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91. 发明申请

WO2016166593A1 INSPECTION METHOD AND DEVICE FOR INSPECTING A SURFACE PATTERN 审中-公开
标题翻译：检查方法和检查表面图案的装置
公开(公告)号：WO2016166593A1
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：PCT/IB2016/000475
申请日：2016-04-18
申请人： HENNECKE SYSTEMS GMBH
发明人： WINDELN, Wilbert
IPC分类号： G01B11/30 , G01M11/00 , G01R31/26 , G01R31/28 , G01N21/896 , G01N21/95 , G01N21/956 , G01N21/958 , H01L33/00
CPC分类号： G01B11/02 , G01B2210/56 , G01N21/896 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N21/95623 , G01N21/958 , G01R31/2635 , G01R31/2831
摘要： The invention relates to an inspection method for inspecting a surface pattern (4) formed on a front side of a substrate (3), preferably of a sapphire wafer, the method comprising the steps of: (a) irradiating, with first light (1), preferably having different wavelengths, a first area of the surface pattern (4) from the front side of the substrate (3); (b) measuring at least one characteristic of said first light (1) after having interacted with the surface pattern (4), preferably by diffraction; (c) irradiating, with second light (2), preferably having different wavelengths, a second area of the surface pattern (4) through the back side of the substrate (3), wherein the first area and the second area at least partially, preferably completely, overlap with each other; (d) measuring at least one characteristic of said second light (2) after having interacted with the surface pattern (4), preferably by diffraction; (e) calculating a quantity (T) containing information about at least one geometric property of the surface pattern (4) of the substrate (3), wherein the quantity (T) is a function of both, the characteristic of the first light (1) measured in step (b) and the characteristic of the second light (2) measured in step (d).
摘要翻译：本发明涉及一种用于检查形成在基板（3）的前侧上的表面图案（4）的检查方法，优选地是蓝宝石晶片，该方法包括以下步骤：（a）用第一光（1 ），优选地具有不同的波长，所述表面图案（4）的从所述基板（3）的前侧的第一区域; （b）优选通过衍射测量与表面图案（4）相互作用之后所述第一光（1）的至少一个特性; （c）通过衬底（3）的背面与具有不同波长的第二光（2）照射表面图案（4）的第二区域，其中第一区域和第二区域至少部分地，优选完全相互重叠; （d）优选通过衍射，在与表面图案（4）相互作用之后测量所述第二光（2）的至少一个特性; （e）计算包含关于所述基板（3）的表面图案（4）的至少一个几何性质的信息的量（T），其中所述数量（T）是二者的函数，所述第一光（ 1）和步骤（d）中测量的第二光（2）的特性。

92. 发明申请

WO2016157356A1 情報管理装置及び情報管理方法审中-公开
标题翻译：信息管理设备和信息管理方法
公开(公告)号：WO2016157356A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2015/059898
申请日：2015-03-30
申请人：富士機械製造株式会社
发明人：藤井　公夫
IPC分类号： H05K13/04 , H01L21/52 , H01L21/677 , H05K13/08
CPC分类号： H01L21/52 , G01R31/2831 , H01L21/67144 , H01L21/67276 , H01L21/67288 , H01L21/677 , H01L22/20 , H05K13/04 , H05K13/043 , H05K13/08
摘要：　管理装置は、ウェハから採取された部品が基材に実装されると、実装部品の採取位置に関する採取位置情報を含む採取元情報と、実装部品の実装位置に関する実装位置情報を含む実装先情報とを取得して、両情報を互いに関連付けた実装実績情報をＨＤＤ（９３）に記憶する。このため、ＨＤＤ（９３）に記憶された実装実績情報を参照して、実装部品の実装先情報から採取元情報をたどれば、実装部品が採取されたウェハにおける採取位置を特定することができる。
摘要翻译：当从晶片收集的部件安装在基板上时，管理装置：获取收集起始信息，包括与收集安装的部件的位置有关的收集位置信息，以及安装目的地信息，其包括与安装部件的安装位置; 并且在HDD（93）上存储收集起始信息和安装目的地信息相关联的装载记录信息。因此，通过参照存储在HDD（93）上的安装记录信息，并根据安装部件的安装目的地信息追踪收集原始信息，可以指定在安装部件被收集的晶片上的收集位置。

93. 发明申请

WO2016120122A1 METHOD, DEVICE AND SYSTEM FOR MEASURING AN ELECTRICAL CHARACTERISTIC OF A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于测量基板电气特性的方法，装置和系统
公开(公告)号：WO2016120122A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/EP2016/050977
申请日：2016-01-19
申请人： SOITEC , UNIVERSITE CATHOLIQUE DU LOUVAIN
发明人： MALAQUIN, Cédric , RASKIN, Jean-Pierre , DESBONNETS, Eric
IPC分类号： G01R31/26 , G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2822 , G01R29/0878 , G01R29/12 , G01R31/2648 , G01R31/2831 , G01R31/2887 , G01R31/2889
摘要： The invention relates to a device for measuring an electrical characteristic of a substrate comprising a support made of a dielectric material having a bearing surface, the support comprising an electrical test structure having a contact surface flush with the bearing surface of the support, the bearing surface of the support and the contact surface of the electrical structure being suitable for coming into close contact with a substrate. The measurement device also comprises at least one connection bump contact formed on another surface of the support and electrically linked to the electrical structure. The invention relates also to a system for characterizing a substrate and a method for measuring a characteristic of a substrate employing the measurement device.
摘要翻译：本发明涉及一种用于测量基板的电气特性的装置，包括由具有轴承表面的电介质材料制成的支撑件，该支撑件包括具有与支撑件的支承表面齐平的接触表面的电气测试结构，的电气结构的接触表面适于与衬底紧密接触。测量装置还包括形成在支撑件的另一表面上并电连接到电气结构的至少一个连接凸块接触。本发明还涉及用于表征基板的系统和用于测量使用测量装置的基板的特性的方法。

94. 发明申请

WO2016053629A1 SURFACE PHOTOVOLTAGE CALIBRATION STANDARD 审中-公开
标题翻译：表面照相校准标准
公开(公告)号：WO2016053629A1
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：PCT/US2015/050473
申请日：2015-09-16
申请人： SUNEDISON SEMICONDUCTOR LIMITED , RAPOPORT, Igor
发明人： RAPOPORT, Igor , CREPIN, Robert James , TAYLOR, Patrick Alan
IPC分类号： G01R35/00 , G01R31/26
CPC分类号： G01R35/007 , G01R31/2648 , G01R31/2831 , G01R35/005 , H01L21/26506 , H01L21/2654 , H01L21/266 , H01L21/3221 , H01L21/324 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L29/167 , H01L29/207 , H01L29/36
摘要： A method of preparing an iron-implanted semiconductor wafer for use in surface photovoltage iron mapping and other evaluation techniques. A semiconductor wafer is implanted with iron through the at least two different regions of the front surface of the semiconductor at different iron implantation densities, and the iron-implanted semiconductor wafer is annealed at a temperature and duration sufficient to diffuse implanted iron into the bulk region of the semiconductor wafer.
摘要翻译：一种制备用于表面光电铁测绘和其它评价技术的铁注入半导体晶片的方法。以不同的铁注入密度通过半导体的前表面的至少两个不同区域以铁注入半导体晶片，并且将铁注入的半导体晶片在足以将注入的铁扩散到本体区域的温度和持续时间进行退火的半导体晶片。

95. 发明申请

WO2016018832A1 PROTECTED LENS COVER PLATE FOR AN OPTICAL METROLOGY DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于光学仪器设备的保护镜头盖板
公开(公告)号：WO2016018832A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/US2015/042312
申请日：2015-07-27
申请人： NANOMETRICS INCORPORATED
发明人： SHIELDS, Jason Robert , BEN MOSHE, Nir , HAZELTON, Andrew J.
IPC分类号： G01N21/15 , G01R31/28 , G01R31/302 , G01N21/95 , H01L21/66
CPC分类号： G02B27/0006 , G01N21/15 , G01N21/9501 , G01N2021/151 , G01N2201/068 , G01R31/2831 , G01R31/302
摘要： A cover plate or lens for an optical metrology device that is positioned under a wafer during measurement is protected with a purge device. The purge device may include a ring that extends around a periphery of the cover plate or lens. The ring includes a plurality of apertures through which a purge gas or air is expelled over the surface of the cover plate or lens. Additionally or alternatively, one or more heating elements may be provided that extend around the periphery of the cover plate or lens. The heating elements heat the cover plate above a dewpoint temperature of contaminant vapor. A heat sensor may be used to monitor the temperature of the cover plate to control the heating elements and/or to compensate for optical changes of the cover plate caused by heating during measurement of a wafer.
摘要翻译：在测量期间位于晶片下方的用于光学测量装置的盖板或透镜由吹扫装置保护。吹扫装置可以包括围绕盖板或透镜的周边延伸的环。环包括多个孔，净化气体或空气通过该孔排出盖板或透镜的表面。附加地或替代地，可以提供围绕盖板或透镜的周边延伸的一个或多个加热元件。加热元件将盖板加热到高于污染物蒸汽的露点温度。可以使用热传感器来监测盖板的温度以控制加热元件和/或补偿由晶片测量期间的加热引起的盖板的光学变化。

96. 发明申请

WO2015058130A3 METHOD AND APPARATUS FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF SHEET RESISTANCE AND SHUNT RESISTANCE OF P-N JUNCTIONS 审中-公开
标题翻译：用于非接触式测量P-N结的抗电阻和阻抗的方法和装置
公开(公告)号：WO2015058130A3
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：PCT/US2014061212
申请日：2014-10-17
申请人： KLA TENCOR CORP
发明人： FAIFER VLADIMIR N , KELLY-MORGAN IAN SIERRA GABRIEL
IPC分类号： G01R35/00
CPC分类号： G01R31/2656 , G01R31/2648 , G01R31/2831 , G01R31/308
摘要： Non-Contact measurement of characteristics of p-n junctions includes illuminating an illumination area of a surface of a p-n junction with light, measuring a first junction photovoltage (JPV) signal from a first area of the p-n junction with a first electrode, measuring a second JPV signal from a second area with a second electrode, measuring a third JPV signal from a third area with a reference electrode, and determining a sheet resistance of the p-n junction top layer with a corrected first JPV signal, a corrected second JPV signal, a corrected first calibration JPV signal, a corrected second calibration JPV signal or the known sheet resistance of the calibration p-n junction.
摘要翻译： pn结的特性的非接触测量包括用光照射pn结的表面的照明区域，从与第一电极的pn结的第一区域测量第一结光电压（JPV）信号，测量第二JPV 来自具有第二电极的第二区域的信号，从具有参考电极的第三区域测量第三JPV信号，以及使用校正的第一JPV信号，校正的第二JPV信号，校正的第二JPV信号确定pn结顶层的薄层电阻第一校准JPV信号，校正的第二校准JPV信号或校准pn结的已知薄片电阻。

97. 发明申请

WO2013154909A1 TRANSLATORS COUPLEABLE TO OPPOSING SURFACES OF MICROELECTRONIC SUBSTRATES FOR TESTING, AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：用于测试微电子基板表面和相关系统和方法的翻译器
公开(公告)号：WO2013154909A1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：PCT/US2013/035286
申请日：2013-04-04
申请人： ADVANCED INQUIRY SYSTEMS, INC.
发明人： JOHNSON, Morgan T.
IPC分类号： H01L21/66 , H01L25/16
CPC分类号： G01R31/26 , G01R1/0416 , G01R1/07378 , G01R31/2831 , G01R31/2886 , G01R31/2887 , H01L2224/16225
摘要： Translators coupleable to opposing surfaces of microelectronic substrates for testing, and associated systems and methods are disclosed. An arrangement in accordance with one embodiment includes a microelectronic substrate having a first major surface, a second major face facing opposite from the first major surface, and electrically conductive through-substrate vias extending through the substrate and electrically accessible from both the first and second surfaces. The arrangement further includes a first translator releasably connected to the substrate and positioned in a first region extending outwardly from the first surface, the first translator including first electrical signal paths that access the vias from the first surface, and a second translator releasably connected to the substrate simultaneously with the first translator, the second translator being positioned in a second region extending outwardly from the second surface, the second translator including second electrical signal paths that access the vias from the second surface.
摘要翻译：公开了可耦合到用于测试的微电子衬底的相对表面的翻译器，以及相关系统和方法。根据一个实施例的装置包括具有第一主表面，与第一主表面相对的第二主表面的微电子衬底以及延伸穿过衬底并可从第一表面和第二表面电接触的导电贯穿衬底通孔。该装置还包括可释放地连接到基板并且定位在从第一表面向外延伸的第一区域中的第一转换器，第一转换器包括从第一表面接近通孔的第一电信号路径和可释放地连接到第一转换器的第二转换器基板同时与第一平移器同步，第二转换器定位在从第二表面向外延伸的第二区域中，第二转换器包括从第二表面接近通孔的第二电信号路径。

98. 发明申请

WO2012100361A2 SENSOR PROTECTION 审中-公开
标题翻译：传感器保护
公开(公告)号：WO2012100361A2
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/CH2012/000020
申请日：2012-01-26
申请人： SENSIRION AG , GRAF, Markus , STREIFF, Matthias , HUNZIKER, Werner , SCHANZ, Christoph
发明人： GRAF, Markus , STREIFF, Matthias , HUNZIKER, Werner , SCHANZ, Christoph
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： G01R31/2831 , B81C1/00333 , G01N33/0027 , G09G1/00 , H01L21/00 , H01L24/94 , H01L2221/00 , H01L2224/13
摘要： In a method for manufacturing a sensor chip a spacer (3) is arranged at the front side (11) of a substrate (1) at which front side (11) a sensing element (2) is arranged, too. Holes (14) are etched for building vias (15) extending through the substrate (1) between the front side (11) of the substrate (1) and its back side (12). After etching, the holes (14) are filled with conductive material to complete the vias (15). The spacer (3) provides protection to the sensing element (2) and the sensing chip throughout the manufacturing process.
摘要翻译：在传感器芯片的制造方法中，在基板（1）的前侧（11）配置有隔离物（3），在基板（1）的前侧（11）配置有感应元件（2）。蚀刻孔（14），用于在衬底（1）的前侧（11）和其背面（12）之间延伸穿过衬底（1）的建筑通孔（15）。在蚀刻之后，用导电材料填充孔（14）以完成通路（15）。间隔件（3）在整个制造过程中提供对传感元件（2）和传感芯片的保护。

99. 发明申请

WO2012083955A1 SINGLE-POSITION HALL EFFECT MEASUREMENTS 审中-公开
标题翻译：单一位置效应测量
公开(公告)号：WO2012083955A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/DK2011/000156
申请日：2011-12-21
申请人： CAPRES A/S , WEI, Fei , PETERSEN, Dirch Hjorth , HANSEN, Ole
发明人： WEI, Fei , PETERSEN, Dirch Hjorth , HANSEN, Ole
IPC分类号： G01N27/04 , G01R31/26 , H01L21/66 , G01R31/28 , H01L23/544
CPC分类号： G01B7/14 , G01R31/2648 , G01R31/2831 , H01L22/14 , H01L22/34
摘要： A method for determining a distance (Y) between a first position on and an electrical boundary (34) of a test sample by a multi -point probe comprising four contact elements, comprising: contacting the test sample with the four contact elements (20,22,24,26) at the first position, applying a magnetic field at the first position, performing a first and a second four-point measurement and deriving a first and a second resistance value, calculating a first resistance difference from the first and second resistance values, performing a third and a fourth four-point measurement and deriving a third and a fourth resistance value, calculating a second resistance difference from the third and fourth resistance values, defining a first relation including parameters representing the first resistance difference, the second resistance difference, and the distance between the first position and the electrical boundary, determining the distance by using the first and the second resistance differences in the first relation.
摘要翻译：一种用于通过包括四个接触元件的多点探针确定测试样品的第一位置和电气边界（34）之间的距离（Y）的方法，包括：使测试样品与四个接触元件（20， 22,24,26），在第一位置施加磁场，执行第一和第二四点测量并导出第一和第二电阻值，从第一和第二位置计算第一电阻差电阻值，执行第三和第四四点测量并导出第三和第四电阻值，从第三和第四电阻值计算第二电阻差，定义包括表示第一电阻差的参数的第一关系，第二电阻值电阻差和第一位置与电气边界之间的距离，通过使用第一和第二电阻差确定距离在第一关系。

100. 发明申请

WO2011099191A1 光誘起キャリアライフタイム測定方法、光入射効率測定方法、光誘起キャリアライフタイム測定装置、および光入射効率測定装置审中-公开
标题翻译：光电传输器寿命测量方法，光发射效率测量方法，光电载波寿命测量装置和光发射效率测量装置
公开(公告)号：WO2011099191A1
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：PCT/JP2010/065227
申请日：2010-09-06
申请人：国立大学法人東京農工大学 , 鮫島俊之
发明人：鮫島　俊之
IPC分类号： G01N22/00 , H01L21/66
CPC分类号： G01N22/00 , G01R31/2648 , G01R31/2831 , H01L22/12
摘要：【課題】半導体基体における光誘起キャリアの実効ライフタイムを、試料の表面状態によらず高精度に得ることが可能な光誘起キャリアライフタイム測定方法を提供する。【解決手段】半導体基体に対して周期的に誘起光をパルス照射すると共に、当該半導体基体にマイクロ波を照射する。半導体基体を透過するかまたは当該半導体基体で反射した前記マイクロ波を検出する。誘起光のパルス照射に際しての照射時間Ｔ１および非照射時間Ｔ２と、前記検出によって得られた各マイクロ波強度の積分値とに基づいて、当該誘起光のパルス照射によって前記半導体基体に発生した光誘起キャリアの実効ライフタイムを得る。
摘要翻译：公开了一种光电荷寿命测量方法，其能够以与样品的表面状态无关的方式以高精度测量半导体衬底中的光致载流子的有效寿命。用感应光脉冲和微波周期性地照射半导体衬底。检测透过半导体衬底或从半导体衬底反射的微波。基于通过感应光的脉冲照射的照射时间T1，非照射时间T2和通过检测测量的每个微波强度的积分值，在半导体衬底中产生的光致载流子的有效寿命用感应光的脉冲照射衬底。

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