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1. 发明申请

WO2004001835A1 熱処理装置、基板の製造方法及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：热处理设备及制造基板和半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2004001835A1
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：PCT/JP2003/007723
申请日：2003-06-18
申请人：株式会社日立国際電気 , 中嶋定夫 , 島田智晴 , 石黒謙一 , 諸橋明
发明人：中嶋定夫 , 島田智晴 , 石黒謙一 , 諸橋明
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67309 , H01L21/324
摘要：　本発明は、熱処理中に発生するシリコンウェハ又は石英基板の傷発生を少なくし、シリコンウェハのスリップラインの発生を抑制し、シリコンウェハの反りを抑制し、もって高品質な基板又は半導体デバイスを製造することを課題としている。　本発明において、基板支持体３０は、複数の支柱３８から構成された本体部５６を有する。この本体部５６に形成された載置部６０には、基板６８と接触する支持部５８が設けられている。この支持部５８は、表面が基板６８へ突出する曲面となっており、且つ内部に空間を有するように薄膜から形成されている。基板６８を支持する際には弾性変形し、基板６８を面でもって支持すると共に、基板６８の変形に対応して弾性変形する。
摘要翻译：热处理设备及其制造方法，通过减少热处理时硅晶片或石英基板上的划痕发生，抑制硅晶片上的滑移线的发生，抑制高质量的基板和高质量的半导体装置的制造所述设备包括具有由多个柱（38）形成的主体部分（56）的基板支撑体（30），其中与所述基板（68）接触的支撑部分（58）具有向基板（68）突出的弯曲表面，由薄膜形成，以便在支撑基板（68）的基板（68）的表面上时提供空间，弹性变形，并且根据基板（68）的形状发生弹性变形基板（68）安装在形成在主体部（56）上的放置部（60）上。

2. 发明申请

WO2004030073A1 熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法审中-公开
标题翻译：热处理系统，制造半导体器件的工艺和生产衬底的工艺
公开(公告)号：WO2004030073A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/JP2003/012353
申请日：2003-09-26
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 石黒謙一 , 中嶋定夫
发明人：中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 石黒謙一 , 中嶋定夫
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67306 , H01L21/67098 , H01L21/67309
摘要：　熱処理中に発生する基板のスリップ転位欠陥発生を少なくし、高品質な半導体装置を製造することができる熱処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法を提供することを目的としている。　基板支持体３０は、本体部５６と支持部５８とから構成されている。本体部５６は、多数の載置部６６が平行に延び、この載置部６６に支持部５８が設けられている。この支持部５８に基板６８が載置される。支持部５８は、基板平坦面の面積よりも面積が小さく、前記基板の厚さよりも厚いシリコン製の板から構成されており、熱処理中の変形が小さくなるようにしてある。また、支持部５８は、シリコン製であり、支持部５８の基板載置面には炭化珪素（ＳｉＣ）がコーティングされた層が形成されている。
摘要翻译：热处理系统，半导体器件的制造工艺和制造基板的方法，其中可以通过减少在热处理期间在基板中发生的滑移位错缺陷来制造高质量的半导体器件。衬底支撑件（30）包括主体部分（56）和支撑部件（58）。主体部（56）具有大量平行延伸的安装部（66），支撑部（58）设置在安装部（66）上。基板（68）安装在支撑部件（58）上。每个支撑部分（58）由具有比基板的平面的面积小于衬底的面积的硅板制成，并且其热变形（58）在热处理期间保持减小。支撑部分（58）由硅组成，并且在支撑部分（58）的基板安装表面上形成碳化硅（SiC）涂覆层。

3. 发明申请

WO2005069361A1 熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理装置
公开(公告)号：WO2005069361A1
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/JP2005/000651
申请日：2005-01-20
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 諸橋明 , 山▲崎▼ 恵信 , 中嶋定夫
发明人：中村直人 , 中村巌 , 島田智晴 , 諸橋明 , 山▲崎▼ 恵信 , 中嶋定夫
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67303 , H01L21/324 , H01L21/67309
摘要：支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる熱処理装置を提供する。熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で複数枚の基板７２を複数段に支持する支持具３０とを有する。この支持具３０は、基板７２と接触する複数の支持板５８と、この複数の支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持板５８と支持片６６が厚さ方向の少なくとも一部において重なるように構成される。
摘要翻译：一种热处理装置，其中由支撑体支撑的基板之间的间隔减小，使得可以增加待处理的基板的数量。热处理装置（10）具有用于处理基板（72）的反应炉（40）和用于在反应炉（40）中多级支撑基板（72）的支撑件（30）。支撑件（30）具有与用于支撑支撑板（58）的基板（72）和支撑构件（66）接触的支撑板（58）。支撑板（58）和支撑构件（66）在厚度方向的至少一部分上彼此叠置。

4. 发明申请

WO2006104072A1 熱処理装置及び基板の製造方法审中-公开
标题翻译：热处理装置和基板制造方法
公开(公告)号：WO2006104072A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/306086
申请日：2006-03-27
申请人：株式会社日立国際電気 , 諸橋明 , 中嶋定夫 , 中村巌 , 山▲崎▼ 恵信 , 笹島亮太
发明人：諸橋明 , 中嶋定夫 , 中村巌 , 山▲崎▼ 恵信 , 笹島亮太
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/67109
摘要：高精度なプロセス処理および高い安全性を実現することができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供する。熱処理装置１０は、基板を処理する反応管４２と、反応管４２を支持するマニホールド４４と、反応管４２の周囲に設けられ反応管４２内を加熱するヒータ４６とを有し、反応管４２とマニホールド４４は、連続した平面同士が接触することにより当接しており、反応管４２とマニホールド４４との当接部を外部から覆うようにカバー部材７２が設けられ、カバー部材７２には、カバー部材７２と反応管４２とマニホールド４４との間に形成される空間部７４に連通するガス供給ポート７６及び排気ポート７８の少なくとも一方が設けられている。
摘要翻译：提供了能够实现高精度处理和高安全性的热处理装置和基板制造方法。热处理装置（10）包括用于处理基板的反应饼（42），用于支撑反应管（42）的歧管（44）和布置在反应管（42）周围的加热器（46），以便加热反应管（42）的内部。反应管（42）通过连续平面的接触与歧管（44）邻接。反作用管（42）和歧管（44）之间的邻接部分被覆盖件（72）覆盖。盖构件（72）具有与盖构件（72），反应管（42）之间形成的空间（74）连通的气体供给口（76）和排气口（78）中的至少一个，歧管（44）。

5. 发明申请

WO2005031843A1 熱処理装置及び基板の製造方法审中-公开
标题翻译：热处理装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2005031843A1
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：PCT/JP2004/014071
申请日：2004-09-27
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村巌 , 中村直人 , 中嶋定夫 , 笹島亮太
发明人：中村巌 , 中村直人 , 中嶋定夫 , 笹島亮太
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02164 , H01L21/31662 , H01L21/324
摘要：　本発明は、熱処理中に発生する基板の傷及びスリップ発生を少なくし、高品質な半導体装置や基板を製造することができる熱処理装置及び基板の製造方法を提供することを目的とする。基板７２を支持する支持具３０は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）からなり、この支持具３０の少なくとも基板７２と接触する部分にはシリコン酸化膜７４が形成されている。シリコン酸化膜７４は、ＯＨ基が含まれ、シリコン酸化膜７４の粘性率を低くしてある。このシリコン酸化膜７４はＯＨ基を含まない雰囲気においてアニール処理が施され、ＯＨ基含有量が少ない薄い膜１０２が形成されるようにしてもよい。
摘要翻译：提供一种能够减少在热处理中可能发生的基板划痕和滑动并能够制造高品质的半导体器件和基板以及制造基板的方法的热处理装置。支撑衬底（72）的支撑工具（30）由碳化硅（SiC）制成。在支撑工具（30）至少与基板（72）接触的部分上形成氧化硅膜（74）。氧化硅膜（74）含有OH基，其粘度降低。在氧化硅膜（74）上，OH基团含量低的薄膜（102）可以通过在无OH基的气氛中退火而形成。

6. 发明申请

WO2005104204A1 熱処理装置审中-公开
标题翻译：热处理装置
公开(公告)号：WO2005104204A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/JP2005/005101
申请日：2005-03-22
申请人：株式会社日立国際電気 , 中村巌 , 中村直人 , 中嶋定夫
发明人：中村巌 , 中村直人 , 中嶋定夫
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67306 , H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67309
摘要：　【課題】突起による傷に起因するスリップと平滑にし過ぎるために発生する凝着力に起因するスリップとの両方の発生を防止する。　【解決手段】ウエハを熱処理する処理室と、処理室でウエハを支持するボートとを備えた熱処理装置において、ボートはウエハと接触するウエハホルダと、ウエハホルダを支持する本体部とを有し、ウエハホルダの直径がウエハの直径の６３～７３％であるとともに、ウエハホルダのウエハと接触する部分の表面粗さＲａが、１μｍ～１０００μｍに設定されている。ウエハの変位量が最小になるようにウエハを支持でき、また、その場合におけるウエハホルダの表面の突起による傷に起因するスリップと、ウエハホルダの表面を平滑にし過ぎた場合に発生する凝着力に起因するスリップとの両方を防止できる。
摘要翻译： [问题]为了防止由于突起而导致的滑动和由于过度平滑引起的粘附产生的滑动。解决问题的手段该热处理装置包括用于对晶片进行热处理的处理室和用于将晶片支撑在处理室中的舟皿。船还包括与晶片接触的晶片保持器和支撑晶片保持器的主体部分。晶片保持器的直径为晶片直径的63〜73％，与晶片接触的晶片保持器的部分的表面粗糙度Ra为1〜1000μm。可以支撑晶片以使得晶片的位移量可以最小化，并且在该状态下，由于晶片保持器表面上的突起的损坏而产生的滑动和由于当晶片保持器的表面上产生的粘附产生的滑动可以防止晶片保持器过度平滑。

7. 发明申请

WO2007116768A1 半導体装置の製造方法及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2007116768A1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：PCT/JP2007/056499
申请日：2007-03-27
申请人：株式会社日立国際電気 , 中嶋定夫 , 前田孝浩 , 前田喜世彦 , 亀田賢治 , 高澤裕真
发明人：中嶋定夫 , 前田孝浩 , 前田喜世彦 , 亀田賢治 , 高澤裕真
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/00
摘要：基板を処理室内に搬入する工程と、形成する薄膜を構成する複数の元素のうちの少なくとも１つの元素を含み、それ単独で膜を堆積させることのできる第１成膜ガス及び前記複数の元素のうちの他の少なくとも１つの元素を含み、それ単独では膜を堆積させることのできない第２成膜ガスを前記処理室内に供給し、基板上に薄膜を形成する工程と、薄膜形成後の基板を前記処理室内より搬出する工程と、前記処理室内および前記第１成膜ガスを供給する供給部内にクリーニングガスを供給するとともに、前記処理室内に供給するクリーニングガスと、前記供給部内に供給するクリーニングガスとの供給流量、濃度、及び種類の少なくともいずれか一つを異ならせて、前記処理室内に付着した第１堆積物、及び前記供給部内に付着し、第１堆積物と化学組成が異なる第２堆積物を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。
摘要翻译：半导体器件制造方法具有将衬底运送到处理室中的步骤; 通过向处理室供应第一成膜气体，在第一成膜气体上形成薄膜，该第一成膜气体包括构成薄膜的多个元素中的至少一个元素，并且可以仅自身沉积膜;以及第二膜形成气体，其包括元件中的至少一个其它元件，并且不能仅自身沉积膜; 从处理室形成基板，从而形成薄膜的步骤; 以及提供处理室的步骤和用于向第一成膜气体供应清洁气体的供应部分，允许清洁气体的供给流量，浓度和类型中的至少一种与清洁气体的供给流量，浓度和类型不同供应到供应部分中，并且去除附着在处理室中的第一沉积材料和附着在供应部分中的第二沉积材料，并且具有与第一沉积材料不同的化学组成。

8. 发明申请

WO2007013355A1 基板処理装置及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：基板加工装置及制造半导体装置的方法
公开(公告)号：WO2007013355A1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/JP2006/314422
申请日：2006-07-20
申请人：株式会社日立国際電気 , 王杰 , 山本隆治 , 中嶋定夫
发明人：王杰 , 山本隆治 , 中嶋定夫
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/67109 , C23C16/4401
摘要：　反応管内で基板を処理する基板処理装置であって、前記反応管は、アウターチューブと、前記アウターチューブの内側に配置されるインナーチューブと、前記インナーチューブを支持する支持部とを有し、前記インナーチューブと前記支持部は石英または炭化珪素からなり、前記支持部と前記インナーチューブとの間に緩衝部材を設けた基板処理装置が開示されている。
摘要翻译：公开了一种用于处理反应管中的基板的基板处理装置。该基板处理装置的反应管包括外管，布置在外管内的内管和用于支撑内管的支撑单元。内管和支撑单元由石英或碳化硅组成，并且缓冲构件设置在支撑单元和内管之间。

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