基本信息:
- 专利标题： 高周波スパッタリング装置及びスパッタリング方法
- 专利标题（英）：High frequency sputtering apparatus and sputtering method
- 专利标题（中）：高频溅射装置和溅射方法
- 申请号：PCT/JP2016/001459 申请日：2016-03-15
- 公开(公告)号：WO2016152089A1 公开(公告)日：2016-09-29
- 发明人： 藤井 佳詞 , 中村 真也
- 申请人： 株式会社アルバック
- 申请人地址： 〒2538543 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 Kanagawa JP
- 专利权人： 株式会社アルバック
- 当前专利权人： 株式会社アルバック
- 当前专利权人地址： 〒2538543 神奈川県茅ヶ崎市萩園２５００番地 Kanagawa JP
- 代理机构： 特許業務法人青莪
- 优先权： JP2015-062420 20150325
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C23C14/40 ; C23C14/50 ; H05H1/46
摘要：
処理基板での逆スパッタリング量を可及的に抑制して効率よく成膜することができる高周波スパッタリング装置を提供する。 真空中でターゲット２１に高周波電力を投入し、処理基板Ｗの片面Ｗａに対し成膜処理する本発明の高周波スパッタリング装置ＳＭは、処理基板の片面を開放しかつ電気的に絶縁した状態で処理基板を保持するステージ４を備える。ステージは、その処理基板の保持面に窪み部４２を有し、処理基板の外周縁部がステージの保持面４１に当接するように処理基板を保持したときに処理基板他面と窪み部の輪郭とで区画される空間４３に、処理基板に対して近接方向または離間方向に移動自在なアースに接続される可動体４４を設ける。
摘要（中）：
提供一种能够通过尽可能地抑制待处理基板上的反溅射量而能够有效地形成膜的高频溅射装置。 根据本发明的高频溅射装置SM，其在真空中向目标21输入高频功率，并且在待处理基板W的一个表面Wa上形成膜，包括保持基板的载物台4 被处理，其一个表面在电绝缘状态下打开。 台阶包括位于待处理基板的保持表面中的凹陷部分42，其中可移动体44连接到地面并且能够自由地移动和离开待处理的基板。 待处理基板的其他表面和待加工基板被保持的凹陷部分的轮廓，使得待处理的基板的外周部分与台阶的保持表面41相邻。