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1. 发明申请

WO2010108767A1 HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：WO2010108767A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/EP2010/052714
申请日：2010-03-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , LELL, Alfred , DINI, Dimitri , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , QUEREN, Désirée , LERMER, Teresa
发明人： SCHILLGALIES, Marc , LELL, Alfred , DINI, Dimitri , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , QUEREN, Désirée , LERMER, Teresa
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/223 , H01S5/20 , H01S5/30
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/221 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/34333
摘要： Vorliegend wird eine Halbleiterlaservorrichtung (1) angegeben. Diese umfasst einen ersten Bereich (2), einen zweiten Bereich, der eine ebene Region (4f) und eine aus der ebenen Region herausragende Region (4g) aufweist, und einen aktiven Bereich (3), der zwischen dem ersten (2) und dem zweiten Bereich angeordnet ist, wobei eine Deckschicht (5, 5a, 5b), die ein Halbleitermaterial oder ein transparentes leitendes Oxid enthält, zumindest bereichsweise direkt auf der herausragenden Region (4g) angeordnet ist und die herausragende Region (4g) lateral überragt.
摘要翻译：在当前情况下，一个半导体激光元件（1）中指定。这包括第一区域（2），其具有的平面区域（4F）和伸出该平面区域的区域（4G）的第二部分，并且所述第一（2）和之间的有源区（3）所述第二区域被布置，其特征在于，覆盖层（5，5A，5B），其中包含一个半导体材料或透明导电氧化物，至少在所述突出区域（4G）直接部分，并且这些突出的区域（4G）横向地突出超过。

2. 发明申请

WO2009112020A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：制造各种光电子半导体芯片和光电子半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2009112020A2
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/DE2009/000332
申请日：2009-03-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , AVRAMESCU, Adrian Stefan
发明人： ENGL, Karl , STRASSBURG, Martin , AVRAMESCU, Adrian Stefan
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/18 , H01L33/325 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips mit vergrabener p-Seite, aufweisend die folgenden Verfahrensschritte angegeben: a) Herstellen eines Wafers (1, 2, 3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (100, 200, 300), die eine n-dotierte Schicht (12, 22, 32), eine aktive Schicht (13, 23, 33) und eine p-dotierte Schicht (14, 24, 34) umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der n-dotierten Schicht und der p-dotierten Schicht angeordnet ist und die p-dotierte Schicht freigelegt ist, b) elektrisches Aktivieren der Akzeptoren in der freigelegten p-dotierten Schicht (14, 24, 34) durch ein thermisches Aktivierungsverfahren, c) Abdecken der p-dotierten Schicht (14, 24, 34), und d) Vereinzeln des Wafers (1, 2, 3) in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips.
摘要翻译：
一种用于制备光电子半导体芯片的多个具有掩埋p侧，其包括下列方法步骤的方法表示：a）制备一个晶片（1，2，3），其具有半导体层序列（100，200 ，300），n型掺杂层（12，22，32），有源层（13，23，33）和p掺杂层（14，24，其包括34），其特征在于，所述n之间的有源层掺杂层和p掺杂层被布置和p掺杂层被暴露，b），其电激活所述暴露的p掺杂层（）通过热活化方法的受体14，24，34，C）覆盖p （14,24,34），和d）将晶片（1,2,3）分割成多个光电子半导体芯片。

3. 发明申请

WO2009036730A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT QUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2009036730A3
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/DE2008/001445
申请日：2008-08-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHILLGALIES, Marc , RUMBOLZ, Christian , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , AVRAMESCU, Adrian Stefan , BRÜDERL, Georg , STRAUSS, Uwe
发明人： SCHILLGALIES, Marc , RUMBOLZ, Christian , EICHLER, Christoph , LELL, Alfred , AVRAMESCU, Adrian Stefan , BRÜDERL, Georg , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine strahlungsemittierende Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Zone (120) aufweist. Die aktive Zone enthält eine erste Quantentopfschicht (3), eine zweite Quantentopfschicht (4) und zwei Abschluss-Barriereschichten (51). Die erste Quantentopfschicht und die zweite Quantentopfschicht sind zwischen den zwei Abschluss-Barriereschichten angeordnet. Die aktive Zone weist ein Halbleitermaterial auf, das mindestens eine erste und eine zweite Komponente enthält. Der Anteil der ersten Komponente in dem Halbleitermaterial der zwei Abschluss-Barriereschichten ist geringer als in der ersten und der zweiten Quantentopfschicht. Die zweite Quantentopfschicht weist im Vergleich zur ersten Quantentopfschicht entweder eine geringere Schichtdicke und einen größeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials oder eine größere oder die gleiche Schichtdicke und einen geringeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials auf.

4. 发明申请

WO2011104274A3 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011104274A3
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：PCT/EP2011052681
申请日：2011-02-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EICHLER CHRISTOPH , LERMER TERESA , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
发明人： EICHLER CHRISTOPH , LERMER TERESA , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/2018 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/2009 , H01S5/2027 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2301/18
摘要： In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (1) the same comprises a substrate (2) and a semiconductor layer sequence (3) which is epitaxially grown on the substrate (2). The semiconductor layer sequence (3) is based on a nitride compound semiconductor material and includes at least one active zone (4) for generating electromagnetic radiation and at least one waveguide layer (5) which adjoins the active zone (4) indirectly or directly, thereby forming a waveguide (45). The semiconductor layer sequence (4) further comprises a p-cladding (6p) adjoining the waveguide layer (4) on a p-doped side or/and an n-cladding (6n) on an n-doped side of the active zone (4). The waveguide layer (5) adjoins the cladding (6n, 6p) indirectly or directly. An effective refractive index (neff) of a mode (M) passing through the waveguide is higher than a refractive index of the substrate (2).
摘要翻译：在载体（2）的光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例，并且所述载体（2）上生长的半导体层序列（3）。半导体层序列（3）基于氮化物的化合物半导体材料，并且包括至少一个有源区（4），用于产生电磁辐射和至少一个波导层（5），其直接或间接地邻接所述有源区（4），其中一个波导（ 45）形成。此外，半导体层序列（3）包括一个以上的掺杂p侧和/或n覆层（6 N）的波导层（4）接壤p覆层（6P）在有源区（4）的n型掺杂侧上。波导层（5）间接或直接毗邻包层（6N，6P）上。在波导（M）引导的模式的有效折射率（夫）在这种情况下比所述载体（2）的折射率更大。

5. 发明申请

WO2011128233A1 LASERLICHTQUELLE 审中-公开
标题翻译：激光光源
公开(公告)号：WO2011128233A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/EP2011/055320
申请日：2011-04-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BREIDENASSEL, Andreas , AVRAMESCU, Adrian Stefan , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke
发明人： BREIDENASSEL, Andreas , AVRAMESCU, Adrian Stefan , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/026 , H01S5/10 , H01S5/024
CPC分类号： H01S5/0078 , H01S5/02212 , H01S5/02252 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0264 , H01S5/0286 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要： Es wird eine Laserlichtquelle zur Abstrahlung von kohärenter elektromagnetischer Strahlung (10) mit einem vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung der kohärenten elektromagnetischen Strahlung mit einem aktiven Bereich (3) auf einem Substrat (2), wobei die kohärente elektromagnetische Strahlung im Betrieb mindestens von einem Hauptemissionsbereich (5) einer Strahlungsauskoppelfläche (4) mit einer Abstrahlrichtung (11) abgestrahlt wird und die Strahlungsauskoppelfläche (4) durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet ist, und einem Filterelement (13), das im Betrieb erzeugte kohärente elektromagnetische Strahlung (12), die von einem zum Hauptemissionsbereich (5) vertikal versetzten und räumlich getrennten Nebenemissionsbereich (6) der Strahlungsauskoppelfläche (4) abgestrahlt wird, im vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) unterdrückt.
摘要翻译：它是用于发射具有用于（3）在基材上产生具有有源区相干的电磁辐射的半导体层序列（1）相干的电磁辐射（10）的激光的光源（2），其具有垂直远场光束轮廓（121），所述相干从主发射区域至少在操作期间电磁辐射（5）辐射耦合的（4），其具有发射（11）照射并通过半导体层序列（1）的一个侧表面上的辐射（4）形成，并且在一个过滤器元件（13）操作产生相干的电磁辐射（12）从一个垂直位移的主发光区域（5）和空间分离的子发射区域（6）的辐射（4）发出的在垂直远场光束轮廓（121）被抑制。

6. 发明申请

WO2009033448A9 LIGHT-EMITTING STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：发光结构
公开(公告)号：WO2009033448A9
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/DE2008001426
申请日：2008-08-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , LUGAUER HANS-JUERGEN , PETER MATTHIAS , MILLER STEPHAN
发明人： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , LUGAUER HANS-JUERGEN , PETER MATTHIAS , MILLER STEPHAN
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06
摘要： The invention relates to a light-emitting structure (7) which comprises a p-doped region (1) for injecting wholes, an n-doped region (2) for injecting electrons, at least one InGaN quantum well (4) of a first type and at least one InGaN quantum well (5) of a second type, which are arranged between the n-doped region (2) and the p-doped region (1), the InGaN quantum well (5) of the second type having a higher indium content than the InGaN quantum well (4) of the first type.
摘要翻译：这是孔，一个n掺杂区的注入设置有p掺杂区（1）的发光结构（7）（2）的电子的注入，至少一个InGaN量子阱（4）的第一类型的，并且至少一个 InGaN量子阱（5）的第二类型，其被设置在所述n型掺杂的区域（2）和p掺杂区（1）之间，其中所述InGaN量子阱（5）的第二类型具有更高的铟含量比的InGaN -Quantentopf（4）所述第一类型的。

7. 发明申请

WO2009033448A2 LIGHT-EMITTING STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：发光结构
公开(公告)号：WO2009033448A2
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/DE2008001426
申请日：2008-08-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , LUGAUER HANS-JUERGEN , PETER MATTHIAS , MILLER STEPHAN
发明人： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN , LUGAUER HANS-JUERGEN , PETER MATTHIAS , MILLER STEPHAN
IPC分类号： H01L33/08
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/06
摘要： The invention relates to a light-emitting structure (7) which comprises a p-doped region (1) for injecting wholes, an n-doped region (2) for injecting electrons, at least one InGaN quantum well (4) of a first type and at least one InGaN quantum well (5) of a second type, which are arranged between the n-doped region (2) and the p-doped region (1), the InGaN quantum well (5) of the second type having a higher indium content than the InGaN quantum well (4) of the first type.
摘要翻译：这是孔，一个n掺杂区的注入设置有p掺杂区（1）的发光结构（7）（2）的电子的注入，至少一个InGaN量子阱（4）的第一类型的，并且至少一个 InGaN量子阱（5）的第二类型，其被设置在所述n型掺杂的区域（2）和p掺杂区（1）之间，其中所述InGaN量子阱（5）的第二类型具有更高的铟含量比的InGaN -Quantentopf（4）所述第一类型的。

8. 发明申请

WO2012171736A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体本体及其制造方法的光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2012171736A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/EP2012/058969
申请日：2012-05-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU, Adrian Stefan , DINI, Dimitri , PIETZONKA, Ines
发明人： AVRAMESCU, Adrian Stefan , DINI, Dimitri , PIETZONKA, Ines
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20
CPC分类号： H01S5/22 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L29/205
摘要： Ein optoelektronischer Halbleiterkörper (100) mit einem Substrat (102, 132, 202) weist eine verspannte Schicht (104, 134, 160) auf, die in einem ersten Epitaxieschritt auf das Substrat (102, 132, 202) aufgebracht ist. Die verspannte Schicht (104, 134, 160) weist mindestens eine vertikal in der verspannten Schicht gebildete Ausnehmung (106, 110) auf. Auf die verspannte Schicht (104, 134, 160) ist in einem zweiten Epitaxieschritt eine weitere Schicht (108, 136, 168) aufgebracht, die die mindestens eine Ausnehmung (106, 110) auffüllt und die verspannte Schicht (104, 134, 160) zumindest bereichsweise bedeckt.
摘要翻译：具有基底（102，132，202）的光电子半导体主体（100）包括在所述基板上的第一外延步骤（102，132，202）被施加应变层（104，134，160）。应变层（104，134，160）具有至少一个垂直地形成在应变层的凹部（106，110）。应变层（104，134，160）是在第二外延步骤中，另外的层（108，136，168）施加到所述至少一个凹部（106，110）填满和应变层（104，134，160）至少部分地覆盖。

9. 发明申请

WO2009112020A3 METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF OPTOELECTRONIC SEMI-CONDUCTOR CHIPS AND OPTOELECTRONIC SEMI-CONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片，各种
公开(公告)号：WO2009112020A3
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/DE2009000332
申请日：2009-03-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL KARL , STRASSBURG MARTIN , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
发明人： ENGL KARL , STRASSBURG MARTIN , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/18 , H01L33/32
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/18 , H01L33/325 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a method for producing a plurality of optoelectronic semi-conductor chips having buried p-sides, comprising the following steps: a) producing a wafer (1, 2, 3) having a semi-conductor layer sequence (100, 200, 300), which comprises an n-doped layer (12, 22, 32), an active layer (13, 23, 33) and a p-doped layer (14, 24, 34), wherein the active layer is disposed between the n-doped layer and the p-doped layer and the p-doped layer is exposed, b) electrically activating the acceptors in the exposed p-doped layer (14, 24, 34) by a thermal activation method, c) covering the p-doped layer (14, 24, 34), and d) dicing the wafer (1, 2 3) into a plurality of optoelectronic semi-conductor chips.
摘要翻译：一种用于制备光电子半导体芯片的多个具有掩埋p侧，其包括下列方法步骤的方法表示：a）制备一个晶片（1，2，3）和具有正的半导体层序列（100，200，300）掺杂层（12，22，32），有源层（13，23，33）和p掺杂层（14，24，34），其中，所述n型掺杂层和p掺杂之间的有源层层被设置和p掺杂层被暴露，b）通过热激活方法电激活在暴露的p型掺杂层（）的受体14，24，34，C），其覆盖p掺杂层（14，24， 34），以及d）切割所述晶片（1，2，3）为多个的光电子半导体芯片。

10. 发明申请

WO2009033448A3 LICHTEMITTIERENDE STRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2009033448A3
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/DE2008/001426
申请日：2008-08-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU, Adrian, Stefan , LUGAUER, Hans-Jürgen , PETER, Matthias , MILLER, Stephan
发明人： AVRAMESCU, Adrian, Stefan , LUGAUER, Hans-Jürgen , PETER, Matthias , MILLER, Stephan
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird eine lichtemittierende Struktur (7) angegeben mit einem p-dotierten Gebiet (1) zur Injektion von Löchern, einem n-dotierten Gebiet (2) zur Injektion von Elektronen, mindestens einem InGaN-Quantentopf (4) einer ersten Sorte und mindestens einem InGaN-Quantentopf (5) einer zweiten Sorte, die zwischen dem n-dotierten Gebiet (2) und dem p-dotierten Gebiet (1) angeordnet sind, wobei der InGaN-Quantentopf (5) der zweiten Sorte einen höheren Indiumgehalt aufweist als der InGaN-Quantentopf (4) der ersten Sorte.

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