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1. 发明申请

WO2015054982A1 氮化物功率晶体管及其制造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015054982A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/CN2014/071352
申请日：2014-01-24
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
发明人：程凯
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L29/0611 , H01L29/0634 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7786
摘要：一种氮化物功率晶体管及其制造方法，该氮化物功率晶体管包括：硅衬底，硅衬底中包括用以形成空间电荷耗尽区的不同掺杂的半导体复合结构；位于硅衬底上的氮化物成核层；位于氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于氮化物缓冲层上的氮化物沟道层；与氮化物沟道层相接触的源极和漏极以及位于所述源极和漏极之间的栅极。通过在氮化物功率晶体管的硅衬底中引入可以形成空间电荷耗尽区的不同掺杂的半导体复合结构，使得氮化物功率晶体管可以承受较高的外加电压，提高器件的击穿电压。

2. 发明申请

WO2013172252A1 Ｎａ添加光吸収層用合金とその製造方法及び太陽電池审中-公开
标题翻译：用于钠盐吸收层的合金，其生产方法和太阳能电池
公开(公告)号：WO2013172252A1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/JP2013/063085
申请日：2013-05-09
申请人：株式会社日本マイクロニクス , 国立大学法人宮崎大学
发明人：吉野　賢二 , 永岡　章 , 広瀬　俊和 , 山下　三香
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/363
CPC分类号： H01L31/0749 , C23C14/0623 , C23C14/3414 , H01L21/02568 , H01L21/02573 , H01L21/0259 , H01L21/02614 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：　太陽電池の光吸収層であるＣＩＧＳ膜またはＣＩＧＳＳ膜へのＮａの拡散が高精度に制御可能で、太陽電池の製造も簡単なＣＩＧＳ４元系合金またはＣＩＧＳＳ５元系合金及びその製造方法を提供する。Ｎａが添加されたＣＩＧＳ４元系合金の製造方法は、銅、インジウム、ガリウムを含む混合物をアンプルに真空封入し、高温で結晶化させてＣＩＧ３元系合金を製造する第１工程と、ＣＩＧ３元系合金を粉砕してＣＩＧ３元系合金粉末を製造する第２工程と、粉砕されたＣＩＧ３元系合金に、セレン及びセレン化ナトリウムを混合してアンプルに真空封入し、高温で結晶化させてＣＩＧＳ４元系合金を製造する第３工程とを備える。ＣＩＧＳＳ５元系合金は、さらにイオウを含み、第３工程でイオウが添加される。
摘要翻译：提供了：CIGS4基合金或CIGSS5基合金，其可以将Na扩散到高度为太阳能电池的光吸收层的CIGS膜或CIGSS膜中精度高，而且太阳能电池的制造也容易; 以及用于生产CIGS4基合金和CIGSS5基合金的方法。提供添加了Na的CIGS4基合金的制造方法具有：第一工序，通过在安瓿中真空密封含有铜，铟和镓的混合物，并使其结晶化而制造CIG3系合金高温; 通过粉碎CIG3基合金制造CIG3基合金粉末的第二步骤; 以及通过将硒和硒化钠与粉碎的CIG3基合金混合，在安瓿中进行真空密封并在高温下引起结晶来生产CIGS4基合金的第三步骤。 CIGSS5基合金还包括硫，第三步加入硫。

3. 发明申请

WO2013163004A1 PVD ALN FILM WITH OXYGEN DOPING FOR A LOW ETCH RATE HARDMASK FILM 审中-公开
标题翻译： PVD AlN薄膜，用于低渗透率硬磁膜的氧气掺杂
公开(公告)号：WO2013163004A1
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：PCT/US2013/037245
申请日：2013-04-18
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , CAO, Yong , DAITO, Kazuya , JAKKARAJU, Rajkumar , TANG, Xianmin
发明人： CAO, Yong , DAITO, Kazuya , JAKKARAJU, Rajkumar , TANG, Xianmin
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/203
CPC分类号： C04B35/581 , C23C14/0617 , H01L21/02178 , H01L21/02266 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L21/0332 , H01L21/32139
摘要： The present invention generally relates to a doped aluminum nitride hardmask and a method of making a doped aluminum nitride hardmask. By adding a small amount of dopant, such as oxygen, when forming the aluminum nitride hardmask, the wet etch rate of the hardmask can be significantly reduced. Additionally, due to the presence of the dopant, the grain size of the hardmask is reduced compared to a non-doped aluminum nitride hardmask. The reduced grain size leads to smoother features in the hardmask which leads to more precise etching of the underlying layer when utilizing the hardmask.
摘要翻译：本发明一般涉及掺杂氮化铝硬掩模和制造掺杂氮化铝硬掩模的方法。通过在形成氮化铝硬掩模时添加少量的掺杂剂，例如氧，可以显着降低硬掩模的湿蚀刻速率。此外，由于掺杂剂的存在，与未掺杂的氮化铝硬掩模相比，硬掩模的晶粒尺寸减小。减小的晶粒尺寸导致在硬掩模中更平滑的特征，这导致在利用硬掩模时对底层进行更精确的蚀刻。

4. 发明申请

WO2013147326A1 １３族元素窒化物結晶の製造方法および融液組成物审中-公开
标题翻译： 13号元素氮化物晶体和溶剂组合物的制备方法
公开(公告)号：WO2013147326A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/JP2013/060412
申请日：2013-03-29
申请人：日本碍子株式会社
发明人：坂井　正宏 , 岩井　真
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02
CPC分类号： C30B19/02 , C30B9/10 , C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L31/03044 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：フラックス法によって融液内で１３族元素窒化物を製造する方法であって、融液を、１３族元素原料、アルカリ金属とアルカリ土類金属の少なくとも一方の原料および液体のゲルマニウム原料の組成物を加熱して生成させる。これによって、フラックス法によって融液内で１３族元素窒化物結晶を製造するのに際して、得られた１３族元素窒化物結晶のキャリア濃度などの特性の面内分布を抑制できる。
摘要翻译：一种使用熔剂法制造熔融体中的13族元素氮化物的方法，其中通过加热第13族元素原料，碱金属或碱土金属的至少一种原料的组合物来生成熔融物; 和液态锗原料。以这种方式，当使用焊剂法在熔体中制造13族元素氮化物晶体时，可以抑制所得的第13族元素氮化物晶体的载流子密度的面内分布和其它特性。

5. 发明申请

WO2013138573A1 SEMICONDUCTOR MATERIAL DOPING 审中-公开
标题翻译：半导体材料掺杂
公开(公告)号：WO2013138573A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/US2013/031263
申请日：2013-03-14
申请人： SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.
发明人： SHATALOV, Maxim, S , GASKA, Remigijus , YANG, Jinwei , SHUR, Michael , DOBRINSKY, Alexander
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/14
CPC分类号： H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要： A solution for designing and/or fabricating a structure including a quantum well and an adjacent barrier is provided. A target band discontinuity between the quantum well and the adjacent barrier is selected to coincide with an activation energy of a dopant for the quantum well and/or barrier. For example, a target valence band discontinuity can be selected such that a dopant energy level of a dopant in the adjacent barrier coincides with a valence energy band edge for the quantum well and/or a ground state energy for free carriers in a valence energy band for the quantum well. Additionally, a target doping level for the quantum well and/or adjacent barrier can be selected to facilitate a real space transfer of holes across the barrier. The quantum well and the adjacent barrier can be formed such that the actual band discontinuity and/or actual doping level(s) correspond to the relevant target(s).
摘要翻译：提供了一种用于设计和/或制造包括量子阱和相邻屏障的结构的解决方案。选择量子阱和相邻屏障之间的目标频带不连续性以与量子阱和/或屏障的掺杂剂的活化能一致。例如，可以选择目标价带不连续性，使得相邻势垒中的掺杂剂的掺杂剂能级与量子阱的价态能带边缘和/或价态能带中的自由载流子的基态能量一致量子阱。另外，可以选择量子阱和/或相邻势垒的目标掺杂水平以促进穿过势垒的空穴的实际空间传递。可以形成量子阱和相邻势垒，使得实际的带不连续性和/或实际掺杂水平对应于相关目标。

6. 发明申请

WO2013123605A1 SOLUTION-PROCESSABLE TUNGSTEN OXIDE BUFFER LAYERS AND ELECTRONICS COMPRISING SAME 审中-公开
标题翻译：解决方案 - 可处理的氧化锌缓冲层和包含它的电子
公开(公告)号：WO2013123605A1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：PCT/CH2013/000032
申请日：2013-02-15
申请人： NANOGRADE AG
发明人： LÜCHINGER, Norman, Albert , HALIM, Samuel, Claude
IPC分类号： B01J23/30 , B01J23/652 , B01J23/68 , B01J23/888 , B01J35/00 , B01J35/02 , B01J37/02 , C03C17/25 , C09C1/00 , C09D7/12 , H01L51/00 , H01L51/42 , C23C18/12 , H01L21/02 , B82Y30/00
CPC分类号： C09D5/24 , B82Y30/00 , C01G41/02 , C01P2004/64 , C03C17/007 , C03C2217/219 , C03C2217/42 , C08K3/22 , C08K2003/2258 , C09D1/00 , C09D7/20 , C09D11/00 , H01B1/22 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L51/00 , H01L51/42 , H01L51/4213 , H01L51/5068 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5369 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10T428/256
摘要： The present invention relates to the field of organic electronics, such as OLEDs, OPVs and organic photo detectors. It particularly provides intermediates and materials suitable for manufacturing such organic electronics, to specific manufacturing methods and to specific uses.
摘要翻译：本发明涉及有机电子学领域，例如OLED，OPV和有机光电探测器。它特别提供了适用于制造这种有机电子学的中间体和材料，特定的制造方法和具体用途。

7. 发明申请

WO2013106621A1 METHOD AND SYSTEM OF PROVIDING DOPANT CONCENTRATION CONTROL IN DIFFERENT LAYERS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：在半导体器件的不同层中提供掺杂浓度控制的方法和系统
公开(公告)号：WO2013106621A1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：PCT/US2013/021104
申请日：2013-01-11
申请人： FIRST SOLAR, INC , XIONG, Gang , POWELL, Rick, C. , PENG, Xilin , BARDEN, John , ALLENIC, Arnold , LIAO, Feng , RING, Kenneth, M.
发明人： XIONG, Gang , POWELL, Rick, C. , PENG, Xilin , BARDEN, John , ALLENIC, Arnold , LIAO, Feng , RING, Kenneth, M.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/365
CPC分类号： H01L31/18 , C23C16/28 , C23C16/40 , C23C16/402 , C23C16/407 , C23C16/4488 , C23C16/455 , C23C16/483 , C23C16/52 , H01J37/3476 , H01J2237/332 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L31/02963 , H01L31/073 , Y02E10/543
摘要： A method and system for controlling the amount of a second material incorporated into a first material by controlling the amount of a third material which can interact with the second material.
摘要翻译：一种用于通过控制可与第二材料相互作用的第三材料的量来控制结合到第一材料中的第二材料的量的方法和系统。

8. 发明申请

WO2013006151A3 TRANSITIONED FILM GROWTH FOR CONDUCTIVE SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
标题翻译：导电半导体材料的过渡薄膜生长
公开(公告)号：WO2013006151A3
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/US2011001801
申请日：2011-10-24
申请人： L 3 COMM CORP , SYLLAIOS ATHANASIOS J , TAYLOR MICHAEL F , AJMERA SAMEER K
发明人： SYLLAIOS ATHANASIOS J , TAYLOR MICHAEL F , AJMERA SAMEER K
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/20
CPC分类号： H01L31/0336 , G01J5/20 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02592 , H01L27/14618 , H01L27/14649 , H01L31/028 , H01L31/0376 , H01L31/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A center region of conductive material/s may be disposed or "sandwiched" between transition regions of relatively lower conductivity materials to provide substantially low defect density interfaces for the sandwiched material. The center region and surrounding transition regions may in turn be disposed or sandwiched between dielectric insulative material to form a sandwiched and transitioned device structure. The center region of such a sandwiched structure may be implemented, for example, as a device layer such as conductive microbolometer layer for a microbolometer detector structure.
摘要翻译：导电材料的中心区域可以设置或“夹在”相对较低导电率材料的过渡区域之间，以为夹层材料提供基本上低的缺陷密度界面。中心区域和周围的过渡区域又可以布置或夹在介电绝缘材料之间以形成夹层和过渡的器件结构。这种夹层结构的中心区域例如可以实现为用于微测辐射热计探测器结构的器件层，例如导电微测辐射热计层。

9. 发明申请

WO2012102809A3 POLYSILICON FILMS BY HDP-CVD 审中-公开
标题翻译：聚硅氧烷膜通过HDP-CVD
公开(公告)号：WO2012102809A3
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/US2011066601
申请日：2011-12-21
申请人： APPLIED MATERIALS INC , WANG ANCHUAN , CHEN XIAOLIN , LEE YOUNG S
发明人： WANG ANCHUAN , CHEN XIAOLIN , LEE YOUNG S
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/0245 , C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02595 , H01L21/28556
摘要： Methods of forming polysilicon layers are described. The methods include forming a high-density plasma from a silicon precursor in a substrate processing region containing the deposition substrate. The described methods produce polycrystalline films at reduced substrate temperature (e.g.
摘要翻译：描述形成多晶硅层的方法。所述方法包括在包含沉积衬底的衬底处理区域中从硅前体形成高密度等离子体。所描述的方法相对于现有技术在降低的衬底温度（例如<500℃）下产生多晶膜。偏置等离子体功率调整的可用性进一步使得能够调整形成的多晶硅层的共形性。当掺杂物被包括在高密度等离子体中时，它们可以以不需要单独的激活步骤的方式结合到多晶硅层中。

10. 发明申请

WO2012023557A1 化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体审中-公开
标题翻译：制造化合物半导体的装置，制造化合物半导体的方法和化合物半导体
公开(公告)号：WO2012023557A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/JP2011/068562
申请日：2011-08-16
申请人：昭和電工株式会社 , 安原秀樹 , 坂東章
发明人：安原　秀樹 , 坂東　章
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/683 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/02293 , C23C16/4583 , C30B25/02 , C30B25/12 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/6875 , H01L21/68757 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/007
摘要：有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体の製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、保持体の上面の中心から被形成体の外周部よりも内側で被形成体の下面と接し、保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置により、ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶を成長させる基板表面の温度分布及び平均波長の狙い値からのズレを抑制する。
摘要翻译：提供一种使用金属有机化学气相沉积法形成化合物半导体层的化合物半导体的制造装置。该装置的特征在于：该装置设置有反应容器，保持器，其设置在反应容器中并且放置在其上将要形成该层的被检体，所述受试者面向被检体表面以及将来自外部的化合物半导体的原料气体从该原料供给口供给反应容器的内部的原料供给口，所述保持器与所述被检体的下表面接触，所述接触件从所述保持器的上表面的中心位于所述被检体的外周部的内侧; 并且保持器具有支撑部，其支撑被检体，使得保持器的上表面和被检体的下表面之间保持预定的间隔。在使用MOCVD法的化合物半导体的制造中，使用该装置抑制了使用化合物半导体晶体沉积的衬底表面上的温度分布和与目标值的平均波长的偏差。

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