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1. 发明申请

WO2013015631A2 APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING WAFER 审中-公开
标题翻译：用于制造晶片的装置和方法
公开(公告)号：WO2013015631A2
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/KR2012005967
申请日：2012-07-26
申请人： LG INNOTEK CO LTD , KANG SEOK MIN , KIM MOO SEONG
发明人： KANG SEOK MIN , KIM MOO SEONG
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02656 , C23C16/54 , C30B33/02 , C30B35/00 , H01L21/02529 , H01L21/0262
摘要： A method for fabricating a wafer according to the embodiment comprises the steps of depositing an epi layer in an epi deposition part; transferring the wafer to an annealing part connected to the epi deposition part; annealing the wafer in the annealing part; transferring the wafer to a cooling part connected to the annealing part; and cooling the wafer in the cooling part, wherein the depositing of the wafer, the annealing of the wafer and the cooling of the wafer are continuously performed. An apparatus for fabricating a wafer according to the embodiment comprises an epi deposition part; an annealing part connected to the epi deposition part; and a cooling part connected to the annealing part.
摘要翻译：根据该实施例的用于制造晶片的方法包括以下步骤：在外延沉积部分中沉积外延层; 将晶片传送到连接到外延沉积部分的退火部分; 在退火部分退火晶片; 将晶片传送到连接到退火部件的冷却部件; 以及在冷却部分中冷却晶片，其中晶片的沉积，晶片的退火和晶片的冷却连续进行。根据该实施例的用于制造晶片的设备包括外延沉积部分; 连接到外延淀积部分的退火部分; 以及连接到退火部件的冷却部件。

2. 发明申请

WO2012135768A1 INORGANIC NANOSTRUCTURE REACTIVE DIRECT-WRITE AND GROWTH 审中-公开
标题翻译：无机纳米结构反应直接写作和成长
公开(公告)号：WO2012135768A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/US2012/031701
申请日：2012-03-30
申请人： ROLANDI, Marco , BRASINO, Michael , KAPETANOVIC, Adnan , TALLA, Vamsi , VASKO, Stephanie , SATO, Hideki
发明人： ROLANDI, Marco , BRASINO, Michael , KAPETANOVIC, Adnan , TALLA, Vamsi , VASKO, Stephanie , SATO, Hideki
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02636 , B81C1/00492 , B81C2201/0154 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/02532 , H01L21/02656
摘要： Methods for forming inorganic nanostructures are provided. The methods create the inorganic nanostructures by positioning a writing electrode (e.g.. a conductive "stamp") spaced nanometers above a substrate such that a precursor is intermediate the two. Applying an electric field, a voltage bias, an ionic current, or an electronic current between the writing electrode and the substrate converts the precursor into an inorganic solid material (e.g., a semiconductor such as silicon or germanium) in the area of the writing electrode.
摘要翻译：提供了形成无机纳米结构的方法。该方法通过将位于衬底上方的纳米级的书写电极（例如，导电“印模”）定位，使得前体位于两者之间来产生无机纳米结构。在写入电极和衬底之间施加电场，电压偏置，离子电流或电子电流在写入电极的区域中将前体转化为无机固体材料（例如半导体，例如硅或锗）。

3. 发明申请

WO2012086387A1 グラフェン基板の製造方法およびグラフェン基板审中-公开
标题翻译：制造石墨基板和石墨基板的方法
公开(公告)号：WO2012086387A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/JP2011/077879
申请日：2011-11-25
申请人：日本電気株式会社 , 独立行政法人物質・材料研究機構 , 日浦英文 , 塚越一仁
发明人：日浦　英文 , 塚越　一仁
IPC分类号： C01B31/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02527 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , H01L21/0237 , H01L21/02491 , H01L21/02573 , H01L21/02612 , H01L21/02656 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , Y10S977/775
摘要：金属層を炭素含有層に接触させ、加熱することで金属層中に炭素含有層中の炭素を溶解させ、冷却することで金属層中の前記炭素を任意の基板表面にグラフェンとして析出させることにより、グラフェン基板を製造する。
摘要翻译：通过使金属层与含碳层接触来加热石墨烯基板，加热该石墨烯基板以使金属层中的含碳层的碳溶解，然后冷却而使金属层中的碳析出作为基板的任何表面上的石墨烯。

4. 发明申请

WO2007001274A3 PATTERNING AND ALIGNING SEMICONDUCTING NANOPARTICLES 审中-公开
标题翻译：模拟和对准半导体纳米粒子
公开(公告)号：WO2007001274A3
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/US2005021893
申请日：2005-06-20
申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES CO
发明人： KELLEY TOMMIE W , DUNBAR TIMOTHY D
IPC分类号： H01L21/368 , H01L21/208
CPC分类号： B82Y30/00 , H01L21/02554 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L21/02617 , H01L21/02628 , H01L21/02656 , H01L27/1292 , H01L29/7869
摘要： A method is provided for making a device comprising aligned semiconducting nanopartisles and a receptor substrate comprising the steps of : a) aligning a plurality of first semiconducting nanoparticles; b) depositing the aligned first semiconducting nanoparticles on a first donor sheet;, and c) transferring at least a portion of the aligned first semiconducting nanopartisles to a receptor substrate by the application of laser radiation. Typically, the semiconducting nanopartisles are inorganic semiconducting nanoparticles. The alignment step may be accomplished by any suitable method, typically including: 1) alignment by capillary flow in or on a textured or microchanneled surface; 2) alignment by templating on a self -assembled monolayer (SAM) ; 3) alignment by templating on a textured polymer surface,- or 4) alignment by mixing in a composition that includes nematic liquid crystals followed by shear orientation of the nematic liquid crystals.
摘要翻译：提供了一种用于制造包括对准的半导体纳米颗粒和受体底物的器件的方法，包括以下步骤：a）对准多个第一半导体纳米颗粒; b）将对准的第一半导体纳米颗粒沉积在第一供体片上;以及c）通过施加激光辐射将至少部分对准的第一半导体纳米颗粒转移到受体底物。通常，半导体纳米颗粒是无机半导体纳米颗粒。对准步骤可以通过任何合适的方法来实现，通常包括：1）通过在纹理或微通道表面中或其上的毛细管流对准; 2）通过在自组装的单层（SAM）上模板进行比对; 3）通过在织构化的聚合物表面上模板化对准，或4）通过在包括向列型液晶的组合物中混合，然后进行向列型液晶的剪切取向来对准。

5. 发明申请

WO2014120001A1 MANUFACTURING A SUBMICRON STRUCTURE USING A LIQUID PRECURSOR 审中-公开
标题翻译：使用液体前驱体制造子结构
公开(公告)号：WO2014120001A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/NL2014/050045
申请日：2014-01-28
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT
发明人： ISHIHARA, Ryoichi , VAN DER ZWAN, Michiel , TRIFUNOVIC, Miki
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L29/66757 , B82Y30/00 , H01L21/02532 , H01L21/02623 , H01L21/02656 , H01L21/02664 , H01L21/2686 , H01L21/324 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1292 , H01L29/04 , H01L29/0669 , H01L29/16 , H01L29/78666 , H01L29/78675 , H01L29/78696
摘要： Methods for manufacture of a submicron semiconductor structure on a substrate are described. The method may comprise: forming at least one template layer over a support substrate; forming one or more template structures, preferably one or more recesses and/or mesas, in said template layer, said one or more template structures comprising one or more edges extending into or out of the top surface of said template layer; coating at least part of said one or more template structures with a liquid semiconductor precursor, preferably a liquid silicon precursor; and, annealing and/or exposing said liquid semiconductor precursor coated template structures to light, wherein during said annealing and/or light exposure a part of said liquid semiconductor precursor accumulates by capillary forces against at least part of said one or more edges, said annealing and/or light exposure transforming said accumulated liquid semiconductor precursor into a submicron semiconductor structure extending along at least part of said one or more edges.
摘要翻译：描述了在基板上制造亚微米半导体结构的方法。该方法可以包括：在支撑衬底上形成至少一个模板层; 在所述模板层中形成一个或多个模板结构，优选一个或多个凹部和/或台面，所述一个或多个模板结构包括延伸到或离开所述模板层的顶表面的一个或多个边缘; 用液体半导体前体，优选液体硅前体涂覆所述一个或多个模板结构的至少一部分; 并且将所述液体半导体前体涂覆的模板结构退火和/或暴露于光，其中在所述退火和/或曝光期间，所述液体半导体前体的一部分通过毛细管力对所述一个或多个边缘的至少一部分进行累积，所述退火和/或曝光将所述积聚的液体半导体前体转变成沿所述一个或多个边缘的至少一部分延伸的亚微米半导体结构。

6. 发明申请

WO2013143328A1 液晶显示器生产中调整隔垫物高度的设备及方法审中-公开
公开(公告)号：WO2013143328A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/CN2012/086843
申请日：2012-12-18
申请人：北京京东方光电科技有限公司
发明人：赵承潭 , 闵泰烨 , 陈旭 , 李辉 , 孟维欣 , 张浪
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/13
CPC分类号： B29C37/005 , B29L2007/00 , G02F1/13394 , G02F2201/503 , H01L21/02656
摘要：一种用于在液晶显示器生产中调整隔垫物高度的设备及方法，所述设备包括控制器（11）和挤压面板（12）。控制器（11）用于控制挤压面板（12）进行塑性变形处理；挤压面板（12）用于在配向工艺后且在进行对盒工艺之前，在控制器（11）的控制下对高于设定高度值的基板上的各隔垫物进行塑性变形处理，以使所述基板上的隔垫物高度的标准差在设定的产品需要达到的标准差范围内。采用所述设备及方法，能有效地改善基板上的隔垫物高度的均一性。

7. 发明申请

WO2012096914A1 RADIATION HARDENED TRANSISTORS BASED ON GRAPHENE AND CARBON NANOTUBES 审中-公开
标题翻译：基于石墨和碳纳米管的辐射硬化晶体管
公开(公告)号：WO2012096914A1
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：PCT/US2012/020713
申请日：2012-01-10
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , LIN, Yu-Ming , YAU, Jeng-Bang
发明人： LIN, Yu-Ming , YAU, Jeng-Bang
IPC分类号： H01L51/10 , H01L51/30
CPC分类号： H01L29/16 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02488 , H01L21/02527 , H01L21/02656 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/78603 , H01L29/78684
摘要： Graphene- and/or carbon nanotube-based radiation-hard transistor devices and techniques for the fabrication thereof are provided. In one aspect, a method of fabricating a radiation-hard transistor is provided. The method includes the following steps. A radiation-hard substrate is provided. A carbon-based material is formed on the substrate wherein a portion of the carbon-based material serves as a channel region of the transistor and other portions of the carbon-based material serve as source and drain regions of the transistor. Contacts are formed to the portions of the carbon-based material that serve as the source and drain regions of the transistor. A gate dielectric is deposited over the portion of the carbon-based material that serves as the channel region of the transistor. A top-gate contact is formed on the gate dielectric.
摘要翻译：提供了基于石墨烯和/或碳纳米管的辐射 - 硬晶体管器件及其制造技术。一方面，提供一种制造辐射 - 硬质晶体管的方法。该方法包括以下步骤。提供辐射硬质基板。碳基材料形成在基板上，其中一部分碳基材料用作晶体管的沟道区，碳基材料的其它部分用作晶体管的源极和漏极区。触点形成为用作晶体管的源区和漏区的碳基材料的部分。在用作晶体管的沟道区的碳基材料的部分上沉积栅极电介质。在栅极电介质上形成顶栅接触。

8. 发明申请

WO2012093758A1 템플레이트, 그 제조방법 및 이를 이용한 수직형 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 审中-公开
标题翻译：模板，制造方法和制造垂直型氮化物半导体发光器件的方法
公开(公告)号：WO2012093758A1
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：PCT/KR2011/004063
申请日：2011-06-03
申请人： (주)세미머티리얼즈 , 오충석 , 장성환 , 정호일 , 박치권 , 박건
发明人： 오충석 , 장성환 , 정호일 , 박치권 , 박건
IPC分类号： H01L33/12 , H01L21/20 , H01L33/22
CPC分类号： H01L21/02458 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02656 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/22 , Y10T117/10
摘要： 본 발명은 템플레이트를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 기판상에 제1 질화물층을 성장시키는 단계, 클로라이드 계열의 식각 가스를 공급하여 상기 제1 질화물층의 상면을 식각하는 단계, 상기 제1 질화물층의 상면으로 제2 질화물층을 성장시켜 다수개의 제1 공극을 형성하는 단계, 상기 식각 가스를 공급하여 상기 제2 질화물층의 상면을 식각하는 단계 그리고, 상기 제2 질화물층의 상면으로 제3 질화물층을 성장시켜 다수개의 제2 공극을 형성하는 단계를 포함하는 템플레이트 제조 방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及使用模板制造氮化物半导体发光器件的方法。制造模板的方法包括：在衬底上生长第一氮化物层的步骤; 提供基于氯化物的蚀刻气体以蚀刻第一氮化物层的顶表面的步骤; 在第一氮化物层的顶表面上生长第二氮化物层以形成多个第一孔的步骤，提供蚀刻气体以蚀刻第二氮化物层的顶表面的步骤，以及生长第三氮化物层的步骤氮化物层在第二氮化物层的顶表面上形成多个第二孔。

9. 发明申请

WO2011058831A1 半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体衬底的方法
公开(公告)号：WO2011058831A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/JP2010/066832
申请日：2010-09-28
申请人：住友電気工業株式会社 , 佐々木信 , 原田真 , 西口太郎 , 沖田恭子 , 並川靖生
发明人：佐々木　信 , 原田　真 , 西口　太郎 , 沖田　恭子 , 並川　靖生
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02529 , H01L21/02612 , H01L21/02614 , H01L21/02656 , H01L21/02667 , H01L21/047 , H01L29/66068
摘要：　支持部（３０）と第１および第２の炭化珪素基板（１１、１２）とを有する複合基板が準備される。第１の炭化珪素基板（１１）は第１の表面と第１の側面（Ｓ１）とを有する。第２の炭化珪素基板は第２の表面と第２の側面（Ｓ２）とを有する。第２の側面（Ｓ２）は、第１および第２の表面（Ｆ１、Ｆ２）の間に開口を有する隙間が第１の側面（Ｓ１）との間に形成されるように配置されている。溶融したシリコンを開口から隙間内へ導入することで、開口を塞ぐように第１および第２の側面（Ｓ１、Ｓ２）をつなぐシリコン接合部（ＢＤｐ）が形成される。シリコン接合部（ＢＤｐ）が炭化されることで、炭化珪素接合部（ＢＤａ）が形成される。
摘要翻译：在所提供的用于制造半导体衬底的方法中，制备具有支撑部分（30）以及第一和第二碳化硅衬底（11,12）的复合衬底。第一碳化硅衬底（11）具有第一顶面和第一侧面（S1）。第二碳化硅衬底具有第二顶面和第二侧面（S2）。第二侧表面（S2）设置成使得在第一侧表面（S1）和第二侧表面（S2）之间形成在第一顶表面（F1）和第二顶表面（F2）之间具有开口的间隙。经由开口将熔融硅引入到间隙中形成连接第一侧表面和第二侧表面（S1，S2）以塞住开口的硅接合部分（BDp）。通过碳化硅接合部分（BDp），形成碳化硅接合部分（BDa）。

10. 发明申请

WO2010074514A3 METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER 审中-公开
标题翻译：用于生长III族氮化物半导体层的方法
公开(公告)号：WO2010074514A3
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：PCT/KR2009007736
申请日：2009-12-23
申请人： EPIVALLEY CO LTD , LEE HO SANG , PARK JOONG SEO , JUNG TAE HOON , JEONG JONG PIL
发明人： LEE HO SANG , PARK JOONG SEO , JUNG TAE HOON , JEONG JONG PIL
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/30
CPC分类号： C30B29/403 , C23C16/303 , C30B25/18 , H01L21/0254 , H01L21/02656
摘要： This disclosure relates to a method for growing a group III nitride semiconductor layer on a substrate, comprising: an inhibition step of inhibiting concave bowing below a substrate in at least one direction; and a growth step of growing a group III nitride semiconductor layer so that the group III nitride semiconductor layer may be integrated with the substrate while the substrate is in the inhibition step.
摘要翻译：本公开涉及一种在衬底上生长III族氮化物半导体层的方法，包括：抑制步骤，在至少一个方向上抑制衬底下的凹弯曲; 以及生长第III族氮化物半导体层的生长步骤，使得当衬底处于抑制步骤时，III族氮化物半导体层可与衬底结合。

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