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1. 发明申请

WO2012010519A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：辐射分量及其制造方法可发射组件
公开(公告)号：WO2012010519A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/062157
申请日：2011-07-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
发明人： WEIDNER, Karl , RAMCHEN, Johann , KALTENBACHER, Axel , WEGLEITER, Walter , BARCHMANN, Bernd , GRUBER, Stefan , BOGNER, Georg
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/58 , G02B6/00 , G02F1/13357 , H01L33/20 , H01L33/60 , H01L25/075 , H01L33/46 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/60 , G02F1/133603 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben mit - einem Halbleiterchip (2), der eine erste Hauptfläche (25), eine der ersten Hauptfläche gegenüber liegende zweite Hauptfläche (26) und einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (23) aufweist; - einem Träger (5), an dem der Halbleiterchip seitens der zweiten Hauptfläche (26) befestigt ist; - einer Auskoppelschicht (4), die auf der ersten Hauptfläche (25) des Halbleiterchips (2) angeordnet ist und in lateraler Richtung von dem Halbleiterchip (2) beabstandete seitliche Auskoppelflächen (40) bildet, wobei in der Auskoppelschicht (4) eine sich zum Halbleiterchip (2) hin verjüngende Ausnehmung (45) ausgebildet ist, die im Betrieb aus der ersten Hauptfläche (25) austretende Strahlung in Richtung der seitlichen Auskoppelfläche (40) umlenkt. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种发射辐射的部件，包括： - 具有第一主表面（25），相对的第二主表面（26）的第一主表面的半导体芯片（2）和用于产生辐射有源区域（23）所提供的; - 支撑（5）由所述第二主表面固定在半导体芯片（26）; - 其被布置在半导体芯片的第一主表面（25）上的去耦层（4）（2）和在隔开的所述半导体芯片（2）的横向方向的横向输出表面（40），其中，在所述耦合输出层（4）具有一对半导体芯片（2）凹部逐渐变细（45）形成为从辐射的第一主表面（25）在横向耦合输出表面（40）的方向上发出的操作偏转。此外，被指定的制造发射辐射的器件的方法。

2. 发明申请

WO2011015438A1 WELLENLEITER, INSBESONDERE BEIM DIELEKTRIKUM-WAND-BESCHLEUNIGER 审中-公开
标题翻译：纤维，尤其是电介质壁加速器
公开(公告)号：WO2011015438A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：PCT/EP2010/060226
申请日：2010-07-15
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , SELIGER, Norbert , WEIDNER, Karl
发明人： SELIGER, Norbert , WEIDNER, Karl
IPC分类号： H05H7/00 , H05H7/22 , H05H9/00
CPC分类号： H05H7/00 , H05H7/22 , H05H9/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Wellenleiter, insbesondere Wellenleiter bei einem Dielektrikum-Wand-Beschleuniger, und ein Verfahren zu deren Herstellung. Gemäß der vorliegenden Erfindung werden planar kontaktierte elektronische Baugruppen (50) in einen Wellenleiter, insbesondere einen Wellenleiter einer Beschleunigerzelle (10) eines dielektrischen Wand-Beschleunigers integriert.
摘要翻译：本发明涉及一种波导，尤其是与一电介质壁加速器，以及它们的制备的方法波导。根据本发明的平面接触的电子模块（50）都集成在一个波导，尤其是波导的电介质壁加速器的加速器电池（10）。

3. 发明申请

WO2009150087A2 SYSTEM SUPPORT FOR ELECTRONIC COMPONENTS AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：系统支持电子元件和方法生产同样
公开(公告)号：WO2009150087A2
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/EP2009056832
申请日：2009-06-03
申请人： EPCOS AG , PAHL WOLFGANG , WEIDNER KARL
发明人： PAHL WOLFGANG , WEIDNER KARL
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： H01L23/4985 , B81B7/0048 , B81B2207/07 , H01L23/498 , H01L23/5387 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/76155 , H01L2224/82007 , H01L2224/82102 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
摘要： A chip (2, 3) is arranged on an upper side of a flexible support (1) and mechanically separate from the support. Electrical connections (8, 11) for the chip are executed with a planar connection technique. The chip can be separated from the support by means of an air gap or a base layer (7) made of a soft or compressible material.
摘要翻译：一种芯片（2,3）被布置成从上方的承载件分离的柔性支撑件（1）和机械的上表面上。芯片的电连接（8,11）在一个平面连接技术进行。该芯片可从支撑通过气隙或软的或可压缩的材料制成的基体层（7）分离。

4. 发明申请

WO2009024432A1 AUFBAU- UND VERBINDUNGSTECHNIK VON MODULEN MITTELS AUS EINER EBENE HERAUS GEBOGENEN METALLISCHEN STANZGITTER ODER STANZBIEGETEILEN 审中-公开
标题翻译：安装和连接模块由LEVEL OUT弯曲的金属冲压栅手段OR DIE弯件
公开(公告)号：WO2009024432A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/EP2008/059861
申请日：2008-07-28
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , KASPAR, Michael , SCHIMETTA, Gernot , WEIDNER, Karl , ZAPF, Jörg
发明人： KASPAR, Michael , SCHIMETTA, Gernot , WEIDNER, Karl , ZAPF, Jörg
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49537 , H01L23/3107 , H01L23/427 , H01L23/473 , H01L23/49551 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2924/07811 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Module (1) mit mindestens einem ungehäusten elektronischen Bauelement (2), insbesondere ungehäusten Halbleiterbauelement oder ungehäusten Halbleiterleistungsbauelement, mit jeweils mindestens einer auf einer Oberseite und/oder Unterseite angeordneten Anschlussfläche (3) zur elektrischen Kontaktierung und/oder zur Befestigung, wobei das mindestens eine Bauelement (2) jeweils zwischen Substraten (5) derart positioniert ist, dass die Anschlussflächen (3) jeweils mit, den Anschlussflächen (3) gegenüberliegenden, elektrischen Leitern (7) und/oder Befestigungsflächen auf den Substraten (5) elektrisch kontaktiert und/oder befestigt sind. Es ist Aufgabe, eine kostengünstige elektrische Kontaktierung insbesondere mit einer hohen Integrationsdichte, niederinduktivem Verhalten, hoher Stromtragfähigkeit, guter Kühlung und hoher Zuverlässigkeit bei elektrischer und thermischer Zykelbeanspruchung bereit zu stellen. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass von den Substraten (5) mindestens eines ein aus einer Ebene heraus gebogenes metallisches Stanzgitter oder Stanzbiegeteil (9) ist, das mit sich in einer Ebene erstreckenden metallischen Stanzgittern oder Stanzbiegeteilen (11) kombiniert werden kann. Das Modul (1) eignet sich insbesondere für den Hochspannungsbereich größer 1000 V und entsprechende elektronische Bauelemente (2).
摘要翻译：本发明涉及一种设置有至少一个未封装的电子元件（2），尤其是未封装的半导体器件或封装的半导体功率器件模块（1），具有至少一个在上侧和/或底垫（3），用于电接触和/或用于紧固其中所述至少一个部件（2）被定位在基板之间分别（5），使得所述垫（3）分别连接面（3）相对的电导体（7）和/或电上的基板安装面（5）通过接触和/或附接。本发明的目的是提供特别是便宜的电接触具有高集成密度，niederinduktivem行为，高电流承载能力，良好的冷却，可靠性高的电气和热Zykelbeanspruchung提供。本发明的特征在于，所述基板（5）中的至少一个出的平面弯曲金属冲压格栅，或穿孔和（9）连接的弯曲部在延伸平面的金属引线框或冲压和弯曲部分（11）可以组合。所述模块（1）是特别适用于在高电压范围大于1000V的和相关的电子部件（2）。

5. 发明申请

WO2009019311A1 HARZ-FORMULIERUNG AUF BISMALEINIMID-BASIS ZUR HERSTELLUNG EINER FOLIE, HERSTELLUNG EINER FOLIE UNTER VERWENDUNG DER HARZ-FORMULIERUNG UND VERWENDUNG DER FOLIE 审中-公开
标题翻译：树脂配方ON双马来酰亚胺基础制备膜，拍电影时使用树脂配方和电影使用
公开(公告)号：WO2009019311A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/EP2008/060452
申请日：2008-08-08
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , CZWIENCZEK, Stefan , CASSIGNOL, Caroline , FISCHER, Walter , KASPAR, Michael , MUHRER, Volker , WEIDNER, Karl
发明人： CZWIENCZEK, Stefan , CASSIGNOL, Caroline , FISCHER, Walter , KASPAR, Michael , MUHRER, Volker , WEIDNER, Karl
IPC分类号： C08K3/36 , C08J5/18 , H05K3/46
CPC分类号： C08K3/36 , C08J5/18 , C08J2335/00 , C08K5/5435 , C09J4/00 , H01L23/293 , H01L24/24 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Harz-Formulierung zur Herstellung einer Folie, wobei die Harz-Formulierung mindestens eine vernetzbare Bismaleinimid-Komponente, die eine Schmelztemperatur von unter 100° C aufweist, mindestens ein Thixotropierungsmittel und mindestens ein Co-Monomer zur Bildung eines Co-Polymerisats mit der Bismaleinimid-Komponente aufweist. Vorzugsweise liegt die Schmelztemperatur unter 90° C und insbesondere bei 80° C. Daneben wird ein Verfahren zur Herstellung einer Folie unter Verwendung der Harz-Formulierung mit folgenden Verfahrensschritten angegeben: a) Bereitstellen der Harz-Formulierung, b) Formgebungsprozess der Harz-Formulierung und c) Initiierung einer Vernetzung der Bismaleinimid-Komponente der Harz-Formulierung, wobei die Folie entsteht. Schließlich wird eine Verwendung der Folie zur planaren Kontaktierung einer elektrischen Kontaktstelle eines elektrischen Bauelements mit folgenden Verfahrensschritten angegeben: a' ) Bereitstellen des Bauelements mit der Kontaktstelle, b' ) Auflaminieren der Folie auf das Bauelement, so dass die Kontaktstelle von der Folie bedeckt ist, c' ) Offnen eines Fensters in der Folie, so dass die Kontaktstelle des Bauelements freigelegt wird, und d' ) Kontaktieren der elektrischen Kontaktstelle durch das Fenster hindurch.
摘要翻译：本发明涉及一种树脂制剂以制备膜，其中所述树脂制剂包括具有低于100℃，至少一种触变剂和至少一种共聚单体以形成具有共聚合物的熔点温度的至少一个可交联的双马来酰亚胺组分包括双马来酰亚胺组件。优选地，熔融温度低于90℃，特别是在80℃下另外，用于制造膜的方法是通过使用树脂制剂，其包含以下步骤提供：a）提供树脂制剂，b）将树脂制剂的成型过程中，与 c）中引发树脂制剂的双马来酰亚胺组分，其特征在于，形成的膜的交联。最后，使用该膜的与电气部件的电接触点的平面接触，提供了包括以下步骤：a“）提供器件与接触点b”）的薄膜层压到设备上，从而使膜的接触点被覆盖， c“）中在膜中打开一个窗口，使得该部件的接触点被暴露，以及d”）通过所述窗口中的电接触点相接触。

6. 发明申请

WO2008017619A1 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER ELEKTRISCHEN FUNKTIONSSCHICHT AUF EINER OBERFLÄCHE EINES SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：方法用于制造电功能层上的衬底的表面
公开(公告)号：WO2008017619A1
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：PCT/EP2007/057883
申请日：2007-07-31
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , WEIDNER, Karl , WEINKE, Robert , HOLST, Jens-Christian , JENSEN, Jens Dahl
发明人： WEIDNER, Karl , WEINKE, Robert , HOLST, Jens-Christian , JENSEN, Jens Dahl
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48 , H05K3/14
CPC分类号： H05K3/32 , C23C24/04 , H01L23/552 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/82039 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H05K3/102 , H05K3/14 , H05K2203/1344 , H05K2203/1469
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer elektrischen Funktionsschicht (19) auf einer Oberfläche eines Substrats (10), auf dem zumindest ein elektronisches Bauelement (15), insbesondere ein Halbleiterchip, aufgebracht ist. Die elektrische Funktionsschicht (19) wird dadurch gebildet, dass in Pulverform vorliegende Partikel aus einem elektrisch leitfähigen Material selektiv auf die Oberfläche des Substrats (10) geblasen werden, so dass diese beim Aufprall auf das Substrat (10) eine dichte und fest haftende Schicht bilden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造在其上的至少一个电子元件（15），特别是半导体芯片，被施加在基板（10）的表面上的电功能层（19）。电功能层（19）是由以粉末形式存在的颗粒形成的导电材料的衬底（10）的表面上选择性地吹出，使得其在与所述基质的影响（10）形成致密的和粘附的层，

7. 发明申请

WO2007096018A3 METHOD FOR SELECTIVELY PRODUCING FILM LAMINATES FOR PACKAGING AND FOR INSULATING UNPACKAGED ELECTRONIC COMPONENTS AND FUNCTIONAL PATTERNS AND CORRESPONDING DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于包装和裸电子元件的分离和功能结构以及相关的器件的复合薄膜材料选择性地制造
公开(公告)号：WO2007096018A3
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：PCT/EP2006070026
申请日：2006-12-20
申请人： SIEMENS AG , NAUNDORF JOERG , WEIDNER KARL , WULKESCH HANS
发明人： NAUNDORF JOERG , WEIDNER KARL , WULKESCH HANS
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/3164 , B29C63/02 , B29C2793/00 , B29L2031/3061 , H01L21/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , Y10T156/1054 , Y10T156/1092 , Y10T156/1093 , H01L2924/00
摘要： A method for selectively producing film laminates for packaging and for insulating unpackaged electronic components and functional patterns and corresponding device. The present invention relates to a method for coating surface regions (2) of functional patterns (5) arranged on a substrate (4) and/or of surface regions (2) of semiconductor chips (6) arranged on the substrate (4). An insulation is to be effectively adapted in its properties to different requirements of functional patterns (5) and/or electronic components (6). Film regions (1) are laminated on surface regions (2) in such a way that the properties of the plastics material of the film regions (1) are adapted to the function of the film. This adaptation is individual and selective. Various films (3) are used. The method is suitable in particular for coating or packaging electronic components (6) or active and passive devices.
摘要翻译：本发明涉及用于涂覆布置在基板（4）和/或表面区域（2）上的功能结构（5）上的表面区域（2）的方法。 2）布置在布置有半导体芯片（6）的衬底（4）上。绝缘应该根据其性能有效地适应功能结构（5）和/或电子部件（6）的不同要求。将膜区域（1）以这样的方式层压到表面区域（2）上，使得膜区域（1）的塑性材料的性质适合于膜的功能。这种适应是单独的和选择性的。使用各种薄膜（3）。该方法特别适用于电子元件（6）或有源和无源元件的涂层或封装。

8. 发明申请

WO2007096017A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON PLANAREN ISOLIERSCHICHTEN MIT POSITIONSGERECHTEN DURCHBRÜCHEN MITTELS LASERSCHNEIDEN UND ENTSPRECHEND HERGESTELLTE VORRICHTUNGEN 审中-公开
标题翻译：用于生产平面带位置绝缘只是ACCORDING生产的设备激光切割的方式和骨折
公开(公告)号：WO2007096017A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：PCT/EP2006/070021
申请日：2006-12-20
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , BITTMANN, Ladislaus , NAUNDORF, Jörg , WEIDNER, Karl , WULKESCH, Hans
发明人： BITTMANN, Ladislaus , NAUNDORF, Jörg , WEIDNER, Karl , WULKESCH, Hans
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/538 , H01L23/544
CPC分类号： H01L23/3164 , H01L21/481 , H01L21/486 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/82 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/2402 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2924/01006 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01079 , H05K1/0269 , H05K3/0032 , H05K3/281 , H05K2201/09918 , H05K2203/063 , H05K2203/166 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T156/1062
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Kontaktieren mindestens einer elektrischen Kontaktfläche (6) auf einer Oberfläche eines Substrats (1) und/oder einer Oberfläche eines auf dem Substrat (1) angeordneten Halbleiterchips (2). Dabei erfolgt ein Auflaminieren einer Folie (4) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf den Oberflächen. Danach wird ein flächiges Kontaktieren der mittels Öffnungen (3) in der Folie frei zugänglichen Kontaktflächen (6) mit einer Schicht aus elektrisch leitendem Material ausgeführt. Es sollen bei einem planaren elektrischen Kontaktierungsverfahren in einer kurzen Bearbeitungszeit Öffnungen (3) in einer Isolierung erzeugt werden. Insbesondere sollen Öffnungen (3) präzise zu Kontaktflächen (6) positioniert werden, Die Aufgabe wird dadurch gelöst, dass vor dem Auflaminieren ein Erzeugen jeweiliger Öffnungen (3) in der Folie aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial im Bereich der zu kontaktierenden Kontaktfläche (6) mittels Laserschneiden erfolgt. Dieses Verfahren eignet sich für alle planaren elektrischen Kontaktierungen. Es können entsprechend kontaktierte Substrate (1) beziehungsweise Halbleiterchips (2) erzeugt werden. Als Halbleiterchips (2) können insbesondere Leistungshalbleiterchips verwendet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种基片（1）和/或的在衬底上的表面的一个表面上的至少一个电接触表面（6）接触的方法（1），其设置半导体芯片（2）。在此，电绝缘塑料材料制成的膜（4）的层压的表面上进行。此后，片材接触在自由接近接触面（6），用导电材料制成的层进行的滑动开口（3）的手段。它应在平面电接触方法在绝缘性的短的处理时间的开口（3）而产生。特别地，孔被精确地定位成接触表面（6）（3）的目的在于：所述层压一个生成的相应开口（3）之前在该区域电绝缘塑料材料的薄膜来实现，以通过激光切割来接触接触表面（6），发生。这种方法适用于所有的平面电触点。它可以根据接触的基板来制备（1）和半导体芯片（2）。作为半导体芯片（2）的功率半导体芯片可以特别地使用。

9. 发明申请

WO2007025521A2 METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A PLANAR CONTACT, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
标题翻译：方法的半导体元件与平面接触和半导体元件
公开(公告)号：WO2007025521A2
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/DE2006001513
申请日：2006-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIDNER KARL
发明人： WEIDNER KARL
IPC分类号： H01L23/051 , H01L23/482 , H01L33/44 , H01L33/62
CPC分类号： H01L23/482 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0655 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/82007 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/12044 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a method for producing a semiconductor component, especially a semiconductor structure having a surface structure or topography created on a substrate (1) by means of electronic components (2). According to said method, one or several electronic components (2) are applied to a substrate (1), and an insulation layer (3) is applied to the topography created on the substrate (1) by means of the at least one component (2). Contacting holes (5) are then created at contact points (8, 9) of the at least one electronic component in the insulation layer (3), the insulation layer (3) and the contact points (8, 9) are plated in the contacting holes (5), and the plating is structured to create electrical connections (4). The insulation layer (3) is provided with a glass coating.
摘要翻译：在用于与电子元件（2）的手段在衬底上制造半导体器件，特别是半导体结构的本发明的方法（1）产生的表面结构或形貌，电子部件（2）或在基板上多个电子元件（1）被应用，并且的绝缘层（3）由所述至少一个部件（2）（1）地形应用于生成的对在基板上。随后Ankontaktierungsöffnungen（5）的接触点处的绝缘层（3）在（8,9）中产生的至少一个电子部件的，绝缘层（3）和所述接触点（8,9）在Ankontaktierungsöffnungen（5）金属化平面的，并且所述金属化构造成产生电连接（4），其中所述绝缘层（3）的玻璃涂层。

10. 发明申请

WO2007003227A1 HARDWARESCHUTZ IN FORM VON ZU HALBSCHALEN TIEFGEZOGENEN LEITERPLATTEN 审中-公开
标题翻译：一半的形式的硬件保护，果皮深拉LEITERPLATTEN
公开(公告)号：WO2007003227A1
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：PCT/EP2005/053110
申请日：2005-06-30
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , WEIDNER, Karl , WIMMER, Anton
发明人： WEIDNER, Karl , WIMMER, Anton
IPC分类号： G06F21/00 , H05K1/02
CPC分类号： H05K1/0275 , G06F21/86 , H05K1/0268 , H05K1/0284 , H05K1/144 , H05K2201/10151
摘要： Ein Hardwareschutz für eine zu schützende Schaltung enthält ein Substrat, das einen zurückspringenden zentralen Bereich aufweist, der von vorspringenden Bereichen umgeben ist. Dadurch ist der Hardwareschutz insbesondere halbschalenförmig ausgestaltet. Weiterhin verfügt der Hardwareschutz über anund/oder in dem Substrat angeordnete Leiterstrukturen zum Detektieren eines Zugriffs auf die zu schützende Schaltung.
摘要翻译：要被保护的电路硬件保护包括具有凹陷的中央区域，这是由突出部分包围的衬底。从而，硬件的保护是特别壳形。此外，硬件保护已安德/或用于检测的电路的访问被保护布置在基板的导体图案。

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