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81. 发明申请

WO2004112113A1 半導体ウエーハの熱処理方法及び熱処理用縦型ボート审中-公开
标题翻译：半导体热处理方法和热处理垂直船
公开(公告)号：WO2004112113A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/007365
申请日：2004-05-28
申请人：信越半導体株式会社 , 速水善範 , 小林武史
发明人：速水善範 , 小林武史
IPC分类号： H01L21/22
CPC分类号： H01L21/67306 , H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67309
摘要：　少なくとも、複数の支柱４と、各支柱の両端部に連結した一対の板材とを有し、前記各支柱に半導体ウエーハを水平に支持するための支持部が設けられている半導体ウエーハの熱処理用縦型ボートであって、前記各支持部のウエーハを支持する面３が、下方に傾斜していることを特徴とする半導体ウエーハの熱処理用縦型ボート１。半導体ウエーハを外周端部から３ｍｍ以内の領域で支持して熱処理を行う。これにより、縦型熱処理装置により半導体ウエーハを熱処理する際、ウエーハの裏面に、その後の露光工程に影響するようなキズが発生するのを効果的に防止することができる半導体ウエーハの熱処理方法及び熱処理用縦型ボートが提供される。
摘要翻译：用于热处理半导体晶片的垂直船（1）至少具有柱（4）和连接到每个柱的两端的一对板构件。每个柱具有用于支撑水平半导体晶片的支撑部分。船（1）的特征在于，用于支撑每个支撑部分的晶片的表面（3）向下倾斜。还公开了一种用于对半导体晶片进行热处理的方法，其中每个半导体晶片被支撑在距离边缘3mm以内的部分并进行热处理。因此，当在垂直热处理装置中对晶片进行热处理时，可以防止在晶片背面产生影响后续曝光步骤的任何划痕。

82. 发明申请

WO2004049430A1 複数枚の半導体ウエーハを収容するためのカセット审中-公开
标题翻译：用于存储半导体波形的多个片的CASSETTE
公开(公告)号：WO2004049430A1
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：PCT/JP2002/012313
申请日：2002-11-26
申请人：株式会社ディスコ , 南條雅俊
发明人：南條雅俊
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6838 , H01L21/67309 , H01L21/6732
摘要： A cassette for storing multiple sheets of semiconductor wafers at intervals in vertical direction, comprising multiple sheets of support plates disposed at intervals in vertical direction and partition plates disposed between the support plates, wherein receiving cutouts formed so as to match the shape of a suction device for suckingly holding the semiconductor wafers are formed in the front half parts of the support plates.
摘要翻译：一种用于在垂直方向上间隔地存储多片半导体晶片的盒，包括设置在所述支撑板之间的间隔设置的多片支撑板和设置在所述支撑板之间的隔板，其中，接收形成为与吸引装置的形状相匹配的切口为了吸引保持半导体晶片，形成在支撑板的前半部分。

83. 发明申请

WO2004003995A1 基板処理装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：基板处理装置及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2004003995A1
公开(公告)日：2004-01-08
申请号：PCT/JP2003/008097
申请日：2003-06-26
申请人：株式会社日立国際電気 , 尾崎貴志 , 寿崎健一
发明人：尾崎貴志 , 寿崎健一
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67309 , C23C16/4401 , C23C16/4583 , C23C16/4584 , H01L21/67098 , H01L21/67253 , Y10S269/903 , Y10T29/49126
摘要：ボート（２１）の保持溝（２５）の受け皿部（２６）の中央部にウエハ（１）を受ける支持部（２８）を突設しておき、ウエハ（１）が支持部（２８）に受けられて整列されたボート（２１）が待機室（３３）から処理室（１４）へボートローディングされる際に、待機室（３３）と処理室（１４）の圧力を２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下に設定する。ウエハを支持部で受け皿部から浮き上げて保持することで、減圧下で支持部とウエハの被保持面との間に大きな摩擦力が発生してウエハの被膜が剥離しても、剥離によるパーティクルは受け皿部で受け止められるため、受け皿部直下のウエハのＩＣ作り込み面にパーティクルが付着するのを防止できる。
摘要翻译：用于接收晶片（1）的支撑部分（28）凸形地形成在船（21）的每个保持槽（25）的接收部分（26）的中间。在船舶（21）的船舶装载时，分别由支撑部分（28）接收的晶片（1）对准的船（21）从待机室（33）到处理室（14）的压力在待机室（33）和处理室（14）中设定为不低于200Pa且不大于3000Pa。通过使用支撑部分保持从接收部件提升的晶片，涂覆颗粒，由于在减压下在支撑部分和晶片的支撑区域之间产生的大的摩擦力可以与晶片分离，被接收部分接收并且防止粘附到晶片的表面正下方接收要制造IC的部件。

84. 发明申请

WO2004001835A1 熱処理装置、基板の製造方法及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：热处理设备及制造基板和半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2004001835A1
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：PCT/JP2003/007723
申请日：2003-06-18
申请人：株式会社日立国際電気 , 中嶋定夫 , 島田智晴 , 石黒謙一 , 諸橋明
发明人：中嶋定夫 , 島田智晴 , 石黒謙一 , 諸橋明
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67309 , H01L21/324
摘要：　本発明は、熱処理中に発生するシリコンウェハ又は石英基板の傷発生を少なくし、シリコンウェハのスリップラインの発生を抑制し、シリコンウェハの反りを抑制し、もって高品質な基板又は半導体デバイスを製造することを課題としている。　本発明において、基板支持体３０は、複数の支柱３８から構成された本体部５６を有する。この本体部５６に形成された載置部６０には、基板６８と接触する支持部５８が設けられている。この支持部５８は、表面が基板６８へ突出する曲面となっており、且つ内部に空間を有するように薄膜から形成されている。基板６８を支持する際には弾性変形し、基板６８を面でもって支持すると共に、基板６８の変形に対応して弾性変形する。
摘要翻译：热处理设备及其制造方法，通过减少热处理时硅晶片或石英基板上的划痕发生，抑制硅晶片上的滑移线的发生，抑制高质量的基板和高质量的半导体装置的制造所述设备包括具有由多个柱（38）形成的主体部分（56）的基板支撑体（30），其中与所述基板（68）接触的支撑部分（58）具有向基板（68）突出的弯曲表面，由薄膜形成，以便在支撑基板（68）的基板（68）的表面上时提供空间，弹性变形，并且根据基板（68）的形状发生弹性变形基板（68）安装在形成在主体部（56）上的放置部（60）上。

85. 发明申请

WO2003030219A2 HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR MULTIPLE SEMICONDUCTOR SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：用于多个半导体基板的高压加工室
公开(公告)号：WO2003030219A2
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/US2002/031710
申请日：2002-10-03
申请人： SUPERCRITICAL SYSTEMS INC.
发明人： BIBERGER, Maximilian, A. , LAYMAN, Frederick, P.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67303 , B08B7/0021 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/67309
摘要： A high pressure processing chamber for processing multiple semiconductor substrates I comprises a chamber housing, a cassette, and a chamber closure. The cassette is removably coupled to the chamber housing. The cassette is configured to accommodate at least two semiconductor substrates. The chamber closure is coupled to the chamber housing. The chamber closure is configured such that in operation the chamber closure seals with the chamber housing to provide an enclosure for high pressure processing of the semicon ductor substrates.
摘要翻译：用于处理多个半导体衬底I的高压处理室包括腔室壳体，盒子和腔室封闭件。盒可移除地联接到室壳体。盒被配置成容纳至少两个半导体衬底。腔室封闭件联接到腔室壳体。腔室闭合构造成使得在操作中，腔室封闭件与腔室壳体密封以提供用于半导体衬底基底的高压处理的外壳。

86. 发明申请

WO02033743A1 WAFER HOLDER, WAFER SUPPORT MEMBER, WAFER HOLDING DEVICE, AND HEAT TREATING FURNACE 审中-公开
标题翻译：滚筒支架，滚筒支架，滚筒保持装置及热处理炉
公开(公告)号：WO02033743A1
公开(公告)日：2002-04-25
申请号：PCT/JP2001/009081
申请日：2001-10-16
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/687 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/6875 , H01L21/67309 , H01L21/68785
摘要： An inexpensive wafer holder, a wafer support member, a wafer holding device, and a heat treating furnace capable of sufficiently suppressing a slip from occurring without impairing a productivity in the high temperature heat treatment of silicon wafers; the wafer holder, comprising a wafer support plate and three or more wafer support members having wafer support parts disposed on the wafer support plate, characterized in that at least one of the wafer support members is a movable support member formed so as to have a plurality of projected wafer support parts on the upper surface thereof and to have a structure movable relative to the wafer support plate, and that a wafer is supported by four or more wafer support parts.
摘要翻译：能够充分抑制滑动而不损害硅晶片的高温热处理的生产率的便宜的晶片保持架，晶片支撑部件，晶片保持装置和热处理炉; 所述晶片保持器包括晶片支撑板和具有设置在所述晶片支撑板上的晶片支撑部分的三个或更多个晶片支撑部件，其特征在于，所述晶片支撑部件中的至少一个是形成为具有多个投影的晶片支撑部件在其上表面上并具有可相对于晶片支撑板移动的结构，并且晶片由四个或更多个晶片支撑部分支撑。

87. 发明申请

WO00048244A1 DEVICE AND METHOD FOR HEAT-TREATING WAFER 审中-公开
标题翻译：用于加热处理的设备和方法
公开(公告)号：WO00048244A1
公开(公告)日：2000-08-17
申请号：PCT/JP2000/000747
申请日：2000-02-10
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/22 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L21/673 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67309
摘要： Issues: A device and method for heat-treating a wafer which can restrain a stress to be caused by the self-weight of a wafer when the wafer is increased in diameter and in treating temperature, which can be less susceptible to a thermal stress effect, and which can prevent slippage at contact portions between the wafer and a wafer boat when heat-treated in a vertical diffusion furnace and a vertical vapor growth furnace to eliminate effects on device characteristics by the slippage and significantly enhance a yield of the device. Solutions: A wafer boat (3) for a vertical furnace which disposes a plurality of vertical columns (4), and which places wafers (2) respectively on generally planar column supports (41) provided at preset intervals at these columns (4), wherein columns (4b, 4c) in the front-most row in a wafer receiving direction have a bow shape or partially bow shape at the cross-sections of column bodies (40b, 40c), and the column supports (41b, 41c) are provided at the front ends of the column bodies (40b, 40c) in the wafer receiving direction.
摘要翻译：问题：一种用于对晶片进行热处理的装置和方法，其可以在晶片直径增大和处理温度下抑制由晶片的自重引起的应力，该温度可能不太受热应力影响并且当在垂直扩散炉和垂直蒸气生长炉中进行热处理时，可以防止在晶片和晶片舟皿之间的接触部分处的滑动，以消除滑移对装置特性的影响并显着提高装置的产量。解决方案：用于立式炉的晶片舟（3），其配置多个垂直柱（4），并且将晶片（2）分别放置在在这些柱（4）处以预定间隔设置的大致平面的列支撑件（41）上，其中晶片接收方向最前排的列（4b，4c）在列体（40b，40c）的横截面处具有弓形或部分弓形，柱支撑件（41b，41c）为设置在晶片接收方向上的柱体（40b，40c）的前端。

88. 发明申请

WO00021119A1 AN APPARATUS FOR HOLDING A SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
标题翻译：用于半导体晶片的支撑装置
公开(公告)号：WO00021119A1
公开(公告)日：2000-04-13
申请号：PCT/US1999/021554
申请日：1999-09-17
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/67309 , Y10S206/832 , Y10S269/902 , Y10S269/904 , Y10S269/909 , Y10S414/135 , Y10S414/141 , Y10T29/49996
摘要： An apparatus for holding a plurality of semi-conductor wafers during heat treatment of the wafers in a furnace comprises a plurality of rails extending essentially vertically between a top and bottom plate. Each rail contains a plurality of teeth arranged such that the space between adjacent teeth can receive a portion of a single semiconductor wafer. Each tooth contains a raised support structure, typically a ledge, located on the top surface of each tooth for supporting the wafer, usually from the edge of the wafer inward to a point located from the center of the wafer a distance equal to between about 25 % and about 75 % of the wafer's radius. Such an apparatus with its relatively long teeth is especially designed to uniformly support larger wafers, i.e., wafers having a nominal diameter greater than about 200 millimeters, such that their own weight does not cause the wafers to sag and thereby produce crystal dislocations or slip when the wafers are heated to high temperatures.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在烘箱中对晶片进行热处理期间支撑多个半导体晶片的装置。该装置包括在上板和下板之间基本垂直延伸的多个立柱。每个立柱包括多个齿，所述多个齿布置成使得两个相邻齿之间的空间可以接收单个半导体晶片的一部分。每颗牙齿包括位于每颗牙齿上表面上的凸起支撑结构，通常为凸缘。该结构通常将晶片从其边缘支撑到远离中心的点上，晶片半径的25％和75％之间。这种牙齿较长的装置专门设计用于均匀支撑大切片，例如标称直径超过200毫米的切片，因此其自重不会导致向下弯曲。当切片加热到高温时引起位错或晶体滑移。

89. 发明申请

WO1998000860A1 METHOD AND DEVICE FOR HEAT-TREATING SINGLE-CRYSTAL SILICON WAFER, SINGLE-CRYSTAL SILICON WAFER, AND PROCESS FOR PRODUCING SINGLE-CRYSTAL SILICON WAFER 审中-公开
标题翻译：用于加热单晶硅波片，单晶硅波片的方法和装置，以及用于生产单晶硅波片的方法和装置
公开(公告)号：WO1998000860A1
公开(公告)日：1998-01-08
申请号：PCT/JP1997002232
申请日：1997-06-27
申请人： SUMITOMO SITIX CORPORATION , ADACHI, Naoshi , HISATOMI, Takehiro , SANO, Masakazu
发明人： SUMITOMO SITIX CORPORATION
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67303 , H01L21/3225 , H01L21/324 , H01L21/67309 , Y10S206/832 , Y10S206/833 , Y10T117/1016
摘要： A method for heat-treating a single-crystal silicon wafer by which the number of single-crystal silicon wafers treated in a single heat-treating process is increased and, at the same time, dislocation and slip in a high-temperature heat-treating atmosphere are suppressed at the time of performing various kinds of heat treatment, such as a diffusion heat treatment for forming a DZ layer, a treatment for generating and controlling BMD for giving the IG ability, a heat treatment for improving the withstand voltage of an oxide film by eliminating COP defects on and in the wafers. The wafers are divided into groups of about 10 wafers, the wafers of each group are stacked, and a plurality of groups of wafers are placed horizontally or in a state that the wafers are inclined slightly by an angle of 0.5-5 DEG on a boat which supports the wafers at a plurality of points on the outer peripheries of the wafers. Therefore, as shown in embodiments, various kinds of heat treatment can be applied to the wafers and the wafers are heat-treated uniformly, because dislocation and slip of the wafers are prevented.
摘要翻译：在单一的热处理工序中处理的单晶硅晶片的数量增加的单晶硅晶片的热处理方法增加，同时在高温热处理中发生位错和滑动在进行DZ层的扩散热处理，赋予IG能力的BMD的生成和控制处理等的各种热处理时抑制气氛，提高氧化物的耐电压的热处理通过消除晶片上的和在晶片中的COP缺陷来形成膜。将晶片分成约10个晶片的组，每个组的晶片被堆叠，并且多个晶片组水平放置或者在晶片在船上稍微倾斜0.5-5°的角度的状态其在晶片的外周上的多个点处支撑晶片。因此，如实施例所示，可以对晶片进行各种热处理，并且由于晶片的位错和滑动被阻止，因此均匀地对晶片进行热处理。

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