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1. 发明专利

TW201947070A 壓電性材料基板與支持基板的接合體审中-公开
简体标题：压电性材料基板与支持基板的接合体
公开(公告)号：TW201947070A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108109892
申请日：2019-03-22
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：堀裕二 , HORI, YUJI , 高垣達朗 , TAKAGAKI, TATSURO
IPC分类号： C30B29/30 , C30B33/06 , B32B17/06 , B32B18/00 , B32B9/00 , B32B3/24 , H01L41/187 , H01L41/312 , H01L41/33 , H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/02
摘要：本發明之目的係為了於將壓電性材料基板1(1A)隔著接合層2接合於支持基板3之際，在對製得之接合體進行加熱處理時亦可不發生壓電性材料基板1(1A)之剝離。本發明之接合體具有：支持基板3；壓電性材料基板1(1A)，係由選自於由鈮酸鋰、鉭酸鋰及鈮酸鋰-鉭酸鋰構成之群組的材質所形成；及接合層2，其將支持基板3與壓電性材料基板1(1A)接合，且接觸於壓電性材料基板1(1A)之接合面1a。由前述壓電性材料基板向前述支持基板延伸之空孔設置在接合層2中。
简体摘要：本发明之目的系为了于将压电性材料基板1(1A)隔着接合层2接合于支持基板3之际，在对制得之接合体进行加热处理时亦可不发生压电性材料基板1(1A)之剥离。本发明之接合体具有：支持基板3；压电性材料基板1(1A)，系由选自于由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂-钽酸锂构成之群组的材质所形成；及接合层2，其将支持基板3与压电性材料基板1(1A)接合，且接触于压电性材料基板1(1A)之接合面1a。由前述压电性材料基板向前述支持基板延伸之空孔设置在接合层2中。

2. 发明专利

TWI606611B 具亞胺化鋰層的基板、具亞胺化鋰層的ＬＥＤ及其相關製作方法有权
简体标题：具亚胺化锂层的基板、具亚胺化锂层的ＬＥＤ及其相关制作方法
公开(公告)号：TWI606611B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105127877
申请日：2016-08-30
申请人：光磊科技股份有限公司 , OPTO TECH CORPORATION
发明人：彭隆瀚 , PENG, LUNG HAN , 李峻霣 , LI, JIUN YUN , 彭峻威 , PENG, JUN WEI , 邱柏元 , CHIU, PO YUAN
IPC分类号： H01L33/26 , H01L33/02 , H01L33/00 , C30B29/30
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016

3. 发明专利

TW201718957A 鉭酸鎵鑭系單晶的製造方法及鉭酸鎵鑭系單晶审中-公开
简体标题：钽酸镓镧系单晶的制造方法及钽酸镓镧系单晶
公开(公告)号：TW201718957A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105126357
申请日：2016-08-18
申请人：西鐵城精密器件股份有限公司 , CITIZEN FINEDEVICE CO., LTD. , 西鐵城時計股份有限公司 , CITIZEN WATCH CO., LTD.
发明人：高橋郁生 , TAKAHASHI, IKUO , 青木孝之 , AOKI, TAKAYUKI , 野野垣陽一 , NONOGAKI, YOUICHI , 木下嘉將 , KINOSHITA, YOSHITAKA
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/30
CPC分类号： C30B15/00 , C30B29/30
摘要：本發明之目的在於提供一種高絕緣電阻率且高強度的鉭酸鎵鑭系單晶的製造方法及鉭酸鎵鑭系單晶。本發明的鉭酸鎵鑭系單晶的製造方法，是透過自原料溶液將結晶提起之柴可斯基法來培養鉭酸鎵鑭系單晶；並且係將單晶的起始原料溶液容納於鉑坩堝，令單晶的培養軸為Z軸，並在下述培養氣體環境進行培養，該培養氣體環境是在惰性氣體中含有高於5體積%的氧化性氣體之混合氣體。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种高绝缘电阻率且高强度的钽酸镓镧系单晶的制造方法及钽酸镓镧系单晶。本发明的钽酸镓镧系单晶的制造方法，是透过自原料溶液将结晶提起之柴可斯基法来培养钽酸镓镧系单晶；并且系将单晶的起始原料溶液容纳于铂坩埚，令单晶的培养轴为Z轴，并在下述培养气体环境进行培养，该培养气体环境是在惰性气体中含有高于5体积%的氧化性气体之混合气体。

4. 发明专利

TW201702440A 鉭酸鋰單結晶基板及其接合基板與其製造方法以及使用該基板的彈性表面聲波裝置审中-公开
简体标题：钽酸锂单结晶基板及其接合基板与其制造方法以及使用该基板的弹性表面声波设备
公开(公告)号：TW201702440A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105111419
申请日：2016-04-13
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 阿部淳 , ABE, JUN , 加藤公二 , KATO, KOJI , 桑原由則 , KUWABARA, YOSHINORI
IPC分类号： C30B29/30 , C30B31/08 , B32B9/04 , B32B5/14 , H03H3/08 , H03H9/25
CPC分类号： C30B29/30 , C01D15/02 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/90 , C04B37/00 , C04B37/02 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C30B29/605 , C30B31/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H03H9/02559
摘要：提供一種變形小，沒有破裂以及傷痕，而且，溫度特性與以往的回轉Y切割LiTaO3 基板良好，電氣機械結合係數大，進一步，裝置的Q值高的鉭酸鋰單結晶基板。本發明的鉭酸鋰單結晶基板為一種從使結晶方位回轉36°Y～49°Y切割的回轉Y切割LiTaO3 基板的表面到內部進行Li的擴散，基板表面和基板內部的Li濃度為不同的濃度分布的LiTaO3 單結晶基板，其特徵在於：該LiTaO3 單結晶基板，進行了單一分極處理，從基板表面到在LiTaO3 基板表面傳送的彈性表面聲波或者洩露彈性表面聲波的波長的5～15倍的深度，具有大略相同的Li濃度。
简体摘要：提供一种变形小，没有破裂以及伤痕，而且，温度特性与以往的回转Y切割LiTaO3 基板良好，电气机械结合系数大，进一步，设备的Q值高的钽酸锂单结晶基板。本发明的钽酸锂单结晶基板为一种从使结晶方位回转36°Y～49°Y切割的回转Y切割LiTaO3 基板的表面到内部进行Li的扩散，基板表面和基板内部的Li浓度为不同的浓度分布的LiTaO3 单结晶基板，其特征在于：该LiTaO3 单结晶基板，进行了单一分极处理，从基板表面到在LiTaO3 基板表面发送的弹性表面声波或者泄露弹性表面声波的波长的5～15倍的深度，具有大略相同的Li浓度。

5. 发明专利

TW201829859A 鉭酸鋰結晶之製造裝置及鉭酸鋰結晶之製造方法审中-公开
简体标题：钽酸锂结晶之制造设备及钽酸锂结晶之制造方法
公开(公告)号：TW201829859A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106122316
申请日：2017-07-04
申请人：國立大學法人信州大學 , SHINSHU UNIVERSITY , 不二越機械工業股份有限公司 , FUJIKOSHI MACHINERY CORP.
发明人：干川圭吾 , HOSHIKAWA, KEIGO , 小林拓實 , KOBAYASHI, TAKUMI , 大葉悅子 , OHBA, ETSUKO
IPC分类号： C30B29/30 , C30B35/00
摘要：本發明提供一種製造裝置，其能使用鉑製坩堝製造高品質之鉭酸鋰的結晶。本發明的鉭酸鋰結晶之製造裝置10，係包含垂直布里奇曼(Bridgmann)爐或是垂直溫度梯度凝固爐的鉭酸鋰結晶之製造裝置10，其具備基體12、配設在基體12上之具有耐熱性的筒狀的爐本體14、塞住爐本體14的蓋體18、配設在爐本體14內的發熱體20、貫通基體12且設置成可自由上下移動的坩堝軸承24、和配設在坩堝軸承24上並藉由發熱體20所加熱的坩堝30，其特徵為坩堝30為鉑製的坩堝30。
简体摘要：本发明提供一种制造设备，其能使用铂制坩埚制造高品质之钽酸锂的结晶。本发明的钽酸锂结晶之制造设备10，系包含垂直布里奇曼(Bridgmann)炉或是垂直温度梯度凝固炉的钽酸锂结晶之制造设备10，其具备基体12、配设在基体12上之具有耐热性的筒状的炉本体14、塞住炉本体14的盖体18、配设在炉本体14内的发热体20、贯通基体12且设置成可自由上下移动的坩埚轴承24、和配设在坩埚轴承24上并借由发热体20所加热的坩埚30，其特征为坩埚30为铂制的坩埚30。

6. 发明专利

TW201329296A 非線性晶體及其製作方法审中-公开
简体标题：非线性晶体及其制作方法
公开(公告)号：TW201329296A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101101384
申请日：2012-01-13
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：彭隆瀚 , PENG, LUNG HAN
IPC分类号： C30B29/30 , C30B30/00
摘要：一種非線性晶體製作方法包含下列步驟：提供晶體，其具有第一面與第二面，形成非連續性的第一金屬層於晶體之第二面，其中晶體具有內部電場及鐵電疇極化方向，內部電場之方向朝向第一面，且鐵電疇極化方向朝向第二面；加熱晶體，使得第一金屬層從第二面進入晶體，在晶體中形成複數個第一金屬擴散單元；以及施加第一外加電場於晶體，以改變非該等第一金屬擴散單元對應之垂直區域之鐵電疇極化方向朝向第一面，其中第一外加電場大於矯頑電場與內部電場之差值，且第一外加電場之方向朝向第一面，使得晶體具有非連續鐵電疇極化方向之週期性結構。
简体摘要：一种非线性晶体制作方法包含下列步骤：提供晶体，其具有第一面与第二面，形成非连续性的第一金属层于晶体之第二面，其中晶体具有内部电场及铁电畴极化方向，内部电场之方向朝向第一面，且铁电畴极化方向朝向第二面；加热晶体，使得第一金属层从第二面进入晶体，在晶体中形成复数个第一金属扩散单元；以及施加第一外加电场于晶体，以改变非该等第一金属扩散单元对应之垂直区域之铁电畴极化方向朝向第一面，其中第一外加电场大于矫顽电场与内部电场之差值，且第一外加电场之方向朝向第一面，使得晶体具有非连续铁电畴极化方向之周期性结构。

7. 发明专利

TW201810717A 具亞胺化鋰層的基板、具亞胺化鋰層的ＬＥＤ及其相關製作方法审中-公开
简体标题：具亚胺化锂层的基板、具亚胺化锂层的ＬＥＤ及其相关制作方法
公开(公告)号：TW201810717A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105127877
申请日：2016-08-30
申请人：光磊科技股份有限公司 , OPTO TECH CORPORATION
发明人：彭隆瀚 , PENG, LUNG HAN , 李峻霣 , LI, JIUN YUN , 彭峻威 , PENG, JUN WEI , 邱柏元 , CHIU, PO YUAN
IPC分类号： H01L33/26 , H01L33/02 , H01L33/00 , C30B29/30
CPC分类号： H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016
摘要：本發明提出一種具亞胺基鋰層的基板、具亞胺基鋰層的LED及其相關製作方法。本發明的基板包括：一鈮酸鋰層；以及一亞胺基鋰層，形成於該鈮酸鋰層的一表面上。
简体摘要：本发明提出一种具亚胺基锂层的基板、具亚胺基锂层的LED及其相关制作方法。本发明的基板包括：一铌酸锂层；以及一亚胺基锂层，形成于该铌酸锂层的一表面上。

8. 发明专利

TWI597392B 鉭酸鋰單結晶基板及其接合基板與其製造方法以及使用該基板的彈性表面聲波裝置有权
简体标题：钽酸锂单结晶基板及其接合基板与其制造方法以及使用该基板的弹性表面声波设备
公开(公告)号：TWI597392B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105111419
申请日：2016-04-13
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 阿部淳 , ABE, JUN , 加藤公二 , KATO, KOJI , 桑原由則 , KUWABARA, YOSHINORI
IPC分类号： C30B29/30 , C30B31/08 , B32B9/04 , B32B5/14 , H03H3/08 , H03H9/25
CPC分类号： C30B29/30 , C01D15/02 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/90 , C04B37/00 , C04B37/02 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C30B29/605 , C30B31/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H03H9/02559

9. 发明专利

TWI472653B 非線性晶體及其製作方法有权
简体标题：非线性晶体及其制作方法
公开(公告)号：TWI472653B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW101101384
申请日：2012-01-13
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：彭隆瀚 , PENG, LUNG HAN
IPC分类号： C30B29/30 , C30B30/00

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