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1. 发明申请

WO2007147670A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILIZIUMSUBSTRATS MIT VERÄNDERTEN OBERFLÄCHENEIGENSCHAFTEN SOWIE EIN DERARTIGES SILIZIUMSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于生产硅衬底上具有改变的表面特性和这种硅衬底
公开(公告)号：WO2007147670A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/EP2007/054172
申请日：2007-04-27
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
发明人： BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02573 , H01L21/02601 , H01L21/02612 , H01L21/02656 , H01L21/02658 , H01L21/02667 , H01L33/346
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumsubstrats (1), umfassend die Schritte Bereitstellen eines Siliziumsubstrats mit einer im Wesentlichen ebenen Siliziumoberfläche, Herstellen einer porösen Siliziumoberfläche mit einer Vielzahl von Poren (2), insbesondere mit Makroporen und/oder Mesoporen und/oder Nanoporen, Aufbringen eines in das Silizium einzubringenden Füllmaterials, welches einen Durchmesser aufweist, der kleiner als ein Durchmesser der Poren (2) ist, Einbringen des Füllmaterials (3) in die Poren (2), gegebenenfalls Entfernen von überflüssigem Füllmaterial (3) von der Siliziumoberfläche, und Tempern des mit dem in die Poren (2) eingefüllten Füllmaterials (3) versehenen Siliziumsubstrats (1) bei einer Temperatur zwischen ca. 1000°C bis ca. 1400°C, um die erzeugten Poren (2) wieder zu schließen und das Füllmaterial (3) einzuschließen.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于制造的硅衬底（1），包括：提供具有基本上是平面的硅表面的硅衬底的步骤，准备具有多个孔（2）的多孔硅表面，特别是与大孔和/或孔，和/或纳米孔，施加到被引入到硅填料，其直径比直径的孔（2）的小，填充材料引入（3）进入所述孔（2），任选地除去从过量的填料（3）的硅表面，以及退火填充到孔中（2）（1）提供（3）硅衬底在温度为约1000℃至约1400℃的填充材料以关闭所创建的孔（2）再次，和括填充材料（3）。

2. 发明申请

WO2007107461A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSTRUKTUR UND ENTSPRECHENDE HALBLEITERSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：一种用于生产半导体结构和适当的半导体结构
公开(公告)号：WO2007107461A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/EP2007/052227
申请日：2007-03-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
发明人： BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
IPC分类号： H01L21/225
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L21/02667 , H01L21/223 , H01L21/225 , H01L21/324
摘要： Die Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines kristallinen Halbleitersubstrats (1); Vorsehen eines porösen Bereichs (10) angrenzend an einer Oberfläche (OF) des Halbleitersubstrats (1); Einbringen von einem Dotierstoff (12) in den porösen Bereich (10) von der Oberfläche (OF) aus; und thermisches Rekristallisieren des porösen Bereich (10) in einen kristallinen Dotierungsbereich (10') des Halbleitersubstrats (1), dessen Dotierungsart und/oder Dotierungskonzentration und/oder Dotierungsverteilung von derjenigen bzw. denjenigen des Halbleitersubstrat (1) abweicht. Die Erfindung schafft ebenfalls eine entsprechende Halbleiterstruktur.
摘要翻译：本发明提供了一种生产半导体结构，包括以下步骤的方法：提供一结晶半导体基板（1）; 所述半导体衬底的（OF）（1）提供多孔区（10）相邻的一个表面上; 从表面（OF）的引入掺杂剂（12）插入多孔区（10）; 偏离和所述半导体基板的在结晶杂质区（10“）的热重结晶多孔区（10）（1）中，从那个或那些半导体衬底的掺杂类型和/或掺杂浓度和/或掺杂分布（1）。本发明还提供了相应的半导体结构。

3. 发明申请

WO2007147663A1 SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：传感器和方法用于生产
公开(公告)号：WO2007147663A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/EP2007/053932
申请日：2007-04-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph , HOECHST, Arnim , FEYH, Ando
发明人： BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph , HOECHST, Arnim , FEYH, Ando
IPC分类号： B81B3/00 , G01J5/10 , G01K7/01
CPC分类号： B81B3/0081 , B81B2201/0278 , B81B2203/0109 , B81B2207/015 , B81C2201/0109 , G01J5/06 , G01J5/20
摘要： Die Erfindung betrifft einen Sensor, insbesondere zur ortsaufgelösten Detektion, der aufweist ein Substrat (1), mindestens ein mikrostrukturiertes Sensorelement (52) mit einer ihren Wert temperaturabhängig ändernden elektrischen Eigenschaft, und mindestens einer Membran (36.1) oberhalb einer Kaverne (26, 74, 94), wobei das Sensorelement (52) an der Unterseite der mindestens einen Membran (36.1) angeordnet ist, und wobei das Sensorelement (52) über Zuleitungen (60, 62; 98-1, 98-2, 100-1, 100-2) kontaktiert sind, die in, auf oder unter der Membran (36.1) verlaufen. Es können insbesondere mehrere Sensorelemente (52) als Diodenpixel in einer monokristallinen, durch Epitaxie ausgebildeten Schicht ausgebildet sein. In der Membran (36.1) können Aufhängefedern (70) ausgebildet sein, die die einzelnen Sensorelemente (52) elastisch und isolierend aufnehmen.
摘要翻译：本发明涉及一种传感器，特别是用于空间分辨的检测，其包括衬底（1），至少具有一个其值的微结构化的传感器元件（52）依赖于温度变化的电特性，和至少一个膜片（36.1）的空腔（26，74的上方， 94），其中所述传感器元件（52）布置在所述至少一个膜（36.1）的下侧上，并且其中，经由电源线传感器元件（52）（60，62; 98-1，98-2，100-1，100- 由2接触），其运行在上或隔膜（36.1）下。它可以是，可以形成特别是多个传感器元件（52），如在通过外延生长层形成的单晶二极管像素。在膜（36.1）可以被接收的单独的传感器元件（52）（70）弹性地和绝缘形成悬挂弹簧。

4. 发明申请

WO2009086986A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG PORÖSER MIKROSTRUKTUREN, NACH DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTE PORÖSE MIKROSTRUKTUREN SOWIE DEREN VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：工艺，一种生产多孔微结构，产生了用此方法多孔微结构及其使用
公开(公告)号：WO2009086986A2
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/EP2008/065806
申请日：2008-11-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SCHOLTEN, Dick , PIRK, Tjalf , STUMBER, Michael , LAERMER, Franz , REICHENBACH, Ralf , FEYH, Ando
发明人： SCHOLTEN, Dick , PIRK, Tjalf , STUMBER, Michael , LAERMER, Franz , REICHENBACH, Ralf , FEYH, Ando
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： A61K9/0019 , A61B5/02755 , A61K9/0024 , A61K9/2009 , A61K31/337 , A61M37/0015 , A61M2037/0023 , A61M2037/0053 , B81B2201/055 , B81C1/00126 , B81C2201/0115 , Y10T428/249978
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung poröser Mikrostrukturen (8, 8') in einem Si-Halbleitersubstrat (1), nach diesem Verfahren hergestellte poröse Mikrostrukturen (8, 8') sowie deren Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在硅半导体衬底（1）中制造多孔微结构（8,8'）的方法，由该方法制造的多孔微结构（8,8'）等使用

5. 发明申请

WO2008046682A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MIKROMECHANISCHEN BAUELEMENTES MIT EINER DÜNNSCHICHT-VERKAPPUNG 审中-公开
标题翻译：用于生产微机械结构与薄膜封盖
公开(公告)号：WO2008046682A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/EP2007/058684
申请日：2007-08-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRONMUELLER, Silvia , FEYH, Ando , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina , LAMMER, Marco
发明人： KRONMUELLER, Silvia , FEYH, Ando , FUCHS, Tino , LEINENBACH, Christina , LAMMER, Marco
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00333 , B81C2201/0115 , B81C2201/0132 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145
摘要： Es wird eine Verkappungstechnologie bereitgestellt, bei der trotz Freilegung der mit einer Silizium-Germanium-Füllschicht (4, 3) umgebenen Strukturen (2) mittels ClF 3 -Ätzen durch Mikroporen in der Silizium-Verkappung (7) hindurch dabei ein Ätzangriff auf die Silizium-Kappe (7, 11) verhindert wird, nämlich entweder durch besonders selektive (etwa 10000:1 oder höher) Einstellung des Ätzprozesses selbst oder dadurch, die Einsicht, dass das Oxid einer Germanium-reichen-Schicht (5, 10) im Gegensatz zum oxidierten porösen Silizium (11) nicht stabil, sondern leicht lösbar ist, zum Schutz der Silizium-Kappe (7, 11) zu nutzen.
摘要翻译：本发明提供一种Verkappungstechnologie，尽管硅锗填充层的曝光的（4,3）周围的结构（2）由表示的ClF _{3 贯通微孔中的硅蚀刻封盖（7）从而通过在硅帽蚀刻攻击（7，11）被阻止，或者通过特别有选择性（约10,000：1或更高）设置在蚀刻工艺本身，或通过识别一个富锗层的氧化物（ 5，10）是在对比的是氧化多孔硅（11）是不稳定的，但很容易拆卸，（保护硅帽7，利用11）。}

6. 发明申请

WO2007147671A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON PORÖSEN MIKRONADELN UND IHRE VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：工艺，一种生产多孔微针及其用途
公开(公告)号：WO2007147671A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/EP2007/054175
申请日：2007-04-27
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAERMER, Franz , STUMBER, Michael , FEYH, Ando , SCHOLTEN, Dick , MAEURER, Christian , CASSEMEYER, Julia
发明人： LAERMER, Franz , STUMBER, Michael , FEYH, Ando , SCHOLTEN, Dick , MAEURER, Christian , CASSEMEYER, Julia
IPC分类号： B81C1/00 , A61M37/00
CPC分类号： B81C1/00119 , A61M37/0015 , A61M2037/003 , A61M2037/0038 , A61M2037/0046 , A61M2037/0053 , B81C2201/0112 , B81C2201/0115
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von porösen, auf einem Siliziumsubstrat (5) in einem Array angeordneten Mikronadeln (10) zur transdermalen Verabreichung von Medikamenten und ihre Verwendung vorgestellt. Das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Siliziumsubstrates (5), Aufbringen einer ersten Ätzmaske, Strukturieren von Mikronadeln (10) mittels eines DRIE-Prozesses (,,deep reactive ion etching"), Entfernen der ersten Ätzmaske, zumindest teilweises Porosifizieren des Si-Substrates (5), wobei die Porosifizierung auf der Vorderseite (15) des Si-Substrates (5) beginnt und poröses Reservoir gebildet wird.
摘要翻译：公开了一种用于生产多孔的方法，设置在微针的药物和它们的用途的经皮给药的阵列（10）的硅衬底（5）上。该方法包括：提供硅衬底（5），使用DRIE工艺（,,深反应离子蚀刻“）施加第一蚀刻掩模，微针的图案（10），去除第一蚀刻掩模，对硅基板的至少部分多孔化（ 5），其特征在于，形成在Si衬底（5）和多孔储的前侧（15）的多孔化。

7. 发明申请

WO2014066768A2 COMBINED PRESSURE AND HUMIDITY SENSOR 审中-公开
标题翻译：组合式压力和湿度传感器
公开(公告)号：WO2014066768A2
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/US2013/066825
申请日：2013-10-25
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAMMEL, Gerhard , WAFFENSCHMIDT, Sybille , FEYH, Ando , O'BRIEN, Gary , GRAHAM, Andrew
发明人： LAMMEL, Gerhard , WAFFENSCHMIDT, Sybille , FEYH, Ando , O'BRIEN, Gary , GRAHAM, Andrew
IPC分类号： G01L19/00
CPC分类号： G01N27/041 , G01D3/0365 , G01L19/0038 , G01L19/0092 , G01L19/141 , G01L19/143 , G01L19/147 , G01N27/223 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/15174 , H01L2924/00014
摘要： A sensor device package includes a pressure sensor and a humidity sensor mounted on the same substrate and in the same housing with light protection for the pressure sensor a media opening for gas exchange for the humidity sensor. Light protection and rapid response times are provided through strategic positioning of the media opening, strategic arrangement of the pressure sensor, humidity sensor, and the media opening, and/or the use of opaque materials.
摘要翻译：一种传感器装置包括一个压力传感器和一个湿度传感器，该传感器和湿度传感器安装在相同的基板上，同时在相同的外壳中，具有用于压力传感器的光保护，用于湿度传感器的气体交换通过介质打开的策略性定位，压力传感器的策略布置，湿度传感器和介质打开，和/或使用不透明材料来提供光保护和快速响应时间。

8. 发明申请

WO2008110401A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ERZEUGEN EINER PORÖSEN SCHICHT AUF EINEM HALBLEITERTRÄGER 审中-公开
标题翻译：方法和设备，用于生成多孔层上具有半导体载体
公开(公告)号：WO2008110401A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/EP2008/050940
申请日：2008-01-28
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , ARTMANN, Hans , ARMBRUSTER, Simon , FEYH, Ando
发明人： KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , ARTMANN, Hans , ARMBRUSTER, Simon , FEYH, Ando
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/0203
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung werden ein Verfahren und eine Vorrichtung (10) vorgeschlagen, womit die Oberfläche eines schwach p-dotierten Halbleiterträgers (20) unter der Randbedingung eines beidseitigen elektrolytischen Kontakts porös geätzt werden kann, ohne dass die Rückseite dieses Halbleiterträgers (20) mit einem ohmschen Kontakt versehen werden muss.
摘要翻译：本发明提出一种方法和一种装置（10），由此，弱p型掺杂的半导体衬底（20）的表面可以被蚀刻双面电解接触的边界条件下多孔，如果没有这种半导体衬底（20）的相反侧具有必须提供欧姆接触。

9. 发明申请

WO2008003564A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MIKRONADELN IN EINEM SI-HALBLEITERSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于在硅基半导体衬底生产微型针数
公开(公告)号：WO2008003564A1
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：PCT/EP2007/055691
申请日：2007-06-11
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , STUMBER, Michael , REICHENBACH, Ralf , FEYH, Ando
发明人： STUMBER, Michael , REICHENBACH, Ralf , FEYH, Ando
IPC分类号： B81C1/00 , A61M37/00
CPC分类号： B81C1/00111 , A61M37/0015 , A61M2037/0053 , B81B2201/055 , B81B2203/0361 , B81C2201/0115
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Mikronadeln in einem Si-Halbleitersubstrat, umfassend die folgenden Schritte: a) Aufbringen einer zusammenhängenden Maskierungsschicht (1) auf der äusseren Oberfläche eines Si-Halbleitersubstrats (6); b) Strukturieren der Maskierungsschicht (1), wobei in der Maskierungsschicht (1) eine Vielzahl diskreter durchgehender Löcher (2) mit einem Durchmesser im Bereich von ≥ 0,5 μm bis ≥ 100 μm ausgebildet werden; c) Erzeugen von Ausnehmungen (8) in dem Si-Halbleitersubstrat (6) durch isotropes Ätzen, indem Ätzmittel durch die diskreten Löcher (2) in der Maskierungsschicht (1) hindurchtritt, wobei die Ausnehmungen ausgehend von den diskreten Löchern (2) radial geätzt werden, wobei das Verhältnis von Ätztiefe zu seitlicher Unterätzweite der erzeugten Ausnehmungen (8) im Bereich von 1: 1 bis 4: 1 liegt; d) Abbrechen des Ätzvorgangs nachdem sich Mikronadeln mit mehreckigen Spitzen zwischen benachbarten Löchern (2) ausgebildet haben; e) optional Abtrennen oder Vereinzeln der Mikronadeln von dem Si- Halbleitersubstat (6).
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产在Si半导体衬底的微针的方法，包括以下步骤：在Si半导体衬底（6）的外表面上a）施加的连续掩蔽层（1）; b）中图案化所述掩模层（1），其中，在所述掩蔽层（1）是多个离散的通孔（2）与直径在= 0.5微米至100微米=形成的范围内; c）产生的凹部（8）在所述Si半导体衬底（6）通过各向同性蚀刻由离散的孔使蚀刻剂（2）（在掩模层1），其特征在于，在开始的凹部（从离散孔2）径向地蚀刻是，其特征在于，蚀刻深度的比率到外侧产生的凹部的底切的宽度（8）在从1：1至4：1; D）取消具有多边形峰微针后（在蚀刻工艺相邻的孔2之间）已经形成; e）任选地分离或分割所述硅Halbleitersubstat（6）的微针。

10. 发明申请

WO2016094693A1 RESISTIVE SWITCHING FOR MEMS DEVICES 审中-公开
标题翻译： MEMS器件的电阻开关
公开(公告)号：WO2016094693A1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：PCT/US2015/065050
申请日：2015-12-10
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SAMARAO, Ashwin, K. , O'BRIEN, Gary , FEYH, Ando , PURKL, Fabian , YAMA, Gary
发明人： SAMARAO, Ashwin, K. , O'BRIEN, Gary , FEYH, Ando , PURKL, Fabian , YAMA, Gary
IPC分类号： G01J5/20 , H01L31/101
CPC分类号： G01J5/20 , G01J5/024 , G01J5/0853 , G01J2005/202 , H01L27/14669 , H01L27/2472 , H01L31/02019 , H01L31/0224 , H01L31/11 , H01L45/1616
摘要： A MEMS device includes a bolometer attached to a silicon wafer by a base portion of at least one anchor structure. The base portion comprises a layer stack having a metal- insulator-metal (MIM) configuration such that the base portion acts as a resistive switch such that, when the first DC voltage is applied to the patterned conductive layer, the base portion transitions from a high resistive state to a low resistive state, and, when the second DC voltage is applied to the patterned conductive layer, the base portion transitions from a high resistive state to a low resistive state.
摘要翻译： MEMS装置包括通过至少一个锚结构的基部附接到硅晶片的测辐射热计。基底部分包括具有金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）构造的层堆叠，使得基底部分起电阻性开关的作用，使得当第一DC电压施加到图案化的导电层时，基底部分从高电阻状态变为低电阻状态，并且当将第二DC电压施加到图案化导电层时，基极部分从高电阻状态转变为低电阻状态。

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