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1. 发明申请

WO2010108767A1 HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：WO2010108767A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/EP2010/052714
申请日：2010-03-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , LELL, Alfred , DINI, Dimitri , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , QUEREN, Désirée , LERMER, Teresa
发明人： SCHILLGALIES, Marc , LELL, Alfred , DINI, Dimitri , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , QUEREN, Désirée , LERMER, Teresa
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/20 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： Vorliegend wird eine Halbleiterlaservorrichtung (1) angegeben. Diese umfasst einen ersten Bereich (2), einen zweiten Bereich, der eine ebene Region (4f) und eine aus der ebenen Region herausragende Region (4g) aufweist, und einen aktiven Bereich (3), der zwischen dem ersten (2) und dem zweiten Bereich angeordnet ist, wobei eine Deckschicht (5, 5a, 5b), die ein Halbleitermaterial oder ein transparentes leitendes Oxid enthält, zumindest bereichsweise direkt auf der herausragenden Region (4g) angeordnet ist und die herausragende Region (4g) lateral überragt.
摘要翻译：在当前情况下，一个半导体激光元件（1）中指定。这包括第一区域（2），其具有的平面区域（4F）和伸出该平面区域的区域（4G）的第二部分，并且所述第一（2）和之间的有源区（3）所述第二区域被布置，其特征在于，覆盖层（5，5A，5B），其中包含一个半导体材料或透明导电氧化物，至少在所述突出区域（4G）直接部分，并且这些突出的区域（4G）横向地突出超过。

2. 发明申请

WO2009103266A2 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体及其制造方法的光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2009103266A2
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/DE2009000191
申请日：2009-02-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUENINGHOFF STEFANIE , EICHLER CHRISTOPH
发明人： BRUENINGHOFF STEFANIE , EICHLER CHRISTOPH
IPC分类号： H01L21/782 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01S5/0207 , H01S5/32341 , H01S2304/12
摘要： The invention relates to an optoelectronic semiconductor body comprising a substrate (10), a first primary surface (12) of which having in a first region (14) a series of epitaxial semiconductor layers (20) for generating electromagnetic radiation and in a second region (22) adjoining the first (14) a first trench (24) and at least a second trench (30) located outside the first region (14). The invention also relates to an optoelectronic semiconductor body and to a method for producing an optoelectronic semiconductor body.
摘要翻译：的光电子半导体本体包括在第一主表面（12）的基板（10）在第一区域（14），适于产生电磁辐射，外延半导体层序列（20）和相邻的一对第一区域（14）第二区域（22）具有一个第一沟槽（24），并且其被布置在第一区域（14）之外的至少一个第二沟槽（30）。本发明还涉及一种光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法。

3. 发明申请

WO2009036730A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT QUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2009036730A3
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/DE2008/001445
申请日：2008-08-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , RUMBOLZ, Christian , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , AVRAMESCU, Adrian Stefan , BRÜDERL, Georg , STRAUSS, Uwe
发明人： SCHILLGALIES, Marc , RUMBOLZ, Christian , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , AVRAMESCU, Adrian Stefan , BRÜDERL, Georg , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine strahlungsemittierende Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Zone (120) aufweist. Die aktive Zone enthält eine erste Quantentopfschicht (3), eine zweite Quantentopfschicht (4) und zwei Abschluss-Barriereschichten (51). Die erste Quantentopfschicht und die zweite Quantentopfschicht sind zwischen den zwei Abschluss-Barriereschichten angeordnet. Die aktive Zone weist ein Halbleitermaterial auf, das mindestens eine erste und eine zweite Komponente enthält. Der Anteil der ersten Komponente in dem Halbleitermaterial der zwei Abschluss-Barriereschichten ist geringer als in der ersten und der zweiten Quantentopfschicht. Die zweite Quantentopfschicht weist im Vergleich zur ersten Quantentopfschicht entweder eine geringere Schichtdicke und einen größeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials oder eine größere oder die gleiche Schichtdicke und einen geringeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials auf.

4. 发明申请

WO2007025497A1 VERFAHREN ZUM LATERALEN ZERTRENNEN EINES HALBLEITERWAFERS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法左右分割的半导体晶片及光电子器件
公开(公告)号：WO2007025497A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/DE2006/001366
申请日：2006-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , EICHLER, Christoph
发明人： HÄRLE, Volker , EICHLER, Christoph
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/76254 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Bei einem Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers (1) wird ein Aufwachssubstrat (2) bereitgestellt, auf das eine Halbleiterschichtenfolge (3) aufgewachsen wird, die eine als Trennschicht (4) vorgesehene Schicht und mindestens eine der Trennschicht (4) in Wachstumsrichtung nachfolgende funktionelle Halbleiterschicht (5) umfasst. Nachfolgend werden Ionen durch die funktionelle Halbleiterschicht (5) hindurch in die Trennschicht (4) implantiert und der Halbleiterwafer entlang der Trennschicht (4) zertrennt, wobei ein das Aufwachssubstrat (2) enthaltender Teil (1a) des Halbleiterwafers (1) abgetrennt wird.
摘要翻译：在用于左右分割的半导体晶片的方法（1）被提供在其上的半导体层序列（3）生长在生长衬底（2），预期的一个作为分离层（4）层和分离层（4）其后的功能在生长方向中的至少一个包括半导体层（5）。随后，离子，其中，所述半导体晶片（1）的（2）含有所述生长衬底部分（1a）中被分离成通过所述功能性半导体层（5）到分离层（4）被植入并沿着切断分离层（4）的半导体晶片。

5. 发明申请

WO2011104274A2 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011104274A2
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/EP2011/052681
申请日：2011-02-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EICHLER, Christoph , LERMER, Teresa , AVRAMESCU, Adrian Stefan
发明人： EICHLER, Christoph , LERMER, Teresa , AVRAMESCU, Adrian Stefan
CPC分类号： H01S5/2018 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/2009 , H01S5/2027 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2301/18
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser einen Träger (2) und eine auf dem Träger (2) aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (3). Die Halbleiterschichtenfolge (3) basiert auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial und beinhaltet wenigstens eine aktive Zone (4) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung sowie wenigstens eine Wellenleiterschicht (5), die mittelbar oder unmittelbar an die aktive Zone (4) grenzt, wobei ein Wellenleiter (45) gebildet ist. Außerdem umfasst die Halbleiterschichtenfolge (3) eine an die Wellenleiterschicht (4) grenzende p-Mantelschicht (6p) an einer p-dotierten Seite oder/und eine n-Mantelschicht (6n) an einer n-dotierten Seite der aktiven Zone (4). Die Wellenleiterschicht (5) grenzt mittelbar oder unmittelbar an die Mantelschicht (6n, 6p). Ein effektiver Brechungsindex (n eff ) einer im Wellenleiter geführten Mode (M) ist hierbei größer als ein Brechungsindex des Trägers (2).
摘要翻译：
在光电子半导体芯片的至少一个示例性导航用途货币形式（1）包括所述一个Tr的AUML; GER（2）和一个在Tr的BEAR生长GER（2）半导体层序列（3）。半导体层序列（3）基于氮化物的化合物半导体材料，并且包括至少一个有源区（4），用于产生电磁辐射和至少一个波导层（5），其直接或间接地邻接所述有源区（4），其中一个波导（ 45）。的Au ROAD此外，半导体层序列（3）包括一个以上的掺杂p侧和/或n覆层（6 n）输出到有源区的n型掺杂侧上的波导层（4）接壤p覆层（6P）（4 ）。波导层（5）直接或间接邻接包层（6n，6p）。波导模（M）的有效折射率（n eff）大于载体（2）的折射率。

6. 发明申请

WO2010069282A3 LUMINOUS MEANS AND PROJECTOR COMPRISING AT LEAST ONE LUMINOUS MEANS OF THIS TYPE 审中-公开
标题翻译：灯和投影仪至少有一个这样的灯
公开(公告)号：WO2010069282A3
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：PCT/DE2009001448
申请日：2009-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL ALFRED , TAUTZ SOENKE , STRAUSS UWE , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , BRUENINGHOFF STEFANIE , DINI DIMITRI , EISERT DOMINIK , EICHLER CHRISTOPH
发明人： LELL ALFRED , TAUTZ SOENKE , STRAUSS UWE , BEHRINGER MARTIN RUDOLF , BRUENINGHOFF STEFANIE , DINI DIMITRI , EISERT DOMINIK , EICHLER CHRISTOPH
IPC分类号： H04N9/31
CPC分类号： H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129
摘要： In at least one embodiment of the luminous means (1), the latter comprises at least one semiconductor laser (2) which is designed to emit a primary radiation (P) having a wavelength of between 360 nm and 485 nm inclusive. Furthermore, the luminous means (1) comprises at least one conversion means (3) which is disposed downstream of the semiconductor laser (2) and is designed to convert at least part of the primary radiation (P) into secondary radiation (S) having a greater wavelength that is different from the primary radiation (P). In this case, the radiation (R) emitted by the luminous means (1) exhibits an optical coherence length amounting to at most 50 µm.
摘要翻译：在发光装置（1）的至少一个实施例中，这包括至少一个半导体激光器（2），该半导体激光器被设置为发射波长在360nm和485nm之间（包括端值）的初级辐射（P）。此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），半导体激光器（2）的下游，并适于至少一个初级辐射（P）的成次级辐射（S）与所述初级辐射（P）不同的一个部分，转换更大的波长。由发光装置（1）发射的辐射（R）表现出至多50μm的光学相干长度。

7. 发明申请

WO2010112310A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010112310A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/EP2010/053047
申请日：2010-03-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU, Adrian, Stefan , QUEREN, Désirée , EICHLER, Christoph , SABATHIL, Matthias , LUTGEN, Stephan , STRAUSS, Uwe
发明人： AVRAMESCU, Adrian, Stefan , QUEREN, Désirée , EICHLER, Christoph , SABATHIL, Matthias , LUTGEN, Stephan , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) basiert dieser auf einem Nitrid-Materialsystem und umfasst mindestens einen aktiven Quantentrog (2). Der mindestens eine aktive Quantentrog (2) ist dazu eingerichtet, im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Weiterhin weist der mindestens eine aktive Quantentrog (2) in einer Richtung parallel zu einer Wachstumsrichtung z des Halbleiterchips (1) N aufeinander folgende Zonen (A) auf, wobei N eine natürliche Zahl größer oder gleich 2 ist. Zumindest zwei der Zonen (A) des aktiven Quantentrogs (2) weisen einen voneinander verschiedenen mittleren Indiumgehalt c auf.
摘要翻译：在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例中它是基于氮化物材料系统上，并在至少一个有源量子阱（2）。所述至少一个有源量子阱（2）适于产生操作期间的电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱（2）在平行于所述半导体芯片（1）N连续的区域（A），其中N是大于或等于2的自然数的生长方向z的方向。至少两个活性量子阱的区域（A）的孔（2）具有相互不同的平均铟℃。

8. 发明申请

WO2010069282A2 LEUCHTMITTEL UND PROJEKTOR MIT MINDESTENS EINEM SOLCHEN LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译：灯和投影机，至少一个这样的灯
公开(公告)号：WO2010069282A2
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/DE2009/001448
申请日：2009-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , BEHRINGER, Martin Rudolf , BRÜNINGHOFF, Stefanie , DINI, Dimitri , EISERT, Dominik , EICHLER, Christoph
发明人： LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , BEHRINGER, Martin Rudolf , BRÜNINGHOFF, Stefanie , DINI, Dimitri , EISERT, Dominik , EICHLER, Christoph
IPC分类号： H04N9/31 , G02F1/35
CPC分类号： H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (1) beinhaltet dieses mindestens einen Halbleiterlaser (2), der dazu eingerichtet ist, eine Primärstrahlung (P) mit einer Wellenlänge zwischen einschließlich 360 nm und 485 nm zu emittieren. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (1) mindestens ein Konversionsmittel (3), das dem Halbleiterlaser (2) nachgeordnet und dazu eingerichtet ist, wenigstens einen Teil der Primärstrahlung (P) in eine Sekundärstrahlung (S) mit einer von der Primärstrahlung (P) verschiedenen, größeren Wellenlänge zu konvertieren. Die vom Leuchtmittel (1) emittierte Strahlung (R) zeigt hierbei eine optische Kohärenzlänge auf, die höchstens 50 μm beträgt.
摘要翻译：在发光装置的至少一个实施例中（1）包括所述至少一个半导体激光器（2），其适合于接收一个初级辐射（P）为360纳米和485纳米之间的波长发射。此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），半导体激光器（2）的下游，并适于至少一个初级辐射（P）的成次级辐射（S）与所述初级辐射（P）不同的一个部分，转换波长更长。通过在这种情况下，光源（1）辐射（R）发射的光示出了光学相干长度为至多50微米。

9. 发明申请

WO2009106028A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2009106028A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000116
申请日：2009-01-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker
发明人： AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01S5/02 , H01L33/00 , H01L21/20
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L2924/0002 , H01S5/0217 , H01S5/0424 , H01S5/12 , H01S5/18308 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement gemäß der Erfindung enthält eine auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierende Epitaxieschichtenfolge (6) mit einer aktiven Schicht (4), wobei das Aufwachssubstrat (1) A1 1-x Ga x N mit 0 1-x (In y Ga 1-y ) x N oder In 1-x Ga x N mit 0
摘要翻译：根据本发明的光电子器件包括基于（6），其具有有源层（4）上的氮化物化合物半导体层序列，其中所述生长衬底（1）具有A11-xGaxN与0

10. 发明申请

WO2009039811A3 RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：辐射发射半导体芯片
公开(公告)号：WO2009039811A3
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2008001423
申请日：2008-08-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL ALFRED , EICHLER CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN
发明人： LELL ALFRED , EICHLER CHRISTOPH , RUMBOLZ CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/44
CPC分类号： H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2218 , H01S5/222 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip (1), which has an active zone (2) for generating radiation having the wavelength lambda and a structured region (3) having structure elements disposed at irregular intervals, said elements comprising a first material having a first refractive index n1 and surrounded by a medium comprising a second material having a second refractive index n2. Furthermore, a method for producing such a semiconductor chip is provided.
摘要翻译：本发明涉及一种发射辐射的半导体芯片（1）具有用于产生波长为λ的辐射，并且结构化的区域的活性区域（2）（3）与不规则地排列，其包括具有第一折射率n1和所述第一种材料的结构元件被具有第二折射率n2的第二材料的介质包围。此外，指定了用于制造这种半导体芯片的方法。

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