern of isolated clusters on a surface of a substrate, comprising treating the surface of the substrate to produce element-adhesion sites distributed on the surface of the substrate in accordance with the pattern, depositing a first transition series element on the surface of the substrate, and forming, by diffusion and/or coalescence, clusters of the deposited element on the elementadhesion sites. The size of the clusters can be manipulated by irradiating the clusters with a low energy ion beam to cause coalescence of the clusters and diffusion of these clusters on the surface of the substrate whereby the size of the clusters is changed. The surface of the substrate can also be irradiated at a grazing angle with a low energy ion beam to modify the surface of the substrate and thereby enhance adhesion of the clusters of the deposited element to the modified surface. Finally, contact mode atomic force microscopy can be used for surface local cleaning and cluster assembling by applying an atomic force microscopy tip to the surface of the substrate and scanning with this tip a region of the substrate surface.
    • 本发明涉及一种在基板表面上制造隔离簇的高密度图案的方法,包括处理基板的表面以产生根据图案分布在基板的表面上的元件粘附位置,沉积 在衬底的表面上的第一过渡系列元件,并且通过扩散和/或聚结形成沉积元素的簇在元素粘附位点上。 可以通过用低能量离子束照射簇来操纵簇的尺寸,以引起簇的聚结和这些簇在衬底表面上的扩散,从而改变簇的尺寸。 基板的表面也可以以低能离子束以掠射角照射,以改变基板的表面,从而增强沉积元件的簇到修饰表面的粘附。 最后,接触模式原子力显微镜可用于表面局部清洁和簇组装,其中通过将原子力显微镜尖端施加于基底表面并用该尖端扫描基底表面的一个区域。