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1. 发明申请

WO2015137335A1 磁気素子、スキルミオンメモリおよびスキルミオンメモリを搭載した装置审中-公开
标题翻译：磁性元件，SKYRIMON存储器和器件，其中包括安装在其中的SKYRMION存储器
公开(公告)号：WO2015137335A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/JP2015/057001
申请日：2015-03-10
申请人：国立研究開発法人理化学研究所
发明人：永長　直人 , 小椎八重　航 , 岩崎　惇一 , 川▲崎▼　雅司 , 金子　良夫 , 十倉　好紀
IPC分类号： H01L29/82 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/18 , G11C19/0808 , H01L43/00
摘要：　スキルミオンを転送可能な薄層状の磁気素子であって、薄層状の磁性体１３と、磁性体１３の延展方向に接続された薄層状の導電体である上流側非磁性金属１１と、上流側非磁性金属１１と離間して磁性体１３に接続された薄層状の導電体である下流側非磁性金属１２とを備え、上流側非磁性金属１１と下流側非磁性金属１２との間に電流を印加することにより、１又は複数のスキルミオンＳを転送することを特徴とする。
摘要翻译：一种能够转移雪橇的薄层磁性元件，其特征在于包括：薄层磁性体（13）; 上游侧非磁性金属（11），其是在所述磁性体（13）已经被扩展的方向上与所述磁性体（13）连接的薄层导体; 以及下游侧非磁性金属（12），其是与所述磁性体（13）连接以与所述上游侧非磁性金属（11）分离的薄层导体。磁性元件的特征还在于，在上游侧非磁性金属（11）和下游侧非磁性金属（12）之间施加电流，从而转移一个或多个电极（S）。

2. 发明申请

WO2015058674A1 一种存储单元、存储器及存储单元控制方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015058674A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/CN2014/089044
申请日：2014-10-21
申请人：华为技术有限公司
发明人：林殷茵 , 韦竹林 , 赵俊峰 , 杨伟 , 傅雅蓉 , 杨凯
IPC分类号： G11C11/02
CPC分类号： G11C19/0841 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808
摘要：本发明实施例公开了一种存储单元、存储器及存储单元控制方法，用于提高存储密度、降低功耗和制造成本。其中，一种存储单元包括：梳型磁性轨道，第一驱动电路，第二驱动电路，第一驱动端口和第二驱动端口；梳型磁性轨道包括第一存储区域，第二存储区域和梳柄，第一存储区域和第二存储区域包括两个以上存储条；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动，第一存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动；通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动，第二存储区域中的一个存储条产生电流脉冲，并驱动磁畴移动。

3. 发明申请

WO2012123348A2 MAGNETO-ELECTRONIC COMPONENT, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：磁电子元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2012123348A2
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：PCT/EP2012054077
申请日：2012-03-09
申请人： LEIBNIZ INST FUER FESTKOERPER , MAKAROV DENYS , SCHMIDT OLIVER G
发明人： MAKAROV DENYS , SCHMIDT OLIVER G
CPC分类号： G11C11/14 , B82Y40/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0841 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/308 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T29/49155
摘要： The invention relates to the fields of physics and materials science, more particularly to a magneto-electronic component that can be used as a digital memory, for example. The aim of the invention is to design a magneto-electronic component which can be used as a racetrack memory. Said aim is achieved by a magneto-electronic component consisting of an insulating thin film, on which an elongate element made of a magnetic material and electrically conductive contacts are located, and another insulating thin film, said arrangement being jointly rolled up. Said aim is also achieved by a method in which at least one elongate element made of a magnetic material is applied to an insulating thin film, electrical contacts are also applied, and another insulating thin film is applied thereto, the stack of layers being arranged so as to have a strain gradient.
摘要翻译：本发明涉及物理和材料科学的领域，并涉及，因为它可以用作例如数字存储器的磁电子装置。本发明的目的是提供一种磁 - 电子装置，其可被用作赛道存储器。该目的通过由磁电子装置在其上的磁性材料和导电触点的细长元件由绝缘薄膜，和另一个绝缘薄膜实现的，所述装置被一起卷起。该目的是通过在其上的进一步的绝缘性薄膜的至少一个细长元件被沉积由磁性材料，进一步施加的电触头，其中，所述层堆叠被布置施加绝缘薄膜，使得它具有一种方法，还实现有Verspannungsgradienten。

4. 发明申请

WO2016035579A1 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置およびデータ通信装置审中-公开
标题翻译：磁性元件，SKYRMION存储器，SKYRMION存储器件，固态电子器件，数据记录器件，数据处理器件和数据通信器件
公开(公告)号：WO2016035579A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/JP2015/073562
申请日：2015-08-21
申请人：国立研究開発法人理化学研究所
发明人：永長　直人 , 小椎八重　航 , 岩崎　惇一 , 川崎　雅司 , 十倉　好紀 , 金子　良夫
IPC分类号： H01L29/82 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L41/08
CPC分类号： G11C19/0866 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/08 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C19/085 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L41/08
摘要：　データの書き込み回数の無限大に近いエンデユランス（耐久性）、永久に近いデータリテンション（保持）特性をもち、超高速の書き込みおよび消去が可能な磁気素子及びスキルミオンメモリ等を提供する。例えば、スキルミオンの生成及び消去が可能な磁気素子であって、非磁性体によって囲まれた構造を有する薄層状の磁性体と、磁性体の一面において磁性体の端部を含む端部領域を囲んで設けた電流経路と、スキルミオンの生成及び消去を検出するスキルミオン検出素子とを備え、磁性体は、幅をＷｍ、高さをｈｍとすると、生成したスキルミオンの直径λに対し、２λ＞Ｗｍ＞λ／２、２λ＞ｈｍ＞λ／２となるサイズを備え、端部領域は、端部領域における磁性体の端部に平行な向きの幅をＷ、端部領域における磁性体の端部に垂直な向きの高さをｈとすると、λ≧Ｗ＞λ／４、２λ＞ｈ＞λ／２となる磁気素子を提供する。
摘要翻译：提供具有几乎无限数量的数据写入和几乎永久的数据保持（保持）特性的耐久性（耐久性）的磁性元件和skyrmion存储器等，并且能够进行超高速写入和擦除。例如，提供能够产生和擦除天线的磁性元件，该磁性元件包括：由非磁性材料包围而构成的薄层磁性材料; 设置在所述磁性材料的一侧并包围包括所述磁性材料的端部的端部区域的电流路径; 以及用于检测所述天线的产生和擦除的天线检测元件，其中所述磁性材料具有相对于所产生的天线的直径λ具有2λ> Wm>λ/ 2和2λ> hm>λ/ 2的尺寸，其中 Wm是宽度，hm是磁性材料的高度，并且其中端部区域使得λ≥W>λ/ 4和2λ> h>λ/ 2，其中W是与平行于端部区域中的磁性材料，h是与端部区域中的磁性材料的端部垂直的方向的高度。

5. 发明申请

WO2009141667A1 MAGNETIC MEMORY DEVICES AND SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：磁记忆体设备和系统
公开(公告)号：WO2009141667A1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/GB2009/050569
申请日：2009-05-26
申请人： CAMBRIDGE ENTERPRISE LIMITED , MOUTAFIS, Christoforos , KOMINEAS, Stravros
发明人： MOUTAFIS, Christoforos , KOMINEAS, Stravros
IPC分类号： G11C11/15 , G11C11/16 , G11C19/08
CPC分类号： G11C19/0841 , B82Y10/00 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/08 , G11C19/0866 , H01L43/08
摘要： A method of storing one or more bits of information comprising: forming a magnetic bubble; and storing a said bit of information encoded in a typology of a domain wall of said magnetic bubble. Preferebly a bit is encoded using a symmetric topological state of the domain wall and a topological state including at least one winding rotation of a magnetisation vector of the domain wall. Preferably the magnetic bubble is confined in an island of magnetic material, preferably of maximum dimension less than 1 μm.
摘要翻译：一种存储一个或多个信息位的方法，包括：形成磁泡; 以及存储以所述磁性气泡的畴壁的类型学编码的所述信息位。优先使用域壁的对称拓扑状态和拓扑状态编码，包括域壁的磁化向量的至少一个绕组旋转。优选地，磁性气泡被限制在磁性材料岛中，优选最大尺寸小于1μm。

6. 发明申请

WO2008121134A1 HIGH DENSITY PLANAR MAGNETIC DOMAIN WALL MEMORY APPARATUS AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
标题翻译：高密度平面磁畴壁记忆装置及其形成方法
公开(公告)号：WO2008121134A1
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/US2007/024798
申请日：2007-12-04
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , GAIDIS, Michael, C. , CLEVENGER, Lawrence, A. , DALTON, Timothy, J. , DEBROSSE, John, K. , HSU, Louis, L., C. , RADENS, Carl , WONG, Keith, K., H. , YANG, Chih-Chao
发明人： GAIDIS, Michael, C. , CLEVENGER, Lawrence, A. , DALTON, Timothy, J. , DEBROSSE, John, K. , HSU, Louis, L., C. , RADENS, Carl , WONG, Keith, K., H. , YANG, Chih-Chao
IPC分类号： G11C19/08
CPC分类号： G11C19/0841 , B82Y10/00 , G11C5/02 , G11C11/161 , G11C11/1675 , Y10T29/53165
摘要： A magnetic domain wall memory apparatus with write/read capability includes a plurality of coplanar shift register structures each comprising an elongated track formed from a ferromagnetic material having a plurality of magnetic domains therein, the shift register structures further having a plurality of discontinuities therein to facilitate domain wall location; a magnetic read element associated with each of the shift register structures; and a magnetic write element associated with each of the shift register structures, the magnetic write element further comprising a single write wire having a longitudinal axis substantially orthogonal to a longitudinal axis of each of the coplanar shift register structures.
摘要翻译：具有写入/读取功能的磁畴壁存储装置包括多个共面移位寄存器结构，每个包括由其中具有多个磁畴的铁磁材料形成的细长轨道，移位寄存器结构还具有多个不连续性，以便于域墙位置; 与每个移位寄存器结构相关联的磁读取元件; 以及与所述移位寄存器结构中的每一个相关联的磁写元件，所述磁写入元件还包括单个写入线，所述单个写入线的纵轴基本上与所述共面移位寄存器结构中的每一个的纵向轴线正交。

7. 发明申请

WO1991013439A1 STORAGE FOR MEMORY 审中-公开
标题翻译：存储存储
公开(公告)号：WO1991013439A1
公开(公告)日：1991-09-05
申请号：PCT/SU1990000054
申请日：1990-02-26
申请人： SPETSIALNOE KONSTRUKTORSKO-TEKHNOLOGICHESKOE ... , TEMERTI, Gennady Fedorovich , SLUZHBIN, Jury Alexandrovich , KUROCHKIN, Vadim Ivanovich
发明人： SPETSIALNOE KONSTRUKTORSKO-TEKHNOLOGICHESKOE ...
IPC分类号： G11C11/14
CPC分类号： G11C19/0841
摘要： The invention relates to digital memories using magnetic memory elements. A storage for memory comprises a magnetically uniaxial layer (1) on which is located an information input-output channel (2), devices (3) for generating and devices (4) for reading out cylindrical magnetic domains and information storage registers (5) consisting of electroconductive layers (6, 7, 8) provided with openings (30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41) periodically alternating in the layers (6, 7, 8) along the direction of movement of the cylindrical magnetic domains, and further provided with through cut-outs (12, 13, 14) oriented perpendicularly to the direction of movement of the cylindrical magnetic domains, the cut-outs (12, 13) in the layers (6, 7) having a zigzag form. The invention may be used in robotics, in machine tools with digital programming devices and in personal computers.
摘要翻译：本发明涉及使用磁存储元件的数字存储器。用于存储器的存储器包括位于信息输入 - 输出通道（2）的磁性单轴层（1），用于生成的装置（3）和用于读出圆柱形磁畴的装置（4）和信息存储寄存器（5）由导电层（6,7,8）组成，该导电层设置有在层（6,7,8）中周期性交替的开口（30,31,32,33,34,35,36,37,38,39,40,41））沿着圆柱形磁畴的移动方向，并且还设置有垂直于圆柱形磁畴的运动方向定向的贯穿切口（12,13,14），切口（12,13）位于层（6,7）具有锯齿形。本发明可以用于机器人，具有数字编程设备的机床和个人计算机中。

8. 发明申请

WO1991012613A1 CHANNEL FOR THE PASSAGE OF CYLINDRICAL MAGNETIC DOMAINS 审中-公开
标题翻译：通道用于圆柱磁场的通道
公开(公告)号：WO1991012613A1
公开(公告)日：1991-08-22
申请号：PCT/SU1990000036
申请日：1990-02-14
申请人： SPETSIALNOE KONSTRUKTORSKO-TEKHNOLOGICHESKOE ... , TEMERTI, Gennady Fedorovich , SLUZHBIN, Jury Alexandrovich
发明人： SPETSIALNOE KONSTRUKTORSKO-TEKHNOLOGICHESKOE ...
IPC分类号： G11C11/14
CPC分类号： G11C19/0841
摘要： The invention relates to digital memory devices using magnetic memory elements. A channel for the passage of cylindrical magnetic domains (CMD) comprises a magnetic uniaxial layer (1) on which are located electrically interconnected electroconducting layers (2, 3, 4) in which are provided direct (8) and reverse (9) CMD passage branches consisting of periodically positioned openings (14, 15, 16; 21,22; 17, 18, 19; 23, 24, 25). The direct (8) and the reverse (11) CMD passage branches have sections (9, 12) with a rectilinear CMD passage. The direct CMD passage branch (8) in the electroconducting layers (2, 3) and the reverse CMD passage branch (11) in the layers (2, 3, 4) have CMD turn sections (10, 13) designed so as to provide for compensation of the influence on the CMD of magnetostatic traps located outside the turn path of said domains, by the creation of repulsing magnetic poles.
摘要翻译：本发明涉及使用磁存储元件的数字存储器件。用于通过圆柱形磁畴（CMD）的通道包括磁性单轴层（1），其上面设置有电互连的导电层（2,3,4），其中直接（8）和反向（9）CMD通道由周期性定位的开口（14,15,16; 21,22; 17,18,19; 23,24,25）组成的分支。直接（8）和反向（11）CMD通道分支具有具有直线CMD通道的部分（9,12）。层（2,3,4）中的导电层（2,3）和反向CMD通道分支（11）中的直接CMD通道分支（8）具有CMD转向部分（10,13），其被设计成提供通过产生排斥磁极来补偿位于所述区域的转向路径之外的静磁阱的CMD的影响。

9. 发明申请

WO1991007755A1 MEMORY ON CYLINDRICAL MAGNETIC DOMAINS 审中-公开
标题翻译：圆柱磁场记忆
公开(公告)号：WO1991007755A1
公开(公告)日：1991-05-30
申请号：PCT/SU1989000293
申请日：1989-11-21
申请人： SPETSIALNOE KONSTRUKTORSKO-TEKHNOLOGICHESKOE ... , TEMERTI, Gennady Fedorovich , SLUZHBIN, Jury Alexandrovich , YASTREBOV, Igor Alexandrovich
发明人： SPETSIALNOE KONSTRUKTORSKO-TEKHNOLOGICHESKOE ...
IPC分类号： G11C11/04
CPC分类号： G11C11/02 , G11C19/0841 , G11C19/0883
摘要： The invention relates to digital memorizing devices using magnetic memory elements. A memory on cylindrical magnetic domains comprising a single-axis magnetic layer (1) and, mounted on its surface, an input-output channel (5), information storage registers (2), a device (36) for generating cylindrical magnetic domains and a device (37) for reading-out the cylindrical magnetic domains. The channel (5) consists of meander-shaped conductors (25, 26) located above each other. Above the channel (5) is located an additional conductor (38), identical to the conductor (26), in which the space (42), limited by the sides of the neighbouring loops (39, 40) of the meander and facing the registers (2), is fully filled with an electric conductive material. The information storage registers (2) are magnetically connected to the channel (5) and consist of electric conductive layers (6, 7, 8) with periodically alternating openings (9, 12; 10, 13; 11, 14).
摘要翻译：本发明涉及使用磁存储元件的数字记忆装置。包括单轴磁性层（1）的圆柱形磁畴上的记忆体，并且在其表面上安装有输入 - 输出通道（5），信息存储寄存器（2），用于产生圆柱形磁畴的装置（36）和用于读出圆柱形磁畴的装置（37）。通道（5）由位于彼此之上的曲折形导体（25,26）组成。通道（5）上方设有与导体（26）相同的附加导体（38），其中空间（42）受到曲折的相邻环（39,40）的侧面的限制，并面向寄存器（2），完全充满导电材料。所述信息存储寄存器（2）与所述通道（5）磁性连接，并由具有周期性交替的开口（9,12; 10,13; 11,14）的导电层（6,7,8）组成。

10. 发明申请

WO1979000360A1 CONDUCTOR ACCESS BUBBLE MEMORY 审中-公开
标题翻译：导体接触泡沫记忆
公开(公告)号：WO1979000360A1
公开(公告)日：1979-06-28
申请号：PCT/US1978000180
申请日：1978-11-30
申请人： WESTERN ELECTRIC CO INC
发明人： WESTERN ELECTRIC CO INC , BOBECK A
IPC分类号： G11C19/08
CPC分类号： H01F10/06 , G11C19/0841 , G11C19/0866
摘要： A conductor-access magnetic bubble memory, which alleviates using a plurality of conductors that requires intricate patterns of conductors which are generally difficult to make in small dimensions necessary to achieve fast operating devices, comprises an electrically-conductive film (12) provided with a pattern of sequences of apertures (14) therethrough. Each aperture defines, in an adjoining layer (11) of a bubble propagating material, a preferred site for a bubble during intervals when current is caused to flow through the film. Rest positions, such as ion implanted regions (15) within the adjoining layer, or permalloy elements (123) associated with each aperture, define other preferred sites for bubbles offset from the aperture defined sites, whereby, upon termination of the current flow through the film, the bubbles automatically (without the use of external drive means) advance to the offset sites, thus ensuring movement of the bubbles in prescribed directions.

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