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1. 发明申请

WO2015068776A1 基材とＤＬＣ膜との間に形成される中間層の形成方法、ＤＬＣ膜形成方法及び基材とＤＬＣ膜との間に形成される中間層审中-公开
标题翻译：用于形成基板和DLC膜之间形成的中间层的方法，形成DLC膜的方法以及在基板和DLC膜之间形成的中间层
公开(公告)号：WO2015068776A1
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：PCT/JP2014/079495
申请日：2014-11-06
申请人： DOWAサーモテック株式会社
发明人：渡辺　元浩 , 松岡　宏之 , 榊原　渉 , 野上　惣一郎
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C16/27 , C23C16/50
CPC分类号： C23C14/22 , C03B2215/30 , C23C14/0036 , C23C14/024 , C23C14/027 , C23C14/0635 , C23C14/165 , C23C14/345 , C23C16/26 , C23C16/50 , C23C28/322 , C23C28/341 , C23C28/343
摘要：　基材とＤＬＣ膜との間に形成される中間層をＰＶＤ法を用いて形成する中間層形成方法において、基材上にＴｉ層を成膜するＴｉ層成膜工程と、Ｔｉ層上にＴｉＣ層を成膜するＴｉＣ層成膜工程とを有し、Ｔｉ層成膜工程では、基材が搬入されるチャンバー内にＡｒガスを供給し、成膜圧力を０．４Ｐａ以上、１Ｐａ以下の範囲内の圧力にしてＴｉ層を成膜し、ＴｉＣ層成膜工程では、前記チャンバー内にＡｒガスとＣＨ 4 ガスを供給し、成膜圧力を０．２Ｐａ以上、０．４Ｐａ未満の範囲内の圧力にして、Ｔｉ層成膜工程において基材に印加する第１のバイアス電圧よりもバイアス電圧が高く、かつ、－１００Ｖよりバイアス電圧が高い第２のバイアス電圧を基材に印加してＴｉＣ層を成膜する。
摘要翻译：该形成中间层的方法使用PVD法形成在基板和DLC膜之间形成的中间层，具有用于在基板上形成Ti层的Ti层形成工序和形成TiC层的工序 Ti层上的TiC层。在Ti层形成工序中，将Ar气供给到输送基板的室内，形成Ti层，成膜压力为0.4-1Pa以下; 在TiC层形成工序中，将Ar气和CH 4气体供给到室内，成膜压力在0.2Pa以上且小于0.4Pa的范围内，通过施加到基板上形成TiC层高于-100V的第二偏置电压，并且高于在Ti层形成步骤中施加在衬底上的第一偏置电压。

2. 发明申请

WO2015068655A1 ＤＬＣ皮膜の成膜方法审中-公开
标题翻译： DLC膜形成方法
公开(公告)号：WO2015068655A1
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：PCT/JP2014/079074
申请日：2014-10-31
申请人： DOWAサーモテック株式会社
发明人：田代　裕樹 , 松岡　宏之 , 渡辺　元浩 , 榊原　渉 , 野上　惣一郎
IPC分类号： C23C16/27 , C01B31/02 , C23C14/06
CPC分类号： C23C16/27 , C01B32/05 , C01B32/25 , C23C14/0036 , C23C14/0635 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/345 , C23C16/26 , C23C16/515 , C23C28/046 , C23C28/048
摘要：【課題】恒温装置といった大型設備を必要とせず、チャンバ内のガス圧力が低圧であっても成膜速度が落ちず、硬度及び密着性に優れたＤＬＣ皮膜を製造する。【解決手段】プラズマＣＶＤ法で基材上にＤＬＣ皮膜を成膜させる成膜方法であって、直流パルス電源を用いて基材に印加する電圧をバイアス電圧とし、チャンバ内に供給する成膜ガスとして、アセチレンガス又はメタンガスを用い、且つ、チャンバ内のガスの全圧を、メタンガスを用いた場合は０．５Ｐａ以上３Ｐａ以下とし、アセチレンガスを用いた場合は０．３Ｐａ以上３Ｐａ以下とし、前記バイアス電圧は０．９ｋＶ以上２．２ｋＶ以下とする、ＤＬＣ皮膜の成膜方法が提供される。
摘要翻译： [问题]制造具有优异的硬度和粘合性能的DLC膜，而不需要大型设备如恒温装置，即使室内的气体压力低，也不会降低成膜速度。 [方案]提供了一种用于通过等离子体CVD技术在基材上形成DLC膜的DLC膜形成方法，其中：使用D / C脉冲电源施加到基材的电压被设置为偏置电压 ; 使用乙炔气体或甲烷气体作为在室内供应的成膜气体; 如果使用甲烷气体，则室内气体的总体压力设定为0.5Pa-3Pa，当使用乙炔气体时将其设定为0.3Pa-3Pa，偏压设定为0.9kV-2.2 千伏。

3. 发明申请

WO2014008989A1 HOCHLEISTUNGSIMPULSBESCHICHTUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译： - 高功率脉冲涂装工艺
公开(公告)号：WO2014008989A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/EP2013/001914
申请日：2013-06-29
申请人： OERLIKON TRADING AG, TRÜBBACH
发明人： KRASSNITZER, Siegfried , KURAPOV, Denis
IPC分类号： C23C14/34 , H01J37/34
CPC分类号： C23C14/3485 , C23C14/345 , C23C14/3464 , H01J37/3405 , H01J37/3467 , H01J2237/332
摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Ermittlung des Reaktivgasverbrauchs in einem Beschichtungsprozess mittels Plasma mit folgenden Schritten: a) Einlass von Reaktivgas in eine Beschichtungskammer wobei der entsprechende Reaktivgasfluss gemessen wird und gleichzeitig der in der Beschichtungskammer vorherrschende Partialdruck gemessen wird, ohne ein Plasma zu zünden b) Einlass von Reaktivgas in eine Beschichtungskammer wobei der entsprechende Reaktivgasfluss gemessen wird und gleichzeitig der in der Beschichtungskammer vorherrschende Partialdruck gemessen wird, wobei ein Plasma gezündet ist, dadurch gekennzeichnet, dass - Schritte a) und b) bei mehreren unterschiedlichen Reaktivgasflüssen durchgeführt werden und so die Reaktivgasfluss - Partialdruckabhängigkeit sowohl mit Plasma als auch ohne Plasma ermittelt werden kann - bei gegebenem Partialdruck Abzug des Reaktivgasflusswertes der ohne Plasma ermittelt wurde vom Reaktivgasflusswert der mit Plasma ermittelt wurde und Gleichsetzung der Differenz mit dem Reaktivgasverbrauch.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于通过包括以下步骤的等离子体的装置确定在涂覆过程中的反应性气体消耗量：对与所述相应的反应性气流的涂覆室测定的）的反应性气体的入口，同时在涂层室被测量分压盛行，没有等离子体被测量，其特征在于，等离子体点火，其特征在于与相应的反应性气体流动测量和同时在涂层室的分压盛行点燃b）中的反应气体的接纳到涂覆室： - 步骤a）和b）在几个不同的反应性气体流中进行，并 Partialdruckabhängigkeit可以在血浆和不具有等离子体中找到 - - 如在反应性气体抽取流量值的给定分压反应气体流动而不等离子体测定来自血浆ermitte的反应性气体的流量值是lt和等同于与反应性气体的消耗的差异。

4. 发明申请

WO2014001525A1 METHOD OF COATING BY PULSED BIPOLAR SPUTTERING 审中-公开
标题翻译：通过脉冲双极溅射涂覆的方法
公开(公告)号：WO2014001525A1
公开(公告)日：2014-01-03
申请号：PCT/EP2013/063673
申请日：2013-06-28
申请人： OC OERLIKON BALZERS AG
发明人： ELGHAZZALI, Mohamed , WEICHART, Jürgen
IPC分类号： C23C14/06 , H01J37/34 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3485 , C23C14/0629 , C23C14/3407 , C23C14/345 , H01J37/3467
摘要： The present invention concerns a method of pulsed bipolar sputtering, the method comprising the steps of: - applying a sputtering pulse (-) during a first period of time (T-) / and - applying a revers voltage pulse during a subsequent second period of time (T+). The step of applying the revers voltage pulse comprises controlling, in particular adjusting, the timing of the revers voltage pulse (T+). This way high quality sputtering is achieved, in particular for sputtering temperature sensitive materials.
摘要翻译：本发明涉及一种脉冲双极溅射的方法，该方法包括以下步骤： - 在第一时间段（T）期间施加溅射脉冲（ - ），和 - 在随后的第二周期期间施加反向电压脉冲时间（T +）。施加反向电压脉冲的步骤包括特别地调整反向电压脉冲（T +）的定时。这样可以实现高质量的溅射，特别是对溅射温度敏感的材料。

5. 发明申请

WO2013178598A1 METHOD FOR DEPOSITING A COATING AND A COATED CUTTING TOOL 审中-公开
标题翻译：沉积涂层和涂层切割工具的方法
公开(公告)号：WO2013178598A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/EP2013/060902
申请日：2013-05-28
申请人： SECO TOOLS AB
发明人： ANDERSSON, Jon , JOHANSSON, Mats , SJÖLÉN, Jacob
IPC分类号： C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/32 , C23C14/35 , C23C30/00 , C23C14/34 , C23C28/04 , C23C28/00
CPC分类号： C23C14/325 , B23C5/006 , B23C2222/28 , B23C2224/00 , B23C2224/24 , B23C2224/36 , B23C2226/125 , B23C2228/08 , B23C2228/10 , C23C14/021 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/345 , C23C14/3485 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/352 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C28/42 , C23C30/005 , Y10T407/27 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
摘要： The present invention relates to a method for depositing a hard and wear resistant layer onto a tool body (1) of a hard alloy of, for example, cemented carbide, cermet, ceramics, cubic boron nitride based material or high speed steel. The method comprises depositing the layer by highly ionised physical vapour deposition using elemental, composite and/or alloyed source material comprising the elements Me, where Me is one or more of Ti, V, Cr, Y, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, B, Al, and Si, using a process gas comprising one or more of the elements C, N, O, and S, and applying a first substrate bias potential, Ub1, where - 900 V 0.05Dtot, and applying a second substrate bias potential, Ub2, where -150 V
摘要翻译：本发明涉及一种将硬质耐磨层沉积到例如硬质合金，金属陶瓷，陶瓷，立方氮化硼基材料或高速钢的硬质合金的工具主体（1）上的方法。该方法包括使用包含元素Me的元素，复合和/或合金化的源材料，通过高电离物理气相沉积来沉积该层，其中Me是Ti，V，Cr，Y，Zr，Nb，Mo，Hf中的一种或多种， Ta，W，B，Al和Si，使用包含元素C，N，O和S中的一种或多种的处理气体，并施加第一衬底偏置电位Ub1，其中，900V 0.05Dtot，并施加第二衬底偏置电位Ub2，其中-150 V

6. 发明申请

WO2013119881A1 MULTIFUNCTIONAL ELECTRODE 审中-公开
标题翻译：多功能电极
公开(公告)号：WO2013119881A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/US2013/025237
申请日：2013-02-07
申请人： INTERMOLECULAR, INC
发明人： PHAM, Hieu , GOPAL, Vidyut , HASHIM, Imran , MINVIELLE, Tim , PRAMANIK, Dipankar
IPC分类号： H01L47/00
CPC分类号： C23C14/345 , C23C14/0042 , C23C14/0641 , C23C14/083 , C23C14/225 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625
摘要： A nonvolatile memory element is disclosed comprising a first electrode, a near-stoichiometric metal oxide memory layer having bistable resistance, and a second electrode in contact with the near-stoichiometric metal oxide memory layer. At least one electrode is a resistive electrode comprising a sub-stoichiometric transition metal nitride or oxynitride, and has a resistivity between 0.1 and 10 Ω cm. The resistive electrode provides the functionality of an embedded current-limiting resistor and also serves as a source and sink of oxygen vacancies for setting and resetting the resistance state of the metal oxide layer. Novel fabrication methods for the second electrode are also disclosed.
摘要翻译：公开了一种非易失性存储元件，其包括第一电极，具有双稳电阻的近化学计量的金属氧化物存储层，以及与近化学计量的金属氧化物存储层接触的第二电极。至少一个电极是包括亚化学计量的过渡金属氮化物或氮氧化物的电阻电极，并且具有0.1至10Ωcm的电阻率。电阻电极提供嵌入式限流电阻器的功能，并且还用作氧空位的源极和吸收器，用于设置和复位金属氧化物层的电阻状态。还公开了用于第二电极的新颖制造方法。

7. 发明申请

WO2013055141A3 APPARATUS AND METHOD FOR SURFACE MODIFICATION OF BIOLOGICAL MATERIAL 审中-公开
标题翻译：用于生物材料的表面改性的装置和方法
公开(公告)号：WO2013055141A3
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：PCT/KR2012008300
申请日：2012-10-12
申请人： KOREA INST SCI & TECH
发明人： HAN SEUNG-HEE , PARK WON-WOONG , JEON JUN-HONG , CHOI JIN-YOUNG , MOON SUN-WOO
IPC分类号： A61L27/02 , C23C16/503 , C23C16/515
CPC分类号： C23C14/205 , C23C14/345 , C23C14/358 , H01J37/3405 , H01J37/3467
摘要： Provided are an apparatus and method for surface modification of a biological material for improving the osteogenesis and symphysis performance of an artificial substitute such as an implant, an artificial joint or the like used in a biological material, and various parts used in the operation thereof. The apparatus for surface modification of a biological material according to the present invention comprises: a vacuum tank of which the inside is maintained to be vacuum; a magnetron vapor deposition source for generating plasma ions of a biological material, combined to the vacuum tank; a sample mounting table for mounting a sample, provided at the location facing the magnetron vapor deposition source inside the vacuum tank;a pulsed direct current power unit for supplying pulsed direct current power to the magnetron vapor deposition source so as to generate plasma ions of a biological material sputtered from the magnetron vapor deposition source; and a high voltage pulsed power unit for supplying a negative (-) high voltage pulse to the sample mounting table so as to carry out the ion injection of the plasma ions of a biological material formed from the magnetron vapor deposition source.
摘要翻译：本发明提供生物材料的表面改性装置和方法，用于改善生物材料中使用的植入物，人造关节等人造替代物的成骨和联合性能，以及在其操作中使用的各种部件。根据本发明的用于生物材料表面改性的设备包括：真空罐，其内部保持为真空; 用于产生生物材料的等离子体离子的磁控管气相沉积源，结合到真空罐; 用于安装样品的样品安装台，所述样品安装台设置在所述真空容器内面向所述磁控管气相沉积源的位置处;脉冲直流功率单元，用于向所述磁控管气相沉积源提供脉冲直流功率，以便产生等离子体从磁控管气相沉积源溅射的生物材料; 以及高压脉冲功率单元，用于向样品安装台提供负（ - ）高电压脉冲，以便执行离子注入由磁控管气相沉积源形成的生物材料的等离子体离子。

8. 发明申请

WO2013036953A3 MULTIPLE FREQUENCY SPUTTERING FOR ENHANCEMENT IN DEPOSITION RATE AND GROWTH KINETICS DIELECTRIC MATERIALS 审中-公开
标题翻译：用于增加沉积速率和生长动力学电介质材料的多频率溅射
公开(公告)号：WO2013036953A3
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：PCT/US2012054501
申请日：2012-09-10
申请人： APPLIED MATERIALS INC , JIANG CHONG , KWAK BYUNG SUNG LEO , STOWELL MICHAEL , ARMSTRONG KARL
发明人： JIANG CHONG , KWAK BYUNG SUNG LEO , STOWELL MICHAEL , ARMSTRONG KARL
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/31
CPC分类号： C23C14/345 , C23C14/00 , C23C14/3471 , H01J37/32165 , H01J37/3405
摘要： A method of sputter depositing dielectric thin films may comprise: providing a substrate on a substrate pedestal in a process chamber, the substrate being positioned facing a sputter target; simultaneously applying a first RF frequency from a first power supply and a second RF frequency from a second power supply to the sputter target; and forming a plasma in the process chamber between the substrate and the sputter target, for sputtering the target; wherein the first RF frequency is less than the second RF frequency, the first RF frequency is chosen to control the ion energy of the plasma and the second RF frequency is chosen to control the ion density of the plasma. The self-bias of surfaces within said process chamber may be selected; this is enabled by connecting a blocking capacitor between the substrate pedestal and ground.
摘要翻译：溅射沉积电介质薄膜的方法可以包括：在处理室中的衬底基座上提供衬底，所述衬底被定位成面对溅射靶; 同时将来自第一电源的第一RF频率和来自第二电源的第二RF频率施加到溅射靶; 以及在所述基板和所述溅射靶之间的所述处理室中形成等离子体，用于溅射所述靶; 其中所述第一RF频率小于所述第二RF频率，选择所述第一RF频率以控制所述等离子体的离子能量，并且选择所述第二RF频率以控制所述等离子体的离子密度。可以选择所述处理室内的表面的自偏压; 这可以通过在衬底基座和接地之间连接隔离电容器来实现。

9. 发明申请

WO2013056831A2 BOHRER MIT BESCHICHTUNG 审中-公开
标题翻译：有涂层钻头
公开(公告)号：WO2013056831A2
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/EP2012/004352
申请日：2012-10-18
申请人： OERLIKON TRADING AG, TRÜBBACH
发明人： KRASSNITZER, Siegfried
IPC分类号： C23C14/06
CPC分类号： C23C14/35 , B23B2228/105 , B23G5/06 , B23G2200/26 , C23C14/0635 , C23C14/0641 , C23C14/345 , C23C14/3485 , C23C14/3492 , C23C14/352 , C23C14/355 , C23C14/54 , C23C14/548 , C23C16/276 , C23C16/277 , C23C16/278 , C23C16/50 , C23C28/044 , C23C28/046 , C23C28/048 , C23C30/005 , H01J37/3405 , H01J37/3467 , Y10T408/78 , Y10T408/89
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrats, vorzugsweise eines Bohrers, bei dem zumindest eine erste HIPIMS-Schicht mittels eines HIPIMS-Verfahrens aufgebracht wird. Vorzugsweise, auf die erste HIPIMS-Schicht wird zumindest eine zweite Schicht mittels eines Beschichtungsverfahrens, das kein HIPIMS-Verfahrens beinhaltet.
摘要翻译：本发明涉及一种用于涂覆衬底，优选钻头，其中至少一个第一HIPIMS层通过HIPIMS方法施加的方法。优选地，HIPIMS第一层通过涂布法的第二层，其不涉及HIPIMS的方法中，至少。

10. 发明申请

WO2013055141A2 APPARATUS AND METHOD FOR SURFACE MODIFICATION OF BIOLOGICAL MATERIAL 审中-公开
公开(公告)号：WO2013055141A2
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/KR2012008300
申请日：2012-10-12
申请人： KOREA INST SCI & TECH
发明人： HAN SEUNG-HEE , PARK WON-WOONG , JEON JUN-HONG , CHOI JIN-YOUNG , MOON SUN-WOO
IPC分类号： A61L27/02 , C23C16/503 , C23C16/515
CPC分类号： C23C14/205 , C23C14/345 , C23C14/358 , H01J37/3405 , H01J37/3467
摘要： Provided are an apparatus and method for surface modification of a biological material for improving the osteogenesis and symphysis performance of an artificial substitute such as an implant, an artificial joint or the like used in a biological material, and various parts used in the operation thereof. The apparatus for surface modification of a biological material according to the present invention comprises: a vacuum tank of which the inside is maintained to be vacuum; a magnetron vapor deposition source for generating plasma ions of a biological material, combined to the vacuum tank; a sample mounting table for mounting a sample, provided at the location facing the magnetron vapor deposition source inside the vacuum tank;a pulsed direct current power unit for supplying pulsed direct current power to the magnetron vapor deposition source so as to generate plasma ions of a biological material sputtered from the magnetron vapor deposition source; and a high voltage pulsed power unit for supplying a negative (-) high voltage pulse to the sample mounting table so as to carry out the ion injection of the plasma ions of a biological material formed from the magnetron vapor deposition source.

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