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1. 发明申请

WO2003060992A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其生产方法
公开(公告)号：WO2003060992A1
公开(公告)日：2003-07-24
申请号：PCT/JP2003/000141
申请日：2003-01-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 原義博 , 浅井明 , 菅原岳 , 空田晴之 , 大西照人
发明人：原義博 , 浅井明 , 菅原岳 , 空田晴之 , 大西照人
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , Y10S438/933
摘要： A buffer layer (2), an SiGe layer (3), and an Si cap layer (4) are formed over an Si substrate (1). By creating a mask on the substrate and carrying out patterning, a trench (7a) which reaches the Si substrate (1) and in which the side of the SiGe layer (3) is exposed is formed. The side of the trench (7a) is subjected to a heat treatment at 750° C for an hour, and thereby Ge contained in the surface portion of the SiGe layer (3) evaporates. As a result, a Ge evaporation region (8) having a Ge content lower than those of the other regions of the SiGe layer (3) is formed near the exposed portion of the SiGe layer (3) exposed in the trench (7a). Thereafter the side of the trench (7a) is oxidized.
摘要翻译：在Si衬底（1）上形成缓冲层（2），SiGe层（3）和Si覆盖层（4）。通过在基板上形成掩模并进行图案化，形成到Si衬底（1）上并且暴露SiGe层（3）的侧面的沟槽（7a）。将沟槽（7a）的一侧在750℃下进行1小时的热处理，由此，SiGe层（3）的表面部分所含的Ge蒸发。结果，在暴露在沟槽（7a）中的SiGe层（3）的暴露部分附近形成Ge含量低于SiGe层（3）的其他区域的Ge蒸镀区域（8）。此后，沟槽（7a）的一侧被氧化。

2. 发明申请

WO2008015900A1 半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008015900A1
公开(公告)日：2008-02-07
申请号：PCT/JP2007/064004
申请日：2007-07-13
申请人：松下電器産業株式会社 , 安杖尚美 , 菅原岳 , 長谷川義晃 , 石橋明彦 , 横川俊哉
发明人：安杖尚美 , 菅原岳 , 長谷川義晃 , 石橋明彦 , 横川俊哉
IPC分类号： H01S5/042
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01S5/0202 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2304/04
摘要：　本発明の半導体発光素子は、ｎ型不純物を含有し、炭化珪素または窒化物半導体から形成されたＧａＮ基板１と、ＧａＮ基板１の主面上に配置された積層構造１０と、積層構造１０の上に形成されたｐ電極１７と、ＧａＮ基板１の裏面の全体を実質的に覆う第１のｎ電極１８と、第１のｎ電極１８の周辺部のうちの少なくとも一部を露出するように第１のｎ電極１８上に配置された第２のｎ電極２０とを含む。
摘要翻译：半导体发光元件包括含有n型杂质并由碳化硅或氮化物半导体形成的GaN衬底（1）布置在所述GaN衬底（1）的主平面上的多层结构（10）; 形成在层叠结构（10）上的p电极（17）; 基本上覆盖GaN衬底（1）的整个后面的第一n电极（18）; 以及布置在第一n电极（18）上以暴露第一n电极（18）的至少一部分周边的第二n电极（20）。

3. 发明申请

WO2007080795A1 窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光元件，氮化物半导体发光器件及制造这种氮化物半导体发光器件的方法
公开(公告)号：WO2007080795A1
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：PCT/JP2006/326097
申请日：2006-12-27
申请人：松下電器産業株式会社 , 長谷川義晃 , 菅原岳 , 横川俊哉
发明人：長谷川義晃 , 菅原岳 , 横川俊哉
IPC分类号： H01S5/042
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/22
摘要：　本発明の窒化物半導体装置は、ｎ－ＧａＮ基板１０と、ｎ－ＧａＮ基板１０の主面に形成され、ｐ型領域およびｎ型領域とその間に活性層を含む半導体積層構造とを備えている。半導体積層構造上面には、開口部を有するＳｉＯ 2 層３０と、半導体積層構造に含まれるｐ型領域の一部に接触するｐ側電極とが形成され、基板１０の裏面にはｎ側電極３６が形成されている。ｐ側電極は、ｐ型領域の一部に接触するｐ側コンタクト電極２と、ｐ側コンタクト電極２およびＳｉＯ 2 層３０を覆うｐ側配線電極３４とを含んでおり、ｐ側コンタクト電極３２の一部がｐ側配線電極３４から露出している。
摘要翻译：氮化物半导体器件设置有n-GaN衬底（10）和半导体层叠结构，其形成在n-GaN衬底（10）的主平面上并且包括p型区域，n型区域，以及这些区域之间的活性层。在半导体层叠结构的上平面上，具有开口部的SiO 2层（30）和p侧电极与包含在半导体层叠体中的p型区域的一部分接触结构形成。在基板（10）的背面，形成有n侧电极（36）。 p侧电极包括与p型区域的一部分接触的p侧接触电极（2）和覆盖p侧接触电极（2）的p侧配线电极（34）和SiO 2 2层（30）。 p侧接触电极（32）的一部分从p侧配线电极（34）露出。

4. 发明申请

WO2004064212A1 窒化物半導体素子及びその製造方法、並びに窒化物半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件，其制造方法和制造氮化物半导体衬底的方法
公开(公告)号：WO2004064212A1
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/JP2004/000201
申请日：2004-01-14
申请人：松下電器産業株式会社 , 菅原岳 , 川口靖利 , 石橋明彦 , 横川俊哉 , 松原敦
发明人：菅原岳 , 川口靖利 , 石橋明彦 , 横川俊哉 , 松原敦
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01S5/32341 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/0265 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/0217 , H01S5/1017 , H01S5/22 , H01S2304/00 , H01S2304/12
摘要：空隙からなる凹部（１０２ｂ）およびIII族窒化物からなる凸部（１０２ａ）が表面に形成されている基板（１０１）と、基板（１０１）上に形成された窒化物半導体層（１０６）と、窒化物半導体層（１０６）上に形成され活性層を有する窒化物半導体積層体とを備え、基板（１０１）の格子定数は、III族窒化物（１０２ａ）の格子定数とは異なり、基板（１０１）は誘電体（１０４）からなるマスク（１０４ａ）を有しており、マスク（１０４ａ）は、凸部（１０２ａ）の側面にのみ形成され、凸部（１０２ａ）の上面は露出しており、かつ凹部（１０２ｂ）には基板（１０１）が露出しており、マスク（１０４ａ）の高さＬ１は、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であり、凹部（１０２ｂ）の幅Ｌ２は、５０００ｎｍ以上５００００ｎｍ以下であり、凹部（１０２ｂ）のアスペクト比Ｌ１／Ｌ２は、０．００１以上１．０以下である窒化物半導体素子である。このような構成により、窒化物半導体素子の信頼性を高めることができる。
摘要翻译：氮化物半导体器件包括具有表面的衬底（101），该表面设置有由III族氮化物构成的突起部分（102a）和作为凹部（102b）的间隙，形成在衬底（101b）上的氮化物半导体层）和形成在氮化物半导体层（106）上并含有有源层的氮化物半导体多层体。基板（101）的晶格常数与III族氮化物（102a）的晶格常数不同。基板（101）具有由电介质材料（104）构成的掩模（104a）。掩模（104a）仅形成在突出部分（102a）的侧表面上并且突出部分（102a）的上表面被暴露。基板（101）在凹部（102b）中露出。掩模（104a）的高度（L1）不小于50nm且不大于5000nm，凹部（102b）的宽度（L2）不小于5000nm且不大于50,000nm，并且凹部（102b）的纵横比（L1 / L2）为0.001以上1.0以下。利用这种结构，氮化物半导体器件可以具有改进的可靠性。

5. 发明申请

WO2003038956A1 半導体発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件的生产方法
公开(公告)号：WO2003038956A1
公开(公告)日：2003-05-08
申请号：PCT/JP2002/011225
申请日：2002-10-29
申请人：松下電器産業株式会社 , 長谷川義晃 , 嶋本敏孝 , 菅原岳
发明人：長谷川義晃 , 嶋本敏孝 , 菅原岳
IPC分类号： H01S5/16
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/1039 , H01S5/164 , H01S5/22 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2304/12
摘要： A production method for a semiconductor light emitting element comprising the step of growing a first nitride-based III-V compound semiconductor layer 22 on the principal surface of a substrate 21, the step of forming, repeatedly at a specified cycle and in a width direction, stripe-shaped masking films 23 each having a first width portion and a second width portion different in width on the first nitride-based III-V compound semiconductor layer, the step of selectively growing a second nitride-based III-V compound semiconductor layer 25 from the portions, exposed between the masking films, of the surface of the first nitride-based III-V compound semiconductor layer so as to cover the masking films and those exposed portions, and the step of laminating on the second nitride-based III-V compound semiconductor layer semiconductor laser structures 26-33 including active layers practically extending in the extending direction of the masking films to thereby obtain, at portions on the boundaries between the first width portions stripe 1 and the second width portions stripe 2 of the masking films, a semiconductor laser structure having laminate step differences 301 according to the width differences between the first and second width portions.
摘要翻译：一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括在基板21的主面上生长第一氮化物系III-V族化合物半导体层22的步骤，在规定的周期和宽度方向在第一氮化物系III-V族化合物半导体层上具有第一宽度部和宽度不同的条状掩模膜23，选择性地生长第二氮化物系III-V族化合物半导体层 25，暴露在第一氮化物III-V族化合物半导体层的表面的掩模膜之间的部分，以覆盖掩模膜和那些暴露部分，以及层叠在第二氮化物基III上的步骤 -V化合物半导体层半导体激光器结构26-33，其包括实际上在掩模膜的延伸方向上延伸的活性层，从而在结合部分上获得在掩模膜的第一宽度部分条纹1和第二宽度部分条纹2之间的白葡萄酒，根据第一和第二宽度部分之间的宽度差，具有层压步长差的301的半导体激光结构。

6. 发明申请

WO2006098215A1 窒化物半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006098215A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：PCT/JP2006/304596
申请日：2006-03-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 長谷川義晃 , 菅原岳 , 安杖尚美 , 石橋明彦 , 横川俊哉
发明人：長谷川義晃 , 菅原岳 , 安杖尚美 , 石橋明彦 , 横川俊哉
IPC分类号： H01S5/042 , H01L21/28 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/32341 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/861 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01S5/0207 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S2301/173
摘要：　本発明の窒化物半導体装置は、ｎ型ＧａＮ基板１０と、ｎ型ＧａＮ基板１０の主面に形成され、ｐ型領域およびｎ型領域を含む半導体積層構造１００と、半導体積層構造１００に含まれるｐ型領域の一部に接触するｐ側電極３２と、ｎ型ＧａＮ基板１０の裏面に設けられたｎ側電極３４とを備えた窒化物半導体装置であって、ｎ型ＧａＮ基板の裏面が窒素面を含み、その裏面とｎ側電極３４との界面における炭素濃度が５原子％以下に調整されている。
摘要翻译：氮化物半导体器件设置有n型GaN衬底（10）; 形成在n型GaN衬底（10）的主平面上并包括p型区域和n型区域的半导体堆叠结构（100）; 与所述半导体堆叠结构（100）中包含的p型区域的一部分接触的p侧电极（32）。以及设置在n型GaN衬底（10）的后平面上的n侧电极（34）。 n型GaN衬底的背面包括氮平面，将背面和n侧电极（34）之间的界面上的碳浓度调整为5原子％以下。

7. 发明申请

WO2004086579A1 窒化物半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004086579A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/JP2004/003042
申请日：2004-03-09
申请人：松下電器産業株式会社 , 菅原岳 , 川口靖利 , 石橋明彦 , 木戸口勲 , 横川俊哉
发明人：菅原岳 , 川口靖利 , 石橋明彦 , 木戸口勲 , 横川俊哉
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/0202 , H01S5/0421 , H01S5/2205 , H01S5/32341
摘要：　本発明による窒化物半導体素子の製造方法は、複数のチップ用基板に分割される窒化物半導体基板であって、分割後に各チップ用基板として機能する複数の素子部分と、前記素子部分を結合している素子間部分とを有し、前記素子間部分の平均厚さが前記素子部分の厚さよりも小さい窒化物半導体基板を用意する工程（Ａ）と、前記素子部分上にストライプ状開口部を有するマスク層を窒化物半導体基板の上面に形成する工程（Ｂ）と、前記窒化物半導体基板の上面のうち、前記マスク層の前記開口部を介して露出している領域上に、窒化物半導体の層を選択的に成長させる工程（Ｃ）と、前記窒化物半導体基板の素子間部分から前記窒化物半導体基板をへき開し、個々に分割されたチップ用基板を有する複数の窒化物半導体素子を形成する工程（Ｄ）とを含む。
摘要翻译：一种氮化物半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：制备氮化物半导体衬底的步骤（A），被划分为芯片衬底并具有用于分割之后的芯片衬底的器件部分和互连器件部分的器件间部分平均厚度小于器件部分的厚度;在氮化物半导体衬底的每个器件部分上形成具有条纹开口部分的掩模层的步骤（B）;选择性地生长氮化物半导体层上的氮化物半导体层的步骤（C）在氮化物半导体衬底的顶表面上从每个掩模层的开口部分露出的区域，以及沿着器件间部分切割氮化物半导体衬底并制造具有单独分割的芯片衬底的氮化物半导体器件的步骤（D）。

8. 发明申请

WO2003063312A1 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2003063312A1
公开(公告)日：2003-07-31
申请号：PCT/JP2003/000398
申请日：2003-01-20
申请人：松下電器産業株式会社 , 菅原岳 , 長谷川義晃 , 石橋明彦 , 横川俊哉
发明人：菅原岳 , 長谷川義晃 , 石橋明彦 , 横川俊哉
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/0213 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425
摘要： A method for manufacturing a nitride semiconductor laser device comprises a first step of forming a semiconductor multilayer structure composed of at least an n-type nitride semiconductor layer (102), an active layer (105), and a p-type nitride semiconductor layer (108) on a substrate (101), a second step of exposing the surface of the n-type nitride semiconductor layer (102) and that of the p-type nitride semiconductor layer (108) at a height different from that of the surface of the n-type nitride semiconductor layer (102) by selectively etching the semiconductor structure, a third step of covering the surface of the semiconductor multilayer structure including the exposed surfaces of the n-type nitride semiconductor layer (102) and the p-type nitride semiconductor layer (108) with an insulating film (109) having a thickness larger than the rise of the step between the exposed surface of the n-type nitride semiconductor layer (102) and that of the p-type nitride semiconductor layer (108), a fourth step of planarizing the surface of the insulating film (109), a fifth step of forming an n-type electrode (111) extending through the insulating film (109) and electrically connected to the n-type nitride semiconductor layer (102) and a p-type element (110) extending through the insulating film (109) and electrically connected to the p-type nitride semiconductor layer (108). Thus, the nitride semiconductor laser device has a high reliability and favorable heat dissipation characteristics.
摘要翻译：一种氮化物半导体激光器件的制造方法包括：形成由至少n型氮化物半导体层（102），有源层（105）和p型氮化物半导体层（ 108）在衬底（101）上的第二步骤，将n型氮化物半导体层（102）的表面和p型氮化物半导体层（108）的表面暴露于与通过选择性地蚀刻半导体结构的n型氮化物半导体层（102），覆盖包括n型氮化物半导体层（102）和p型氮化物的暴露表面的半导体层叠结构的表面的第三步骤具有厚度大于n型氮化物半导体层（102）的露出表面和p型氮化物半导体层（102）的暴露表面之间的台阶的厚度的绝缘膜（109）的半导体层（108） 108），对绝缘膜（109）的表面进行平坦化的第四工序，形成贯通绝缘膜（109）并与n型氮化物半导体层电连接的n型电极（111）的第五工序（102）和延伸穿过绝缘膜（109）并与p型氮化物半导体层（108）电连接的p型元件（110）。因此，氮化物半导体激光装置具有高的可靠性和良好的散热特性。

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