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1. 发明专利

TW202030298A 層合體之製造方法以及基板之製造方法审中-公开
简体标题：层合体之制造方法以及基板之制造方法
公开(公告)号：TW202030298A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108139391
申请日：2019-10-31
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田辺正人 , TANABE, MASAHITO , 菅生道博 , SUGO, MICHIHIRO
IPC分类号： C09J183/04 , B32B43/00 , H01L21/683 , H01L21/304
摘要：本發明提供可經由暫時接著材使基板與支撐體容易接合，且熱製程耐性優異，剝離亦容易，且可提高薄型基板之生產性的層合體之製造方法。本發明之層合體之製造方法係將背面應加工之基板的非加工面與支撐體經由暫時接著材接合的層合體之製造方法，其特徵係具有下述步驟：於前述基板之非加工面及前述支撐體中之任一者或兩者層合前述暫時接著材之步驟(a)，於接合開始前預先加熱前述基板與前述支撐體之步驟(b)，及將前述基板與前述支撐體經由前述暫時接著材而接合之步驟(c)，前述步驟(b)中，將前述基板加熱至50℃以上250℃以下之溫度，將前述支撐體加熱至50℃以上250℃以下且與前述基板不同之溫度，並且於前述步驟(c)中，於預先加熱之前述基板之溫度與前述支撐體之溫度不同之狀態開始接合。
简体摘要：本发明提供可经由暂时接着材使基板与支撑体容易接合，且热制程耐性优异，剥离亦容易，且可提高薄型基板之生产性的层合体之制造方法。本发明之层合体之制造方法系将背面应加工之基板的非加工面与支撑体经由暂时接着材接合的层合体之制造方法，其特征系具有下述步骤：于前述基板之非加工面及前述支撑体中之任一者或两者层合前述暂时接着材之步骤(a)，于接合开始前预先加热前述基板与前述支撑体之步骤(b)，及将前述基板与前述支撑体经由前述暂时接着材而接合之步骤(c)，前述步骤(b)中，将前述基板加热至50℃以上250℃以下之温度，将前述支撑体加热至50℃以上250℃以下且与前述基板不同之温度，并且于前述步骤(c)中，于预先加热之前述基板之温度与前述支撑体之温度不同之状态开始接合。

2. 发明专利

TWI701843B 太陽電池、太陽電池模組及太陽電池發電系統有权
简体标题：太阳电池、太阳电池模块及太阳电池发电系统
公开(公告)号：TWI701843B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108100193
申请日：2017-03-14
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：橋上洋 , HASHIGAMI, HIROSHI , 渡部武紀 , WATABE, TAKENORI , 大寛之 , OHTSUKA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/0256

4. 发明专利

TW202022078A 矽酮黏著劑組合物的製造方法审中-公开
简体标题：硅酮黏着剂组合物的制造方法
公开(公告)号：TW202022078A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108139001
申请日：2019-10-29
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林亮広 , KOBAYASHI, AKIHIRO , 黒田泰嘉 , KURODA, YASUYOSHI , 青木俊司 , AOKI, SHUNJI
IPC分类号： C09J183/06 , C09J183/04 , C09J11/06 , C09J7/20 , A61K9/70
摘要：提供一種不含有芳香族烴基溶劑、且能夠防止由殘留‧揮發的物質對人體的影響以及對皮膚的刺激，並已降低殘留矽烷醇基含量的矽酮黏著劑的簡便的製造方法。其具有：第一步驟，在鹼性催化劑存在下，混合（A）聚二有機矽氧烷、（B）有機聚矽氧烷，其R13SiO0.5單元/SiO2單元的摩爾比為0.5~1.5、以及（C）脂肪族烴溶劑；和第二步驟，藉由用有機二矽氮烷化合物和/或矽烷化合物去處理由上述第一步驟所得到的生成物，並將處理後的固形生成物中的矽烷醇基含量降低至0.002~0.03摩爾/處理後的固形生成物100g的範圍。
简体摘要：提供一种不含有芳香族烃基溶剂、且能够防止由残留‧挥发的物质对人体的影响以及对皮肤的刺激，并已降低残留硅烷醇基含量的硅酮黏着剂的简便的制造方法。其具有：第一步骤，在碱性催化剂存在下，混合（A）聚二有机硅氧烷、（B）有机聚硅氧烷，其R13SiO0.5单元/SiO2单元的摩尔比为0.5~1.5、以及（C）脂肪族烃溶剂；和第二步骤，借由用有机二硅氮烷化合物和/或硅烷化合物去处理由上述第一步骤所得到的生成物，并将处理后的固形生成物中的硅烷醇基含量降低至0.002~0.03摩尔/处理后的固形生成物100g的范围。

5. 发明专利

TW202022000A 紫外線固化性矽酮組合物及其固化物审中-公开
简体标题：紫外线固化性硅酮组合物及其固化物
公开(公告)号：TW202022000A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108133364
申请日：2019-09-17
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：松本展明 , MATSUMOTO, NOBUAKI , 大竹滉平 , OTAKE, KOHEI , 北川太一 , KITAGAWA, TAICHI , 松田剛 , MATSUDA, TSUYOSHI , 小材利之 , OZAI, TOSHIYUKI
IPC分类号： C08F290/06 , B29C64/112 , B33Y70/00
摘要：提供一種即使在表面曝光方式或吊起方式等的造型方式中也能夠使用的低黏度的紫外線固化性矽酮組合物以及拉伸強度與斷裂伸長率優異的固化物。所述紫外線固化性矽酮組合物含有：（A）以下述通式（1）表示的有機聚矽氧烷 [在通式（1）中，n為1≤n≤1000，m為1≤m≤1000，Ar為芳香族基，R1為碳原子數1~20的一價烴基，A為以下述通式（2）表示的基團。 [在通式（2）中，p為0≤p≤10，a為1≤a≤3，R1為碳原子數1~20的一價烴基，R2為氧原子或伸烷基，R3為丙烯醯氧基烷基等。]] （B）光聚合起始劑，及（C）不含有矽氧烷結構的單官能（甲基）丙烯酸酯化合物及/或（D）不含有矽氧烷結構的多官能（甲基）丙烯酸酯化合物。
简体摘要：提供一种即使在表面曝光方式或吊起方式等的造型方式中也能够使用的低黏度的紫外线固化性硅酮组合物以及拉伸强度与断裂伸长率优异的固化物。所述紫外线固化性硅酮组合物含有：（A）以下述通式（1）表示的有机聚硅氧烷 [在通式（1）中，n为1≤n≤1000，m为1≤m≤1000，Ar为芳香族基，R1为碳原子数1~20的一价烃基，A为以下述通式（2）表示的基团。 [在通式（2）中，p为0≤p≤10，a为1≤a≤3，R1为碳原子数1~20的一价烃基，R2为氧原子或伸烷基，R3为丙烯酰氧基烷基等。]] （B）光聚合起始剂，及（C）不含有硅氧烷结构的单官能（甲基）丙烯酸酯化合物及/或（D）不含有硅氧烷结构的多官能（甲基）丙烯酸酯化合物。

6. 发明专利

TWI696037B 光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI696037B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW108105532
申请日：2019-02-20
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：佐藤裕典 , SATOH, HIRONORI , 渡邊司 , WATANABE, TSUKASA , 橘誠一郎 , TACHIBANA, SEIICHIRO , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/075 , G03F7/32 , H01L21/027

7. 发明专利

TWI694632B 非水電解質二次電池用負極活性物質的製造方法、非水電解質二次電池用負極的製造方法、以及非水電解質二次電池有权
简体标题：非水电解质二次电池用负极活性物质的制造方法、非水电解质二次电池用负极的制造方法、以及非水电解质二次电池
公开(公告)号：TWI694632B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW105121599
申请日：2016-07-07
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 日商三井化學股份有限公司 , MITSUI CHEMICALS, INC.
发明人：加茂博道 , KAMO, HIROMICHI , 廣瀨貴一 , HIROSE, TAKAKAZU
IPC分类号： H01M4/485 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M10/052

8. 发明专利

TW202017890A 錪鹽、光阻組成物、以及圖案形成方法审中-公开
简体标题：錪盐、光阻组成物、以及图案形成方法
公开(公告)号：TW202017890A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108132344
申请日：2019-09-09
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：藤原敬之 , FUJIWARA, TAKAYUKI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO , 山田健司 , YAMADA, KENJI
IPC分类号： C07C25/18 , C07C59/115 , C07D207/267 , C09K3/00 , C08F220/10 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/38 , H01L21/027
摘要：本發明之課題為提供一種羧酸錪鹽，其在以KrF或ArF準分子雷射光、EB、EUV等高能射線作為光源的光微影中作為淬滅劑使用，並給予矩形性優異，MEF、LWR、CDU優異之光阻組成物；提供含有該錪鹽的光阻組成物、以及使用該光阻組成物的圖案形成方法。本發明之解決手段為下列式(1)表示之錪鹽。
简体摘要：本发明之课题为提供一种羧酸錪盐，其在以KrF或ArF准分子激光光、EB、EUV等高能射线作为光源的光微影中作为淬灭剂使用，并给予矩形性优异，MEF、LWR、CDU优异之光阻组成物；提供含有该錪盐的光阻组成物、以及使用该光阻组成物的图案形成方法。本发明之解决手段为下列式(1)表示之錪盐。

9. 发明专利

TWI693199B 合成石英玻璃基板之製造方法有权
简体标题：合成石英玻璃基板之制造方法
公开(公告)号：TWI693199B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW106107596
申请日：2017-03-08
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：石洋行 , ISHITSUKA, YOKO , 渡部厚 , WATABE, ATSUSHI , 原田大実 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI
IPC分类号： C03B33/02 , C03C15/00 , C03C17/28 , C03C3/06

10. 发明专利

TWI693198B 合成石英玻璃基板之製造方法有权
简体标题：合成石英玻璃基板之制造方法
公开(公告)号：TWI693198B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW105118242
申请日：2016-06-08
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：八木寿 , YAGI, HISASHI , 原田大実 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI , 代田和雄 , SHIROTA, KAZUO , 青木一彦 , AOKI, KAZUHIKO
IPC分类号： C03B20/00 , G03F1/60

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