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1. 发明专利

TW201741243A 低對稱石榴石關連型構造固體電解質及鋰離子蓄電池审中-公开
简体标题：低对称石榴石关连型构造固体电解质及锂离子蓄电池
公开(公告)号：TW201741243A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106114545
申请日：2017-05-02
申请人：國立研究開發法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：濱尾尚樹 , HAMAO, NAOKI , 片岡邦光 , KATAOKA, KUNIMITSU , 秋本順二 , AKIMOTO, JUNJI
IPC分类号： C01G25/00 , H01M10/0562
CPC分类号： C01G33/00 , C01G35/00 , C30B13/28 , C30B29/22 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01M10/052 , H01M10/0562
摘要：本發明提供一種離子傳導率高的固體電解質材料，及使用該固體電解質材料之全固體鋰離子蓄電池。一種固體電解質材料，其係具有化學組成：Li7-x-yLa3Zr2-x-yTaxNbyO12(0．05≦x+y≦0．2、x≧0、y≧0)，屬於斜方晶系、採空間群Ibca之石榴石關連型構造結晶體。該固體電解質材料，係鋰離子傳導率在25℃為1．0×10-4S/cm以上。此外，該固體電解質材料，晶格常數為1．29nm≦a≦1．32nm、1．26nm≦b≦1．29nm、1．29nm≦c≦1．32nm，且鋰離子佔有結晶構造內之3個16f席及1個8d席。全固體鋰離子蓄電池，係具有正極、負極、及固體電解質，固體電解質為該固體電解質材料所構成。
简体摘要：本发明提供一种离子传导率高的固体电解质材料，及使用该固体电解质材料之全固体锂离子蓄电池。一种固体电解质材料，其系具有化学组成：Li7-x-yLa3Zr2-x-yTaxNbyO12(0．05≦x+y≦0．2、x≧0、y≧0)，属于斜方晶系、采空间群Ibca之石榴石关连型构造结晶体。该固体电解质材料，系锂离子传导率在25℃为1．0×10-4S/cm以上。此外，该固体电解质材料，晶格常数为1．29nm≦a≦1．32nm、1．26nm≦b≦1．29nm、1．29nm≦c≦1．32nm，且锂离子占有结晶构造内之3个16f席及1个8d席。全固体锂离子蓄电池，系具有正极、负极、及固体电解质，固体电解质为该固体电解质材料所构成。

2. 发明专利

TW201432086A 用於低漏電流與低等效氧化層厚度ＢｉＴａＯ薄膜之ＡＬＤ製程审中-公开
简体标题：用于低漏电流与低等效氧化层厚度ＢｉＴａＯ薄膜之ＡＬＤ制程
公开(公告)号：TW201432086A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW103104124
申请日：2014-02-07
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. , ATMI韓國股份有限公司 , ATMI KOREA CO., LTD.
发明人：漢迪克斯布萊恩C , HENDRIX, BRYAN C. , 陳菲利普S H , CHEN, PHILIP S. H. , 李衛民 , LI, WEIMIN , 張祐尙 , JANG, WOOSUNG , 郭鼎凱 , GUO, DINGKAI
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/316
CPC分类号： H01L28/55 , C01G23/003 , C01G25/006 , C01G35/00 , C01P2006/40 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , H01L21/02194 , H01L21/02197 , H01L21/02205 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L28/40
摘要：本發明描述一種高介電常數(k≧40)、低漏電流(在0.6奈米或更低的等效氧化層厚度時，漏電流≦10-6 A/cm2)的非晶型金屬氧化物，該非晶型金屬氧化物包括一種由選自以下群組中之兩種或更多種相容金屬所形成的氧化物，該群組為：鉍、鉭、鈮、鋇、鍶、鈣、鎂、鈦、鋯、鉿、錫及鑭系金屬。所形成的此類型金屬氧化物可隨著此等氧化物之厚度而改變金屬成分的相對比例，藉以增進該等氧化物的安定性。藉由本發明所揭示的原子層沉積製程該金屬氧化物可輕易地製成該金屬氧化物，藉以提供DRAM及其他微電子元件中經常採用的金屬氧化物介電材料。
简体摘要：本发明描述一种高介电常数(k≧40)、低漏电流(在0.6奈米或更低的等效氧化层厚度时，漏电流≦10-6 A/cm2)的非晶型金属氧化物，该非晶型金属氧化物包括一种由选自以下群组中之两种或更多种兼容金属所形成的氧化物，该群组为：铋、钽、铌、钡、锶、钙、镁、钛、锆、铪、锡及镧系金属。所形成的此类型金属氧化物可随着此等氧化物之厚度而改变金属成分的相对比例，借以增进该等氧化物的安定性。借由本发明所揭示的原子层沉积制程该金属氧化物可轻易地制成该金属氧化物，借以提供DRAM及其他微电子组件中经常采用的金属氧化物介电材料。

3. 发明专利

TW201324789A 積層構造體、鐵電閘薄膜電晶體及鐵電薄膜電容器审中-公开
简体标题：积层构造体、铁电闸薄膜晶体管及铁电薄膜电容器
公开(公告)号：TW201324789A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101141077
申请日：2012-11-06
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 宮迫毅明 , MIYASAKO, TAKAAKI , 德光永輔 , TOKUMITSU, EISUKE , 斐元國呈 , BUI, NGUYEN QUOC TRINH
IPC分类号： H01L29/786 , H01G4/10 , B32B7/02
CPC分类号： H01L29/516 , C01G25/00 , C01G25/006 , C01G29/006 , C01G35/00 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/28291 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/75 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L41/0478 , H01L41/0805
摘要：本發明的課題為提供一種以鐵電閘薄膜電晶體的轉移特性容易劣化(例如記憶體視窗的寬度容易變窄)的問題為首，往往起因於Pb原子由PZT層擴散到氧化物導體層而發生的各種問題被解決的鐵電閘薄膜電晶體。本發明的解決手段為一種鐵電閘薄膜電晶體20，包含:通道層28；控制通道層28的導通狀態之閘電極層22；配置於通道層28與閘電極層22之間之由鐵電層構成的閘絕緣層25，閘絕緣層(鐵電層)25具有:PZT層23與BLT層(Pb擴散防止層)24被積層的構造，通道層(氧化物導體層)28配置於閘絕緣層(鐵電層)25中的BLT層(Pb擴散防止層)24側的面。
简体摘要：本发明的课题为提供一种以铁电闸薄膜晶体管的转移特性容易劣化(例如内存窗口的宽度容易变窄)的问题为首，往往起因于Pb原子由PZT层扩散到氧化物导体层而发生的各种问题被解决的铁电闸薄膜晶体管。本发明的解决手段为一种铁电闸薄膜晶体管20，包含:信道层28；控制信道层28的导通状态之闸电极层22；配置于信道层28与闸电极层22之间之由铁电层构成的闸绝缘层25，闸绝缘层(铁电层)25具有:PZT层23与BLT层(Pb扩散防止层)24被积层的构造，信道层(氧化物导体层)28配置于闸绝缘层(铁电层)25中的BLT层(Pb扩散防止层)24侧的面。

4. 发明专利

TWI303625B 含氧金屬化合物粉末之製造裝置及製法 PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING POWDERS OF METAL COMPOUND CONTAINING OXYGEN 失效
简体标题：含氧金属化合物粉末之制造设备及制法 PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING POWDERS OF METAL COMPOUND CONTAINING OXYGEN
公开(公告)号：TWI303625B
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW094108281
申请日：2005-03-18
申请人：日本派歐尼股份有限公司 JAPAN PIONICS CO., LTD.
发明人：高松勇吉 TAKAMATSU, YUKICHI , 桐山晃二 KIRIYAMA, KOJI , 淺野彰良 ASANO, AKIRA , 石井隆史 ISHII, TAKAFUMI
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C01G1/02 , C01B13/20 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G29/00 , C01G33/00 , C01G35/00 , Y10S502/525
摘要：本發明的課題係提供作為光學結晶、非線性結晶或磁光學結晶的原料等使用的含氧金屬化合物粉末的製造手段,可以用較低的生產成本容易地大量生產微細的含氧金屬化合物粉末。
本發明的含氧金屬化合物粉末的製造裝置具備有:液體流量控制器、氣化器、以及反應器,該反應器含有原料和氧的氣體供給手段、由該供給手段的側面加熱該氣體的手段、設置在該供給手段下游一側的該氣體的冷卻手段、以及生成物的收集手段。另外,含氧金屬化合物粉末之製法係利用液體流量控制器將選自液體原料以及把固體原料溶解於有機溶劑中的溶液原料中的至少1種原料供給至氣化器,氣化之後添加氧,在加熱條件下使之反應,然後用冷卻手段使之冷卻變成粉末。
简体摘要：本发明的课题系提供作为光学结晶、非线性结晶或磁光学结晶的原料等使用的含氧金属化合物粉末的制造手段,可以用较低的生产成本容易地大量生产微细的含氧金属化合物粉末。本发明的含氧金属化合物粉末的制造设备具备有:液体流量控制器、气化器、以及反应器,该反应器含有原料和氧的气体供给手段、由该供给手段的侧面加热该气体的手段、设置在该供给手段下游一侧的该气体的冷却手段、以及生成物的收集手段。另外,含氧金属化合物粉末之制法系利用液体流量控制器将选自液体原料以及把固体原料溶解于有机溶剂中的溶液原料中的至少1种原料供给至气化器,气化之后添加氧,在加热条件下使之反应,然后用冷却手段使之冷却变成粉末。

5. 发明专利

TW200533603A 氧化鉭及/或氧化鈮及其製造方法审中-公开
简体标题：氧化钽及/或氧化铌及其制造方法
公开(公告)号：TW200533603A
公开(公告)日：2005-10-16
申请号：TW094107482
申请日：2005-03-11
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 STELLA CHEMIFA CORPORATION
发明人：菊山裕久 KIKUYAMA, HIROHISA , 雅秀 WAKI, MASAHIDE , 橋口慎二 HASHIGUCHI, SHINJI , 青木謙治 AOKI, KENJI
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2004/03 , C01P2004/10
摘要：提供一種能夠將球狀結晶或不同於群集形狀之針狀結晶或者是柱狀結晶狀態之氧化鉭及／或氧化鈮予以製造之氧化鉭及／或氧化鈮之製造方法。其特徵在於：在氟化鉭鹽及／或氟化鈮鹽之水溶液，添加鹽基性水溶液，得到氫氧化鉭及／或氫氧化鈮，接著，燒成該氫氧化鉭及／或氫氧化鈮。
简体摘要：提供一种能够将球状结晶或不同于群集形状之针状结晶或者是柱状结晶状态之氧化钽及／或氧化铌予以制造之氧化钽及／或氧化铌之制造方法。其特征在于：在氟化钽盐及／或氟化铌盐之水溶液，添加盐基性水溶液，得到氢氧化钽及／或氢氧化铌，接着，烧成该氢氧化钽及／或氢氧化铌。

6. 发明专利

TW200428525A 形成强介電體薄膜用液狀組成物及强介電體薄膜之製造方法失效
简体标题：形成强介电体薄膜用液状组成物及强介电体薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW200428525A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW093111948
申请日：2004-04-29
申请人：旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：砂原一夫 SUNAHARA, KAZUO , 朝長浩之 TOMONAGA, HIROYUKI , 別府義久 BEPPU, YOSHIHISA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C01G49/0054 , B82Y30/00 , C01G23/003 , C01G23/005 , C01G23/006 , C01G25/00 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G49/0027 , C01G49/0036 , C01P2002/34 , C01P2004/54 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/127 , H01L21/31691
摘要：本發明目的係提供一種即使於低溫下燒成仍可製作具良好特性之強介電體薄膜之形成薄膜用液狀組成物，及使用此之強介電體薄膜之製造方法。使用形成強介電體薄膜用液狀組成物後可解決該課題，其特徵為，分散液狀媒體中以一般式ABO3(A為至少1種選自Ba^2＋、Sr^2＋、Ca^2＋、Pb^2＋、La^2＋、K^＋及Na^＋所成群者，B為至少1種選自Ti^4＋、Zr^4＋、Na^5＋、Ta^5＋及Fe^3＋所成群者)所示之具有鈣鈦礦構造，其平均一次粒徑為100nm以下，且，形態比為2以上之板狀或針狀結晶之強介電體氧化物粒子，溶解藉由加熱形成強介電體氧化物之可溶性金屬化合物。
简体摘要：本发明目的系提供一种即使于低温下烧成仍可制作具良好特性之强介电体薄膜之形成薄膜用液状组成物，及使用此之强介电体薄膜之制造方法。使用形成强介电体薄膜用液状组成物后可解决该课题，其特征为，分散液状媒体中以一般式ABO3(A为至少1种选自Ba^2＋、Sr^2＋、Ca^2＋、Pb^2＋、La^2＋、K^＋及Na^＋所成群者，B为至少1种选自Ti^4＋、Zr^4＋、Na^5＋、Ta^5＋及Fe^3＋所成群者)所示之具有钙钛矿构造，其平均一次粒径为100nm以下，且，形态比为2以上之板状或针状结晶之强介电体氧化物粒子，溶解借由加热形成强介电体氧化物之可溶性金属化合物。

7. 发明专利

TW201809098A 感放射線性組成物及圖案形成方法审中-公开
简体标题：感放射线性组成物及图案形成方法
公开(公告)号：TW201809098A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106117288
申请日：2017-05-25
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：白谷宗大 , SHIRATANI, MOTOHIRO
IPC分类号： C08K3/22 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： C01G19/02 , C01G23/053 , C01G25/02 , C01G27/02 , C01G35/00 , C01G41/02 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20
摘要：本發明的目的在於提供一種保存穩定性優異、且抑制了LWR性能、解析性及感度的經時降低的感放射線性組成物。本發明為一種感放射線性組成物，其含有：粒子，以金屬氧化物為主成分；凝聚抑制劑，抑制所述粒子的凝聚；以及有機溶媒。所述凝聚抑制劑較佳為具有脫水能力的化合物。所述具有脫水能力的化合物較佳為羧酸酐、原羧酸酯、羧酸鹵化物或該些的組合。所述凝聚抑制劑亦較佳為可配位於金屬原子的化合物。所述化合物較佳為由下述式（1）所表示。下述式（1）中，R1為n價有機基。X為-OH、-COOH、-NCO、-NHRa、-COORA或-CO-C(RL)2-CO-RA。n為1～4的整數。相對於所述粒子100質量份的所述凝聚抑制劑的含量較佳為0.001質量份以上。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种保存稳定性优异、且抑制了LWR性能、解析性及感度的经时降低的感放射线性组成物。本发明为一种感放射线性组成物，其含有：粒子，以金属氧化物为主成分；凝聚抑制剂，抑制所述粒子的凝聚；以及有机溶媒。所述凝聚抑制剂较佳为具有脱水能力的化合物。所述具有脱水能力的化合物较佳为羧酸酐、原羧酸酯、羧酸卤化物或该些的组合。所述凝聚抑制剂亦较佳为可配位于金属原子的化合物。所述化合物较佳为由下述式（1）所表示。下述式（1）中，R1为n价有机基。X为-OH、-COOH、-NCO、-NHRa、-COORA或-CO-C(RL)2-CO-RA。n为1～4的整数。相对于所述粒子100质量份的所述凝聚抑制剂的含量较佳为0.001质量份以上。

8. 发明专利

TWI269781B 高純度鈮化合物及/或鉭化合物之精製方法(二) 失效
简体标题：高纯度铌化合物及/或钽化合物之精制方法(二)
公开(公告)号：TWI269781B
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW092104178
申请日：2003-02-27
申请人：史鐵勒傑米華股份有限公司 OTTO WAGNER
发明人：菊山裕久 KIKUYAMA, HIROHISA , 雅秀 , 泉浩人 IZUMI, HIROTO , 矢崎洋史 , 青木謙治 AOKI, KENJI , 橋口慎二 HASHIGUCHI, SHINJI , 川理謁 , 村上祐子
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C01G33/003 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G35/003 , C01P2006/80 , C22B3/20 , C22B3/22 , C22B3/44 , C22B34/24 , Y02P10/234
摘要：提供一種能夠以更簡便且低成本的技術來進行高純度鈮化合物及/或鉭化合物的精製之高純度鈮化合物及/或鉭化合物的精製方法。
其特徵在於：從含有鈮及/或鉭的溶液，使用藉由晶析所得到的結晶‧溶液或濾液以生成鈮化合物及/或鉭化合物，並利用該溶解度之差以進行高純度的鈮化合物及/或鉭化合物的分離。
简体摘要：提供一种能够以更简便且低成本的技术来进行高纯度铌化合物及/或钽化合物的精制之高纯度铌化合物及/或钽化合物的精制方法。其特征在于：从含有铌及/或钽的溶液，使用借由晶析所得到的结晶‧溶液或滤液以生成铌化合物及/或钽化合物，并利用该溶解度之差以进行高纯度的铌化合物及/或钽化合物的分离。

9. 发明专利

TW200600457A 氧含有金屬化合物粉末之製造裝置及製法、以及由此製法生成之氧含有金屬化合物粉末 PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING POWDERS OF METAL COMPOUND CONTAINING OXYGEN, AND THE POWDERS PRODUCED BY THE PROCESS 失效
简体标题：氧含有金属化合物粉末之制造设备及制法、以及由此制法生成之氧含有金属化合物粉末 PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING POWDERS OF METAL COMPOUND CONTAINING OXYGEN, AND THE POWDERS PRODUCED BY THE PROCESS
公开(公告)号：TW200600457A
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW094108281
申请日：2005-03-18
申请人：日本派歐尼股份有限公司 JAPAN PIONICS CO., LTD
发明人：高松勇吉 TAKAMATSU, YUKICHI , 桐山晃二 KIRIYAMA, KOJI , 淺野彰良 ASANO, AKIRA , 石井隆史 ISHII, TAKAFUMI
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C01G1/02 , C01B13/20 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01G29/00 , C01G33/00 , C01G35/00 , Y10S502/525
摘要：本發明的課題係提供作為光學結晶、非線性結晶或磁光學結晶的原料等使用的含氧金屬化合物粉末的製造手段，可以用較低的生產成本容易地大量生產微細的含氧金屬化合物粉末。本發明的含氧金屬化合物粉末的製造裝置具備有：液體流量控制器、氣化器、以及反應器，該反應器含有原料和氧的氣體供給手段、由該供給手段的側面加熱該氣體的手段、設置在該供給手段下游一側的該氣體的冷卻手段、以及生成物的收集手段。另外，含氧金屬化合物粉末之製法係利用液體流量控制器將選自液體原料以及把固體原料溶解於有機溶劑中的溶液原料中的至少1種原料供給至氣化器，氣化之後添加氧，在加熱條件下使之反應，然後用冷卻手段使之冷卻變成粉末。
简体摘要：本发明的课题系提供作为光学结晶、非线性结晶或磁光学结晶的原料等使用的含氧金属化合物粉末的制造手段，可以用较低的生产成本容易地大量生产微细的含氧金属化合物粉末。本发明的含氧金属化合物粉末的制造设备具备有：液体流量控制器、气化器、以及反应器，该反应器含有原料和氧的气体供给手段、由该供给手段的侧面加热该气体的手段、设置在该供给手段下游一侧的该气体的冷却手段、以及生成物的收集手段。另外，含氧金属化合物粉末之制法系利用液体流量控制器将选自液体原料以及把固体原料溶解于有机溶剂中的溶液原料中的至少1种原料供给至气化器，气化之后添加氧，在加热条件下使之反应，然后用冷却手段使之冷却变成粉末。

10. 发明专利

TW200404376A 增加鐵電材料之大導電性之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR INCREASING BULK CONDUCTIVITY OF A FERROELECTRIC MATERIAL 审中-公开
简体标题：增加铁电材料之大导电性之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR INCREASING BULK CONDUCTIVITY OF A FERROELECTRIC MATERIAL
公开(公告)号：TW200404376A
公开(公告)日：2004-03-16
申请号：TW092117637
申请日：2003-06-27
申请人：希力康燈光機械公司 SILICON LIGHY MACHINES, INC.
发明人：羅納德O 麥歐斯 RONALD O. MILES , 陸德威L 蓋藍波 LUDWIG L. GALAMBOS , 傑諾斯J 拉薩 JANOS J. LAZAR , 加伯瑞歐C 瑞斯克 GABRIEL C. RISK , 艾利克西L 亞利桑羅斯基 ALEXEI L. ALEXANDROVSKI , 格瑞葛芮D 米勒 GREGORY D. MILLER , 大衛考帝洛 DAVID CAUDILLO , 喬瑟夫M 麥可瑞 JOSEPH M. MCRAE , 基索L 弗勒 GISELE L. FOULON
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2006/42
摘要：在一實施例中，一鐵電材料的處理係藉由安置材料於包括金屬蒸氣的環境中及加熱材料至低於材料的居里溫度之溫度。此允許鐵電材料的大導電性增加，不會使它的鐵電領域的性質實質上退化。在一實施例中，鐵電材料包含鉭化鋰，而金屬蒸氣包含鋅。
简体摘要：在一实施例中，一铁电材料的处理系借由安置材料于包括金属蒸气的环境中及加热材料至低于材料的居里温度之温度。此允许铁电材料的大导电性增加，不会使它的铁电领域的性质实质上退化。在一实施例中，铁电材料包含钽化锂，而金属蒸气包含锌。

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