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    • 4. 发明专利
    • 接合體及彈性波元件
    • 接合体及弹性波组件
    • TW202015334A
    • 2020-04-16
    • TW108116354
    • 2019-05-13
    • 日商日本碍子股份有限公司NGK INSULATORS, LTD.
    • 鵜野雄大UNO, YUDAI後藤萬佐司GOTO, MASASHI多井知義TAI, TOMOYOSHI
    • H03H9/25
    • 發明提供一種接合體及彈性波元件,在將由單晶矽構成的支持基板對壓電性單晶基板接合之接合體中,使用高電阻接合層,並改善支持基板與壓電性單晶基板之接合強度。接合體5、5A,具備:壓電性單晶基板4、4A;支持基板1,由單晶矽構成;接合層2A,設置於支持基板1與壓電性單晶基板4、4A之間,具有Si(1-x)Ox(0.008≦x≦0.408)之組成;以及非晶質層8,設置於支持基板1與接合層2A之間,含有矽原子、氧原子及氬原子。非晶質層8的接合層2A側端部之氧原子的濃度,較接合層2A內之氧原子的平均濃度更高。
    • 发明提供一种接合体及弹性波组件,在将由单晶硅构成的支持基板对压电性单晶基板接合之接合体中,使用高电阻接合层,并改善支持基板与压电性单晶基板之接合强度。接合体5、5A,具备:压电性单晶基板4、4A;支持基板1,由单晶硅构成;接合层2A,设置于支持基板1与压电性单晶基板4、4A之间,具有Si(1-x)Ox(0.008≦x≦0.408)之组成;以及非晶质层8,设置于支持基板1与接合层2A之间,含有硅原子、氧原子及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部之氧原子的浓度,较接合层2A内之氧原子的平均浓度更高。