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11. 发明申请

WO2013095139A2 MAGNETIZATION REVERSAL 审中-公开
标题翻译：磁化反转
公开(公告)号：WO2013095139A2
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/NL2012/050912
申请日：2012-12-21
申请人： RADBOUD UNIVERSITEIT NIJMEGEN
发明人： RASING, Theodorus Henricus Maria , MENTINK, Johan , KIRILYUK, Andrei , KIMEL, Alexey , EVANS, Richard Francis Llewelyn , CHANTRELL, Roy William , OSTLER, Thomas Andrew , BARKER, Joseph
IPC分类号： G11C11/14 , G11C11/16
CPC分类号： H01F13/00 , G11C11/14 , G11C11/16
摘要： The present invention is in the field of a method of magnetization reversal, time stable ferrimagnetic material, a product and a domain comprising said material, a system for magnetization reversal, and information storage. Therein, a ferrimagnetic material is one in which magnetic moments of the atoms on different sublattices are opposed, as in antiferromagnetism; however, in ferrimagnetic materials, the opposing moments are unequal and a spontaneous magnetization remains.
摘要翻译：本发明涉及磁化反转，时间稳定的亚铁磁材料，产品和包括所述材料的领域，用于磁化反转的系统和信息存储的方法领域。其中，铁磁材料是其中不同亚晶格上的原子的磁矩相反的，如反铁磁性; 然而，在亚铁磁材料中，相反的力矩是不相等的，并且自发磁化保持不变。

12. 发明申请

WO2013054098A1 METHOD OF PINNING DOMAIN WALLS IN A NANOWIRE MAGNETIC MEMORY DEVICE 审中-公开
标题翻译：在纳米磁记忆体装置中引导域网的方法
公开(公告)号：WO2013054098A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/GB2012/052493
申请日：2012-10-08
申请人： UNIVERSITY OF YORK
发明人： O'GRADY, Kevin , VALLEJO FERNANDEZ, Gonzalo , HIROHATA, Atsufumi
IPC分类号： G11C19/08 , G11C11/14
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C14/0081 , G11C19/02 , G11C19/0808 , G11C19/0833 , G11C19/085 , G11C19/0875 , H01L43/02 , H01L43/10 , H04L43/02 , H04L43/10
摘要： There is provided a method of pinning domain walls in a magnetic memory device (10) comprising using an antiferromagnetic material to create domain wall pinning sites. Junctions (22) where arrays of ferromagnetic nanowires (16) and antiferromagnetic nanowires (20) cross exhibit a permanent exchange bias interaction between the ferromagnetic material and the antiferromagnetic material which creates domain wall pinning sites. The exchange bias field is between 30 to 3600Oe and the anisotropy direction of the ferromagnetic elements is between 15 to 75° to an anisotropy direction of the antiferromagnetic elements.
摘要翻译：提供了一种在磁存储器装置（10）中钉扎畴壁的方法，包括使用反铁磁材料来产生畴壁钉扎位置。铁磁性纳米线（16）和反铁磁性纳米线（20）交叉排列的结（22）在铁磁材料和反铁磁材料之间呈现永久的交换偏压相互作用，产生畴壁钉扎位置。交换偏压场在30至3600Oe之间，铁磁元件的各向异性方向与反铁磁性元件的各向异性方向成15至75°。

13. 发明申请

WO2012123348A2 MAGNETO-ELECTRONIC COMPONENT, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：磁电子元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2012123348A2
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/EP2012054077
申请日：2012-03-09
申请人： LEIBNIZ INST FUER FESTKOERPER , MAKAROV DENYS , SCHMIDT OLIVER G
发明人： MAKAROV DENYS , SCHMIDT OLIVER G
CPC分类号： G11C11/14 , B82Y40/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0841 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/308 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T29/49155
摘要： The invention relates to the fields of physics and materials science, more particularly to a magneto-electronic component that can be used as a digital memory, for example. The aim of the invention is to design a magneto-electronic component which can be used as a racetrack memory. Said aim is achieved by a magneto-electronic component consisting of an insulating thin film, on which an elongate element made of a magnetic material and electrically conductive contacts are located, and another insulating thin film, said arrangement being jointly rolled up. Said aim is also achieved by a method in which at least one elongate element made of a magnetic material is applied to an insulating thin film, electrical contacts are also applied, and another insulating thin film is applied thereto, the stack of layers being arranged so as to have a strain gradient.
摘要翻译：本发明涉及物理和材料科学的领域，并涉及，因为它可以用作例如数字存储器的磁电子装置。本发明的目的是提供一种磁 - 电子装置，其可被用作赛道存储器。该目的通过由磁电子装置在其上的磁性材料和导电触点的细长元件由绝缘薄膜，和另一个绝缘薄膜实现的，所述装置被一起卷起。该目的是通过在其上的进一步的绝缘性薄膜的至少一个细长元件被沉积由磁性材料，进一步施加的电触头，其中，所述层堆叠被布置施加绝缘薄膜，使得它具有一种方法，还实现有Verspannungsgradienten。

14. 发明申请

WO2012027861A1 MAGNETIC MEMORY CELL 审中-公开
标题翻译：磁记忆体
公开(公告)号：WO2012027861A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/CN2010/001323
申请日：2010-08-31
申请人： CITY UNIVERSITY OF HONG KONG , ANTONIO, Ruotolo
发明人： ANTONIO, Ruotolo
IPC分类号： G11C11/00 , G11B5/00 , H01L43/00
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/02 , G11C11/14 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/18 , H01L27/222 , H01L27/228
摘要： The disclosed subject matter relates to a non- volatile memory bit cell (500 or 600) for solid-state data storage, including, e.g., an elongated magnetic element (102) or "dot". For appropriate geometry and dimensions of the dot, a two-fold, energetically-degenerate micromagnetic configuration (100 or 200) can be stabilized. Such a stable configuration can consist of two magnetic vortices (108 1 , 108 2 ) and a flower state region (110). Due to energy minimization, the flower state region can be off-center (relative to a minor axis (106)) and along the major axis (104) of the dot. An electrical current (302) flowing perpendicular to the plane at, or in proximity to, the dot center can, according to current polarity, switch the configuration or state of the dot between the two specular magnetically stable configurations (e.g., a write operation). Reading of the cell state can be accomplished by using the magnetoresistive effect.
摘要翻译：所公开的主题涉及用于固态数据存储的非易失性存储器位单元（500或600），包括例如细长磁性元件（102）或“点”。对于点的适当几何形状和尺寸，可以稳定两倍的能量退化微磁结构（100或200）。这种稳定的构造可以由两个磁旋涡（1081,1082）和花状态区域（110）组成。由于能量最小化，花状态区域可以偏心（相对于短轴（106））并且沿着点的长轴（104）。根据当前极性，垂直于该点处平面流动的电流（302）可以在两个镜面磁稳定配置（例如，写入操作）之间切换点的配置或状态，。电池状态的读取可以通过使用磁阻效应来实现。

15. 发明申请

WO2012019806A1 VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUR ANREGUNG VON SPINWELLEN IN MAGNETISCHEN FESTKÖRPERN 审中-公开
标题翻译：方法和系统自旋波在磁固体刺激引起
公开(公告)号：WO2012019806A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/EP2011/059667
申请日：2011-06-10
申请人： LEIBNIZ-INSTITUT FÜR FESTKÖRPER- UND WERKSTOFFFORSCHUNG DRESDEN E.V. , SCHÄFER, Rudolf
发明人： SCHÄFER, Rudolf
IPC分类号： G11C13/06 , G11C19/08 , G11B11/105
CPC分类号： G11C13/06 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C13/04 , G11C19/0808 , H03K19/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung zur Spinwellenanregung in ferro- oder ferrimagnetischen Festkörpern, beispielsweise in einer magnetischen Leiterbahn oder in einem magnetischen Nanodraht. Die Erfindung ist insbesondere anwendbar zum Signal- und Informationstransport auf der Basis propagierender Spinwellen in elektrischen Schaltkreisen und Bauelementen sowie im Bereich der Realisierung von logischen Schaltungen. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Spinwellenanregung zu schaffen, mit dem Spinwellentypen des gleichen Typs reproduzierbar in einfach aufgebauten Festkörpern ohne die Nutzung elektrischer Ströme, magnetischer Felder und Wärmeeffekte angeregt werden können. Eingeschlossen in diese Aufgabe ist die Schaffung einer zur Durchführung des neuen Verfahrens vorteilhaft einsetzbaren Anordnung. Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass eine in einem magnetischen Festkörper örtlich fixierte Domänenwand unter Nutzung des inversen magneto - optischen Gradienteneffektes mit polarisiertem gepulsten Laserlicht beleuchtet wird, wobei die Beleuchtung der Domänenwand in senkrechter Inzidenz bei in der Ebene des Festkörpers magnetisierten Domänen und in schräger Inzidenz im Falle senkrecht zur Festkörperebene magnetisierter Domänen speziell unter Vermeidung eines Wärmeeintrages in den Festkörper vorgenommen wird.
摘要翻译：本发明涉及一种方法和在磁性导体在铁磁或亚铁磁固体自旋波激励的装置，例如或磁性纳米线。本发明特别适用于在电的电路和组件，以及在实现逻辑电路的传播自旋波的基础上的信号和信息的传输。本发明具有的目的是提供自旋波激励的方法，用相同类型的自旋方式可在不使用电流，磁场和热效应的激发在构造简单的固体可再现的。包括在此目的是提供一种有利地可用于执行新的进程安排。本发明的方法的特征在于，局部固定在使用逆磁固体磁畴壁 - 光学Gradienteneffektes与偏振脉冲激光，照射其中所述畴壁以垂直入射在面内的固体结构域和在倾斜磁化的照明在入射的情况下在垂直于固态平面内磁化结构域特异性避免了固体的热输入制成。

16. 发明申请

WO2012018918A2 GENERATING A NON-REVERSIBLE STATE AT A BITCELL HAVING A FIRST MAGNETIC TUNNEL JUNCTION AND A SECOND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION 审中-公开
标题翻译：在具有第一磁性隧道接头和第二磁性隧道接头的位置处产生不可逆状态
公开(公告)号：WO2012018918A2
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：PCT/US2011/046429
申请日：2011-08-03
申请人： QUALCOMM INCORPORATED , RAO, Hari, M. , KIM, Jung, Pill , KANG, Seung, H. , ZHU, Xiaochun , KIM, Tae, Hyun , LEE, Kangho , LI, Xia , HSU, Wah, Nam , HAO, Wuyang , SUH, Jungwon , YU, Nicholas, K. , NOWAK, Matthew, Michael , MILLENDORF, Steven, M. , ASHKENAZI, Asaf
发明人： RAO, Hari, M. , KIM, Jung, Pill , KANG, Seung, H. , ZHU, Xiaochun , KIM, Tae, Hyun , LEE, Kangho , LI, Xia , HSU, Wah, Nam , HAO, Wuyang , SUH, Jungwon , YU, Nicholas, K. , NOWAK, Matthew, Michael , MILLENDORF, Steven, M. , ASHKENAZI, Asaf
IPC分类号： G11C17/16
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/14 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C17/02 , G11C17/16 , G11C29/027
摘要： A method of generating a non-reversible state at a bitcell having a first magnetic tunnel junction (MTJ) and a second MTJ includes applying a program voltage to the first MTJ of the bitcell without applying the program voltage to the second MTJ of the bitcell. A memory device includes a bitcell having a first MTJ and a second MTJ and programming circuitry configured to generate a non-reversible state at the bitcell by applying a program signal to a selected one of the first MTJ and the second MTJ of the bitcell.
摘要翻译：在具有第一磁性隧道结（MTJ）和第二MTJ的位单元处产生不可逆状态的方法包括将编程电压施加到位单元的第一MTJ，而不将编程电压施加到位单元的第二MTJ。存储器件包括具有第一MTJ和第二MTJ的位单元以及被配置为通过将程序信号施加到位单元的第一MTJ和第二MTJ中的所选择的一个而在位单元处产生不可逆状态的编程电路。

17. 发明申请

WO2010131182A1 MAGNETIC CELLULAR DEVICES 审中-公开
标题翻译：磁性细胞器件
公开(公告)号：WO2010131182A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：PCT/IB2010/052047
申请日：2010-05-10
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , ALLENSPACH, Rolf , GROSS, Leo , MEYER, Gerhard , SCHLITTLER, Reto
发明人： ALLENSPACH, Rolf , GROSS, Leo , MEYER, Gerhard , SCHLITTLER, Reto
IPC分类号： H03K19/16 , H01L29/66
CPC分类号： H03K19/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/14 , G11C19/0808 , H01F1/009 , H01F41/34
摘要： A magnetic cellular device (1) comprises a plurality of magnetically-coupled nano magnets (2). Each nano magnet (2) is bistable in states with opposite magnetization directions parallel to a first axis (A), and metastable in a state with a magnetization direction parallel to a second axis (B). The nano magnets (2) include at least one input nano magnet for receiving an input to the device via coupling of a local magnetic field with that nanomagnet. The arrangement is such that the nanomagnets (2) can be set to their metastable states by an applied magnetic field, and, on removal of the field, sequential switching of nanomagnets (2) from their metastable state to a bistable state can be initiated at the input nanomagnet(s), in response to the input, to produce an output state of the device (1). Devices (1) can be constructed for signal processing and logic gate functionality, and plural devices can be coupled together to form digital circuits in which an output state of at least one device (1) can provide an input for at least one other device (1).
摘要翻译：磁性蜂窝装置（1）包括多个磁耦合纳米磁体（2）。每个纳米磁体（2）在平行于第一轴线（A）的相反磁化方向的状态下是双稳态的，并且在具有平行于第二轴线（B）的磁化方向的状态下是亚稳态的。纳米磁体（2）包括至少一个输入纳米磁体，用于通过局部磁场与该纳米磁体的耦合来接收到该器件的输入。这种布置使得纳米磁体（2）可以通过施加的磁场被设置为它们的亚稳态，并且在去除场时，纳米磁体（2）从它们的亚稳态到双稳态的顺序切换可以在所述输入纳米磁体响应于所述输入而产生所述装置（1）的输出状态。设备（1）可以被构造用于信号处理和逻辑门功能，并且多个设备可以耦合在一起以形成数字电路，其中至少一个设备（1）的输出状态可以为至少一个其他设备提供输入（ 1）。

18. 发明申请

WO2010104744A2 ELECTRONIC DEVICES FORMED OF TWO OR MORE SUBSTRATES BONDED TOGETHER, ELECTRONIC SYSTEMS COMPRISING ELECTRONIC DEVICES AND METHODS OF MAKING ELECTRONIC DEVICES 审中-公开
标题翻译：形成两个或更多个基板的电子设备，包含电子设备的电子系统和制造电子设备的方法
公开(公告)号：WO2010104744A2
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：PCT/US2010/026235
申请日：2010-03-04
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC. , MEADE, Roy E. , SANDHU, Gurtej S.
发明人： MEADE, Roy E. , SANDHU, Gurtej S.
IPC分类号： H01L21/60 , G11C11/15
CPC分类号： H05K1/0298 , B82Y99/00 , G11C8/08 , G11C8/10 , G11C11/14 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C19/0808 , H01L24/02 , H01L24/80 , H01L2224/04042 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01093 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H05K1/112 , H05K1/113 , H05K1/144 , H05K3/3436 , H05K3/36 , H05K3/4697 , H05K7/04 , H05K2201/09381 , Y10S977/932 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , H01L2924/00
摘要： Electronic devices comprise a first substrate and a second substrate. The first substrate comprises circuitry including a plurality of conductive traces at least substantially parallel to each other through at least a portion of the first substrate. A plurality of bond pads are positioned on a surface of the first substrate and comprise a width extending over at least two of the plurality of conductive traces. A plurality of vias extend from adjacent at least some of the conductive traces to the plurality of bond pads. The second substrate is bonded to the first substrate and comprises circuitry coupled to the plurality of bond pads on the first substrate with a plurality of conductive bumps. Memory devices and related methods of forming electronic devices and memory devices are also disclosed, as are electronic systems.
摘要翻译：电子器件包括第一衬底和第二衬底。第一衬底包括电路，其包括通过至少一部分第一衬底彼此至少基本平行的多个导电迹线。多个接合焊盘定位在第一基板的表面上并且包括在多个导电迹线中的至少两个上延伸的宽度。多个通孔从相邻的至少一些导电迹线延伸到多个接合焊盘。第二衬底被结合到第一衬底并且包括用多个导电凸块耦合到第一衬底上的多个接合焊盘的电路。还公开了形成电子设备和存储器件的存储器件和相关方法，电子系统也是如此。

19. 发明申请

WO2009130738A1 強磁性細線素子审中-公开
标题翻译：光纤元件
公开(公告)号：WO2009130738A1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：PCT/JP2008/001040
申请日：2008-04-21
申请人：国立大学法人京都大学 , 国立大学法人電気通信大学 , 小野輝男 , 仲谷栄伸
发明人：小野輝男 , 仲谷栄伸
IPC分类号： H01L29/82 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H03B15/00
CPC分类号： G11C11/14 , G11C19/0808 , H01L43/08 , H03B15/006
摘要：　磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線を用いる。反強磁性細線などの磁壁固定手段を用いることにより磁壁が細線内を移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給すると、磁壁は移動することなくその磁気モーメントが回転する。これにより、磁気モーメントの回転をTMR素子などで検出することが可能となる。この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。
摘要翻译：铁磁细线元件使用结合有磁畴壁的铁磁细线，其中磁畴壁中心的磁矩在与细线的长轴方向垂直的方向上被引导。在通过使用诸如反铁磁细线的磁畴壁固定装置固定磁畴壁使磁畴壁不在细线内移动的同时，向细线提供直流电流。因此，磁畴壁不移动但其磁矩转动。这使得可以通过TMR元件等检测磁矩的旋转。也可以使用铁磁细线元件的结构立即获得微波振荡器或磁存储器。

20. 发明申请

WO2009127187A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON SCHALTBAREM TEMPORÄREM MAGNETISMUS IN OXIDISCHEN MATERIALIEN MITTELS ELEKTRISCHER FELDER 审中-公开
标题翻译：装置及方法氧化物材料BY电场PRODUCING切换临时MAGNETISM
公开(公告)号：WO2009127187A2
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：PCT/DE2009/000439
申请日：2009-03-25
申请人： TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN , MEYER, Dirk , LEISEGANG, Tilmann , STOECKER, Hartmut
发明人： MEYER, Dirk , LEISEGANG, Tilmann , STOECKER, Hartmut
IPC分类号： G11C11/14 , G01R33/09 , G11B5/66 , G11C13/02 , H01F10/32
CPC分类号： G11C11/14 , B82Y25/00 , G01R33/093 , H01F10/18 , H01F10/193
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung von schaltbarem temporärem Magnetismus in oxidischen Materialien mittels elektrischer Felder, wobei an zwei sich gegenüberliegenden Flächen (11,12) des oxidischen Materials (1, 2, 3) zumindest jeweils eine Elektrode (21, 22) angebracht ist, wobei bei Anlegen einer elektrischen Potenzialdifferenz das oxidische Material (1, 2, 3) von dem elektrisches Feld (E) überlagert wird und damit eine Oxidmaterialanordnung (13) vorhanden ist, wobei Sauerstoff-Leerstellen, die im oxidischen Material (1, 2, 3) bereits vorhanden sind, bei Anlegen des elektrischen Feldes (E) im oxidischen Material (1, 2, 3) umverteilt werden und sich somit ein Gradient der Sauerstoff-Konzentration einstellt, wobei im Kathodenbereich (14) des oxidischen Materials (1, 2, 3) eine Sauerstoff-Leerstellen-Zone (4) entsteht, die eine Valenzänderung der Kationen derart zur Folge hat, dass magnetische Momente erzeugt werden können. Die Aufgabe besteht darin, dass bei Raumtemperatur Magnetismus in einem oxidischen Material durch ein elektrisches Feld (E) temporär erzeugt wird, was zu makroskopischen Anwendungen und Funktionselementen führt. Die Lösung besteht darin, dass unmittelbar außerhalb des Kathodenbereichs (14) des oxidischen Materials (1, 2, 3) und der Sauerstoff-Leerstellen-Zone (4) zumindest eine Einrichtung (15, 20) zur Erfassung des sich in der Sauerstoff-Leerstellen-Zone (4) durch das angelegte elektrische Feld (E) ausbildenden und registrierfähigen Magnetismus angeordnet ist, wobei sich in der Sauerstoff-Leerstellen-Zone (4) die Valenz der Kationen des oxidischen Materials (1, 2, 3) reduziert, wenn die Sauerstoff-Leerstellen-Konzentration zunimmt und sich erhöht, wenn die Sauerstoff-Leerstellen-Konzentration abnimmt, wobei eine Reduktion der Valenz der Kationen im oxidischen Material (1, 2, 3) magnetische Momente (19) erzeugt, die entweder ungeordnet vorliegen, wodurch das oxidische Material (1, 2, 3) paramagnetisch wird, oder untereinander koppeln, wodurch das oxidische Material (1, 2, 3) dann entweder ferro-, ferri- oder antiferro-magnetisch wird und wobei durch Schalten des elektrischen Feldes (E) der jeweilige Magnetismus in der Oxidmaterialanordnung (13) reversibel schaltbar und der Ausgangszustand ohne magnetische Momente wiederherstellbar ist.
摘要翻译：本发明涉及一种方法和用于通过电场的手段生成的氧化物材料临时切换磁性的设备，其中，在所述氧化物材料的两个相对的表面（11,12）（1，2，3）至少一个电极（21，22 ）被附接，其中，当电势差，所述氧化物材料（1，2的应用，3）（电场E）的叠加，因而Oxidmaterialanordnung（13）存在时，所述氧空位，从而（在氧化物材料1 ，2，3）已经存在，（当在所述氧化物材料（1，2应用程序中的电场E的），3）被重新分配，并且因此调整氧气浓度的梯度，其中（在阴极区（14）中的氧化物材料的 1，2，3）形成，氧空位区（4），其具有阳离子的化合价这样的结果，可以产生磁矩。该目的是，在通过在室温下磁（E）的电场的氧化物材料被暂时产生，导致宏观应用和功能元件。该解决方案是，立即外的氧化材料（1，2，3）和氧空位区域（4）的至少一个设备（15，20）的阴极区（14），用于在所述氧空位检测通过施加的电场（e）形成和注册能够磁性，由此在氧空位区（4）所述氧化物材料的阳离子的价数（1，2，3）降低，当设置区（4）氧空位浓度的增加和随着氧空位浓度降低时，与降低的阳离子在氧化物材料（1，2，3）产生的磁矩（19）的化合价的其或者是无序的，从而使氧化材料（1，2，3）是顺磁性的，或每一对中，由此所述氧化物材料（1，2，3）然后或者亚铁，铁合或通过切换的电场（E）反铁磁性磁，并且其中在Oxidmaterialanordnung各自磁性（13）可逆地切换的和无磁矩的输出状态可以被恢复。

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