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1. 发明专利

TW202011692A 體聲波結構、體聲波裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：体声波结构、体声波设备及其制造方法
公开(公告)号：TW202011692A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW107131208
申请日：2018-09-05
申请人：立積電子股份有限公司 , RICHWAVE TECHNOLOGY CORP.
发明人：劉慈祥 , LIOU, TSYR SHYANG
IPC分类号： H03H9/15 , H03H3/08 , H03H3/02
摘要：一種體聲波結構包括單晶壓電材料層、第一電極、第二電極與聲波反射器。第一與第二電極分別位於單晶壓電材料層的第一表面與第二表面。第二電極的面積大於或等於單晶壓電材料層的第二表面的面積，且單晶壓電材料層與第二電極的接觸面積等於單晶壓電材料層的第二表面的面積。聲波反射器則是設置於第一電極的表面。一種體聲波裝置包括上述體聲波結構、凸塊、承載器以及封裝體。凸塊設置於體聲波結構之下，並分別電性連接第一與第二電極。承載器則藉由凸塊分別電性連接至所述第一與第二電極。封裝體係位於承載器上並包覆上述體聲波結構。
简体摘要：一种体声波结构包括单晶压电材料层、第一电极、第二电极与声波反射器。第一与第二电极分别位於单晶压电材料层的第一表面与第二表面。第二电极的面积大于或等於单晶压电材料层的第二表面的面积，且单晶压电材料层与第二电极的接触面积等於单晶压电材料层的第二表面的面积。声波反射器则是设置于第一电极的表面。一种体声波设备包括上述体声波结构、凸块、承载器以及封装体。凸块设置于体声波结构之下，并分别电性连接第一与第二电极。承载器则借由凸块分别电性连接至所述第一与第二电极。封装体系位于承载器上并包复上述体声波结构。

2. 发明专利

TW201834865A 樹脂薄片审中-公开
简体标题：树脂薄片
公开(公告)号：TW201834865A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106144360
申请日：2017-12-18
申请人：日商日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：土生剛志 , HABU, TAKASHI , 清水祐作 , SHIMIZU, YUSAKU , 飯野智絵 , IINO, CHIE , 砂原肇 , SUNAHARA, HAJIME
IPC分类号： B32B27/38 , B32B27/20 , B32B27/30 , H01L23/29 , H01L23/31 , H03H3/08
摘要：本發明提供可抑制進入電子裝置與黏著物之間的中空部的樹脂的量在每個封裝體中發生偏差的樹脂薄片。樹脂薄片具有最外層與最內層，最外層包含無機填料與熱可塑性樹脂，無機填料的含量相對於最外層全體為85重量%以上，熱可塑性樹脂的含量相對於最外層的樹脂成分全體為15重量%以下，最內層包含重量平均分子量為80萬以上的含官能基之熱可塑性樹脂，含官能基之熱可塑性樹脂的含量相對於最內層的樹脂成分全體為90重量%以上。
简体摘要：本发明提供可抑制进入电子设备与黏着物之间的中空部的树脂的量在每个封装体中发生偏差的树脂薄片。树脂薄片具有最外层与最内层，最外层包含无机填料与热可塑性树脂，无机填料的含量相对于最外层全体为85重量%以上，热可塑性树脂的含量相对于最外层的树脂成分全体为15重量%以下，最内层包含重量平均分子量为80万以上的含官能基之热可塑性树脂，含官能基之热可塑性树脂的含量相对于最内层的树脂成分全体为90重量%以上。

3. 发明专利

TW201702440A 鉭酸鋰單結晶基板及其接合基板與其製造方法以及使用該基板的彈性表面聲波裝置审中-公开
简体标题：钽酸锂单结晶基板及其接合基板与其制造方法以及使用该基板的弹性表面声波设备
公开(公告)号：TW201702440A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105111419
申请日：2016-04-13
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 阿部淳 , ABE, JUN , 加藤公二 , KATO, KOJI , 桑原由則 , KUWABARA, YOSHINORI
IPC分类号： C30B29/30 , C30B31/08 , B32B9/04 , B32B5/14 , H03H3/08 , H03H9/25
CPC分类号： C30B29/30 , C01D15/02 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/90 , C04B37/00 , C04B37/02 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C30B29/605 , C30B31/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H03H9/02559
摘要：提供一種變形小，沒有破裂以及傷痕，而且，溫度特性與以往的回轉Y切割LiTaO3 基板良好，電氣機械結合係數大，進一步，裝置的Q值高的鉭酸鋰單結晶基板。本發明的鉭酸鋰單結晶基板為一種從使結晶方位回轉36°Y～49°Y切割的回轉Y切割LiTaO3 基板的表面到內部進行Li的擴散，基板表面和基板內部的Li濃度為不同的濃度分布的LiTaO3 單結晶基板，其特徵在於：該LiTaO3 單結晶基板，進行了單一分極處理，從基板表面到在LiTaO3 基板表面傳送的彈性表面聲波或者洩露彈性表面聲波的波長的5～15倍的深度，具有大略相同的Li濃度。
简体摘要：提供一种变形小，没有破裂以及伤痕，而且，温度特性与以往的回转Y切割LiTaO3 基板良好，电气机械结合系数大，进一步，设备的Q值高的钽酸锂单结晶基板。本发明的钽酸锂单结晶基板为一种从使结晶方位回转36°Y～49°Y切割的回转Y切割LiTaO3 基板的表面到内部进行Li的扩散，基板表面和基板内部的Li浓度为不同的浓度分布的LiTaO3 单结晶基板，其特征在于：该LiTaO3 单结晶基板，进行了单一分极处理，从基板表面到在LiTaO3 基板表面发送的弹性表面声波或者泄露弹性表面声波的波长的5～15倍的深度，具有大略相同的Li浓度。

4. 发明专利

TWI697204B 複合基板上的表面聲波裝置有权
简体标题：复合基板上的表面声波设备
公开(公告)号：TWI697204B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW108111025
申请日：2019-03-28
申请人：法商佛雷克恩股份有限公司 , FREC'N'SYS
发明人：巴朗德拉塞爾凡 , BALLANDRAS, SYLVAIN , 拉若許蒂埃里 , LAROCHE, THIERRY
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/02 , H01L41/02 , H01L41/22

5. 发明专利

TW202019087A 橫向激發薄膜體聲波共振器审中-公开
简体标题：横向激发薄膜体声波共振器
公开(公告)号：TW202019087A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108120633
申请日：2019-06-14
申请人：美商諧振股份有限公司 , RESONANT INC.
发明人：普萊斯可維克多 , PLESSKI, VIKTOR , 楊德拉帕里松亞 , YANDRAPALLI, SOUMYA , 哈蒙羅伯特 B , HAMMOND, ROBERT B. , 蓋西亞布萊恩 , GARCIA, BRYANT , 特納派翠克 , TURNER, PATRICK , 約翰傑森 , JOHN, JESSON , 楊切凡斯拉夫 , YANTCHEV, VENTSISLAV
IPC分类号： H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/46 , H03H9/64 , H03H9/17 , H03H9/02 , H03H9/25 , H01L41/332
摘要：本發明揭示聲波共振器器件及濾波器。一濾波器包含一基板及一壓電板，該壓電板具有平行之前表面及後表面，該後表面附接至該基板。一導體圖案形成於該前表面上，該導體圖案包含各自複數個共振器之複數個交叉指形傳感器(IDT)，其中該複數個IDT之各者之交錯指狀部安置於懸置於形成於該基板中之一或多個腔上方之該壓電板之各自部分上。該複數個共振器包含一並聯共振器及一串聯共振器。安置於該並聯共振器之該IDT之該等指狀部之間的一第一介電層之一第一厚度大於安置於該串聯共振器之該IDT之該等指狀部之間的一第二介電層之一第二厚度。
简体摘要：本发明揭示声波共振器器件及滤波器。一滤波器包含一基板及一压电板，该压电板具有平行之前表面及后表面，该后表面附接至该基板。一导体图案形成于该前表面上，该导体图案包含各自复数个共振器之复数个交叉指形传感器(IDT)，其中该复数个IDT之各者之交错指状部安置于悬置于形成于该基板中之一或多个腔上方之该压电板之各自部分上。该复数个共振器包含一并联共振器及一串联共振器。安置于该并联共振器之该IDT之该等指状部之间的一第一介电层之一第一厚度大于安置于该串联共振器之该IDT之该等指状部之间的一第二介电层之一第二厚度。

6. 发明专利

TWI599445B 複合基板的製造方法有权
简体标题：复合基板的制造方法
公开(公告)号：TWI599445B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW105129944
申请日：2016-09-14
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：北村和正 , 長江智毅
IPC分类号： B24B37/10 , H01L41/18 , H01L41/312 , H01L41/335 , H01L41/337 , H03H3/08
CPC分类号： H01L41/337 , B24B37/10 , B81C1/00611 , H01L21/30625 , H01L21/7684 , H01L41/0805 , H01L41/18 , H01L41/312 , H01L41/338 , H03H3/02

7. 发明专利

TWI597392B 鉭酸鋰單結晶基板及其接合基板與其製造方法以及使用該基板的彈性表面聲波裝置有权
简体标题：钽酸锂单结晶基板及其接合基板与其制造方法以及使用该基板的弹性表面声波设备
公开(公告)号：TWI597392B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105111419
申请日：2016-04-13
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 阿部淳 , ABE, JUN , 加藤公二 , KATO, KOJI , 桑原由則 , KUWABARA, YOSHINORI
IPC分类号： C30B29/30 , C30B31/08 , B32B9/04 , B32B5/14 , H03H3/08 , H03H9/25
CPC分类号： C30B29/30 , C01D15/02 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/90 , C04B37/00 , C04B37/02 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C30B29/605 , C30B31/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H03H9/02559

8. 发明专利

TW201602428A 壓電性氧化物單結晶基板审中-公开
简体标题：压电性氧化物单结晶基板
公开(公告)号：TW201602428A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104114519
申请日：2015-05-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 阿部淳 , ABE, JUN , 桑原由則 , KUWABARA, YOSHINORI
IPC分类号： C30B15/00 , C30B33/00 , H03H3/08
CPC分类号： H01L41/1873 , H01L41/18 , H03H9/02559 , H03H9/145 , H03H9/25
摘要：本發明的目的為提供一種翹曲小，無破裂以及缺損的，溫度特性良好的用於表面聲波元件等的壓電性氧化物單結晶基板。即本發明，為基板表面和基板內部具有Li濃度不同的濃度分佈的壓電性氧化物單結晶基板。具體的說，具有基板的厚度方向上離基板表面越近，Li濃度越高，離基板的厚度方向上的中心部越近Li，濃度越減少的濃度分佈。另外，本發明的壓電性氧化物單結晶基板，從基板表面到Li濃度開始減少的範圍或Li濃度結束增大的範圍為偽化學計量組成；基板的厚度方向上的中心部為大略共熔組成。
简体摘要：本发明的目的为提供一种翘曲小，无破裂以及缺损的，温度特性良好的用于表面声波组件等的压电性氧化物单结晶基板。即本发明，为基板表面和基板内部具有Li浓度不同的浓度分布的压电性氧化物单结晶基板。具体的说，具有基板的厚度方向上离基板表面越近，Li浓度越高，离基板的厚度方向上的中心部越近Li，浓度越减少的浓度分布。另外，本发明的压电性氧化物单结晶基板，从基板表面到Li浓度开始减少的范围或Li浓度结束增大的范围为伪化学计量组成；基板的厚度方向上的中心部为大略共熔组成。

9. 发明专利

TWI515933B 壓電零件及其製造方法有权
简体标题：压电零件及其制造方法
公开(公告)号：TWI515933B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW099126453
申请日：2010-08-09
申请人：日本電波工業股份有限公司 , NIHON DEMPA KOGYO CO., LTD.
发明人：津田稔正 , TSUDA, TOSHIMASA
IPC分类号： H01L41/053 , H03H9/10 , H01L41/22 , H03H3/08
CPC分类号： H03H9/1092 , H01L2224/16225 , H03H3/08 , Y10T29/42

10. 发明专利

TWI668958B 接合體及彈性波元件有权
简体标题：接合体及弹性波组件
公开(公告)号：TWI668958B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW107109932
申请日：2018-03-23
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：後藤萬佐司 , GOTO, MASASHI , 鵜野雄大 , UNO, YUDAI , 淺井圭一郎 , ASAI, KEIICHIRO , 多井知義 , TAI, TOMOYOSHI
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/25 , H01L41/18 , H01L41/22

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