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1. 发明申请

WO2007118440A3 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR ELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2007118440A3
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：PCT/DE2007000473
申请日：2007-03-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUTGEN STEPHAN , BRICK PETER , ALBRECHT TONY
发明人： LUTGEN STEPHAN , BRICK PETER , ALBRECHT TONY
IPC分类号： H01S5/183 , H01S3/04 , H01S3/108 , H01S5/024 , H01S5/14
CPC分类号： H01S5/18388 , H01S3/108 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/227 , H01S5/4025 , H01S5/4031
摘要： The invention relates to an optoelectronic semiconductor element which comprises a semiconductor base (1) having a surface-emitting vertical emitter zone (2) comprising a vertical emitter layer (3), at least one pump source (4) adapted to optically pump the vertical emitter layer (3), and a radiation exit surface (26) through which the electromagnetic radiation (31) produced in the vertical emitter layer exits the semiconductor base (1), the pump source (4) and the vertical emitter layer (3) being interspaced in the vertical direction.
摘要翻译：它是一种光电子半导体器件，包括：半导体主体（1），包括：表面发射被设置用于光学泵浦所述垂直发射层（3）垂直发射极区域（2）包括：（a垂直发射层（3），至少一个泵源（4），和一个辐射通道面积 26）通过）（半导体本体1）在垂直发射层的电磁辐射（31所产生的热量叶指示，其中，所述泵浦源（4）和在垂直方向上的垂直发射层（3）间隔开。

2. 发明申请

WO2007118440A2 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2007118440A2
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/DE2007/000473
申请日：2007-03-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUTGEN, Stephan , BRICK, Peter , ALBRECHT, Tony
发明人： LUTGEN, Stephan , BRICK, Peter , ALBRECHT, Tony
CPC分类号： H01S5/18388 , H01S3/108 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/227 , H01S5/4025 , H01S5/4031
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement, umfassend einen Halbleiterkörper (1) mit: einem oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2) umfassend eine Vertikalemitterschicht (3), zumindest einer Pumpquelle (4), die zum optischen Pumpen der Vertikalemitterschicht (3) vorgesehen ist, und einer Strahlungsdurchtrittsfläche (26) durch die in der Vertikalemitterschicht erzeugte elektromagnetische Strahlung (31) den Halbleiterkörper (1) verlässt, angegeben, wobei die Pumpquelle (4) und die Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung voneinander beabstandet sind.
摘要翻译：它是一种光电子半导体器件，包括：半导体主体（1），包括：表面发射被设置用于光学泵浦所述垂直发射层（3）垂直发射极区域（2）包括：（a垂直发射层（3），至少一个泵源（4），和一个辐射通道面积 26）通过）（半导体本体1）在垂直发射层的电磁辐射（31所产生的热量叶指示，其中，所述泵浦源（4）和在垂直方向上的垂直发射层（3）间隔开。

3. 发明申请

WO2006032252A1 SEITLICH OPTISCH GEPUMPTER OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER AUF EINER WÄRMESENKE 审中-公开
标题翻译：侧光学泵浦表面发射半导体激光器在散热器
公开(公告)号：WO2006032252A1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：PCT/DE2005/001655
申请日：2005-09-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , LUTGEN, Stephan , REILL, Wolfgang , SCHWARZ, Thomas , STEEGMÜLLER, Ulrich
发明人： ALBRECHT, Tony , LUTGEN, Stephan , REILL, Wolfgang , SCHWARZ, Thomas , STEEGMÜLLER, Ulrich
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/02248 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19107 , H01S3/0815 , H01S3/109 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/183 , H01S5/2027 , H01S5/4056 , H01L2924/00014
摘要： Es wird eine oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung mit wenigstens einem oberflächenemittierende Halbleiterlaser (21) mit einem Vertikalemitter (1) und wenigstens einer Pumpstrahlquelle (2), die nebeneinander monolithisch auf ein gemeinsames Substrat (13) integriert sind angegeben. Die Halbleiterlaservorrichtung weist zudem ein Wärmeleitelement (18) auf, das sich in thermischem Kontakt mit dem Halbleiterlaser (21) befindet und eine Montagefläche aufweist, die zur Montage auf einem Träger (27) vorgesehen ist. Es werden ferner Verfahren zur Herstellung einer solchen oberflächenemittierenden Halbleiterlaservorrichtung angegeben.
摘要翻译：它是一种表面发射半导体激光器元件与具有垂直发射器的至少一个表面发射半导体激光器（21）（1）和至少一个泵辐射源（2），其彼此相邻单片一个公共衬底上（13）集成表示。的半导体激光装置也有一个导热元件（18），其是在与半导体激光器（21）和具有被用于安装在一个支撑件（27）的安装表面的热接触。这里还提供了用于制造这样的表面发射半导体激光装置的方法。

4. 发明申请

WO2005053125A1 OPTISCHE GEPUMPTE HALBLEITERVORRICHTUNGEN ZUR ERZEUGUNG VON STRAHLUNG UND DEREN HERSTELLUNG SOWIE VERFAHREN ZUR KOMPENSATION VON VERSPANNUNGGEN IN DEN DARIN EINGESETZTEN SCHICHTFOLGEN 审中-公开
标题翻译：光泵半导体器件为辐射点生产制作和方法，确实用于层FOLLOW补偿VERSPANNUNGGEN
公开(公告)号：WO2005053125A1
公开(公告)日：2005-06-09
申请号：PCT/DE2004/002624
申请日：2004-11-25
申请人： TRANSMIT GESELLSCHAFT FÜR TECHNOLOGIETRANSFER MBH , STOLZ, Wolfgang , LUTGEN, Stephan
发明人： STOLZ, Wolfgang , LUTGEN, Stephan
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/041 , B82Y20/00 , H01S5/183 , H01S5/3406 , H01S5/34313 , H01S2304/04
摘要： Es wird ein neues Verfahren zur Herstellung verspannungskompensierender Halbleiterschichten vorgeschlagen, sowie dessen Verwendung zur Herstellung von verspannungskontrollierten Halbleiterschichtsystemen und zur Herstellung von optisch gepumpten Halbleitervorrichtung zur Erzeugung von Strahlung, vorzugsweise langwelliger Strahlung.
摘要翻译：提出了一种用于制造应力补偿半导体层的新方法，及其用于生产应力控制半导体层的系统和用于生产光泵浦的半导体器件的用于产生辐射，优选长波辐射的用途。

5. 发明申请

WO2003094311A2 OPTISCH GEPUMPTE HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：光泵半导体激光器件
公开(公告)号：WO2003094311A2
公开(公告)日：2003-11-13
申请号：PCT/DE2003/001426
申请日：2003-05-05
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUTGEN, Stephan
发明人： LUTGEN, Stephan
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/1835 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1071 , H01S5/141 , H01S5/18344 , H01S5/4056
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine optisch gepumpte Halbleiterlaservorrichtung mit einem Vertikalemitter (1), der einen Zentralwellenleiter (3) und eine innerhalb des Zentralwellenleiters (3) angeordnete Quantentopfstruktur mit mindestens einer Quantenschicht (5) aufweist, und einer Pumpstrahlungsquelle, die die Quantentopfstruktur optisch pumpt und die mindestens einen Pumpwellenleiter (9) umfasst, in dem die Pumpstrahlung (11) geführt wird. Die Breite (A) des Zentralwellenleiters (3) ist grösser als die Breite (B) des Pumpwellenleiters (B), wobei die Breite (A) des Zentralwellenleiters (3) und die Breite (B) des Pumpwellenleiters (9) derart aneinander angepasst sind, dass die Quantentopfstruktur des Vertikalemitters (1) gleichförmig gepumpt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种具有垂直发射的光泵浦的半导体激光装置（1），其具有一中央波导（3）和布置在所述中央波导内部的一个（3）具有至少一个量子层的量子阱结构（5）和泵将量子阱结构的光泵浦辐射源和所述至少一个泵波导（9），其中，所述泵浦辐射（11）被引导。中央波导（3）的宽度（A）大于所述泵波导（B）的宽度（B），其中，所述中央波导（3）和所述宽度（B）的宽度（A）适于彼此泵波导的较大的（9）在垂直发射器（1）的量子阱结构被均匀地泵送。

6. 发明申请

WO2010124989A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2010124989A1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：PCT/EP2010/055364
申请日：2010-04-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , LUTGEN, Stephan , STRAUSS, Uwe
发明人： SCHILLGALIES, Marc , LUTGEN, Stephan , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/0683
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/0683 , H01S5/2031 , H01S5/32341 , H01S5/34 , H01S2301/185 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei der Wellenleiterbereich (4) eine erste Wellenleiterschicht (2a), eine zweite Wellenleiterschicht (2b) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (2a) und der zweiten Wellenleiterschicht (2b) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung (5) aufweist, und der Wellenleiterbereich (4) zwischen einer ersten Mantelschicht (1a) und einer dem Wellenleiterbereich (4) in Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers (10) nachfolgenden zweiten Mantelschicht (1b) angeordnet ist. Der Wellenleiterbereich (4) weist eine Dicke (d) von 400 nm oder weniger auf und ein Abstrahlwinkel der in einer Richtung parallel zur Schichtebene der aktiven Schicht (3) aus dem Halbleiterkörper (10) austretenden Laserstrahlung (5) und der Abstrahlwinkel der in einer Richtung senkrecht zur Schichtebene der aktiven Schicht (3) aus dem Halbleiterkörper (10) austretenden Laserstrahlung (5) unterscheiden sich um weniger als einen Faktor 3 voneinander.
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器包括具有波导区域（4），其中，所述波导区（4）包括第一波导层（2a）中，第二波导层（2b）和所述第一波导层之间（2a）和半导体主体（10）第二波导层（2b）的（3），用于产生激光辐射（5），和波导区域（4）的第一包层（1a）和一个波导区域（4）之间在半导体本体的生长方向（10）随后的第二布置的有源层包覆层（1b）中设置。波导区域（4）具有400纳米或更小的厚度（d）和在平行的辐射角与半导体本体的有源层（3）的层平面的方向（10）出现的激光辐射（5）和一个辐射的角度垂直于所述半导体主体的有源层（3）离开（10）的激光辐射（5）由不同的层平面方向小于彼此的3倍。

7. 发明申请

WO2010015221A1 HALBLEITERLASER MIT EINEM OPTISCH NICHTLINEAREN KRISTALL 审中-公开
标题翻译：用光学非线性晶体半导体激光器
公开(公告)号：WO2010015221A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/DE2009/000862
申请日：2009-06-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KUEHNELT, Michael , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan
发明人： KUEHNELT, Michael , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan
IPC分类号： H01S5/14 , H01S5/06 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/14 , H01S3/109 , H01S5/1039 , H01S5/141 , H01S5/142 , H01S5/183
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Halbleiterlasers (1) umfasst dieser ein Halbleiterlaserelement (2), das im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit einer Fundamentalwellenlänge emittiert, einen Endspiegel (3), einen polarisationsabhängig reflektierenden Umlenkspiegel (4), der sich zwischen Halbleiterlaserelement (2) und Endspiegel (3) befindet, und mindestens einen optisch nichtlinearen Kristall (5), der für eine Frequenzkonversion vom Typ II der Fundamentalwellenlänge gestaltet ist und der eine Lambda/Halbe-Bedingung für die Fundamentalwellenlänge erfüllt. Ein solcher Halbleiterlaser (1) weist eine schmalbandige Emission der Fundamentalwellenlänge auf und ermöglicht eine hohe Effizienz bei der Frequenzkonversion.
摘要翻译：在半导体激光器中的至少一个实施例中（1），其包括一个半导体激光元件（2），其在操作期间发射电磁辐射具有基本波长，后反射镜（3），一个偏振反射（4）的半导体激光元件之间延伸的反射镜（2）和端镜（3），和至少一种光学非线性晶体（5），其被设计为基波波长的II型和满足的λ/半条件基本波长的频率转换。这样的半导体激光器（1）具有基本波长的窄频带发光，并允许在频率转换的高效率。

8. 发明申请

WO2008000243A2 OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERKÖRPER MIT VERTIKALER EMISSIONSRICHTUNG UND STABILISIERTER EMISSIONSWELLENLÄNGE 审中-公开
标题翻译：具有垂直发射方向与REGULATED发射波长的面发光半导体BODY
公开(公告)号：WO2008000243A2
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/DE2007/001148
申请日：2007-06-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK, Peter , DIEHL, Wolfgang , LUTGEN, Stephan
发明人： BRICK, Peter , DIEHL, Wolfgang , LUTGEN, Stephan
CPC分类号： H01S5/14 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/068 , H01S5/18358 , H01S5/18383
摘要： Es wird ein oberflächenemittierender Halbleiterkörper mit einer vertikalen Emissionsrichtung angegeben, welcher zum Betrieb mit einem Resonator vorgesehen ist und eine Halbleiterschichtenfolge mit einem aktiven Bereich umfasst, wobei der Halbleiterkörper derart wellenlängenstabilisierend ausgebildet ist, dass eine Peak-Wellenlänge der im aktiven Bereich erzeugten Strahlung in einem vorgegebenen Betriebsbereich des Halbleiterkörpers gegenüber Änderungen der Ausgangsleistung der im aktiven Bereich erzeugten Strahlung stabilisiert ist.
摘要翻译：
是表面BEAR chenemittierender Halbleiterk＆OUML;体具有垂直发射方向，这提供了一种用于操作具有谐振器和包括具有有源区域的半导体层序列，其中所述Halbleiterk＆OUML指示;主体，波长BEAR形成ngenstabilisierend 的是，在半导体＆oUML的预定工作区域在有源区中产生的辐射的峰值波长BEAR长度; rpers防止过BEAR改变在有源区域中产生的辐射是稳定的的输出功率。

9. 发明申请

WO2004025796A3 SEMICONDUCTOR OPTICAL PUMPING DEVICE FOR RADIATION EMISSION AND THE PRODUCTION METHOD THEREOF 审中-公开
标题翻译：光激励辐射半导体器件和方法及其
公开(公告)号：WO2004025796A3
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/DE0302728
申请日：2003-08-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KARNUTSCH CHRISTIAN , LINDER NORBERT , LUFT JOHANN , LUTGEN STEPHAN , SCHMID WOLFGANG
发明人： KARNUTSCH CHRISTIAN , LINDER NORBERT , LUFT JOHANN , LUTGEN STEPHAN , SCHMID WOLFGANG
IPC分类号： H01S5/04 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/06 , H01S5/10 , H01S5/14 , H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18316 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1082 , H01S5/141 , H01S5/18305 , H01S5/4056
摘要： The invention relates to a semiconductor optical pumping device for radiation emission comprising a semiconductor body which is provided with at least one pumping radiation source (20) and a quantum pit surface emitting structure (11). Said pumping radiation source (20) and quantum pit structure (11) are monolithically integrated. The pumping radiation source (20) produces pumping radiation (2) which is used for the optical pumping of the quantum pit structure (11). A cavity for injecting the pumping radiation (2) into a quantum pit structure (9) is formed in the semiconductor body between the pumping radiation source (20) and the quantum pit structure (11). The method for producing the inventive device is also disclosed.
摘要翻译：本发明描述了一种光泵浦辐射半导体器件，包括具有至少一个泵辐射源（20）和表面发射量子阱结构（11）的半导体主体，其特征在于，泵浦辐射源（20）和所述量子阱结构（11）是单片集成。泵浦辐射源（20）产生的泵浦辐射（2），用于光学泵浦所述量子阱结构（11），其中，在所述泵浦辐射源（20）和所述量子阱结构（11）之间的所述半导体主体具有凹槽（10），用于将泵浦辐射（2）耦合到所述量子阱结构（9）形成。此外，本发明描述了一种用于这样的半导体器件的制造方法。

10. 发明申请

WO2010112310A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010112310A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/EP2010/053047
申请日：2010-03-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU, Adrian, Stefan , QUEREN, Désirée , EICHLER, Christoph , SABATHIL, Matthias , LUTGEN, Stephan , STRAUSS, Uwe
发明人： AVRAMESCU, Adrian, Stefan , QUEREN, Désirée , EICHLER, Christoph , SABATHIL, Matthias , LUTGEN, Stephan , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) basiert dieser auf einem Nitrid-Materialsystem und umfasst mindestens einen aktiven Quantentrog (2). Der mindestens eine aktive Quantentrog (2) ist dazu eingerichtet, im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Weiterhin weist der mindestens eine aktive Quantentrog (2) in einer Richtung parallel zu einer Wachstumsrichtung z des Halbleiterchips (1) N aufeinander folgende Zonen (A) auf, wobei N eine natürliche Zahl größer oder gleich 2 ist. Zumindest zwei der Zonen (A) des aktiven Quantentrogs (2) weisen einen voneinander verschiedenen mittleren Indiumgehalt c auf.
摘要翻译：在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例中它是基于氮化物材料系统上，并在至少一个有源量子阱（2）。所述至少一个有源量子阱（2）适于产生操作期间的电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱（2）在平行于所述半导体芯片（1）N连续的区域（A），其中N是大于或等于2的自然数的生长方向z的方向。至少两个活性量子阱的区域（A）的孔（2）具有相互不同的平均铟℃。

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