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1. 发明申请

WO2007147663A1 SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：传感器和方法用于生产
公开(公告)号：WO2007147663A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/EP2007/053932
申请日：2007-04-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph , HOECHST, Arnim , FEYH, Ando
发明人： BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph , HOECHST, Arnim , FEYH, Ando
IPC分类号： B81B3/00 , G01J5/10 , G01K7/01
CPC分类号： B81B3/0081 , B81B2201/0278 , B81B2203/0109 , B81B2207/015 , B81C2201/0109 , G01J5/06 , G01J5/20
摘要： Die Erfindung betrifft einen Sensor, insbesondere zur ortsaufgelösten Detektion, der aufweist ein Substrat (1), mindestens ein mikrostrukturiertes Sensorelement (52) mit einer ihren Wert temperaturabhängig ändernden elektrischen Eigenschaft, und mindestens einer Membran (36.1) oberhalb einer Kaverne (26, 74, 94), wobei das Sensorelement (52) an der Unterseite der mindestens einen Membran (36.1) angeordnet ist, und wobei das Sensorelement (52) über Zuleitungen (60, 62; 98-1, 98-2, 100-1, 100-2) kontaktiert sind, die in, auf oder unter der Membran (36.1) verlaufen. Es können insbesondere mehrere Sensorelemente (52) als Diodenpixel in einer monokristallinen, durch Epitaxie ausgebildeten Schicht ausgebildet sein. In der Membran (36.1) können Aufhängefedern (70) ausgebildet sein, die die einzelnen Sensorelemente (52) elastisch und isolierend aufnehmen.
摘要翻译：本发明涉及一种传感器，特别是用于空间分辨的检测，其包括衬底（1），至少具有一个其值的微结构化的传感器元件（52）依赖于温度变化的电特性，和至少一个膜片（36.1）的空腔（26，74的上方， 94），其中所述传感器元件（52）布置在所述至少一个膜（36.1）的下侧上，并且其中，经由电源线传感器元件（52）（60，62; 98-1，98-2，100-1，100- 由2接触），其运行在上或隔膜（36.1）下。它可以是，可以形成特别是多个传感器元件（52），如在通过外延生长层形成的单晶二极管像素。在膜（36.1）可以被接收的单独的传感器元件（52）（70）弹性地和绝缘形成悬挂弹簧。

2. 发明申请

WO2007147670A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILIZIUMSUBSTRATS MIT VERÄNDERTEN OBERFLÄCHENEIGENSCHAFTEN SOWIE EIN DERARTIGES SILIZIUMSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于生产硅衬底上具有改变的表面特性和这种硅衬底
公开(公告)号：WO2007147670A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/EP2007/054172
申请日：2007-04-27
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
发明人： BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02573 , H01L21/02601 , H01L21/02612 , H01L21/02656 , H01L21/02658 , H01L21/02667 , H01L33/346
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumsubstrats (1), umfassend die Schritte Bereitstellen eines Siliziumsubstrats mit einer im Wesentlichen ebenen Siliziumoberfläche, Herstellen einer porösen Siliziumoberfläche mit einer Vielzahl von Poren (2), insbesondere mit Makroporen und/oder Mesoporen und/oder Nanoporen, Aufbringen eines in das Silizium einzubringenden Füllmaterials, welches einen Durchmesser aufweist, der kleiner als ein Durchmesser der Poren (2) ist, Einbringen des Füllmaterials (3) in die Poren (2), gegebenenfalls Entfernen von überflüssigem Füllmaterial (3) von der Siliziumoberfläche, und Tempern des mit dem in die Poren (2) eingefüllten Füllmaterials (3) versehenen Siliziumsubstrats (1) bei einer Temperatur zwischen ca. 1000°C bis ca. 1400°C, um die erzeugten Poren (2) wieder zu schließen und das Füllmaterial (3) einzuschließen.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于制造的硅衬底（1），包括：提供具有基本上是平面的硅表面的硅衬底的步骤，准备具有多个孔（2）的多孔硅表面，特别是与大孔和/或孔，和/或纳米孔，施加到被引入到硅填料，其直径比直径的孔（2）的小，填充材料引入（3）进入所述孔（2），任选地除去从过量的填料（3）的硅表面，以及退火填充到孔中（2）（1）提供（3）硅衬底在温度为约1000℃至约1400℃的填充材料以关闭所创建的孔（2）再次，和括填充材料（3）。

3. 发明申请

WO2007107461A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSTRUKTUR UND ENTSPRECHENDE HALBLEITERSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：一种用于生产半导体结构和适当的半导体结构
公开(公告)号：WO2007107461A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/EP2007/052227
申请日：2007-03-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
发明人： BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
IPC分类号： H01L21/225
CPC分类号： H01L21/228 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L21/02667 , H01L21/223 , H01L21/225 , H01L21/324
摘要： Die Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines kristallinen Halbleitersubstrats (1); Vorsehen eines porösen Bereichs (10) angrenzend an einer Oberfläche (OF) des Halbleitersubstrats (1); Einbringen von einem Dotierstoff (12) in den porösen Bereich (10) von der Oberfläche (OF) aus; und thermisches Rekristallisieren des porösen Bereich (10) in einen kristallinen Dotierungsbereich (10') des Halbleitersubstrats (1), dessen Dotierungsart und/oder Dotierungskonzentration und/oder Dotierungsverteilung von derjenigen bzw. denjenigen des Halbleitersubstrat (1) abweicht. Die Erfindung schafft ebenfalls eine entsprechende Halbleiterstruktur.
摘要翻译：本发明提供了一种生产半导体结构，包括以下步骤的方法：提供一结晶半导体基板（1）; 所述半导体衬底的（OF）（1）提供多孔区（10）相邻的一个表面上; 从表面（OF）的引入掺杂剂（12）插入多孔区（10）; 偏离和所述半导体基板的在结晶杂质区（10“）的热重结晶多孔区（10）（1）中，从那个或那些半导体衬底的掺杂类型和/或掺杂浓度和/或掺杂分布（1）。本发明还提供了相应的半导体结构。

4. 发明申请

WO2007073994A1 MIKROMECHANISCHES SENSORELEMENT 审中-公开
标题翻译：微机械传感器元件
公开(公告)号：WO2007073994A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/EP2006/068711
申请日：2006-11-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , MUCHOW, Joerg , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
发明人： MUCHOW, Joerg , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0054 , G01L9/0055
摘要： Es wird ein mikromechanisches Sensorelement (1) mit einer geschlossenen, in einem Rahmen (3) aufgespannten Membran (2), vorgeschlagen, das eine hohe Empfindlichkeit bei hoher Überlastfestigkeit und kleiner Baugröße aufweist und eine piezoresistive Messwerterfassung ermöglicht. Dazu ist im Bereich der Membran (2) mindestens ein Trägerelement (4) ausgebildet, das über mindestens einen Verbindungssteg (5) mit dem Rahmen (3) verbunden ist. Außerdem sind im Bereich des Verbindungsstegs (5) Piezowiderstände (6) zur Detektion einer Deformation angeordnet.
摘要翻译：它是一种微机械传感器元件（1）具有封闭，在一个框架（3）被夹持的方案（2）隔膜，其具有在高过载能力的高灵敏度和小的结构尺寸，并且使得压阻采集测量值。通过在膜的区域中形成（2）至少一个承载元件（4），其经由至少一个连接网（5）连接到所述框架（3）。另外，（5）压电电阻器（6）被设置用于在连接腹板的区域检测的变形。

5. 发明申请

WO2007071515A1 MIKROMECHANISCHER KAPAZITIVER DRUCKWANDLER UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译： MICRO机械电容式压力转换器和方法
公开(公告)号：WO2007071515A1
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：PCT/EP2006/068758
申请日：2006-11-22
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , SCHELLING, Christoph , BRASAS, Joerg
发明人： BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , SCHELLING, Christoph , BRASAS, Joerg
IPC分类号： G01L9/12
CPC分类号： G01L9/0073
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen kapazitiven Druckwandlers bzw. ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikromechanisches Bauelement beschrieben. Zunächst wird dabei eine erste Elektrode in einem dotierten Halbleitersubstrat erzeugt. In einem weiteren Verfahrensschritt wird eine Membran mit einer zweiten Elektrode an der Oberfläche des Halbleitersubstrats erzeugt. Weiterhin ist vorgesehen, dass eine erste Schicht, die vorzugsweise aus dielektrischem Material besteht, auf die Membran und das Halbleitersubstrat aufgebracht wird. Mittels dieser ersten Schicht werden die Membran und das Halbleitersubstrat des fertigen mikromechanischen kapazitiven Druckwandlers direkt oder indirekt miteinander mechanisch verbunden. Weiterhin wird zwischen der ersten und der zweiten Elektrode eine vergrabene Kaverne in dem Halbleitersubstrat erzeugt. Mit einem nachfolgenden Ätzschritt durch Öffnungen in der ersten Schicht wird abschließend die Membran aus dem Halbleitersubstrat herausgelöst, wobei die mechanische Verbindung von der Membran zum Halbleitersubstrat mittels der ersten Schicht erfolgt. Diese mechanische Verbindung erlaubt der Membran bzw. der zweiten Elektrode eine bewegliche Aufhängung oberhalb der ersten Elektrode.
摘要翻译：与本发明的用于制造微机械电容式压力传感器或者用此方法微机械部件制造的产品的方法进行说明。首先，虽然形成在掺杂的半导体衬底中的第一电极。在进一步的处理步骤中，半导体衬底的表面上产生具有第二电极的膜。它进一步提供的是一个第一层，其优选地由介电材料被施加到所述隔膜和所述半导体衬底。通过该第一层，所述隔膜和所述成品微机械电容式压力传感器直接或间接地连接到彼此机械的所述半导体衬底的装置。此外，形成在第一和第二电极之间的半导体衬底的掩埋空腔。通过在所述第一层中的开口的后续蚀刻步骤中，将膜最终从半导体基底上除去，膜的机械连接通过所述第一层进行对半导体衬底。这种机械连接允许所述隔膜和所述第二电极是所述第一电极的上方的可动悬浮液。

6. 发明申请

WO2008086907A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于制造部件和传感器元件
公开(公告)号：WO2008086907A1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：PCT/EP2007/062452
申请日：2007-11-16
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
发明人： KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： G01L9/00 , B81C1/00
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/0353 , B81C1/00801 , B81C2201/014
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung werden einfache Maßnahmen vorgeschlagen, die eine nachträgliche Rückseitenprozessierung von Bauteilen mit einer Membranstruktur in der Bauteiloberfläche ermöglichen, um Zugangsöffnungen zu der Kaverne unterhalb der Membran zu erzeugen. Nachdem eine erste Membranschicht (111) und eine Kaverne (12) unter der ersten Membranschicht (111) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem Substratmaterial erzeugt worden sind, soll erfindungsgemäß über der ersten Membranschicht (111) zumindest im Bereich der mindestens einen zu erzeugenden Zugangsöffnung (13) eine Ätzstoppschicht (3) aufgebracht werden. Diese Zugangsöffnung (13) soll dann in einem Ätzschritt erzeugt werden, der von der Bauteilrückseite ausgeht und durch die Ätzstoppschicht (3) über der ersten Membranschicht (111) begrenzt wird.
摘要翻译：本发明提出了简单的措施其能够在部件表面具有膜结构的组件的后续Rückseitenprozessierung以形成进入开口至膜下方的空腔。一个第一薄膜层（111）和所述第一薄膜层的空腔（12）后（111）已经从部件表面产生，在衬底材料开始，应根据本发明在所述第一薄膜层（111）（在至少一个的区域中至少要生成的访问开口 13）的蚀刻停止层（3）被应用。此访问开口（13）是在蚀刻步骤中，从所述后侧部件和通过在所述第一薄膜层（111）的蚀刻停止层（3）开始被限制为产生。

7. 发明申请

WO2008089862A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于制造部件和传感器元件
公开(公告)号：WO2008089862A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/EP2007/062952
申请日：2007-11-28
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
发明人： KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C2201/0115 , G01L19/0038
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils (10) vorgeschlagen, mit mindestens einer in der Bauteiloberfläche ausgebildeten Membran (11), die eine Kaverne (12) überspannt, und mit mindestens einer von der Bauteilrückseite ausgehenden Zugangsöffnung (14) zu der Kaverne (12), wobei zumindest eine erste Membranschicht (2) und die Kaverne (12) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem monolithischen Halbleitersubstrat (1) erzeugt werden und wobei die Zugangsöffnung (14) von der Substratrückseite ausgehend in einem zeitlich begrenzten Ätzprozess erzeugt wird. Dazu wird die Zugangsöffnung (14) erfindungsgemäß in einem Bereich angeordnet, in dem das Substratmaterial an die erste Membranschicht (2) heranreicht. Außerdem umfasst der Ätzprozess zum Erzeugen der Zugangsöffnung (14) mindestens einen anisotropen Ätzschritt und mindestens einen isotropen Ätzschritt, wobei in dem anisotropen Ätzschritt ein von der Substratrückseite ausgehender Ätzkanal (15) erzeugt wird, der unterhalb der ersten Membranschicht (2) in der Umgebung der Kaverne (12) endet, und wobei zumindest der Endbereich (16) dieses Ätzkanals (15) in dem isotropen Ätzschritt aufgeweitet wird, bis der Ätzkanal (15) an die Kaverne angeschlossen ist.
摘要翻译：利用本发明，用于制造部件的方法（10）设有与形成在部件表面的膜的至少一个开口（11）跨越的空腔（12），和传出与该组件后部进出开口（14）中的至少一个的腔体（12），其中至少一个第一隔膜层（2）和从所述部件表面的腔体（12），在单片半导体衬底开始（1）的生产，并且其中所述进入开口（14）由在基板背面侧从有限的刻蚀工艺中产生的，为了这个目的，所述进入开口（14）是根据设置在区域中的第一薄膜层的衬底材料（2）的变焦范围本发明。另外，用于形成所述进入开口（14）的蚀刻工艺包括至少一个各向异性的蚀刻步骤和至少一个各向同性蚀刻步骤中，在位于第一隔膜层（2）下方的附近的基板背面侧出射的蚀刻通道（15）的各向异性蚀刻步骤而产生腔（12）结束，并且其中至少该蚀刻通道的端部（16）（15）被加宽各向同性蚀刻直到蚀刻通道（15）连接到所述洞穴。

8. 发明申请

WO2012069078A1 EUTEKTISCHE BONDUNG VON DÜNNCHIPS AUF EINEM TRÄGERSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：共晶接合THIN CHIPS ON载体衬底
公开(公告)号：WO2012069078A1
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/EP2010/068037
申请日：2010-11-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , PRUEMM, Andreas , KRAFT, Karl-Heinz , MAYER, Thomas , HOECHST, Arnim , SCHELLING, Christoph
发明人： PRUEMM, Andreas , KRAFT, Karl-Heinz , MAYER, Thomas , HOECHST, Arnim , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： B81C1/00301 , B81B7/007 , B81C3/008 , B81C2203/035 , B81C2203/051 , G01L9/0048 , G01L19/0076 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/125 , G01P2015/084 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/056 , H01L2224/13025 , H01L2224/13124 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/81805 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2224/81 , H01L2224/03 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (166) vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: a) ein Halbleiterchip (110) wird auf einem Ausgangssubstrat (112) erzeugt, wobei der Halbleiterchip (110) in mindestens einer Stützstelle (116) mit dem Ausgangssubstrat (112) verbunden ist, wobei der Halbleiterchip (110) eine dem Ausgangssubstrat (112) abgewandte Vorderseite (130) und eine dem Ausgangssubstrat (112) zuweisende Rückseite (132) aufweist, b) in mindestens einem Durchkontaktierungsschritt wird mindestens ein Durchkontakt-Füllmaterial (142) auf den Halbleiterchip (110) aufgebracht, wobei zumindest ein Teilbereich (140) der Rückseite (132) mit dem Durchkontakt- Füllmaterial (142) beschichtet wird, c) der Halbleiterchip (110) wird von dem Ausgangssubstrat (1 12) getrennt, und d) der Halbleiterchip (110) wird auf mindestens ein Trägersubstrat (150) aufgebracht, wobei der mit dem Durchkontakt-Füllmaterial (142) beschichtete Teilbereich (140) der Rückseite (132) des Halbleiterchips (110) mit mindestens einem Bondpad (152) auf dem Trägersubstrat (150) verbunden wird.
摘要翻译：因此建议一种制造半导体器件（166）的方法。该方法包括以下步骤：a）一个半导体芯片（产生110）（起始衬底112）上，其中所述半导体芯片（110）（在至少一个支承点（116）与所述起始衬底112），其中所述半导体芯片（110 ）具有前表面（130）和一个（背向所述起始衬底112）分配后侧（132）中，b）在至少一个Durchkontaktierungsschritt至少一个经由填充在半导体芯片上的材料（142）（110）被施加（起始衬底112），其特征在于至少与所述Durchkontakt-填充材料（142）的部分（140）是背面（132）涂覆的，c）中的半导体芯片（110）被分离（从开始衬底1 12），以及d）在半导体芯片（110）被至少一个支承衬底（150）被施加，其中，与所述填充材料的通触点（142）涂覆在具有半导体芯片（110）的后侧（132）的部分（140）的至少一个键合焊盘（152）上在支撑基板（150）连接。

9. 发明申请

WO2009124605A3 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT MIT SCHRÄGSTRUKTUR UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2009124605A3
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：PCT/EP2008/066388
申请日：2008-11-28
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , PIRK, Tjalf , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , KRUEGER, Michael , SATTLER, Robert , NJIKAM NJIMONZIE, Frederic , MUCHOW, Joerg , FRITZ, Joachim , SCHELLING, Christoph , FRIESE, Christoph
发明人： PIRK, Tjalf , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , KRUEGER, Michael , SATTLER, Robert , NJIKAM NJIMONZIE, Frederic , MUCHOW, Joerg , FRITZ, Joachim , SCHELLING, Christoph , FRIESE, Christoph
IPC分类号： B81C1/00
摘要： Die Erfindung schafft ein mikromechanisches Bauelement mit Schrägstruktur und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Das Bauelement umfasst ein Substrat (1) mit einer Oberfläche (O); einen ersten Anker (3e; 3e'), welcher auf der Oberfläche (O) des Substrats (1) vorgesehen ist und welcher sich vom Substrat (1) weg erstreckt; und mindestens einen an einer Seitenfläche (S1, S2; S1'; S1'') des Ankers (3e; 3e') vorgesehenen Ausleger (3c, 3d; 3c; 3c'), welcher schräg vom Anker (3e; 3e') weggerichtet ist.

10. 发明申请

WO2009095108A3 FESTKÖRPERGELENK UND MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2009095108A3
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/EP2008/065532
申请日：2008-11-14
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , PIRK, Tjalf , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , KRUEGER, Michael , SATTLER, Robert , NJIKAM NJIMONZIE, Frederic , MUCHOW, Joerg , FRITZ, Joachim , SCHELLING, Christoph , FRIESE, Christoph
发明人： PIRK, Tjalf , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , WEBER, Heribert , KRUEGER, Michael , SATTLER, Robert , NJIKAM NJIMONZIE, Frederic , MUCHOW, Joerg , FRITZ, Joachim , SCHELLING, Christoph , FRIESE, Christoph
IPC分类号： B81B7/00
摘要： Das erfindungsgemäße Festkörpergelenk (16) zum Aufhängen einer mikromechanischen Einrichtung (2) beinhaltet einen tragenden Balken (17) und eine auf dem tragenden Balken (17) aufgebrachte dünne Schicht (22). Die dünne Schicht ragt seitlich über den tragenden Balken (17) hin. In der dünnen Schicht (22) sind ein oder mehrere Leiterbahnen (18) eingebettet.

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