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    • 3. 发明专利
    • 接合基板及其製造方法與使用了此接合基板的表面聲波裝置
    • 接合基板及其制造方法与使用了此接合基板的表面声波设备
    • TW201722074A
    • 2017-06-16
    • TW105130380
    • 2016-09-21
    • 信越化學工業股份有限公司SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
    • 丹野雅行TANNO, MASAYUKI加藤公二KATO, KOJI桑原由則KUWABARA, YOSHINORI
    • H03H9/25
    • H03H9/25
    • 本發明的目的在於提供一種溫度特性優良,抑制了在接合界面的彈性波的反射造成的不需要的響應的Q大,翹曲小的接合基板。本發明的特徵為在於,將LiTaO3基板和基礎基板接合而構成,該LiTaO3基板的和基礎基板結合的接合面上的Li濃度比該接合基板的LiTaO3基板側表面的Li濃度還要大。另外,LiTaO3基板的和基礎基板結合的接合面上的Li濃度和所述接合基板的LiTaO3基板側表面的Li濃度的差為0.1mol%以上為優選。進一步,LiTaO3基板的和基礎基板結合的接合面上的Li濃度為Li/(Li+Ta)×100=(50+α)mol%,α為-1.2<α<0.5的範圍,接合基板的LiTaO3基板側表面的Li濃度為Li/(Li+Ta)×100=(48.5+β)mol%,β為-0.5<β<0.5的範圍,從LiTaO3基板和基礎基板的接合界面到LiTaO3基板側的表面的厚度比表面聲波或者洩露表面聲波的波長的5倍還要大,但是比20倍要小為優選。
    • 本发明的目的在于提供一种温度特性优良,抑制了在接合界面的弹性波的反射造成的不需要的响应的Q大,翘曲小的接合基板。本发明的特征为在于,将LiTaO3基板和基础基板接合而构成,该LiTaO3基板的和基础基板结合的接合面上的Li浓度比该接合基板的LiTaO3基板侧表面的Li浓度还要大。另外,LiTaO3基板的和基础基板结合的接合面上的Li浓度和所述接合基板的LiTaO3基板侧表面的Li浓度的差为0.1mol%以上为优选。进一步,LiTaO3基板的和基础基板结合的接合面上的Li浓度为Li/(Li+Ta)×100=(50+α)mol%,α为-1.2<α<0.5的范围,接合基板的LiTaO3基板侧表面的Li浓度为Li/(Li+Ta)×100=(48.5+β)mol%,β为-0.5<β<0.5的范围,从LiTaO3基板和基础基板的接合界面到LiTaO3基板侧的表面的厚度比表面声波或者泄露表面声波的波长的5倍还要大,但是比20倍要小为优选。