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    • 1. 发明申请
    • 超伝導加速器
    • 超级加速器
    • WO2017002389A1
    • 2017-01-05
    • PCT/JP2016/054710
    • 2016-02-18
    • 三菱重工メカトロシステムズ株式会社
    • 原 博史仙入 克也
    • H05H9/00H05H7/22
    • H05H7/22H05H9/00
    • 超伝導加速器は、超伝導状態で荷電粒子ビームを加速する空間を形成する加速空洞と、加速空洞の外周側に配置され、加速空洞との隙間に加速空洞を冷却する冷媒が充填される冷媒槽(11)と、を備える。超伝導加速器は、冷媒槽(11)の外周部に設けられ、加速空洞における荷電粒子ビームのビーム軸方向の両端部、またはビーム軸方向に直交する方向の両端部にそれぞれ設けられた一対の押圧部材(21)を更に備える。超伝導加速器は、冷媒槽(11)の外周部に連続して設けられ、一対の押圧部材(21)同士を接近させる方向の張力を発生するワイヤー(22)と、ワイヤー(22)で発生する張力を調整する張力調整部(25)を更に備える。
    • 该超导加速器包括:加速腔,其形成带电粒子束在超导状态下加速的空间; 以及设置在加速腔的外周侧并且用于冷却加速腔的制冷剂填充到加速腔的间隙中的制冷剂容器(11)。 超导加速器还包括一对按压构件(21),其设置在制冷剂容器(11)的外周部分上,并且分别设置在加速腔中的束流轴方向上的带电粒子束的两端部 或者在与光束轴方向正交的方向上的两个端部。 超导加速器还包括:线(22),连续地设置在制冷剂容器(11)的外周部分上,并且在使一对按压部件(21)彼此靠近的方向上产生张力; 以及调节由所述线(22)产生的张力的张力调节部(25)。
    • 6. 发明申请
    • 荷電粒子加速器および荷電粒子の加速方法
    • 充电颗粒加速器和加速填充颗粒的方法
    • WO2013002303A1
    • 2013-01-03
    • PCT/JP2012/066477
    • 2012-06-28
    • 株式会社Quan Japan古久保 雄二
    • 古久保 雄二
    • H05H15/00H05H5/03H05H7/22H05H9/00
    • H05H7/22H05H9/042
    •  加速電極管T 1 の前後に、接地されたダミー電極管DT 1 ,DT 2 を配置する。加速電極管T 1 には、高電圧直流電源P1の陰極がスイッチング素子SWR 1 を介して接続されている。また、加速電極管T 1 には、高電圧直流電源P2の陽極がスイッチング素子SWF 1 を介して接続されている。さらに、加速電極管T 1 は、コンデンサCの一方の電極に接続されており、コンデンサCの他方の電極は接地されている。加速電極管T 1 、高電圧直流電源P1、及びコンデンサCを含む回路は一次遅れ系となっている。イオンビームがギャップGD 1 を通過する間には、ギャップGD 1 に時間的に変化しない加速電界が形成され、イオンビームがギャップGD 2 を通過する間には、ギャップGD 2 に時間的に強さが増大する加速電界が形成される。
    • 接地的虚拟电极管(DT1,DT2)布置在加速电极管(T1)的前后。 高压直流电源(P1)的负极通过开关元件(SWR1)与加速电极管(T1)连接。 高压直流电源(P2)的正极通过开关元件(SWF1)与加速电极管(T1)连接。 加速电极管(T1)也连接到电容器(C)的一个电极,电容器(C)的另一个电极接地。 包括加速电极管(T1),高压直流电源(P1)和电容器(C)的电路形成一阶滞后系统。 当离子束通过间隙(GD1)时,在间隙(GD1)中形成不随时间变化的加速电场,当离子束通过间隙(GD2)时,强度为 在间隙(GD2)中形成随时间的增加。
    • 7. 发明申请
    • 外導体製造方法
    • 制造外导体的方法
    • WO2011125511A1
    • 2011-10-13
    • PCT/JP2011/057124
    • 2011-03-24
    • 三菱重工業株式会社人見 晴樹仙入 克也原 博史
    • 人見 晴樹仙入 克也原 博史
    • H05H7/20B21D51/10B21D53/00
    • H05H7/02B21D22/20B21D51/16H05H7/20H05H7/22H05H2007/227Y10T29/49117
    •  安価に、かつ、材料を節約して高調波カプラの外導体を製造する外導体製造方法を提供する。一端面が開放された筒状の本体部(15)と、本体部(15)の側部に貫通するように形成されたポート部(17)と、本体部(15)の他端面の外部に形成された突起部(21)と、を備える超伝導加速空洞における高調波カプラの外導体(13)を製造する外導体製造方法であって、金属板を深絞り加工し、本体部(15)を形成する深絞り工程と、形成された本体部(15)につば出し加工し、ポート部(17)を形成するポート部形成工程と、本体部(15)の外形を機械加工し、整える第一機械加工工程と、を備えている。
    • 公开了一种制造外导体的方法,其中高频耦合器的外导体被廉价地制造,并且不使用太多的材料。 制造外导体的方法是用于制造超导加速腔的高频耦合器的外导体(13),其中外导体(13)设置有:具有一个的圆筒形主体部分(15) 端面打开; 形成在主体部分(15)的侧部以便穿过其中的端口部分(17); 以及形成在所述主体部(15)的另一端面的外侧的突出部(21)。 外导体的制造方法具有:深冲压金属板的深拉拔工序,形成主体部(15)。 用于将凸缘加工到成形体部分(15)上的端口部分形成工艺,以形成端口部分(17); 以及用于对身体部分(15)的外部形状进行机械加工并且整理外部形状的第一机器加工过程。
    • 8. 发明申请
    • STRAHLLAGEMONITOR FÜR ELEKTRONEN-LINEARBESCHLEUNIGER
    • 光束位置监测直线加速器电子
    • WO2011015609A2
    • 2011-02-10
    • PCT/EP2010/061376
    • 2010-08-04
    • TRUMMER, Stefan
    • TRUMMER, Stefan
    • H05H7/22
    • H05H7/22
    • Elektronenlinearbeschleuniger werden zur Erzeugung von Röntgenstrahlung für die Tumorbehandlung eingesetzt. Eine effiziente Tumorbestrahlung kann nur sichergestellt werden wenn der Elektronenstrahl exakt geführt wird und somit das erforderliche Dosisprofil appliziert wird. Die Ablage von der Idealbahn des Elektronenstrahls wird über sogenannte Strahllagemonitore gemessen und dann über Magnete korrigiert. Erfindungsgemäß wird die Ablage des Elektronenstrahls in einer Driftröhre des Linearbeschleunigers gemessen, wobei die auszukoppelnde Welle einen Frequenzbereich aufweist, der ein Vielfaches der Grundfrequenz des Beschleunigungsfeldes entspricht. Es werden Koppelsonden, ein mischerbasierdes Empfangskonzept mit hoher Dynamik und Empfindlichkeit, ein Verfahren zur Auswertung der Messsignale und ein Kalibrationsverfahren zur Herauskalibrierung von Nichtlinearitäten angegeben. Störende Einflüsse durch das Beschleunigungsfeld werden durch das erfindungsgemäße Messverfahren und den auszuwertenden Frequenzbereich minimiert. Die hohen Auswertefrequenzen ermöglichen dabei auch geometrisch kleine Koppelsonden, die man in eine Driftröhre, in der sich nur das auszuwertende Feld des Elektronenstrahls befindet, einführen kann.
    • 电子直线加速器被用于对肿瘤治疗的产生X射线辐射。 如果电子束被精确地引导,因此所需的Dosispro?L施加EF?Cient肿瘤辐射只能得到保证。 电子束的理想的路径的托盘由所谓的光束位置监测器测得的,然后通过磁体装置校正。 他?Ndungsgemäß的电子束的沉积在直线加速器的漂移管,其中该轴具有被耦合出,其对应于所述加速场的基本频率的倍数的频率范围进行测定。 给出耦合探针,具有很高的动态性和的Emp?光敏性,用于评估的测量信号和用于校准出非线性的校正方法的方法的mischerbasierdes接收概念。 一个令人不安?OWS是通过最小化它?Ndungsgemäße测量方法和评价由加速度场频域。 高Auswertefrequenzen允许它在一个漂移管几何小的耦合探针NDS其中仅电子束的求值的字段是?,可以介绍。
    • 10. 发明申请
    • HIGH GRADIENT MULTILAYER VACUUM INSULATOR
    • 高级多层真空绝缘子
    • WO2010019616A2
    • 2010-02-18
    • PCT/US2009/053470
    • 2009-08-11
    • LAWRENCE LIVERMORE NATIONAL SECURITY, LLC
    • HARRIS, John RichardsonSANDERS, David M.HAWKINS, Steven A.FALABELLA, Steven
    • H05H7/22
    • H05H7/22
    • A high gradient multilayer vacuum insulator (HGI) with increased resistance to vacuum arcing to improve electrical strength. In an exemplary embodiment, the HGI includes a plurality of conductive and dielectric layers stacked in alternating arrangement so that the edges of the layers together form a vacuum-insulator interface and the stack has an overall length L s . The dielectric layers each have a thickness I that is less than (see formulae) where I t It is the transitional dielectric layer thickness below which failure of the vacuum insulator is by vacuum arcing, E BD is the breakdown field required to initiate vacuum arcing across one of said dielectric layers, and E M is the breakdown field required to initiate surface flashover across a monolithic dielectric material of length L s .
    • 高梯度多层真空绝缘子(HGI)具有提高的抗真空电弧强度以提高电气强度。 在示例性实施例中,HGI包括以交替布置堆叠的多个导电和电介质层,使得这些层的边缘一起形成真空 - 绝缘体界面,并且堆叠具有总长度Ls。 电介质层各自具有小于(参见公式)的厚度I其中I t是过渡介电层厚度,低于绝缘体的真空电弧故障时,EBD是通过一个引发真空电弧所需的击穿场 的电介质层,EM是在长度为Ls的整体电介质材料上引发表面闪络所需的击穿场。