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1. 发明申请

WO2017126561A1 単結晶ダイヤモンド、単結晶ダイヤモンドの製造方法およびそれに用いられる化学気相堆積装置审中-公开
标题翻译：生产单晶金刚石的方法，单晶金刚石及其使用的化学气相沉积设备
公开(公告)号：WO2017126561A1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：PCT/JP2017/001578
申请日：2017-01-18
申请人：住友電気工業株式会社 , 住友電工ハードメタル株式会社
发明人：野原　拓也 , 辰巳　夏生 , 西林　良樹 , 角谷　均 , 小林　豊 , 植田　暁彦
IPC分类号： C30B29/04 , A44C27/00 , C01B32/26 , C23C16/01 , C23C16/27 , C30B25/08 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC分类号： A44C27/00 , C01B32/26 , C23C16/01 , C23C16/27 , C30B25/08 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/205
摘要：単結晶ダイヤモンドの製造方法は、補助板の表面の少なくとも一部に保護膜を形成する工程と、ダイヤモンド種結晶基板を準備する工程と、補助板に保護膜が形成された保護膜付補助板とダイヤモンド種結晶基板とをチャンバ内に配置する工程と、チャンバ内に炭素を含むガスを導入しながらダイヤモンド種結晶基板の主面上に化学気相堆積法により単結晶ダイヤモンドを成長させる工程と、を備える。
摘要翻译：制造单晶金刚石的方法包括以下步骤：在辅助板的至少一部分表面上形成保护膜，制备金刚石籽晶衬底，在辅助板上形成保护膜将具有保护膜和金刚石籽晶衬底的辅助板设置在腔室中的步骤;以及通过将含碳气体引入腔室中在金刚石籽晶衬底的主表面上形成保护膜的步骤，并越来越多的钻石

2. 发明申请

WO2016185991A1 しゅう動膜及びその製造方法並びにしゅう動部材及びその製造方法审中-公开
标题翻译：滑动膜，其制造方法，滑动构件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016185991A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/JP2016/064093
申请日：2016-05-12
申请人：イーグル工業株式会社
发明人：岡　昌男
IPC分类号： C23C16/27 , B23B27/14 , B23B27/20 , C01B31/06 , C23C16/01 , F16C33/12
CPC分类号： C23C16/27 , B23B27/14 , B23B27/20 , C01B32/25 , C23C16/01 , F16C33/12
摘要：所望の表面粗さ、表面形状を有する硬質炭素素材を主成分とするしゅう動膜及びその製造方法並びにしゅう動部材及びその製造方法を提供する。　ダイヤモンド膜２０は、滑らかな転写面２１を有し、当該転写面２１がしゅう動面２１である。しゅう動部材５０は、基材３０にダイヤモンド膜２０を接着する接着層４０を有する。成膜されたダイヤモンド膜２０を基板１０から取り出し、ダイヤモンド膜２０の基板１０側の転写面２１をしゅう動面２１とし、転写面２１とは反対側の成膜面２２を接着剤４０を介して基材３０に取り付け固定する。
摘要翻译：提供一种主要由具有所需表面粗糙度和表面形状的硬质碳材料构成的滑动膜及其制造方法，以及滑动构件及其制造方法。金刚石膜20具有光滑的转印表面21，并且该转印表面21是滑动表面21.滑动构件50具有用于将金刚石膜20粘附到基材30上的粘合剂层40.将形成的金刚石膜20 离开基板10，并且将金刚石膜20的基板10侧转印面21制成滑动面21; 金刚石膜的与转印面21相反的一侧的成膜面22通过粘合剂40固定在基材30上。

3. 发明申请

WO2015199180A1 ダイヤモンド基板の製造方法、ダイヤモンド基板、及び、ダイヤモンド複合基板审中-公开
标题翻译：生产钻石基材，金刚石基材和金刚石复合基材的方法
公开(公告)号：WO2015199180A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/JP2015/068363
申请日：2015-06-25
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：岡久　拓司 , 山本　喜之 , 西林　良樹 , 辰巳　夏生
IPC分类号： C30B29/04 , C23C16/01 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/56 , C01B31/06
CPC分类号： C23C16/01 , C01B32/25 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/56 , C30B29/04
摘要：　ダイヤモンド基板の製造方法は、ダイヤモンド種基板（１０）の主面（１１）にイオンを注入することにより、ダイヤモンド種基板（１０）の主面（１１）側にイオン注入層（１５）を形成する工程と、イオンを注入した後にダイヤモンド種基板（１０）の主面（１１）にダイヤモンド成長層（２０）を気相合成法により成長させることにより、ダイヤモンド構造体（３０）を作製する工程と、ダイヤモンド構造体（３０）に対して熱処理を行う工程とを備える。熱処理を行うことにより、ダイヤモンド構造体（３０）は、イオン注入層（１５）において、ダイヤモンド成長層（２０）を含まないがダイヤモンド種基板（１０）を含む第１構造体（４０）と、ダイヤモンド成長層（２０）を含むダイヤモンド基板（５０）とに分離される。これにより、大面積のダイヤモンド基板（５０）を短時間且つ低コストで製造可能なダイヤモンド基板の製造方法が提供される。
摘要翻译：一种用于制造金刚石衬底的方法，包括：将离子注入到金刚石种子基底（10）的主表面（11）中从而在主表面（11）上形成离子注入层（15）的步骤，一侧的金刚石种子基底（10）; 在金刚石种子基板（10）的主表面（11）上通过气相合成法生长金刚石生长层（20）之后，生成金刚石结构（30）的步骤。以及对金刚石结构（30）进行热处理的步骤。通过进行热处理，将金刚石结构（30）在离子注入层（15）处分离为不包括金刚石生长层（20）并包含金刚石种子基底（10）的第一结构（40）和包括金刚石生长层（20）的金刚石基底（50）。因此，提供了用于制造金刚石基板的方法，其可以以低成本在短时间内制造大面积金刚石基板（50）。

4. 发明申请

WO2015189827A1 PROCEDE DE PREPARATION DE NANOFILS DE SILICIUM 审中-公开
标题翻译：生产硅纳米管的方法
公开(公告)号：WO2015189827A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/IB2015/054476
申请日：2015-06-12
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： CHENEVIER, Pascale , REISS, Peter , BURCHAK, Olga
IPC分类号： C01B33/027 , B82Y40/00 , C01B33/029 , C30B25/00 , H01M4/134
CPC分类号： C23C16/24 , B82Y40/00 , C01B33/027 , C01B33/029 , C01P2004/16 , C01P2006/40 , C23C16/01 , C23C16/44 , C30B11/12 , C30B25/005 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/62 , H01G11/30 , H01M4/386 , H01M10/052 , H01M10/0525 , Y02E60/13
摘要： L'invention concerne un procédé de préparation d'un matériau à base de nanofils de silicium, comprenant les étapes de : i) Mise en contact, sous atmosphère inerte, d'un support sacrificiel à base d'un halogénure, d'un carbonate, d'un sulfate ou d'un nitrate de métal alcalin, alcalinoterreux ou de transition comprenant des nanoparticules métalliques, d'une part, avec les vapeurs de pyrolyse d'une source de silicium comprenant un composé silane, d'autre part, ce par quoi on obtient des nanofils de silicium déposés sur ledit support sacrificiel; et, éventuellement ii) Elimination du support sacrificiel et récupération des nanofils de silicium obtenus à l'étape ii).
摘要翻译：本发明涉及一种生产基于硅纳米线的材料的方法，包括以下步骤：i）在惰性气氛下，使基于碱的卤化物，碳酸盐，硫酸盐或硝酸盐的牺牲载体接触金属，碱土金属或包含金属纳米颗粒的过渡金属，以及包含硅烷化合物的硅源的热解蒸气，通过该硅源将硅纳米线沉积在所述牺牲载体上; 并且可选地，ii）消除牺牲载体并回收在步骤ii）中产生的硅纳米线。

5. 发明申请

WO2015020610A1 METHOD TO TRANSFER TWO DIMENSIONAL FILM GROWN ON METAL-COATED WAFER TO THE WAFER ITSELF IN A FACE-TO-FACE MANNER 审中-公开
标题翻译：将金属涂层上的两维电影转移到面对面人像中的波片的方法
公开(公告)号：WO2015020610A1
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：PCT/SG2014/000366
申请日：2014-07-31
申请人： NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
发明人： LOH, Kian Ping , GAO, Libo , CASTRO NETO, Antonio Helio
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/16 , C01B31/02 , C23C16/02
CPC分类号： H01L21/02107 , C01B32/186 , C01B32/194 , C23C16/01 , C23C16/0263 , C23C16/0281 , C23C16/26 , C30B23/02 , C30B29/225 , C30B29/26 , H01L21/02002 , H01L21/02326 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02527 , H01L21/02568 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L21/02694 , H01L21/3205 , H01L29/1606 , H01L29/78684 , H01L39/2422
摘要： A method of in-situ transfer during fabrication of a component comprising a 2-dimensional crystalline thin film on a substrate is disclosed. In one embodiment, the method includes forming a layered structure comprising a polymer, a 2-dimensional crystalline thin film, a metal catalyst, and a substrate. The metal catalyst, being a growth medium for the two-dimensional crystalline thin film, is etched and removed by infiltrating liquid to enable the in-situ transfer of the two-dimensional crystalline thin film directly onto the underlying substrate.
摘要翻译：公开了一种在制造包含基底上的二维晶体薄膜的部件的原位转移的方法。在一个实施方案中，该方法包括形成包含聚合物，二维结晶薄膜，金属催化剂和基底的层状结构。作为二维结晶薄膜的生长介质的金属催化剂通过渗透液体被蚀刻和去除，以使二维结晶薄膜直接转移到下面的基底上。

6. 发明申请

WO2014098251A1 ｇ－Ｃ３Ｎ４フィルムの製造方法およびその利用审中-公开
标题翻译： g-C3N4薄膜生产方法和使用电影
公开(公告)号：WO2014098251A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/JP2013/084543
申请日：2013-12-24
申请人：独立行政法人理化学研究所
发明人：宮島　大吾 , 荒添　弘樹 , 川本　益揮 , 赤池　幸紀 , 小泉　美子 , 相田　卓三
IPC分类号： C01B21/082 , C01B3/04 , C23C16/34 , B01J35/02
CPC分类号： B01J31/06 , B01J27/24 , B01J35/002 , B01J35/004 , B01J35/02 , B01J37/0219 , B01J37/08 , B01J2231/62 , B01J2531/002 , B01J2531/008 , C01B3/042 , C01B13/0207 , C01B21/0605 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C07D487/16 , C23C16/01 , C23C16/347 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B11/04 , H01M4/58 , H01M4/587 , Y02E60/364 , Y02E60/366
摘要：　簡便かつ容易な取り扱いが可能なｇ－Ｃ３Ｎ４を提供するために、Ｘ＋ｍＹｍ－で表される化合物（Ｘ＋は、グアニジウムイオン等であり、Ｙｍ－は陰イオンである）を原料として加熱し、当該化合物またはその反応物を気化させて、表面が負電荷を帯びているまたは表面にπ電子を有している加熱した基材の表面に付着させ、当該基材上で重合させてｇ－Ｃ３Ｎ４を生成させて、ｇ－Ｃ３Ｎ４のフィルムを製造する。
摘要翻译：为了提供能够方便且易于处理的g-C3N4，使用由X + mYm-（X +表示胍离子等，Ym-表示负离子）表示的化合物作为原料，加热，将化合物或其反应物蒸发沉积在带有负电荷或具有电荷的加热的基底材料表面上，并在基材上聚合以形成g-C3N4，从而产生g-C3N4膜。

7. 发明申请

WO2013178535A2 FREE-STANDING NON-PLANAR POLYCRYSTALLINE SYNTHETIC DIAMOND COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：自由标准非平面多晶合成金刚石组件
公开(公告)号：WO2013178535A2
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/EP2013/060666
申请日：2013-05-23
申请人： ELEMENT SIX LIMITED
发明人： LIGGINS, Stephanie , BRANDON, John, Robert , PERKINS, Neil , WORT, Christopher, John, Howard , INGLIS, Paul, Nicolas , MCCLYMONT, Mark, Robin
IPC分类号： H04R7/12 , H04R31/00
CPC分类号： A44C17/007 , C23C16/01 , C23C16/27 , C23C16/274 , C23C16/458 , H04R7/127 , H04R31/003 , H04R2307/023 , Y10T428/21 , Y10T428/24355
摘要： A free-standing non-planar polycrystalline CVD synthetic diamond component which comprises a nucleation face and a growth face, the nucleation face comprising smaller grains than the growth face, the nucleation face having a surface roughness R a no more than 50 nm, wherein the free-standing non-planar polycrystalline CVD synthetic diamond component has a longest linear dimension when projected onto a plane of no less than 5 mm and is substantially crack free over at least a central region thereof, wherein the central region is at least 70% of a total area of the free-standing non-planar polycrystalline CVD synthetic diamond component, wherein the central region has no cracks which intersect both external major faces of the free-standing non-planar polycrystalline CVD synthetic diamond component and extend greater than 2 mm in length.
摘要翻译：一种独立的非平面多晶CVD合成金刚石组分，其包含成核面和生长面，所述成核面包含比生长面更小的晶粒，成核面的表面粗糙度Ra不大于50nm，其中，当非投影到不小于5mm的平面上并且在至少其中心区域上基本上无裂纹时，其非常平坦的多晶CVD合成金刚石组件具有最长的线性尺寸，其中中心区域至少为70％独立非平面多晶CVD合成金刚石组分的总面积，其中中心区域没有与独立的非平面多晶CVD合成金刚石组分的两个主要表面相交并且长度大于2mm的裂纹。

8. 发明申请

WO2013052176A3 CARBON NANOTUBE FOAMS WITH CONTROLLABLE MECHANICAL PROPERTIES 审中-公开
标题翻译：具有可控机械性能的碳纳米管泡沫
公开(公告)号：WO2013052176A3
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/US2012041275
申请日：2012-06-07
申请人： CALIFORNIA INST OF TECHN , RANEY JORDAN R , DARAIO CHIARA
发明人： RANEY JORDAN R , DARAIO CHIARA
IPC分类号： C01B31/02 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC分类号： C01B31/0233 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B32/162 , C01B32/174 , C01B32/182 , C01B2202/06 , C01B2202/08 , C01B2202/26 , C23C16/01 , C23C16/26 , C23C16/52 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10T428/24983
摘要： Syntheses of carbon nanotubes (CNT) are disclosed. The syntheses can take place on a thermally oxidized silicon surface placed inside a furnace prior to a reaction. The setup can have many variables that could affect the resulting CNT arrays, including flow rate and composition of carrier gas, flow rate and composition of precursor solution, and temperature. By varying such variables the density of the resulting CNT arrays can be controlled.
摘要翻译：公开了碳纳米管（CNT）的合成。合成可以在反应前放置在炉内的热氧化硅表面上进行。该装置可能具有许多可能影响所得CNT阵列的变量，包括载气的流速和组成，前体溶液的流速和组成，以及温度。通过改变这些变量，可以控制所得CNT阵列的密度。

9. 发明申请

WO2013002570A3 NANOWIRE MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译：纳米线制造方法
公开(公告)号：WO2013002570A3
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/KR2012005116
申请日：2012-06-28
申请人： LG INNOTEK CO LTD , LEE YOUNG JAE , YOO KYOUNG JONG , LEE JUN , KIM JIN SU , PARK JAE WAN
发明人： LEE YOUNG JAE , YOO KYOUNG JONG , LEE JUN , KIM JIN SU , PARK JAE WAN
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , C23C14/24 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/0005 , B22F1/0044 , B22F9/16 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C04B35/622 , C23C16/01 , C30B11/12 , C30B29/60 , H01L29/0673 , H01L29/66469 , H01L29/775 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10T428/24802 , Y10T428/298
摘要： Provided is a nanowire manufacturing method, comprising forming a plurality of grid patterns on a substrate, forming a nanowire on the grid patterns, and separating the grid pattern and the nanowire. According to the present invention, the width and height of the nanowire can be adjusted by controlling the wet-etching process time period, and the nanowire can be manufactured at a room temperature at low cost, the nanowire can be mass-manufactured and the nanowire with regularity can be manufactured even in case of mass production.
摘要翻译：提供了一种纳米线制造方法，包括在基板上形成多个栅格图案，在栅格图案上形成纳米线，以及分离栅格图案和纳米线。根据本发明，纳米线的宽度和高度可以通过控制湿法蚀刻处理时间段来调整，并且纳米线可以在室温下以低成本制造，纳米线可以批量制造并且纳米线即使在批量生产的情况下也可以生产规律性。

10. 发明申请

WO2012008789A3 METHOD FOR PRODUCING GRAPHENE AT A LOW TEMPERATURE, METHOD FOR DIRECT TRANSFER OF GRAPHENE USING SAME, AND GRAPHENE SHEET 审中-公开
标题翻译：在低温下生产石墨的方法，使用其进行石墨直接转移的方法和石墨片
公开(公告)号：WO2012008789A3
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/KR2011005213
申请日：2011-07-15
申请人： UNIV SUNGKYUNKWAN FOUND , SAMSUNG TECHWIN CO LTD , HONG BYUNG HEE , AHN JONG-HYUN , YOO JI BEOM , BAE SU KANG , JUNG MYUNG HEE , JANG HOUK , LEE YOUNGBIN , KIM SANG JIN
发明人： HONG BYUNG HEE , AHN JONG-HYUN , YOO JI BEOM , BAE SU KANG , JUNG MYUNG HEE , JANG HOUK , LEE YOUNGBIN , KIM SANG JIN
IPC分类号： C01B31/02 , C23C16/26 , C23C16/50
CPC分类号： C01B31/0453 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/01 , C23C16/26
摘要： The present invention relates to a method for forming graphene at a low temperature, to a method for direct transfer of graphene using same, and to a graphene sheet. The method for forming graphene at a low temperature comprises supplying a carbon-source-containing gas to a metal catalyst layer for graphene growth formed on a substrate, and forming graphene at a low temperature of 500°C or less by means of inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD).
摘要翻译：本发明涉及一种在低温下形成石墨烯的方法，涉及使用该方法直接转移石墨烯的方法和石墨烯片。在低温下形成石墨烯的方法包括向形成在基板上的石墨烯生长用金属催化剂层供给含碳源气体，并通过电感耦合等离子体在500℃以下的低温下形成石墨烯化学气相沉积（ICP-CVD）。

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