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1. 发明申请

WO2016028693A1 METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING FIBERS AND MICROSTRUCTURES FROM DISPARATE MOLAR MASS PRECURSORS 审中-公开
标题翻译：用于制造纤维和从不同种类的大理石前驱体的微结构的方法和装置
公开(公告)号：WO2016028693A1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：PCT/US2015/045533
申请日：2015-08-17
申请人： DYNETICS, INC.
发明人： MAXWELL, James, L. , WEBB, Nicholas , ALLEN, James
IPC分类号： C23C16/48
CPC分类号： C23C16/48 , C23C16/01 , C23C16/4411 , C23C16/4418 , C23C16/45559 , C23C16/45576 , C23C16/45591 , C23C16/46 , C23C16/483 , C23C16/52 , C23C18/00 , D01D5/38 , D01F9/08 , D01F9/127 , D01F9/133 , G11B9/062 , G11B9/063
摘要： The disclosed methods and apparatus improve the fabrication of solid fibers and microstructures. In many embodiments, the fabrication is from gaseous, solid, semi-solid, liquid, critical, and supercritical mixtures using one or more low molar mass precursor(s), in combination with one or more high molar mass precursor(s). The methods and systems generally employ the thermal diffusion/Soret effect to concentrate the low molar mass precursor at a reaction zone, where the presence of the high molar mass precursor contributes to this concentration, and may also contribute to the reaction and insulate the reaction zone, thereby achieving higher fiber growth rates and/or reduced energy/heat expenditures together with reduced homogeneous nucleation. In some embodiments, the invention also relates to the permanent or semi-permanent recording and/or reading of information on or within fabricated fibers and microstructures. In some embodiments, the invention also relates to the fabrication of certain functionally-shaped fibers and microstructures. In some embodiments, the invention may also utilize laser beam profiling to enhance fiber and microstructure fabrication.
摘要翻译：所公开的方法和装置改善了固体纤维和微结构的制造。在许多实施方案中，制造是使用一种或多种低摩尔质量前体与一种或多种高摩尔质量前体组合的气态，固体，半固体，液体，临界和超临界混合物。所述方法和系统通常采用热扩散/反硝化作用将低摩尔质量前体浓缩在反应区，其中高摩尔质量前体的存在有助于该浓度，并且还可以有助于反应并使反应区隔离，从而实现更高的纤维生长速率和/或降低的能量/热耗支，同时减少均匀成核。在一些实施例中，本发明还涉及在制造的纤维和微结构之上或内部的信息的永久或半永久性记录和/或读取。在一些实施例中，本发明还涉及某些功能形状的纤维和微结构的制造。在一些实施例中，本发明还可以利用激光束轮廓来增强纤维和微结构制造。

2. 发明申请

WO2014069942A1 퍼지챔버 및 이를 구비하는 기판처리장치 审中-公开
标题翻译：加工室和底板加工装置，包括其中
公开(公告)号：WO2014069942A1
公开(公告)日：2014-05-08
申请号：PCT/KR2013/009858
申请日：2013-11-01
申请人： 주식회사 유진테크
发明人： 양일광 , 송병규 , 김경훈 , 김용기 , 신양식
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/0227 , C23C16/4412 , C23C16/45559 , C23C16/4583 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/6719
摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판처리장치는 기판을 가공하는 공정이 이루어지는 공정챔버; 상기 기판에 포함된 오염물질을 제거하는 퍼지챔버; 및 상기 공정챔버 및 상기 퍼지챔버가 측면에 연결되며, 상기 공정챔버 및 상기 퍼지챔버 사이에서 상기 공정이 완료된 상기 기판을 상기 퍼지챔버로 이송하는 기판 핸들러를 구비하는 트랜스퍼챔버를 포함하며, 상기 퍼지챔버는, 내부공간 및 상기 내부공간으로 상기 기판이 출입하는 통로를 가지는 챔버; 상기 챔버의 내부에 설치되며, 상기 기판이 놓여지는 기판홀더; 상기 통로를 기준으로 일측면에 설치되어 상기 내부공간을 향해 가스를 공급하는 가스공급포트; 및 상기 가스공급포트의 반대편에 설치되어 상기 내부공간의 상기 가스를 배출하는 배기포트를 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例，一种基板处理装置包括：处理室，其中在基板上执行制造工艺; 净化室，用于去除包含在基板上的污染物; 以及传送室，其构造成使得处理室和净化室在一侧连接，并且在处理室和净化室之间包括基板处理器，其中基板处理器传送基板，其处理已经被完成，到清洗室。净化室包括：具有内部空间的腔室和衬底通过其进入内部空间的通道; 衬底保持器，其安装在所述腔室内并且所述衬底放置在所述衬底保持器上; 气体供给口，其相对于通路安装在一个侧面上，以便能够向内部空间供应气体; 以及安装在与气体供给口相对的一侧的排气口，以从内部空间排出气体。

3. 发明申请

WO2010065473A3 GAS DISTRIBUTION BLOCKER APPARATUS 审中-公开
标题翻译：燃气分配阻塞装置
公开(公告)号：WO2010065473A3
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/US2009066145
申请日：2009-11-30
申请人： APPLIED MATERIALS INC , TSUEI LUN , TSO ALAN , CHO TOM K , SHIEH BRIAN SY-YUAN
发明人： TSUEI LUN , TSO ALAN , CHO TOM K , SHIEH BRIAN SY-YUAN
IPC分类号： H01L21/205 , H05H1/34
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45559 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： Embodiments of the present invention generally provide apparatus and methods for altering the flow and pressure differential of process gases supplied across a showerhead of a processing chamber to provide improved deposition uniformity across the surface of a substrate disposed therein. In one embodiment, a blocker plate is disposed between a backing plate and a showerhead. In one embodiment, the distance between the blocker plate and the showerhead is adjustable. In another embodiment, the blocker plate has a non-planar surface contour. In another embodiment, a regional blocker plate is disposed between a backing plate and a showerhead. In another embodiment, a central blocker plate and a peripheral blocker plate are disposed between a backing plate and a showerhead.
摘要翻译：本发明的实施例通常提供用于改变在处理腔室的喷头上供应的处理气体的流动和压差的装置和方法，以在设置于其中的基板的表面上提供改善的沉积均匀性。在一个实施例中，阻挡板布置在背板和喷头之间。在一个实施例中，阻挡板和喷头之间的距离是可调的。在另一个实施例中，阻挡板具有非平面表面轮廓。在另一个实施例中，区域阻挡板设置在背板和喷头之间。在另一个实施例中，中心阻挡板和外围阻挡板设置在背板和喷头之间。

4. 发明申请

WO2016040077A1 COBALT DEPOSITION SELECTIVITY ON COPPER AND DIELECTRICS 审中-公开
标题翻译：钴和电介质的钴沉积选择性
公开(公告)号：WO2016040077A1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：PCT/US2015/048216
申请日：2015-09-03
申请人： ENTERGRIS, INC.
发明人： CHEN, Philip, S.H. , HUNKS, William , LIPPY, Steven , LIETEN, Ruben, Remco
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/203
CPC分类号： H01L21/76879 , C23C16/02 , C23C16/0227 , C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/18 , C23C16/45525 , C23C16/45559 , C23C16/56 , H01L21/02063 , H01L21/28562 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76814 , H01L21/76849 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L23/53266
摘要： A process for forming cobalt on a substrate, comprising: volatilizing a cobalt precursor of the disclosure, to form, a precursor vapor: and contacting the precursor vapor with the substrate under vapor deposition conditions effective for depositing cobalt on the substrate from the precursor vapor, wherein the vapor deposition conditions include temperature not exceeding 200°C, wherein: the substrate includes copper surface and dielectric material, e.g., ultra-low dielectric material. Such cobalt deposition process can be used to manufacture product articles in which the deposited cobalt forms a capping layer, encapsulating layer, electrode, diffusion layer, or seed for electroplating of metal thereon, e.g., a semiconductor device, flat-panel, display, or solar panel.. A cleaning composition containing base and oxidizing agent components may be employed to clean the copper prior to deposition of cobalt thereon, to achieve substantially reduced defects in the deposited cobalt.
摘要翻译：一种在基底上形成钴的方法，包括：使本公开的钴前体挥发，以形成前体蒸气;并且在气相沉积条件下使前体蒸气与基底接触，所述气相沉积条件有效地从前体蒸气沉积在基底上的钴，其中所述气相沉积条件包括不超过200℃的温度，其中：所述基底包括铜表面和电介质材料，例如超低介电材料。这种钴沉积工艺可用于制造其中沉积的钴形成覆盖层，封装层，电极，扩散层或用于在其上电镀金属的晶种的产品，例如半导体器件，平板，显示器或太阳能电池板。可以使用含有碱和氧化剂组分的清洁组合物在其上沉积钴之前清洁铜，以实现沉积的钴中的显着减少的缺陷。

5. 发明申请

WO2015116433A1 CORNER SPOILER FOR IMPROVING PROFILE UNIFORMITY 审中-公开
标题翻译：用于改善轮廓均匀性的角撑板
公开(公告)号：WO2015116433A1
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：PCT/US2015/012014
申请日：2015-01-20
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： ZHAO, Lai , FURUTA, Gaku , WANG, Qunhua , TINER, Robin L. , PARK, Beom Soo , CHOI, Soo Young , YADAV, Sanjay D.
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： C23C16/45591 , C23C16/45559 , C23C16/45563 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01J37/32623 , H01J37/32651
摘要： The present disclosure relates to a corner spoiler designed to decrease high deposition rates on corner regions of substrates by changing the gas flow. In one embodiment, a corner spoiler for a processing chamber includes an L-shaped body fabricated from a dielectric material, wherein the L-shaped body is configured to change plasma distribution at a corner of a substrate in the processing chamber. The L-shaped body includes a first and second leg, wherein the first and second legs meet at an inside corner of the L-shaped body. The length of the first or second leg is twice the distance defined between the first or second leg and the inside corner. In another embodiment, a shadow frame for a depositing chamber includes a rectangular shaped body having a rectangular opening therethrough, and one or more corner spoilers coupled to the rectangular shaped body at corners of the rectangular shaped body.
摘要翻译：本发明涉及一种设计用于通过改变气体流量来降低基板拐角区域的高沉积速率的拐角扰流板。在一个实施例中，用于处理室的拐角扰流板包括由介电材料制成的L形主体，其中L形主体被配置为改变处理室中的基板角落处的等离子体分布。 L形本体包括第一和第二腿，其中第一和第二腿在L形体的内角处相交。第一腿或第二腿的长度是在第一腿或第二腿与内角之间限定的距离的两倍。在另一个实施例中，用于沉积室的阴影框架包括具有矩形开口的矩形体，以及在矩形体的角落处联接到矩形体的一个或多个拐角扰流板。

6. 发明申请

WO2014161199A1 等离子体增强原子层沉积设备审中-公开
公开(公告)号：WO2014161199A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/CN2013/073761
申请日：2013-04-03
申请人：王东君
发明人：王东君
IPC分类号： C23C16/452
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45559 , C23C16/45565 , C23C16/4586 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/3244
摘要：一种等离子体增强原子层沉积设备，包括：相互贯通的等离子体产生腔体、扩散腔体、反应腔体以及抽气腔体。其中，等离子体产生腔体具有等离子体产生气体进气口和等离子发生装置；等离子体产生腔体和所述扩散腔体之间设置有反应物进气口；反应腔体的内部设置有样品台；抽气腔体依次连接有尾气吸附装置以及抽气系统。

7. 发明申请

WO2017047686A1 ガス供給部、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：气体供应部件，基板加工装置和半导体装置制造方法
公开(公告)号：WO2017047686A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/JP2016/077235
申请日：2016-09-15
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：佐々木　隆史 , 上村　大義 , 吉田　秀成
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45559 , C23C16/345 , C23C16/455 , C23C16/4583 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/31
摘要：縦方向に配列された基板に対し供給される処理ガスの濃度均一性を向上させる。同一種類であって同一質量流量の処理ガスを、それぞれの上端から供給する第１のガス供給管と第２のガス供給管とを備え、第１のガス供給管及び第２のガス供給管を介して、縦方向に配列された複数の基板を収容する処理室へ、基板を処理するための処理ガスを供給するガス供給部を有する構成であって、基板が配置される基板配置領域に対向する第１のガス供給管の長さをＬ１、第１のガス供給管の流路断面積をＳ１とし、基板配置領域に対向する第２のガス供給管の長さをＬ２、第２のガス供給管の流路断面積をＳ２としたとき、Ｌ１がＬ２よりも長く、かつＳ１がＳ２よりも小さく構成される。
摘要翻译：为了提高供给到沿垂直方向配置的基板的处理气体的浓度均匀性，该气体供给部设置有分别供给相同种类的处理气体的第一气体供给管和第二气体供给管并且将用于处理基板的处理气体供给到通过第一和第二气体供给管容纳沿垂直方向布置的多个基板的处理室。气体供给部构成为，在与配置有基板的基板配置区域相对的第一供气管的长度为L1时，第一供气管的流路的截面积为S1，面向基板配置区域的第二气体供给管的长度为L2，第二气体供给管的流路的截面积为S2，L1长于L2，S1小于S2。

8. 发明申请

WO2014035096A1 기판처리장치 审中-公开
标题翻译：基板处理装置
公开(公告)号：WO2014035096A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/KR2013/007571
申请日：2013-08-23
申请人： 주식회사 유진테크
发明人： 양일광 , 송병규 , 김경훈 , 김용기 , 신양식
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45559 , C23C16/45591 , C23C16/481 , H01L21/67115
摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면 기판에 대한 공정이 이루어지는 기판 처리 장치에 있어서 상부가 개방된 형상을 가지며, 일측에 상기 기판이 출입하는 통로가 형성되는 메인챔버; 상기 메인챔버 내부에 설치되며, 상기 기판이 놓여지는 서셉터; 상기 메인챔버의 개방된 상부에 설치되며, 상기 서셉터의 상부에 위치하는 상부설치공간과 상기 상부설치공간의 외측에 배치되는 가스공급통로를 가지는 챔버덮개; 상기 상부설치공간에 설치되며, 상기 기판을 가열하는 히팅블럭; 및 상기 가스공급통로와 연결되어 상기 공정공간을 향해 공정가스를 공급하는 가스공급포트를 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例，发生基板的处理的基板处理装置包括：具有开口顶部形状并且具有用于基板进出的通路的主室，形成在其一侧; 基座，安装在主室内并放置基板; 室盖安装在主室的敞开的顶部，并且具有位于基座的顶部的顶部安装空间，并且具有设置在顶部安装空间外部的气体供给通道; 加热块，其安装在顶部安装空间中并加热基板; 以及气体供给口，其连接到气体供给路径，并将处理气体朝向处理空间供给。

9. 发明申请

WO2008085474A2 DELIVERY DEVICE FOR THIN FILM DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：用于薄膜沉积的输送装置
公开(公告)号：WO2008085474A2
公开(公告)日：2008-07-17
申请号：PCT/US2007/026326
申请日：2007-12-26
申请人： EASTMAN KODAK COMPANY , NELSON, Shelby Forrester , LEVY, David Howard , KERR, Roger Stanley
发明人： NELSON, Shelby Forrester , LEVY, David Howard , KERR, Roger Stanley
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45551 , B33Y80/00 , C23C16/4412 , C23C16/45517 , C23C16/45519 , C23C16/45559 , C23C16/45568 , C23C16/45574 , C23C16/54
摘要： A process for depositing a thin film material on a substrate is disclosed, comprising simultaneously directing a series of gas flows from the output face of a delivery head of a thin film deposition system toward the surface of a substrate, and wherein the series of gas flows comprises at least a first reactive gaseous material, an inert purge gas, and a second reactive gaseous material, wherein the first reactive gaseous material is capable of reacting with a substrate surface treated with the second reactive gaseous material. A system capable of carrying out such a process is also disclosed.
摘要翻译：公开了一种用于在基板上沉积薄膜材料的方法，包括将来自薄膜沉积系统的输送头的输出面的一系列气流同时引导至基板的表面并且其中所述一系列气流包括至少第一反应性气态材料，惰性吹扫气体和第二反应性气态材料，其中所述第一反应性气态材料能够与用所述第二反应性气态材料处理的基板表面反应。还公开了能够执行这种过程的系统。

10. 发明申请

WO1995031582A1 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTOR AND METHOD 审中-公开
标题翻译：化学蒸气沉积反应器和方法
公开(公告)号：WO1995031582A1
公开(公告)日：1995-11-23
申请号：PCT/US1995006020
申请日：1995-05-15
申请人： AG PROCESSING TECHNOLOGIES, INC.
发明人： AG PROCESSING TECHNOLOGIES, INC. , McDIARMID, James , JOHNSGARD, Kristian, E.
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01L21/67748 , C23C16/04 , C23C16/45559 , C23C16/4585 , C23C16/481 , C30B25/10 , H01L21/67115
摘要： A CVD reactor and method for growing semiconductor material upon a selected surface of a semiconductor wafer (30) supported within the reactor includes a plurality of heat shields (50, 56, 58 and 60) that are arranged relative to the peripheral edge and underside of the wafer (30) to alter the radiation of flux from the wafer (30) that is heated to elevated temperatures by a bank (32) of high intensity lamps (49) that are oriented to illuminate the upper side of the wafer (30) through a transparent wall (46) of the reactor. A reactant gas flowing into the chamber from above the wafer is inhibited from flowing about the underside of the wafer (30), thereby assuring wafers that are not contaminated on the underside.
摘要翻译：用于在支撑在反应器内的半导体晶片（30）的选定表面上生长半导体材料的CVD反应器和方法包括多个隔热罩（50,56,58和60），其相对于所述晶片（30）通过被定向成照射所述晶片（30）的上侧的高强度灯（49）的堤（32）来改变来自所述晶片（30）的通量的辐射，所述光束被加热到升高的温度，通过反应器的透明壁（46）。从晶片上方流入室的反应气体被抑制在晶片（30）的下侧周围流动，从而确保未被污染在下侧的晶片。

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