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热词
    • 7. 发明申请
    • LICHTQUELLE
    • 光源
    • WO2004097946A2
    • 2004-11-11
    • PCT/DE2004/000800
    • 2004-04-15
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBHBOGNER, GeorgGRÖTSCH, Stefan
    • BOGNER, GeorgGRÖTSCH, Stefan
    • H01L33/00
    • H01L33/58G03B21/2033G03B21/208H04N9/3152H04N9/3164
    • Die Erfindung bezieht sich auf eine Lichtquelle, insbesondere eine Projektionslichtquelle für ein Projektionssystem, mit einer Vielzahl von Halbleiterchips und mindestens zwei, bevorzugt drei verschiedenen, elektromagnetische Strahlung emittierenden Chipsorten mit unterschiedlichen Emissionsspektren, wobei jeder Halbleiterchip eine Chipauskoppelfläche aufweist, durch die Strahlung ausgekoppelt wird. Desweiteren weist die Lichtquelle eine Vielzahl von Primäroptikelementen auf, wobei jedem Halbleiterchip ein Primäroptikelement zugeordnet ist, das jeweils einen Lichteingang und einen Lichtausgang aufweist und durch das die Divergenz zumindest eines Teils der von dem Halbleiterchip bei dessen Betrieb emittierten Strahlung verringert wird. Die Halbleiterchips sind mit den Primäroptikelementen in mindestens zwei örtlich voneinander getrennten Gruppen angeordnet, so dass die Gruppen bei Betrieb der Halbleiterchips separate Lichtkegel aussenden. Die separaten Lichtkegel der Gruppen werden mittels einer Sekundäroptik zu einem gemeinsamen Lichtkegel überlagert.
    • 本发明涉及一种光源,特别是投影光源的投影系统具有至少两个,优选三个多个半导体芯片,并且电磁辐射发射具有不同发射光谱,其中,每个半导体芯片具有芯片输出芯片位置,被辐射耦合输出。 此外,所述光源中的各种主光学元件,其中每个半导体芯片被分配一个主光学元件,其每一个具有光输入端和光输出,并通过它们的辐射的操作期间从半导体芯片发射的光的至少一部分的发散减小。 半导体芯片被布置成在至少两个局部地分开的组的主光学元件,使得该组中的半导体芯片的工作期间发射单独的光锥。 组的单独的光锥被叠加由二次光学器件的装置,以形成光的一个共同的光束。
    • 10. 发明申请
    • SEMICONDUCTOR LASER CHIP AND INFRARED EMITTER COMPONENT
    • 半导体激光器芯片和红外线发射器组件
    • WO1997004509A2
    • 1997-02-06
    • PCT/DE1996001295
    • 1996-07-16
    • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFTBOGNER, GeorgBRUNNER, HerbertHAAS, HeinzLUFT, JohannNIRSCHL, ErnstSPAETH, WernerSTATH, NorbertTEICH, Wolfgang
    • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
    • H01S03/025
    • H01L33/54H01L2224/48091H01L2224/48247H01L2933/0091H01S5/02228H01S5/02244H01S5/02292H01S5/0425H01S5/3428H01L2924/00014
    • The invention relates to an infrared emitter component with a commercial light-emitting diode (LED) package (11) which has two electrode terminals (13, 14), one of which has a well-shaped reflector (12), and which has an optically transparent, electrically nonconductive encapsulating material (16). The invention provides that a semiconductor laser chip (1) is mounted in the well-shaped reflector (12) of the LED package. The semiconductor laser chip (1) has a quantum-well structure, especially with a strained-layer structure, for example MOVPE epitaxial layers with the layer sequence GaAlAs-InGaAs-GaAlAs. The optically transparent, electrically nonconductive material (16) of the LED package (11) may incorporate a diffuser material (17) which in terms of type and concentration is structured and introduced so as to produce, in conjunction with the semiconductor laser chip (1) encapsulated in the LED package (11), a radiation characteristic or an enlargement of the effective emission surface that is comparable to that of a commercial infrared LED.
    • 本发明涉及一种具有商业Lumineszenzdioden-(LED)封装的红外发射装置,包括两个电极端子(13,14),其中具有一个槽形反射器(12),并且所述壳体(11) 包括一个光学透明的,不导电的密封剂(16)。 根据本发明,它提供了在Lumineszenzdioden-(LED)壳体的槽形反射器(12)以及(11),半导体激光芯片(1)被附接。 半导体激光芯片(1)具有量子阱结构,特别是具有gestrainten层结构,例如,与所述层序列GaAlAs系的InGaAs-GaAlAs的MOVPE的外延层。 在Lumineszenzdioden-(LED)壳体的光学透明的,非导电材料(16)以及(11),一个结合在其中扩散体材料(17)可以被提供,其目的是在类型和浓度等方面的或引入的被接触 在Lumineszenzdioden-(LED)壳体(11)封装的半导体激光器芯片(1)给出了一个发射或增加有效发射表面,其与该可商购的红外发光二极管的相媲美。