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1. 发明申请

WO2016035758A1 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置审中-公开
标题翻译：磁性元件，SKYRMION存储器，SKYRMION存储器件，配备有天线存储器的固态电子器件，数据记录器件，数据处理器件和通信器件
公开(公告)号：WO2016035758A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/JP2015/074735
申请日：2015-08-31
申请人：国立研究開発法人理化学研究所
发明人：永長　直人 , 小椎八重　航 , 岩崎　惇一 , 川崎　雅司 , 十倉　好紀 , 金子　良夫
IPC分类号： H01L29/82 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , G11C19/08 , G11C19/0808 , G11C19/085 , G11C19/0866 , H01F7/20 , H01F10/3254 , H01L27/105 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/06 , H01L43/08
摘要：　１個のスキルミオンを生成し、１個のスキルミオンの消去が可能な磁気素子であって、略矩形の平板形状の磁性体と、磁性体の幅Ｗｍ方向に接続した非磁性金属からなる上流側電極と、上流側電極と対向して磁性体の幅Ｗｍ方向に接続した非磁性金属からなる下流側電極と、スキルミオンを検出するスキルミオン検出素子とを有し、磁性体の略矩形形状の幅Ｗｍは、スキルミオン直径をλとして、３・λ＞Ｗｍ≧λであり、磁性体の略矩形形状の長さＨｍは、２・λ＞Ｈｍ≧λであり、磁性体は上流側電極および下流側電極が挟む端部に凹部を有する磁気素子を提供する。
摘要翻译：本发明提供一种能够产生一个电极并消除一个电极的磁性元件，所述磁性元件具有：大致矩形的板状磁性体; 上游电极，其包括非磁性金属，并且以所述磁体的宽度（Wm）方向连接; 包括以磁性体的宽度（Wm）方向连接并与上游电极相对的非磁性金属的下游电极; 以及一个检测爬虫的爬虫检测元件。当skyrmion的直径定义为λ时，基本矩形磁体的宽度（Wm）为3∙λ

2. 发明申请

WO2016035579A1 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置およびデータ通信装置审中-公开
标题翻译：磁性元件，SKYRMION存储器，SKYRMION存储器件，固态电子器件，数据记录器件，数据处理器件和数据通信器件
公开(公告)号：WO2016035579A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/JP2015/073562
申请日：2015-08-21
申请人：国立研究開発法人理化学研究所
发明人：永長　直人 , 小椎八重　航 , 岩崎　惇一 , 川崎　雅司 , 十倉　好紀 , 金子　良夫
IPC分类号： H01L29/82 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L41/08
CPC分类号： G11C19/0866 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/08 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C19/085 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L41/08
摘要：　データの書き込み回数の無限大に近いエンデユランス（耐久性）、永久に近いデータリテンション（保持）特性をもち、超高速の書き込みおよび消去が可能な磁気素子及びスキルミオンメモリ等を提供する。例えば、スキルミオンの生成及び消去が可能な磁気素子であって、非磁性体によって囲まれた構造を有する薄層状の磁性体と、磁性体の一面において磁性体の端部を含む端部領域を囲んで設けた電流経路と、スキルミオンの生成及び消去を検出するスキルミオン検出素子とを備え、磁性体は、幅をＷｍ、高さをｈｍとすると、生成したスキルミオンの直径λに対し、２λ＞Ｗｍ＞λ／２、２λ＞ｈｍ＞λ／２となるサイズを備え、端部領域は、端部領域における磁性体の端部に平行な向きの幅をＷ、端部領域における磁性体の端部に垂直な向きの高さをｈとすると、λ≧Ｗ＞λ／４、２λ＞ｈ＞λ／２となる磁気素子を提供する。
摘要翻译：提供具有几乎无限数量的数据写入和几乎永久的数据保持（保持）特性的耐久性（耐久性）的磁性元件和skyrmion存储器等，并且能够进行超高速写入和擦除。例如，提供能够产生和擦除天线的磁性元件，该磁性元件包括：由非磁性材料包围而构成的薄层磁性材料; 设置在所述磁性材料的一侧并包围包括所述磁性材料的端部的端部区域的电流路径; 以及用于检测所述天线的产生和擦除的天线检测元件，其中所述磁性材料具有相对于所产生的天线的直径λ具有2λ> Wm>λ/ 2和2λ> hm>λ/ 2的尺寸，其中 Wm是宽度，hm是磁性材料的高度，并且其中端部区域使得λ≥W>λ/ 4和2λ> h>λ/ 2，其中W是与平行于端部区域中的磁性材料，h是与端部区域中的磁性材料的端部垂直的方向的高度。

3. 发明申请

WO2016010218A1 자성 구조체의 자구벽 제어 방법 및 이를 이용한 자기 메모리 소자 审中-公开
标题翻译：用于控制磁畴的磁畴的方法和使用其的磁记忆体装置
公开(公告)号：WO2016010218A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/KR2015/000458
申请日：2015-01-16
申请人： 한국표준과학연구원
发明人： 문경웅 , 황찬용
IPC分类号： G11B5/02 , H01L27/105 , G11C11/15
CPC分类号： G11C19/0808 , G11B5/02 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0816 , G11C19/085 , H01L27/105
摘要： 본 발명은 다수의 자구 및 상기 자구 사이에 개재된 자구벽을 구비하는 자성 구조체에, 상기 자구벽의 자화방향에 나란한 제 1 방향으로 제 1 자기장 및 상기 자구의 자화방향에 나란한 제 2 방향으로 제 2 자기장을 인가하는 제 1 단계; 및 상기 자성 구조체에 상기 제 1 방향의 역방향으로 제 3 자기장 및 상기 제 2 방향의 역방향으로 제 4 자기장을 인가하는 제 2 단계;를 포함하여 수행함으로써, 상기 자구벽을 상기 자구벽의 자화방향 또는 상기 자구의 자화방향과 나란한 방향으로 균일하게 이동시킬 수 있으며, 다수의 자구 및 상기 자구 사이에 개재된 자구벽을 구비하는 자성 구조체에, 상기 자구벽의 자화방향 및 상기 자구의 자화방향과 각각 나란하지 않은 자기장을 인가하는 제 1 단계; 및 상기 자성 구조체에 상기 자기장 방향의 역방향으로 또 다른 자기장을 인가하는 제 2 단계;를 포함하여 수행함으로써, 상기 자구벽을 상기 자구벽의 자화방향 또는 상기 자구의 자화방향과 나란한 방향으로 균일하게 이동시킬 수 있는 자성 구조체의 자구벽 제어 방법 및 상기 제어 방법에 따른 상기 자성 구조체를 포함하는 자기 메모리 소자를 제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于控制磁结构的磁畴壁的方法和包括根据控制方法的磁结构的磁存储器件。控制方法包括：第一步骤，用于将第一和第二磁场施加到磁性结构，所述磁性结构包括插入在所述磁畴之间的多个磁畴和磁畴壁，其中所述第一磁场沿平行于所述磁畴的第一方向施加磁畴壁的磁化方向，第二磁场沿平行于磁畴的磁化方向的第二方向施加; 以及第二步骤，分别在与第一和第二方向相反的方向上将磁场结构施加第三和第四磁场，从而使磁畴壁沿与磁畴壁的磁化方向平行的方向均匀地移动或磁畴的磁化方向。此外，控制方法包括：第一步骤，用于向包括多个磁畴的磁性结构和磁畴壁之间插入的磁畴施加磁场，其中磁场不平行于磁畴的磁化方向磁畴壁和磁畴的磁化方向; 以及第二步骤，在与磁场相反的方向上向磁性结构施加另一磁场，从而使磁畴壁沿与磁畴壁的磁化方向平行的方向或磁化方向均匀地移动的磁畴。

4. 发明申请

WO2012137911A1 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ审中-公开
标题翻译：磁电元件和磁性随机存取存储器
公开(公告)号：WO2012137911A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：PCT/JP2012/059485
申请日：2012-04-06
申请人：日本電気株式会社 , 本庄弘明 , 三浦貞彦 , 石綿延行 , 深見俊輔
发明人：本庄　弘明 , 三浦　貞彦 , 石綿　延行 , 深見　俊輔
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L43/12
摘要：　本発明は、容易に低コストで製造することができる、電流駆動磁壁移動現象を利用したＭＲＡＭおよびその製造方法を提供する。第１強磁性層(１０)と、該第１強磁性層に対向し、非磁性膜を挟んで配置された、磁化が固定された第２強磁性層(３０)と、該第１強磁性層の一端部に接して配置された第３強磁性層(４０)と、該第１強磁性層の他端部に接して配置された第４強磁性層(５０)と、を具備し、該第１強磁性層及び該第３強磁性層は、１つの強磁性体の長手方向の一方の端部を酸化して該第３強磁性層とし、残る部分を該第１強磁性層とした構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
摘要翻译：本发明提供了利用电流诱导的畴壁运动并且可以以低成本容易地制造的MRAM及其制造方法。磁阻元件设置有：第一铁磁层（10）; 具有固定磁化的第二铁磁层（30），所述第二铁磁层（30）面对第一铁磁层，其间具有非磁性膜; 与第一铁磁层的一端邻接设置的第三铁磁层（40）; 以及邻近第一铁磁层的另一端设置的第四铁磁层（50）。第一铁磁层和第三铁磁层具有其中一个铁磁体在纵向上的一个端部被氧化并形成第三铁磁层的结构，并且剩余部分被制成第一铁磁层。

5. 发明申请

WO2009157100A1 スピンバルブ記録素子及び記憶装置审中-公开
标题翻译：旋转阀记录元件和存储设备
公开(公告)号：WO2009157100A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/JP2008/066073
申请日：2008-09-05
申请人：富士電機ホールディングス株式会社 , 川上春雄 , 荻本泰史
发明人：川上春雄 , 荻本泰史
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , Y10T428/1107 , Y10T428/1143
摘要：　絶縁体層または非磁性層を挟み、保磁力が互いに異なっている１対の強磁性層を有するスピンバルブ素子であって、スピンバルブ素子の面内形状を概ね円形として周縁部に複数の切欠ＮＳ、ＮＷ、ＮＥ、ＮＮを設ける。好ましくは少なくとも一つの切欠の形状を他とは異ならせる。また、そのようなスピンバルブ素子を用いる記憶装置。
摘要翻译：一种自旋阀元件，其具有夹着绝缘体层或非磁性层的具有不同矫顽力的一对铁磁层，其中自旋阀元件的面内轮廓基本上为圆形和多个切口（NS，NW，NE，NN ）设置在边缘部分。优选地，至少一个切口的轮廓与其他截面不同。还提供了采用这种自旋阀元件的存储装置。

6. 发明申请

WO2009133744A1 磁気記憶素子、及び磁気メモリ审中-公开
标题翻译：磁存储元件和磁记忆
公开(公告)号：WO2009133744A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/JP2009/056480
申请日：2009-03-30
申请人：日本電気株式会社 , 深見俊輔 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 石綿延行 , 大嶋則和
发明人：深見俊輔 , 鈴木哲広 , 永原聖万 , 石綿延行 , 大嶋則和
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/18 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , H01L29/66984 , H01L43/08
摘要：　本発明に係る磁気記憶素子、及び磁気メモリは、記憶層と読み出し機構を具備し、前記記憶層は強磁性体から構成され、前記記憶層は第１磁化固定領域と第２磁化固定領域と磁壁領域を具備し、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域は磁壁領域に対して対称方向に固定された磁化を有する。
摘要翻译：磁存储元件和磁存储器分别设置有存储层和读出机构。存储层由铁磁材料构成。存储层设置有第一磁化固定区域，第二磁化固定区域和磁壁区域。第一磁化固定区域和第二磁化固定区域在相对于磁壁区域对称的方向上固定磁化。

7. 发明申请

WO2008090305A1 MAGNETIC STRUCTURE WITH MULTIPLE-BIT STORAGE CAPABILITIES 审中-公开
标题翻译：具有多位存储能力的磁结构
公开(公告)号：WO2008090305A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/GB2008/000004
申请日：2008-01-02
申请人： UNIVERSITY OF DURHAM , ATKINSON, Derek , EASTWOOD, David, Samuel
发明人： ATKINSON, Derek , EASTWOOD, David, Samuel
IPC分类号： G11C11/08 , H01F10/32
CPC分类号： H01F10/3254 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C19/0808
摘要： A magnetic structure (2) comprising a magnetic layer (18) having an upper surface and a lower surface is disclosed. The magnetic layer comprises a plurality of regions, each of which is adapted to be magnetised predominantly along a first or second direction. The magnetic layer further comprises at least one structured feature (21) adapted to prevent passage of a magnetic domain wall (26) of a respective type and at least one second structural feature (22) adapted to prevent propagation of at least one magnetic domain wall (34) of a second type. A data storage device (46) incorporating the magnetic structure is also disclosed.
摘要翻译：公开了一种包括具有上表面和下表面的磁性层（18）的磁性结构（2）。磁性层包括多个区域，每个区域主要适于沿着第一或第二方向被磁化。磁性层还包括至少一个结构特征（21），其适于防止相应类型的磁畴壁（26）通过，并且至少一个第二结构特征（22）适于防止至少一个磁畴壁（34）。还公开了结合有磁性结构的数据存储装置（46）。

8. 发明申请

WO0131789A3 MAGNETIC LOGIC DEVICE HAVING MAGNETIC QUANTUM DOTS 审中-公开
标题翻译：具有磁性量子的磁性逻辑器件
公开(公告)号：WO0131789A3
公开(公告)日：2002-05-23
申请号：PCT/GB0003915
申请日：2000-10-11
申请人： UNIV CAMBRIDGE TECH , COWBURN RUSSELL
发明人： COWBURN RUSSELL
IPC分类号： B82B1/00 , G06N99/00 , G11C19/08 , H01L29/06 , H01L29/66 , H03K19/00 , H03K19/168 , H03K19/195 , H03K19/02 , G01R33/02 , G06N1/00 , H01F1/00 , H01L29/15 , H01L49/00
CPC分类号： G11C19/0808 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C2213/81 , H03K19/168 , H03K19/195 , Y10S977/94
摘要： A logic device formed from at least one chain of dots of magnetic material. Each dot has a width of 200 nm or less and is spaced at a distance that is sufficiently small to ensure magnetic interaction of adjacent dots.
摘要翻译：由至少一个磁性材料点的链形成的逻辑器件。每个点具有200nm或更小的宽度，并且间隔足够小的距离以确保相邻点的磁性相互作用。

9. 发明申请

WO2015144049A1 MAGNETIC DOMAIN WALL FILTERS 审中-公开
标题翻译：磁畴滤网
公开(公告)号：WO2015144049A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/CN2015/075001
申请日：2015-03-25
申请人： THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人： WANG, Xiangrong , YUAN, Huaiyang , ZHANG, Yin
IPC分类号： G11C19/08
CPC分类号： G11C19/0808 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1675
摘要： Disclosed herein are devices (100A), systems, and methods for selecting domain walls (130) of desired types in a magnetic nanowire (110) by pinning and depinning domain walls (130) in the vicinity of notches (150), anti-notches (160) and defects within the magnetic nanowire (110). Furthermore, in an aspect, one or more magnetic domain walls (130) associated with respective chiralities or polarities can be created by pinning or depinning one or more locations of a magnetic nanowire (110). In another aspect, information can be stored on a storage device based on the pinning or depinning of domain walls (130) and the respective chiralities or polarities associated with the domain walls (130) respectively.
摘要翻译：本文公开了用于通过在缺口（150）附近钉扎和去除畴壁（130）来选择磁性纳米线（110）中所需类型的畴壁（130）的系统和方法，防切口（160）和磁纳米线（110）内的缺陷。此外，在一方面，可以通过钉扎或去除磁性纳米线（110）的一个或多个位置来产生与相应的手性或极性相关联的一个或多个磁畴壁（130）。在另一方面，信息可以基于畴壁（130）的钉扎或取消以及与畴壁（130）相关联的相应手性或极性而存储在存储设备上。

10. 发明申请

WO2015135156A1 一种对磁多畴态进行调控的方法审中-公开
公开(公告)号：WO2015135156A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/CN2014/073289
申请日：2014-03-12
申请人：中国科学院微电子研究所
发明人：毕冲 , 龙世兵 , 刘明
IPC分类号： G11C11/14
CPC分类号： G11C19/0858 , G11C11/1675 , G11C11/18 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , G11C19/0816 , G11C19/0825 , G11C19/0841 , G11C19/085
摘要：本发明涉及信息数据的存储和处理技术领域，公开了一种对磁多畴态进行调控的方法，该方法是在磁性薄膜中通入电流的同时，施加一个磁场强度为0至4×10 5 A/m的外磁场来调控磁性薄膜的磁化状态，其中电流用于推动磁性薄膜磁多畴态中的磁畴移动，外磁场用于调控磁性薄膜中新磁畴的产生和已有磁畴在移动过程中的状态，从而使磁性薄膜处于一个稳定的磁多畴态。此多畴态不会被更高或更低的电流所影响，并能在撤去电流后保持稳定。该方法可用于目前的磁存储器和未来自旋逻辑器件中的磁化状态操纵，实现非易失性的多值存储和多位逻辑运算。

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