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1. 发明申请

WO2009104558A1 光インターコネクション装置审中-公开
标题翻译：光学互连器件
公开(公告)号：WO2009104558A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2009/052550
申请日：2009-02-16
申请人：日本電気株式会社 , 小田三紀雄 , 石田智隆 , 高橋久弥 , 小野秀之 , 堺淳 , 大塚隆 , 野田有秀 , 古宇田光
发明人：小田三紀雄 , 石田智隆 , 高橋久弥 , 小野秀之 , 堺淳 , 大塚隆 , 野田有秀 , 古宇田光
IPC分类号： H01S5/024 , G02B6/42 , H01L31/12 , H05K7/20
CPC分类号： H01L25/167 , G02B6/4201 , G02B6/4257 , G02B6/4266 , G02B6/4274 , H01L2924/0002 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/00
摘要：　本発明は、冷却に必要な体積を小型化することができる光インターコネクション装置を提供することを目的とする。本発明に係る光インターコネクション装置は、電気配線基板１０に電気的に接続したＬＳＩ１１の周囲に複数の光モジュール１２が配置され、ＬＳＩ１１及び光モジュール１２にそれぞれ液冷機構１３，１４を設けたものである。また、複数の光モジュール１２は、電気配線基板１０におけるＬＳＩ１１が搭載されている面と同一面のみに配置してもよいし、ＬＳＩ１１が搭載されている面と反対側の面のみに配置してもよいし、ＬＳＩ１１が搭載されている面と同一面及び反対側の面の双方の面に配置してもよい。
摘要翻译：提供了一种光学互连装置，其中降低了冷却所需的体积。在光互连装置中，在与电布线板（10）电连接的LSI（11）的圆周上配置有多个光模块（12），并且为LSI配置液冷机构（13,14）（11）和光学模块（12）。光学模块（12）可以仅布置在与安装LSI（11）的电气布线板（10）的相同的表面上，或者仅布置在与安装LSI（11）的表面相对的表面上或两者上 LSI（11）的表面安装在与该表面相反的表面上。

2. 发明申请

WO2007088959A1 光モジュール审中-公开
标题翻译：光学模块
公开(公告)号：WO2007088959A1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/JP2007/051766
申请日：2007-02-02
申请人：日本電気株式会社 , 野田有秀 , 小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 古宇田光 , 堺淳
发明人：野田有秀 , 小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 古宇田光 , 堺淳
IPC分类号： H01S5/022 , H01L31/02
CPC分类号： G02B6/4214 , G02B6/4232 , G02B6/4292 , H01L25/167 , H01L31/02002 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/49109 , H01L2224/73253 , H01L2924/15192 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/184 , H05K3/3405 , H05K3/403 , H05K2201/10121 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本発明は、電気信号と光信号とを相互に変換する光電変換素子１０３と、光電変換素子１０３と電気的に接続される光通信用ＬＳＩ１０２とを備える。また、光電変換素子１０３および光通信用ＬＳＩ１０２がフリップチップ実装される複数の電極２０１，２０２と、各電極２０１，２０２を電気的に接続する複数の配線層１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃとを有し、配線層１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃが上面、下面、内部にそれぞれ設けられた電気配線用基板１０１を備える。そして、電気配線用基板１０１の側面には、光電変換素子１０３が接合される電極２０１，２０２が設けられている。
摘要翻译：光模块设置有用于交替地转换电信号和光信号的光电转换元件（103）和与光电转换元件（103）电连接的光通信LSI（102）。光模块还设置有具有多个电极（201,202）的电气布线板（101），随后将光电转换元件（103）和光通信LSI（102）倒装安装，并且多个电连接电极（201,202）的布线层（101a，101b，101c）。布线层（101a，101b，101c）分别布置在电气布线板中的上平面，下平面和侧平面上。在电气布线板（101）的侧面设有用于耦合光电转换元件（103）的电极（201,202）。

3. 发明申请

WO2008090833A1 光電変換接続装置审中-公开
标题翻译：光电转换/连接装置
公开(公告)号：WO2008090833A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/JP2008/050677
申请日：2008-01-21
申请人：日本航空電子工業株式会社 , 日本電気株式会社 , 是枝雄一 , 大津亘 , 小田三紀雄 , 高橋久弥 , 大塚隆 , 古宇田光 , 小野秀之
发明人：是枝雄一 , 大津亘 , 小田三紀雄 , 高橋久弥 , 大塚隆 , 古宇田光 , 小野秀之
IPC分类号： G02B6/42
CPC分类号： G02B6/4292 , G02B6/4284
摘要：　光素子（３２０）と、この光素子を実装する実装基板（３１０）と、この実装基板に接続され、光素子と光学的に結合する光コネクタ（４００）とを有する光電変換接続装置（１００）に於いて、光コネクタ（４００）は、実装基板（３１０）の、光素子の実装面（３１０ｂ）とは反対側の面（３１０ａ）に設けられており、光素子（３２０）が露出している。光電変換接続装置（１００）は、主面（２１０ａ）を持つマザー基板（２１０）と、このマザー基板の主面上に実装される電気コネクタ（２２０）とを備える。電気コネクタ（２２０）は、実装基板（３１０）を着脱自在に接続可能である。
摘要翻译：提供一种光电转换/连接装置（100），其包括：光学元件（320），安装有光学元件的基板（310）和连接到基板的光连接器（400）以光学连接到光学元件。光连接器（400）布置在与基板（310）的安装表面（310b）相对的表面（310a）上，并且光学元件（320）暴露。光电转换/连接装置（100）包括具有主表面（210a）的母基板（210）和安装在母基板主表面上的电连接器（220）。电连接器（220）可拆卸地连接到基板（310）。

4. 发明申请

WO2009001822A1 光モジュール审中-公开
标题翻译：光学模块
公开(公告)号：WO2009001822A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/JP2008/061462
申请日：2008-06-24
申请人：日本電気株式会社 , 小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 中野嘉一郎 , 前田勝美 , 田中千恵美 , 石田智隆 , 古宇田光
发明人：小田三紀雄 , 大塚隆 , 高橋久弥 , 中野嘉一郎 , 前田勝美 , 田中千恵美 , 石田智隆 , 古宇田光
IPC分类号： H01S5/022 , G02B6/42 , H01L31/02
CPC分类号： G02B6/421 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/02438 , H01S5/02469
摘要：　光モジュールは、光が出射又は入射する方向と、光モジュールからの放熱方向とが同じ方向である。光素子と光結合された光伝送路とヒートシンクとは、直接に又は熱良導体を介して接触する。光モジュールから発生する熱が、光伝送路１４及びヒートシンク１９を経由して効果的に放熱される。
摘要翻译：公开了一种光学模块，其中发射或入射光的方向和来自光学模块的热量的散发方向是相同的。光学耦合到光学装置和散热器的光传输线路直接或通过高度导热的主体相互接触。因此，可以通过光传输线（14）和散热片（19）有效地消散由光学模块产生的热量。

5. 发明申请

WO2008090981A1 光接続装置审中-公开
标题翻译：光学连接器
公开(公告)号：WO2008090981A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/JP2008/051092
申请日：2008-01-25
申请人：日本航空電子工業株式会社 , 日本電気株式会社 , 是枝雄一 , 古宇田光 , 中野嘉一郎 , 高橋久弥 , 大塚隆 , 小野秀之
发明人：是枝雄一 , 古宇田光 , 中野嘉一郎 , 高橋久弥 , 大塚隆 , 小野秀之
IPC分类号： G02B6/42 , G02B6/36
CPC分类号： G02B6/4292
摘要：　接続対象物１０を光モジュール２１に接続する光接続装置１である。接続対象物及び光モジュールを位置決めするためのハウジング２にスライダ３がスライド可能に保持される。ハウジングは、接続対象物を受けるための第１位置決め部を有する。スライダは、接続対象物を第１位置決め部に向けて第１の方向に弾力的に押圧する第１押圧部３ａと、第１の方向に直交する第２の方向において弾力的に作用する第２押圧部３ｅとを有する。
摘要翻译：光连接器（1）将连接对象（10）连接到光模块（21）。滑动器（3）可滑动地保持在壳体（2）上，该壳体使连接对象和光学模块对准。壳体设置有用于接收连接物体的第一对准部分。滑块设有用于沿第一方向朝向第一对准部分弹性地按压连接物体的第一按压部分（3a）和在与第一方向正交的第二方向上弹性地操作的第二按压部分（3e）。

6. 发明申请

WO2004010503A1 強誘電体ゲートデバイス审中-公开
标题翻译：电炉门装置
公开(公告)号：WO2004010503A1
公开(公告)日：2004-01-29
申请号：PCT/JP2003/008951
申请日：2003-07-15
申请人：松下電器産業株式会社 , 豊田健治 , 大塚隆
发明人：豊田健治 , 大塚隆
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： G11C11/22
摘要：強誘電体キャパシタ（１）と、印加電圧に応じて抵抗またはキャパシタとして振る舞うスイッチ素子（２）と、ソース、ドレイン、およびゲートを有する電界効果トランジスタ（６）とを備え、前記強誘電体キャパシタ（１）の一端には入力端子（ＩＮ）が備えられ、前記強誘電体キャパシタ（１）の他端と前記スイッチ素子（２）の一端とが接続され、前記スイッチ素子（２）の他端と前記電界効果トランジスタ（６）のゲートとが接続され、　前記入力端子に電圧が印加されることにより、前記強誘電体キャパシタ（１）が備えている強誘電体の抗電圧（Ｖc）以上の電圧が前記強誘電体キャパシタ（１）に印加されるとき、前記スイッチ素子（２）は抵抗として振る舞い、　前記入力端子に電圧が印加されることにより、前記強誘電体キャパシタ（１）が備えている強誘電体の抗電圧（Ｖc）よりも小さい電圧が前記強誘電体キャパシタ（１）に印加されるとき、前記スイッチ素子（２）はキャパシタとして振る舞う強誘電体ゲートデバイス。　　　　　　　　　　　　　　
摘要翻译：铁电栅极器件包括铁电电容器（1），根据施加的电压起电阻器或电容器起作用的开关元件（2），具有源极，漏极和栅极的场效应晶体管（6）。铁电电容器（1）的一端具有输入端（IN）。铁电电容器（1）的另一端连接到开关元件（2）的一端。开关元件（2）的另一端连接到场效应晶体管（6）的栅极。当对输入端子施加电压，并且对铁电电容器（1）施加等于或高于强电介质电容器（1）的铁电体的矫顽电压（Vc）的电压时，开关元件（2）作为一个电阻当向输入端子施加电压并且将小于电介质铁电电容器（1）的铁电体的矫顽电压（Vc）的电压施加到铁电电容器（1）时，开关元件（2）用作电容器。

7. 发明申请

WO2003001599A1 半導体装置及びその駆動方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其驱动方法
公开(公告)号：WO2003001599A1
公开(公告)日：2003-01-03
申请号：PCT/JP2002/006250
申请日：2002-06-21
申请人：松下電器産業株式会社 , 上田路人 , 大塚隆 , 森田清之
发明人：上田路人 , 大塚隆 , 森田清之
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11502 , G11C11/22 , G11C11/223 , G11C11/54 , G11C11/5657 , H01L27/105 , H01L27/11507 , H01L29/7881
摘要： A semiconductor device has a control voltage supply section (110), a MOS transistor having a gate electrode (109), drain region (103a), and source region (103b), and a dielectric capacitor (104) and a resistance element (106) interposed in parallel between the gate electrode (109) and the control voltage supply section (110). This constitution makes it possible to vary the threshold value of the MOS transistor by the accumulation of charges in the intermediate electrode and the gate electrode (109) of the dielectric capacitor (104) with a voltage impressed. Therefore, the history of input signals can be stored as the variation of the drain current of the MOS transistor, thereby holding multivalued information.
摘要翻译：半导体器件具有控制电压供给部（110），具有栅极（109），漏极区（103a）和源极区（103b）的MOS晶体管，以及介电电容器（104）和电阻元件（106））插入在栅电极（109）和控制电压供给部（110）之间。该结构使得可以通过施加电压的介电电容器（104）的中间电极和栅电极（109）中的电荷的累积来改变MOS晶体管的阈值。因此，可以将输入信号的历史存储为MOS晶体管的漏极电流的变化，从而保持多值信息。

8. 发明申请

WO2002101928A1 不揮発性セレクタ及び集積回路装置审中-公开
标题翻译：非线性选择器和集成电路器件
公开(公告)号：WO2002101928A1
公开(公告)日：2002-12-19
申请号：PCT/JP2002/005631
申请日：2002-06-06
申请人：松下電器産業株式会社 , 大塚隆 , 森田清之
发明人：大塚隆 , 森田清之
IPC分类号： H03K17/00
CPC分类号： G11C11/22 , G11C8/10 , H03K17/693
摘要： A multiplexer comprises a first stage gate having first to fourth switching units (10A−10D). Each switching unit (10) comprises a series capacitor (3) and an FET (4). The series capacitor (3) has a ferroelectric capacitor (1) and a paraelectric capacitor (2), and the intermediate node thereof is connected to a gate electrode (8) of the FET (4). A voltage is distributed to the intermediate node (9) according to the difference between the capacitances of the two capacitors so that the FETs (4) of the switching units (10A and 10B) are alternately switched on/off according to the logical values 1 and 0 of a selection signal (D1) in a unit sellector (Usell) comprising the switching units (10A and 10B), and the operating state is stored in the ferroelectric capacitor (1) in a nonvolatile manner.
摘要翻译：多路复用器包括具有第一至第四开关单元（10A-10D）的第一级门。每个开关单元（10）包括串联电容器（3）和FET（4）。串联电容器（3）具有铁电电容器（1）和顺电电容器（2），其中间节点连接到FET（4）的栅电极（8）。根据两个电容器的电容之间的差异，将电压分配给中间节点（9），使得开关单元（10A和10B）的FET（4）根据逻辑值1交替地接通/断开和包含开关单元（10A和10B）的单元谐振器（Usell）中的选择信号（D1）的0，并且操作状态以非易失性方式存储在铁电电容器（1）中。

9. 发明申请

WO2005055425A1 不揮発性フリップフロップ回路およびその駆動方法审中-公开
标题翻译：非挥发性FLIP-FLOP电路及其驱动方法
公开(公告)号：WO2005055425A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/JP2004/017786
申请日：2004-11-30
申请人：松下電器産業株式会社 , 西川孝司 , 豊田健治 , 大塚隆
发明人：西川孝司 , 豊田健治 , 大塚隆
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： H03K3/356008 , G11C11/22
摘要：　第１のクロックトインバータ（６０４）、第２のクロックトインバータ（６０３）及び第３のスイッチング素子（６０２）がオンの状態で、且つ、第１のスイッチング素子（６０５）、第２のスイッチング素子（６０７）及び第３のクロックトインバータ（６０８）がオフの状態で、データ信号Ｄが入力されることにより、強誘電体ゲートトランジスタ（６０１）が有する強誘電体の分極を利用して、入力されたデータ信号Ｄが保持されるデータ保持ステップと、第１のクロックトインバータ（６０４）、第２のクロックトインバータ（６０３）及び第３のスイッチング素子（６０２）がオフの状態で、且つ、第１のスイッチング素子（６０５）、第２のスイッチング素子（６０７）及び第３のクロックトインバータ（６０８）がオンの状態となるように切り替えることにより、データ信号Ｄの入力が遮断されると共に強誘電体ゲートトランジスタ（６０１）が有する強誘電体の分極の状態が維持され、保持されたデータ信号Ｄに基づき出力信号Ｑ（−Ｑ）が出力されるデータ出力ステップとを備える不揮発性フリップフロップ回路の駆動方法である。
摘要翻译：一种用于驱动非易失性触发电路的方法，包括数据保持步骤，其中第一时钟反相器（604），第二时钟反相器（603）和第三开关元件（602）处于导通状态，第一开关元件（605），第二开关元件（607）和第三时钟反相器（608）处于截止状态，并且输入数据信号（D），由此铁电栅极晶体管（601）的铁电极化被用于保持输入数据信号（D）; 以及数据输出步骤，其中第一时钟反相器（604），第二时钟反相器（603）和第三开关元件（602）截止，第一开关元件（605），第二开关元件（607）和第三时钟反相器（608）导通，从而切断数据信号（D）的施加，并且维持铁电栅极晶体管（601）的铁电极化，从而输出输出信号Q（-Q）基于所保持的数据信号（D）。

10. 发明申请

WO2003085741A1 不揮発性フリップフロップ审中-公开
标题翻译：非挥发性飞溅
公开(公告)号：WO2003085741A1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/JP2003/004204
申请日：2003-04-02
申请人：松下電器産業株式会社 , 大塚隆 , 田中英行
发明人：大塚隆 , 田中英行
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： G11C14/0072 , G11C8/16 , G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L21/28291 , H01L27/101 , H01L27/11 , H03K3/356008
摘要：本発明の不揮発性フリップフロップは、一対の逆論理のデータを記憶するための一対の記憶ノード（５、６）を有するフリップフロップ部（４）と、スイッチング素子（９、１０）を介して、前記一対の記憶ノード（５、６）とそれぞれ接続され、その抵抗が保存可能に変化する一対の不揮発性抵抗変化素子（１１、１２）とを備え、ストア動作において、前記一対の記憶ノード（５、６）のそれぞれの電位に応じて、前記一対の不揮発性抵抗変化素子（１１、１２）の抵抗を変化させ、リコール動作において、前記一対の記憶ノード（５、６）のそれぞれを前記一対の不揮発性抵抗変化素子（１１、１２）の抵抗の差に応じた電位にすることが可能なように構成されている。
摘要翻译：非易失性触发器包括具有用于存储一对反向逻辑数据的一对存储节点（5,6）和一对非易失性电阻变化元件（11,12）的触发器单元（4）分别经由开关元件（9,10）连接到所述一对存储节点（5,6）并且以可以存储的方式改变其电阻。在存储操作中，一对非易失性电阻变化元件（11,12）的电阻根据该对存储节点（5,6）的电位而改变，并且在调用操作中，该对存储节点 5，6）被设定为对应于该对非易失性电阻变化元件（11,12）的电阻之差的电位。

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