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1. 发明申请

WO2010108767A1 HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：WO2010108767A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/EP2010/052714
申请日：2010-03-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , LELL, Alfred , DINI, Dimitri , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , QUEREN, Désirée , LERMER, Teresa
发明人： SCHILLGALIES, Marc , LELL, Alfred , DINI, Dimitri , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , QUEREN, Désirée , LERMER, Teresa
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/20 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： Vorliegend wird eine Halbleiterlaservorrichtung (1) angegeben. Diese umfasst einen ersten Bereich (2), einen zweiten Bereich, der eine ebene Region (4f) und eine aus der ebenen Region herausragende Region (4g) aufweist, und einen aktiven Bereich (3), der zwischen dem ersten (2) und dem zweiten Bereich angeordnet ist, wobei eine Deckschicht (5, 5a, 5b), die ein Halbleitermaterial oder ein transparentes leitendes Oxid enthält, zumindest bereichsweise direkt auf der herausragenden Region (4g) angeordnet ist und die herausragende Region (4g) lateral überragt.
摘要翻译：在当前情况下，一个半导体激光元件（1）中指定。这包括第一区域（2），其具有的平面区域（4F）和伸出该平面区域的区域（4G）的第二部分，并且所述第一（2）和之间的有源区（3）所述第二区域被布置，其特征在于，覆盖层（5，5A，5B），其中包含一个半导体材料或透明导电氧化物，至少在所述突出区域（4G）直接部分，并且这些突出的区域（4G）横向地突出超过。

2. 发明申请

WO2011023625A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2011023625A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/EP2010/062136
申请日：2010-08-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , LERMER, Teresa , EICHLER, Christoph
发明人： SCHILLGALIES, Marc , LERMER, Teresa , EICHLER, Christoph
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/22 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (1) angegeben, mit einem n-seitigen Wellenleiterbereich (21) und einem p- seitigen Wellenleiterbereich (22); einer aktiven Zone (20) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung; zumindest einer Reflektionsschicht (24) im n-seitigen Weilerleiterbereich (21), wobei die aktive Zone (20) zwischen den beiden Wellenleiterbereichen (21, 22) angeordnet ist, die Dicke des n-seitigen Wellenleiterbereichs (21) größer als die des p-seitigen Wellenleiterbereichs (22) ist, der Brechungsindex der Reflektionsschicht (24) kleiner ist, als der Brechungsindex des an die Reflektionsschicht (24) angrenzenden n-seitigen Wellenleiterbereichs (21).
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器（1），用n侧波导区（21）和p侧波导区（22）; 有源区（20），用于产生电磁辐射; 在n侧韦勒导体区（21）的至少一个反射层（24），所述两个波导区之间有源区（20）（21，22）被布置成，在n侧波导区域的厚度（21）比所述p更大侧波导区（22），所述反射层（24）的折射率大于所述反射层（24）相邻的n侧波导区（21）的折射率小。

3. 发明申请

WO2009036730A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT QUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2009036730A3
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/DE2008/001445
申请日：2008-08-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , RUMBOLZ, Christian , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , AVRAMESCU, Adrian Stefan , BRÜDERL, Georg , STRAUSS, Uwe
发明人： SCHILLGALIES, Marc , RUMBOLZ, Christian , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , AVRAMESCU, Adrian Stefan , BRÜDERL, Georg , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine strahlungsemittierende Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Zone (120) aufweist. Die aktive Zone enthält eine erste Quantentopfschicht (3), eine zweite Quantentopfschicht (4) und zwei Abschluss-Barriereschichten (51). Die erste Quantentopfschicht und die zweite Quantentopfschicht sind zwischen den zwei Abschluss-Barriereschichten angeordnet. Die aktive Zone weist ein Halbleitermaterial auf, das mindestens eine erste und eine zweite Komponente enthält. Der Anteil der ersten Komponente in dem Halbleitermaterial der zwei Abschluss-Barriereschichten ist geringer als in der ersten und der zweiten Quantentopfschicht. Die zweite Quantentopfschicht weist im Vergleich zur ersten Quantentopfschicht entweder eine geringere Schichtdicke und einen größeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials oder eine größere oder die gleiche Schichtdicke und einen geringeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials auf.

4. 发明申请

WO2010012266A1 HERSTELLUNGSVERFAHREN FUR EINEN III-V BASIERTEN INDIUM- HALTIGEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP UND ENTSPRECHENDER CHIP 审中-公开
标题翻译： PROCESS FOR A基于III-V含铟光电子半导体芯片与该Chip
公开(公告)号：WO2010012266A1
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：PCT/DE2009/001023
申请日：2009-07-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUTGEN, Stephan , EICHLER, Christoph , SCHILLGALIES, Marc , QUEREN, Désirée
发明人： LUTGEN, Stephan , EICHLER, Christoph , SCHILLGALIES, Marc , QUEREN, Désirée
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/24 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L31/0236 , H01L33/007 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/2231 , H01S5/24 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S2301/18 , H01S2304/12 , H01L2924/00
摘要： Vorliegend wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer nicht planaren Aufwachsschicht (2), die mindestens ein erstes Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält, sowie einer aktiven Zone (5), die mindestens ein zweites Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält und auf der Aufwachsschicht (2) angeordnet ist, und einer Deckschicht (7), die auf der aktiven Zone (5) angeordnet ist, beschrieben, wobei die Aufwachsschicht (2) an einer der aktiven Zone (5) zugewandten Aufwachsoberfläche (3) Strukturelemente (4) aufweist.
摘要翻译：这里是（1）具有（2）含有至少第一氮化物化合物半导体的非平面生长层的光电子半导体芯片，和（5）包含至少一个第二氮化物半导体材料，并设置在生长层（2）上的有源区，和一个覆盖层（7）设置在所述有源区（5），所描述的，其特征在于，（2）在有源区中的一个生长层（5）的面向生长表面（3）的结构元件（4）。

5. 发明申请

WO2011072964A1 HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：WO2011072964A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/067402
申请日：2010-11-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , DINI, Dimitri , SCHILLGALIES, Marc
发明人： DINI, Dimitri , SCHILLGALIES, Marc
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/323 , H01S5/042 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0201 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S2304/12
摘要： Es wird ein Halbleiterlaser (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) und einen stegförmigen Bereich (3) aufweist. Der stegförmige Bereich weist eine entlang einer Emissionsrichtung verlaufende Längsachse (30) auf, welche bezüglich einer in Emissionsrichtung verlaufenden Mittelachse (25) des Halbleiterkörpers in Querrichtung versetzt angeordnet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers angegeben.
摘要翻译：公开的是半导体激光器（1），包括一个半导体主体（2），其具有用于产生辐射有源区（20）和一个脊形部分（3）。幅状部具有沿其布置成相对于在横向方向上在所述半导体主体的发射方向中心轴线（25）延伸的平面偏移发射（30）的纵向轴线方向延伸的轴。此外，被指示用于制造半导体激光器的方法。

6. 发明申请

WO2010124989A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2010124989A1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：PCT/EP2010/055364
申请日：2010-04-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , LUTGEN, Stephan , STRAUSS, Uwe
发明人： SCHILLGALIES, Marc , LUTGEN, Stephan , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/0683
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/0683 , H01S5/2031 , H01S5/32341 , H01S5/34 , H01S2301/185 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei der Wellenleiterbereich (4) eine erste Wellenleiterschicht (2a), eine zweite Wellenleiterschicht (2b) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (2a) und der zweiten Wellenleiterschicht (2b) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung (5) aufweist, und der Wellenleiterbereich (4) zwischen einer ersten Mantelschicht (1a) und einer dem Wellenleiterbereich (4) in Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers (10) nachfolgenden zweiten Mantelschicht (1b) angeordnet ist. Der Wellenleiterbereich (4) weist eine Dicke (d) von 400 nm oder weniger auf und ein Abstrahlwinkel der in einer Richtung parallel zur Schichtebene der aktiven Schicht (3) aus dem Halbleiterkörper (10) austretenden Laserstrahlung (5) und der Abstrahlwinkel der in einer Richtung senkrecht zur Schichtebene der aktiven Schicht (3) aus dem Halbleiterkörper (10) austretenden Laserstrahlung (5) unterscheiden sich um weniger als einen Faktor 3 voneinander.
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器包括具有波导区域（4），其中，所述波导区（4）包括第一波导层（2a）中，第二波导层（2b）和所述第一波导层之间（2a）和半导体主体（10）第二波导层（2b）的（3），用于产生激光辐射（5），和波导区域（4）的第一包层（1a）和一个波导区域（4）之间在半导体本体的生长方向（10）随后的第二布置的有源层包覆层（1b）中设置。波导区域（4）具有400纳米或更小的厚度（d）和在平行的辐射角与半导体本体的有源层（3）的层平面的方向（10）出现的激光辐射（5）和一个辐射的角度垂直于所述半导体主体的有源层（3）离开（10）的激光辐射（5）由不同的层平面方向小于彼此的3倍。

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