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1. 发明申请

WO2016035758A1 磁気素子、スキルミオンメモリ、スキルミオンメモリデバイス、スキルミオンメモリ搭載固体電子デバイス、データ記録装置、データ処理装置および通信装置审中-公开
标题翻译：磁性元件，SKYRMION存储器，SKYRMION存储器件，配备有天线存储器的固态电子器件，数据记录器件，数据处理器件和通信器件
公开(公告)号：WO2016035758A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/JP2015/074735
申请日：2015-08-31
申请人：国立研究開発法人理化学研究所
发明人：永長　直人 , 小椎八重　航 , 岩崎　惇一 , 川崎　雅司 , 十倉　好紀 , 金子　良夫
IPC分类号： H01L29/82 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , G11C19/08 , G11C19/0808 , G11C19/085 , G11C19/0866 , H01F7/20 , H01F10/3254 , H01L27/105 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/06 , H01L43/08
摘要：　１個のスキルミオンを生成し、１個のスキルミオンの消去が可能な磁気素子であって、略矩形の平板形状の磁性体と、磁性体の幅Ｗｍ方向に接続した非磁性金属からなる上流側電極と、上流側電極と対向して磁性体の幅Ｗｍ方向に接続した非磁性金属からなる下流側電極と、スキルミオンを検出するスキルミオン検出素子とを有し、磁性体の略矩形形状の幅Ｗｍは、スキルミオン直径をλとして、３・λ＞Ｗｍ≧λであり、磁性体の略矩形形状の長さＨｍは、２・λ＞Ｈｍ≧λであり、磁性体は上流側電極および下流側電極が挟む端部に凹部を有する磁気素子を提供する。
摘要翻译：本发明提供一种能够产生一个电极并消除一个电极的磁性元件，所述磁性元件具有：大致矩形的板状磁性体; 上游电极，其包括非磁性金属，并且以所述磁体的宽度（Wm）方向连接; 包括以磁性体的宽度（Wm）方向连接并与上游电极相对的非磁性金属的下游电极; 以及一个检测爬虫的爬虫检测元件。当skyrmion的直径定义为λ时，基本矩形磁体的宽度（Wm）为3∙λ

2. 发明申请

WO2015029348A1 磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気センサ审中-公开
标题翻译：使用相同的磁阻电阻元件和磁传感器
公开(公告)号：WO2015029348A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：PCT/JP2014/004140
申请日：2014-08-08
申请人：株式会社デンソー , 国立大学法人東北大学
发明人：矢野　敏史 , 青　建一 , 安藤　康夫 , 大兼　幹彦 , 中野　貴文
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10
CPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09 , G01R33/091 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11C11/14 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C16/0466 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：　Ｂを含有する合金を含む層を有する磁気抵抗素子において、Ｂの拡散を抑制できる構成を提供する。磁気抵抗素子は、Ｂを含有する合金を含むと共に、磁場により電気抵抗が変化する電気抵抗変化層（５ａ、５ｃ、５ｄ）と、前記電気抵抗変化層が拡散するＢを捕獲するための捕獲層（６ａ、６ｂ、１３、１４）と、を有する。このような構成とされていることにより、電気抵抗変化層に含まれたＢは、捕獲層内に捕獲され易くなり、磁気抵抗素子の外部へ拡散され難くなる。これにより、Ｂが磁気抵抗素子の外部に拡散したときの不具合が生じ難くなる。
摘要翻译：提供一种能够抑制具有包含含有B的合金的层的磁阻元件中的B的扩散的结构。除了包含含有B的合金之外，磁阻元件还具有：电阻变化层（5a， 5c，5d），其中通过磁场改变电阻; 以及用于捕获电阻变化层扩散的B的捕获层（6a，6b，13,14）。作为这种结构的结果，包含在电阻变化层中的B变得容易捕获在捕获层内部，并且B扩散到磁阻元件的外部变得困难。因此，当B扩散到磁阻元件的外部时出现的问题不容易发生。

3. 发明申请

WO2014185866A1 NON-VOLATILE LOGIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：非易失性逻辑器件
公开(公告)号：WO2014185866A1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：PCT/SG2014/000218
申请日：2014-05-19
申请人： NANYANG TECHNOLOGY UNIVERSITY
发明人： LEW, Wen Siang , MURAPAKA, Chandra Sekhar , PURNAMA, Indra , GOOLAUP, Sarjoosing , SETHI, Pankaj , GUITE, Chinkhanlun
IPC分类号： G11C11/02 , G11B11/00
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/14 , H01L43/08 , H03K19/20
摘要： The present disclosure relates to a non-volatile logic device, comprising: a first input element which is magnetizable along a first direction of magnetization to impart or change a chirality of a domain wall traversing the first input element, the chirality representing a first logical input; a second input element joined to the first input element to transport the domain wall, the second input element being magnetizable along a second direction of magnetization which is orthogonal to the first direction of magnetization, a magnetization of the second input element along the second direction of magnetization representing a second logical input; a bifurcated output section connected to the second input element at a junction, the output section comprising a pair of output elements for selectively receiving the domain wall from the second input element, a magnetization of at least part of the respective output elements being changeable by propagation of the domain wall along the respective output elements; and a non-magnetic conductive element disposed in partially overlapping relationship with the second input element at or near the junction; wherein the magnetization in an output element after propagation of the domain wall represents a value of a logical function of the first logical input and/or the second logical input, or a logical complement of the value; and wherein the logical function is selectable by passing an electrical current through the non-magnetic conductive element to induce a magnetic field of a desired magnitude and direction in the second input element.
摘要翻译：本公开涉及一种非易失性逻辑器件，包括：第一输入元件，其沿着第一磁化方向可磁化以赋予或改变穿过第一输入元件的域壁的手性，所述手性表示第一逻辑输入 ; 连接到第一输入元件以输送畴壁的第二输入元件，第二输入元件沿着与第一磁化方向正交的第二磁化方向可磁化，第二输入元件沿第二方向的磁化表示第二逻辑输入的磁化; 输出部分包括一对输出元件，用于从第二输入元件选择性地接收畴壁，各个输出元件的至少一部分的磁化可由传播变化的畴壁沿着相应的输出元件; 以及在所述结点处或附近与所述第二输入元件部分重叠的关系设置的非磁性导电元件; 其中所述域壁传播之后的输出元件中的磁化表示所述第一逻辑输入和/或所述第二逻辑输入的逻辑功能的值，或所述值的逻辑补码; 并且其中所述逻辑功能是通过使电流通过所述非磁性导电元件以在所述第二输入元件中引起期望的大小和方向的磁场来选择的。

4. 发明申请

WO2012035355A3 MAGNETIC DATA STORAGE USING DOMAIN WALL DISPLACEMENT 审中-公开
标题翻译：使用域壁位移的磁数据存储
公开(公告)号：WO2012035355A3
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：PCT/GB2011051740
申请日：2011-09-16
申请人： CAMBRIDGE ENTPR LTD , COWBURN RUSSELL PAUL
发明人： COWBURN RUSSELL PAUL
IPC分类号： G11C11/14 , G11C11/16 , H01L27/22
CPC分类号： G11C11/14 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/3231 , H01L43/08
摘要： A magnetic memory structure can be provided having a column of alternating magnetic and non-magnetic layers and in which an easy axis of anisotropy of each layer is offset from the equivalent axis of an adjacent layer so as to impart embedded chirality to the column. Thereby a transition in order parameter between different regions of the column has a chirality imparted to it by the embedded chirality of the column.
摘要翻译：可以提供具有交替的磁性和非磁性层的列的磁存储器结构，其中各层的各向异性的容易轴偏离相邻层的等效轴线，以便向柱施加嵌入的手性。因此，列的不同区域之间的顺序参数的转变具有通过柱的嵌入手性赋予它的手性。

5. 发明申请

WO2010131477A1 不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶装置へのデータ書込み方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储器件和将数据写入非易失性存储器件的方法
公开(公告)号：WO2010131477A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：PCT/JP2010/003264
申请日：2010-05-14
申请人：パナソニック株式会社 , 加藤佳一 , 村岡俊作 , 高木剛
发明人：加藤佳一 , 村岡俊作 , 高木剛
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/14 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C2013/0073 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , G11C2213/82
摘要：抵抗変化層は、第２抵抗状態（ＲＬ）へ変化する際に電極間電圧が負電圧である第１電圧（Ｖ１）に達すると抵抗値の低下が停止し、第１抵抗状態（ＲＨ）へ変化する際に電極間電圧が第１電圧と絶対値が同じ正電圧である第２電圧（Ｖ２）に達すると抵抗値の上昇が開始し、第１抵抗状態へ変化する際に電極間電圧が第２電圧より大きな第３電圧（Ｖ３）に達すると電極間電圧を第３電圧に保つように電極間電流を流し、第１抵抗状態へ変化する際に電極間電圧が第２電圧以上第３電圧未満の間は電極間電流が第１電流値（Ｉｌｉｍ）に達すると抵抗値の上昇が停止する特性を有し、負荷抵抗は、電気的パルス印加装置が第２印加電圧（ＶＰ２）の電気的パルスを出力する際、第２印加電圧から第３電圧を減じた電圧が負荷抵抗に印加されたときの電流が第１電流値以下となる特性を持つ。
摘要翻译：可变电阻层具有当电极间电压达到变为第二电阻状态（RL）时的负电压的第一电压（V1）时停止电阻值的降低的特性，并且增加当电极间电压达到与变为第一电阻状态（RH）时的第一电压相同的绝对值的正电压的第二电压（V2）时开始电阻值，以及其中，当电极间电压达到第三电压（V3）时，在变为第一电阻状态时，使电极间电流通过，以使电极间电压维持在第三电压，并且当电极间电流达到第一电流值（Ilim）时电阻值的增加停止，同时电极间电压不小于第二电压但小于第三电压改变到第一阻力状态的时间。负载电阻具有这样的特征，其中当电脉冲施加装置输出第二施加电压（VP2）的电脉冲时，当从第二施加电压减去第三电压之后的电压时，电流不大于第一电流值应用于负载电阻。

6. 发明申请

WO2009019949A1 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：磁性随机存取存储器及其制造方法
公开(公告)号：WO2009019949A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：PCT/JP2008/062300
申请日：2008-07-07
申请人：日本電気株式会社 , 永原聖万 , 深見俊輔 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 石綿延行
发明人：永原聖万 , 深見俊輔 , 鈴木哲広 , 大嶋則和 , 石綿延行
IPC分类号： H01L21/8246 , G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/14 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：　磁壁移動型のＭＲＡＭ１００は、強磁性層である磁気記録層１０と、磁化の向きが固定された強磁性層である磁気結合層２０とを備える。磁気記録層１０は、第１領域１０－１と、第２領域１０－２と、第１領域１０－１と第２領域１０－２との間をつなぐ磁化反転領域１０－３とを有する。第１領域１０－１は、磁気結合層２０と磁気的に結合し、その磁化の向きは磁気結合層２０によって第１方向に固定される。一方、第２領域１０－２は、磁気結合層２０と磁気的に結合せず、その磁化の向きは第１方向と逆の第２方向である。
摘要翻译：畴壁位移型MRAM（100）具有作为强磁性层的磁记录层（10）和作为具有固定的磁化方向的铁磁层的磁耦合层（20）。磁记录层（10）设置有第一区域（10-1），第二区域（10-2）和连接第一区域（10-1）和第二区域（10-1）的磁化反转区域（10-3）区域（10-2）。第一区域（10-1）与磁耦合层（20）磁耦合，磁耦合层（20）将磁化方向固定到第一方向。第二区域（10-2）不与磁耦合层（20）磁耦合，并且磁化方向是与第一方向相反的第二方向。

7. 发明申请

WO2006010258A1 TUNABLE MAGNETIC SWITCH 审中-公开
标题翻译：电磁开关
公开(公告)号：WO2006010258A1
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：PCT/CA2005/001167
申请日：2005-07-27
申请人： UNIVERSITY OF TORONTO , AOUBA, Stephane , RUDA, Harry
发明人： AOUBA, Stephane , RUDA, Harry
IPC分类号： G11C11/02
CPC分类号： G11C11/14 , G11C11/18 , H01L27/222 , H01L43/065
摘要： A tunable magnetic switch for use in a magnetic memory device, including a magnetic source to provide a magnetic bias field, a magnetic component located in the bias field, and a coil coaxially disposed around the magnetic component to set a magnetization level in the magnetic component in accordance with a magnetic recoil effect.
摘要翻译：一种用于磁存储器件的可调磁开关，包括提供磁偏置磁场的磁源，位于偏置磁场中的磁性部件，以及围绕磁性部件同轴设置的线圈，以在磁性部件中设置磁化水平按照磁性反冲作用。

8. 发明申请

WO2003096354A1 SURFACE-SMOOTHING CONDUCTIVE LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICES WITH MAGNETIC MATERIAL LAYERS 审中-公开
标题翻译：用于具有磁性材料层的半导体器件的表面 - 平滑导电层
公开(公告)号：WO2003096354A1
公开(公告)日：2003-11-20
申请号：PCT/EP2003/004795
申请日：2003-05-07
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人： SENG, Low, Kia
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/14 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F41/308 , H01F41/34
摘要： A semiconductor device (118) and method of fabrication thereof, wherein a plurality of conductive lines (124) are formed over a workpiece, a surface-smoothing conductive material (140) is disposed over the conductive lines (124), and a magnetic material (132) disposed is over the surface-smoothing conductive material (140). The surface-smoothing conductive material (140) has a smaller grain structure than the underlying conductive lines (124). The surface-smoothing conductive material (140) is polished so that the surface-smoothing conductive material (140) has a texturally smoother surface than the surface of the conductive lines (124).
摘要翻译：一种半导体器件（118）及其制造方法，其中在工件上方形成有多条导线（124），表面平滑导电材料（140）设置在导线（124）上方，磁性材料（132）位于所述表面平滑导电材料（140）之上。表面平滑导电材料（140）具有比下面的导电线（124）更小的晶粒结构。抛光表面平滑导电材料（140），使得表面平滑导电材料（140）具有比导电线（124）的表面更纹理平滑的表面。

9. 发明申请

WO2002063656A2 CHEMICAL MONOLAYER AND MICRO-ELECTRONIC JUNCTIONS AND DEVICES CONTAINING SAME 审中-公开
标题翻译：化学单体和微电子结以及包含它的装置
公开(公告)号：WO2002063656A2
公开(公告)日：2002-08-15
申请号：PCT/US2001/049234
申请日：2001-12-20
申请人： THE OHIO STATE UNIVERSTIY
发明人： MCCREERY, Richard, L.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B82Y10/00 , B05D1/185 , G11B9/04 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11C11/14 , H01L51/0595 , Y10T428/261 , Y10T428/268 , Y10T428/31504 , Y10T428/31536
摘要： The present invention includes a chemical monolayer construction that comprises: (a) a substrate having a contact surface; and (b) a plurality of substantially parallel molecular units, wherein said molecular units are attached to said substrate so as to be strongly coupled electronically to said substrate, such as though a conjugated bond. The present invention also includes electronic circuit components and devices including a chemical monolayer construction of the present invention.
摘要翻译：本发明包括一种化学单层结构，其包括：（a）具有接触表面的基底; 和（b）多个基本上平行的分子单元，其中所述分子单元连接到所述基底上，以便与所述基底电子地强耦合，例如共轭键。本发明还包括电子电路部件和包括本发明的化学单层结构的器件。

10. 发明申请

WO00052700A1 A NON-VOLATILE RANDOM ACCESS FERROMAGNETIC MEMORY WITH SINGLE COLLECTOR SENSOR 审中-公开
标题翻译：具有单收集传感器的非易失性随机存取存储器
公开(公告)号：WO00052700A1
公开(公告)日：2000-09-08
申请号：PCT/US2000/005700
申请日：2000-03-02
IPC分类号： G01R33/09 , G11C11/14 , G11C11/15 , G11C11/18
CPC分类号： G11C11/14 , G01R33/09
摘要： A non-volatile RAM device is disclosed which utilizes a plurality of ferromagnetic bits (6) each surrounded by a coil of a write line (13) for directing the remnant polarity thereof is disclosed. The direction of magnetic remnance in each bit (6) is dictated by the direction of a current induced into write line (13). Further, a magneto sensor (7) comprising a magneto resistor (1) coupled to a collector (2) is placed approximate each bit (6). The magneto resistor (1) is coupled to a control circuit (30) for receiving current. The current passing across magneto resistor (1) is biased in a direction either right or left of the original current flow direction. The collector is coupled to a sense line (4), which in turn, is coupled to an amplifier (12). When current flow is biased in the direction of the collector, the serial resistance of the magneto resistor will be decreased, and the sense line (4) will receive a high amount of current. However, when current flow is biased in the direction away from the collector, then the serial resistance of the magneto resistor will be effectively increased, and the sense line (4) will receive a small amount of current. The presence and amount of current in the sense line (4) is amplified and detected by the amplifier (12).
摘要翻译：公开了一种利用多个铁磁位（6）的非易失性RAM装置，每个铁磁位（6）由写入线（13）的线圈围绕以引导其剩余极性。每个位（6）中的磁残余的方向由引入到写入线（13）的电流的方向决定。此外，包括耦合到集电极（2）的磁电阻器（1）的磁传感器（7）被放置在每个位（6）附近。磁电阻器（1）耦合到用于接收电流的控制电路（30）。跨过磁电阻器（1）的电流沿原始电流流动方向的右侧或左侧偏置。集电极耦合到感测线（4），感测线又连接到放大器（12）。当电流流向集电极方向偏置时，磁阻电阻的串联电阻将降低，感测线（4）将接收大量的电流。然而，当电流流向偏离集电极的方向偏置时，磁阻电阻的串联电阻将有效地增加，感测线（4）将接收少量的电流。感测线（4）中的电流的存在和量被放大器（12）放大和检测。

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