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1. 发明申请

WO2017087293A1 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND APPARATUS 审中-公开
标题翻译：化学气相沉积方法和设备
公开(公告)号：WO2017087293A1
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：PCT/US2016/061758
申请日：2016-11-14
申请人： GTAT CORPORATION
发明人： DESROSIER, Daniel, J. , FERO, Chad, R.
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/24
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/4418
摘要： A method of forming a filament assembly of a chemical vapor deposition (CVD) reactor, comprising at least one filament structure connected by a bridge, is disclosed. The filament structure comprises a hollow silicon filament integral with a silicon seed. Various embodiments of this invention are described, along with a CVD system comprising this filament assembly as well as a method of depositing silicon onto this filament assembly.
摘要翻译：公开了一种形成化学气相沉积（CVD）反应器的灯丝组件的方法，所述化学气相沉积（CVD）反应器包括至少一个通过桥连接的灯丝结构。长丝结构包括与硅种子成整体的中空硅长丝。描述了本发明的各种实施例，以及包括该灯丝组件的CVD系统以及在该灯丝组件上沉积硅的方法。

2. 发明申请

WO2017064011A1 VORRICHTUNG ZUR ISOLIERUNG UND ABDICHTUNG VON ELEKTRODENHALTERUNGEN IN CVD REAKTOREN 审中-公开
标题翻译： CVD反应器中绝缘和密封电极支架的装置
公开(公告)号：WO2017064011A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：PCT/EP2016/074230
申请日：2016-10-10
申请人： WACKER CHEMIE AG
发明人： RENNSCHMID, Dominik , KRAUS, Heinz , KUTZA, Christian
IPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/44 , F16J15/10
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/4409 , C23C16/4418
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Isolierung und Abdichtung von Elektrodenhalterungen in CVD Reaktoren, umfassend eine zur Aufnahme eines Filamentstabs geeignete Elektrode auf einer Elektrodenhalterung aus einem elektrisch leitfähigen Material, die in einer Aussparung einer Bodenplatte angebracht ist, wobei zwischen Elektrodenhalterung und Bodenplatte ein elektrisch isolierender Ring aus einem Werkstoff mit einer spezifischen Wärmeleitfähigkeit bei Raumtemperatur von 0,2 - 50 W/mK, einer Mindestbiegefestigkeit von größer als 120 MPa und einem spezifischen elektrischen Widerstand bei Raumtemperatur von größer als 10 9 Ωcm vorgesehen ist, wobei mindestens zwei ringförmige Dichtelemente zur Abdichtung zwischen Elektrodenhalterung und Bodenplatte vorhanden sind, wobei der elektrisch isolierende Ring oder die Elektrodenhalterung oder die Bodenplatte wenigstens eine Nut umfasst, in denen ein erstes Dichtelement fixiert ist, wobei wenigstens ein zweites nicht in einer Nut fixiertes Dichtelement zwischen elektrisch isolierendem Ring und Bodenplatte oder zwischen elektrisch isolierendem Ring und Elektrodenhalterung vorhanden ist..
摘要翻译：本发明涉及一种用于绝缘和密封CVD反应器中的电极支架的装置，该装置包括适合于在由导电材料制成并安装在底板的凹部中的电极支架上接收细丝棒的电极，其中，所述电极保持器和的材料形成基板之间的电绝缘环的特定W＆AUML; rmeleitf在室温下承受能力为0.2〜50W / mK的，GR＆ouml的最小弯曲强度;道路他大于120兆帕和电阻率他9 欧姆 - 厘米为^{大于10，所述至少两个环形＆oUML ;;以更大＆oUML的室温;提供用于所述电极保持器和顶板，其中所述电绝缘环或电极支架或底板至少之间的密封ROAD形密封元件包括其中具有第一密封件的凹槽是固定的，其中在电绝缘环与底板之间或电绝缘环与电极夹持器之间存在至少第二非固定在槽密封元件中。}

3. 发明申请

WO2014208957A1 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTOR AND METHOD FOR PREPARING POLYSILICON 审中-公开
标题翻译：化学蒸气沉积反应器和制备多晶硅的方法
公开(公告)号：WO2014208957A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/KR2014/005525
申请日：2014-06-23
申请人： HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人： PARK, Sung Eun , HAN, Joo Hee , PARK, Jea Sung
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/22
CPC分类号： C23C16/54 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418
摘要： Disclosed are a chemical vapor deposition (CVD) reactor and a method for preparing polysilicon. Designed to perform a CVD process in a continuous manner, the CVD reactor and the preparation method of polysilicon allow for the mass production of polysilicon.
摘要翻译：公开了化学气相沉积（CVD）反应器和制备多晶硅的方法。旨在以连续的方式进行CVD工艺，CVD反应器和多晶硅的制备方法允许大量生产多晶硅。

4. 发明申请

WO2014011617A1 APPARATUS FOR DEPOSITION INCLUDING A SOCKET 审中-公开
标题翻译：用于沉积的装置，包括插座
公开(公告)号：WO2014011617A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/US2013/049690
申请日：2013-07-09
申请人： HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人： DEEG, Matthew , HILGER, Grant , HILLABRAND, David
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4409 , C23C16/4418
摘要： A manufacturing apparatus (10) deposits material on a carrier body (14). The manufacturing apparatus includes a housing (16) defining a chamber. The housing defines an inlet (32) for introducing a deposition composition, which comprises the material or a precursor thereof, into the chamber. The housing also defines an outlet (34) through the housing for exhausting the deposition composition from the chamber. An electrode (46) is disposed through the housing with the electrode at least partially disposed within the chamber. A socket (52) has an exterior surface with a surface roughness RA value of less than or equal to 100 microns is connected to the electrode within the chamber for receiving the carrier body. A polishing the exterior surface of the socket is disposed on the exterior surface of the socket for promoting release of the material deposited on the carrier body from the socket to harvest the material from the socket.
摘要翻译：制造装置（10）将材料沉积在载体（14）上。制造装置包括限定腔室的壳体（16）。壳体限定用于将包含材料或其前体的沉积组合物引入腔室的入口（32）。壳体还限定了通过壳体的出口（34），用于从腔室排出沉积组合物。电极（46）穿过壳体设置，电极至少部分地设置在腔室内。具有小于或等于100微米的表面粗糙度RA值的外表面的插座（52）连接到用于容纳载体的腔室内的电极。抛光插座的外表面设置在插座的外表面上，以促进从插座上沉积在载体主体上的材料以从插座收获材料。

5. 发明申请

WO2012012457A3 POLYCRYSTALLINE SILICON PRODUCTION 审中-公开
标题翻译：多晶硅生产
公开(公告)号：WO2012012457A3
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/US2011044573
申请日：2011-07-19
申请人： REC SILICON INC , JAYAKAR KRISHNAKUMAR M , KULTGEN URBAN R
发明人： JAYAKAR KRISHNAKUMAR M , KULTGEN URBAN R
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/24 , C30B25/00 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/035 , C01P2004/61 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/46 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要： A chemical vapor deposition (CVD) reactor system has a reaction chamber enclosed by a reaction chamber wall with an inner surface disposed towards the interior of the chamber. At least a portion of the wall is a heat control layer that faces the chamber and that consists of a material, such as electrolytic ally deposited nickel, that has an emissivity coefficient, as measured at 300K, of 0.1 or less and a hardness of at least 3.5 Moh. Polycrystalline silicon is produced from silicon-rich gases using such a CVD reactor system.
摘要翻译：化学气相沉积（CVD）反应器系统具有由反应室壁包围的反应室，反应室壁的内表面朝向室的内部设置。壁的至少一部分是面对腔室的热控制层，其由诸如电解烯烃沉积镍的材料组成，其具有在300K下测量的发射系数为0.1或更小，硬度为at 至少3.5 Moh。使用这种CVD反应器系统由富硅气体制造多晶硅。

6. 发明申请

WO2012025513A1 THERMAL SHIELD FOR SILICON PRODUCTION REACTORS 审中-公开
标题翻译：硅生产反应器的热屏蔽
公开(公告)号：WO2012025513A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/EP2011/064437
申请日：2011-08-23
申请人： CENTESIL S.L. , ZAMORANO SAAVEDRA, Juan Carlos , DEL COSO SÁNCHEZ, Gonzalo , DEL CAÑIZO NADAL, Carlos , LUQUE LÓPEZ, Antonio
发明人： ZAMORANO SAAVEDRA, Juan Carlos , DEL COSO SÁNCHEZ, Gonzalo , DEL CAÑIZO NADAL, Carlos , LUQUE LÓPEZ, Antonio
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/46 , C01B33/035
CPC分类号： C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/4418 , C23C16/46
摘要： The invention relates to a thermal shield for being used inside a reactor comprising a reaction space wherein there is carried out a silicon growth process by means of chemical vapor deposition or CVD between 1000º C and1200º C from a flow of precursor gas comprising silicon compounds such as silane or chlorosilanes, circulating through a reaction chamber on an assembly of silicon parts. The thermal shield is manufactured in a material which does not add contaminants to the chemical silicon vapor deposition process and surrounds the assembly of silicon parts such that in operational mode the thermal shield is opaque to infrared radiation.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在包括反应空间的反应器内部使用的热屏蔽件，其中通过化学气相沉积或在从1000℃到1200℃之间的CVD从包含硅化合物的前体气体流中进行CVD生长工艺，例如硅烷或氯硅烷，通过硅部件组件上的反应室循环。热屏蔽是以不会在化学硅气相沉积工艺中添加污染物并围绕硅部件的组件的材料制造的，使得在操作模式下，热屏蔽对红外辐射是不透明的。

7. 发明申请

WO2011116273A2 SYSTEM AND METHOD FOR POLYCRYSTALLINE SILICON DEPOSITION 审中-公开
标题翻译：多晶硅沉积系统与方法
公开(公告)号：WO2011116273A2
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/US2011028972
申请日：2011-03-18
申请人： GT SOLAR INC , QIN WENJUN
发明人： QIN WENJUN
IPC分类号： C01B33/035 , B01J19/26 , C23C16/24 , C30B29/06
CPC分类号： C23C16/45506 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/45563 , C23C16/52
摘要： A method for making polycrystalline silicon from a gas comprising at least one silicon precursor compound is disclosed. The method can be effected from a gas comprising a polycrystalline silicon precursor compound in a chemical vapor deposition system by establishing a first flow pattern of the gas in a chemical vapor deposition reaction chamber, promoting reaction of at least a portion of the at least one precursor compound from the gas having the first flow pattern into polycrystalline silicon, establishing a second flow pattern of the gas in the reaction chamber, and promoting reaction of at least a portion of the at least one precursor compound from the gas having the second flow pattern into polycrystalline silicon. The chemical vapor deposition system can comprise a gas source comprising a gas with at least one precursor compound; a reaction chamber at least partially defined by a base plate and a bell jar; a first nozzle group disposed in one of the base plate and the bell jar, the first nozzle group fluidly connected to the gas source through a first manifold and a first flow regulator; a second nozzle group including a plurality of nozzles disposed in one of the base plate and the bell jar, the plurality of nozzles fluidly connected to the gas source through a second manifold and a second flow regulator.
摘要翻译：公开了一种从包含至少一种硅前体化合物的气体制造多晶硅的方法。该方法可以通过在化学气相沉积反应室中形成气体的第一流动模式，在化学气相沉积系统中由包括多晶硅前体化合物的气体进行，促进至少一部分前体的反应从具有第一流动模式的气体到多晶硅的化合物，在反应室中建立气体的第二流动模式，并促进至少一部分来自具有第二流动模式的气体的至少一部分前体化合物与第二流动模式的反应多晶硅。化学气相沉积系统可以包括气体源，其包含具有至少一种前体化合物的气体; 至少部分地由基板和钟罩限定的反应室; 设置在基板和钟罩之一中的第一喷嘴组，通过第一歧管和第一流量调节器流体连接到气体源的第一喷嘴组; 第二喷嘴组，包括设置在基板和钟罩之一中的多个喷嘴，多个喷嘴通过第二歧管和第二流量调节器流体地连接到气体源。

8. 发明申请

WO2011078651A2 METHOD FOR FABRICATING NANOWIRES 审中-公开
标题翻译：制备纳米微粒的方法
公开(公告)号：WO2011078651A2
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/MY2010/000318
申请日：2010-12-13
申请人： MIMOS BERHAD , BIEN, Chia Sheng Daniel , RAHIMAH, Mohd Saman , SITI AISHAH, Mohamad Badaruddin
发明人： BIEN, Chia Sheng Daniel , RAHIMAH, Mohd Saman , SITI AISHAH, Mohamad Badaruddin
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y15/00 , C23C16/4418 , C23C16/56
摘要： The present invention provides the method for fabricating tungsten (24) and tungsten oxide (30) nanowires by selective CVD method process on a handle substrate (20) and insulating layer (22) with silicon nanostructure (28) in the presence tungsten hexafluoride precursor without the need to use of metal catalyst or mixed powder. This method uses an underlying silicon nano-structure material where the nanowires are laterally formed, in-planed with the substrate and also has uniform dimension. Tungsten nanowires fabricated can thereon be converted to tungsten oxides by oxidation or annealing process.
摘要翻译：本发明提供了在存在六氟化钨前体的情况下通过选择性CVD法在具有硅纳米结构（28）的手柄衬底（20）和绝缘层（22）上制造钨（24）和氧化钨（30）纳米线的方法，而没有需要使用金属催化剂或混合粉末。该方法使用下面的硅纳米结构材料，其中纳米线横向形成，与基底成平面且具有均匀的尺寸。其上制造的钨纳米线可通过氧化或退火工艺转化为钨氧化物。

9. 发明申请

WO2011044457A1 MANUFACTURING APPARATUS FOR DEPOSITING A MATERIAL AND AN ELECTRODE FOR USE THEREIN 审中-公开
标题翻译：用于沉积材料和电极的制造设备
公开(公告)号：WO2011044457A1
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/US2010/051970
申请日：2010-10-08
申请人： HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORPORATION , HILLABRAND, David , MCCOY, Keith
发明人： HILLABRAND, David , MCCOY, Keith
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4404 , C01B33/035 , C23C16/4418
摘要： A manufacturing apparatus for deposition of a material on a carrier body and an electrode for use with the manufacturing apparatus are provided. The manufacturing apparatus includes a housing that defines a chamber. The housing also defines an inlet for introducing a gas into the chamber and an outlet for exhausting the gas from the chamber. At least one electrode is disposed through the housing with the electrode at least partially disposed within the chamber. The electrode has an exterior surface. The exterior surface has a contact region that is adapted to contact a socket. A contact region coating is disposed on the contact region of the electrode for maintaining electrical conductivity between the electrode and the socket. The contact region coating has an electrical conductivity of at least 7x10 6 Siemens/meter at room temperature and a greater wear resistance than nickel as measured in mm 3 /N*m.
摘要翻译：提供了一种用于在载体上沉积材料的制造装置和用于制造装置的电极。制造装置包括限定腔室的壳体。壳体还限定用于将气体引入腔室的入口和用于从腔室排出气体的出口。至少一个电极通过壳体设置，电极至少部分地设置在腔室内。电极具有外表面。外表面具有适于接触插座的接触区域。接触区域涂层设置在电极的接触区域上，以保持电极和插座之间的导电性。接触区域涂层在室温下的电导率至少为7×10 6西门子/米，并且具有比以mm 3 / N * m测量的镍更大的耐磨性。

10. 发明申请

WO2011044441A1 CVD APPARATUS WITH ELECTRODE 审中-公开
标题翻译： CVD装置与电极
公开(公告)号：WO2011044441A1
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/US2010/051945
申请日：2010-10-08
申请人： HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORPORATION , HILLABRAND, David , MCCOY, Keith
发明人： HILLABRAND, David , MCCOY, Keith
IPC分类号： C23C16/44 , C01B33/035
CPC分类号： C23C16/4418 , C01B33/035 , C23C16/4404
摘要： A manufacturing apparatus for deposition of a material on a carrier body and an electrode for use with the manufacturing apparatus are provided. The manufacturing apparatus includes a housing that defines a chamber. The housing also defines an inlet for introducing a gas into the chamber and an outlet for exhausting the gas from the chamber. At least one electrode is disposed through the housing with the electrode at least partially disposed within the chamber. The electrode has an exterior surface. A first exterior coating having an electrical conductivity of at least 7x10 6 Siemens/meter at room temperature is disposed on the exterior surface of the electrode. A second exterior coating different from the first exterior coating is disposed on the first exterior coating. A power supply device is coupled to the electrode.
摘要翻译：提供了一种用于在载体上沉积材料的制造装置和用于制造装置的电极。制造装置包括限定腔室的壳体。壳体还限定用于将气体引入腔室的入口和用于从腔室排出气体的出口。至少一个电极通过壳体设置，电极至少部分地设置在腔室内。电极具有外表面。在电极的外表面上设置有室温下至少为7×10 6西门子/米的电导率的第一外涂层。与第一外部涂层不同的第二外部涂层设置在第一外部涂层上。电源装置耦合到电极。

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