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1. 实用新型

TWM586461U 超聲波偵測裝置有权
简体标题：超声波侦测设备
公开(公告)号：TWM586461U
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW108207418
申请日：2019-06-12
申请人：千竣科技有限公司 , QIAN JUN TECHNOLOGY LTD.
发明人：傅玉燕 , FU, YU-YEN , 葉柏村 , YEH, PO-CHUN , 陳東孚 , CHEN, DONG-FU
IPC分类号： H01L41/02 , H01L41/22 , H01J31/495

2. 发明专利

TW201735278A 陶瓷基板、積層體及表面聲波元件审中-公开
简体标题：陶瓷基板、积层体及表面声波组件
公开(公告)号：TW201735278A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105113988
申请日：2016-05-05
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：下司慶一郎 , GESHI, KEIICHIRO , 中山茂 , NAKAYAMA, SHIGERU
IPC分类号： H01L23/15 , H01L41/02
CPC分类号： H03H9/25 , B32B9/005 , B32B2307/20 , B32B2457/00 , C04B35/111 , C04B37/00 , H03H3/08 , H03H9/02543 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/02669 , H03H9/058 , H03H9/08
摘要：陶瓷基板係由多晶陶瓷構成，具有支持主面。支持主面之粗度Sa在0.01nm以上3.0nm以下。支持主面中，一邊50μm之正方形區域中1nm以上的凹凸平均小於5個，而且2nm以上的凹凸平均小於1個。
简体摘要：陶瓷基板系由多晶陶瓷构成，具有支持主面。支持主面之粗度Sa在0.01nm以上3.0nm以下。支持主面中，一边50μm之正方形区域中1nm以上的凹凸平均小于5个，而且2nm以上的凹凸平均小于1个。

3. 发明专利

TW201725492A 複合裝置以及包含該複合裝置的電子裝置审中-公开
简体标题：复合设备以及包含该复合设备的电子设备
公开(公告)号：TW201725492A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105142338
申请日：2016-12-21
申请人：摩達伊諾琴股份有限公司 , MODA-INNOCHIPS CO., LTD.
发明人：朴城撤 , PARK, SUNG CHOL , 金永述 , KIM, YOUNG SUL , 李釉珩 , LEE, YU HYEONG , 鄭寅燮 , JEONG, IN SEOB , 朴完 , PARK, WAN , 崔強豪 , CHOI, GANG HO
IPC分类号： G06F3/041 , G06F3/16 , H04R17/00 , H01L41/02 , H01L41/113
摘要：本發明提供一種複合裝置，所述複合裝置包括：框架，在所述框架中提供預定空間；振動構件，設置於所述框架中並產生振動；以及揚聲器，設置於所述框架中並產生聲音。
简体摘要：本发明提供一种复合设备，所述复合设备包括：框架，在所述框架中提供预定空间；振动构件，设置于所述框架中并产生振动；以及扬声器，设置于所述框架中并产生声音。

4. 发明专利

TWI418067B 針對微型化尺寸設有佈局結構之晶體振盪器有权
简体标题：针对微型化尺寸设有布局结构之晶体振荡器
公开(公告)号：TWI418067B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW100125109
申请日：2011-07-15
申请人：台灣晶技股份有限公司 , TXC CORPORATION
发明人：姜健偉
IPC分类号： H01L41/02 , H03H9/02
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW202023075A 晶圓級超聲波晶片模組及其製造方法审中-公开
简体标题：晶圆级超声波芯片模块及其制造方法
公开(公告)号：TW202023075A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107144242
申请日：2018-12-07
申请人：茂丞科技股份有限公司 , J-METRICS TECHNOLOGY CO., LTD. , 北京大學深圳研究生院 , PEKING UNIVERSITY SHENZHEN GRADUATE SCHOOL
发明人：金玉豐 , JIN, YU-FENG , 馬盛林 , MA, SHENG-LIN , 趙前程 , ZHAO, QIAN-CHENG , 邱奕翔 , CHIU, YI-HSIANG , 劉歡 , LIU, HUAN , 李宏斌 , LEE, HUNG-PING , 龔丹 , GONG, DAN
IPC分类号： H01L41/02 , H01L41/22 , G06K9/00
摘要：一種晶圓級超聲波晶片模組，包含基板、複合層、傳導材料以及底材。基板具有貫通槽，貫通槽連通基板的上表面及基板的下表面。複合層位於基板上。複合層包括超聲波體及保護層。超聲波體位於基板的上表面且貫通槽暴露出超聲波體的下表面。保護層覆蓋超聲波體及部分的基板的上表面。保護層具有開口，開口暴露出部分的超聲波體的上表面。傳導材料位於開口內且接觸超聲波體的上表面。底材位於基板的下表面且覆蓋貫通槽，以使貫通槽、超聲波體的下表面與底材的上表面之間形成空間。
简体摘要：一种晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、传导材料以及底材。基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面。复合层位于基板上。复合层包括超声波体及保护层。超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面。保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面。保护层具有开口，开口暴露出部分的超声波体的上表面。传导材料位于开口内且接触超声波体的上表面。底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的上表面之间形成空间。

6. 发明专利

TW201729439A 壓電振盪器及壓電振盪元件审中-公开
简体标题：压电振荡器及压电振荡组件
公开(公告)号：TW201729439A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105132683
申请日：2016-10-11
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：能登和幸 , NOTO, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L41/02 , H01L23/34 , H03H9/08
CPC分类号： H03B5/32 , H01L2224/16225 , H01L2924/16152
摘要：本發明之壓電振盪器(1)具備：基底構件(30)；壓電振動元件(10)，其搭載於基底構件(30)之上表面(32a)；蓋構件(20)，其以密封封止壓電振動元件(10)之方式接合於基底構件(30)之上表面(32a)；電子零件(50)，其搭載於基底構件(30)之下表面(32b)；構裝框體(60)，其以包圍電子零件(50)周圍之方式接合於基底構件(30)之下表面(32b)；及導熱路徑(70)，其形成於基底構件(30)及構裝框體(60)中之至少一者，於壓電振盪器(1)上，與壓電振動元件(10)及電子零件(50)中之任一者均電性獨立，具有導熱性；導熱路徑(70)具有：第1導熱部(72)，其較之基底構件(30)與構裝框體(60)相互重疊之部分配置於更內側；及第2導熱部(74)，其連接於第1導熱部(72)，較之基底構件(30)與構裝框體(60)相互重疊之部分配置於更外側。
简体摘要：本发明之压电振荡器(1)具备：基底构件(30)；压电振动组件(10)，其搭载于基底构件(30)之上表面(32a)；盖构件(20)，其以密封封止压电振动组件(10)之方式接合于基底构件(30)之上表面(32a)；电子零件(50)，其搭载于基底构件(30)之下表面(32b)；构装框体(60)，其以包围电子零件(50)周围之方式接合于基底构件(30)之下表面(32b)；及导热路径(70)，其形成于基底构件(30)及构装框体(60)中之至少一者，于压电振荡器(1)上，与压电振动组件(10)及电子零件(50)中之任一者均电性独立，具有导热性；导热路径(70)具有：第1导热部(72)，其较之基底构件(30)与构装框体(60)相互重叠之部分配置于更内侧；及第2导热部(74)，其连接于第1导热部(72)，较之基底构件(30)与构装框体(60)相互重叠之部分配置于更外侧。

7. 发明专利

TWI469407B 自體形成負載電容的壓電振盪器及其製造方法失效
简体标题：自体形成负载电容的压电振荡器及其制造方法
公开(公告)号：TWI469407B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW100102634
申请日：2011-01-25
申请人：泰藝電子股份有限公司
发明人：鄧志誠
IPC分类号： H01L41/02

8. 发明专利

TW201334248A 介電彈性膜反饋裝置、系統、及方法审中-公开
简体标题：介电弹性膜反馈设备、系统、及方法
公开(公告)号：TW201334248A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101138755
申请日：2012-10-19
申请人：拜耳材料科學股份有限公司 , BAYER MATERIALSCIENCE AG
发明人：比格斯西蒙 , BIGGS, SILMON JAMES , 希區考克羅傑 , HITCHCOCK, ROGER , 波利亞科夫伊利亞 , POLYAKOV, ILYA , 沙羅碧艾利瑞莎 , ZARRABI, ALIREZA
IPC分类号： H01L41/02 , H02N2/04
CPC分类号： G06F3/016 , H01L41/0986 , H01L41/193
摘要：本發明揭露一種反饋致能系統、模組與方法。該反饋致能系統包含一第一反饋模組。第一反饋模組包含一膜(薄膜)；一框架；一動作耦合，其中，當一電壓被施加到該膜(薄膜)時，該動作耦合會施加一力在該框架上以提供反饋；以及一使用者界面，其中第一反饋模組係被架構以提供經由使用者界面的反饋。該方法包含施加具有第一波型的第一電壓到第一反饋模組，第一反饋模組包含介電彈性膜(薄膜)、框架與動作耦合，其中當第一電壓被施加到介電彈性膜(薄膜)時，該動作耦合會施加一力到該框架上。
简体摘要：本发明揭露一种反馈致能系统、模块与方法。该反馈致能系统包含一第一反馈模块。第一反馈模块包含一膜(薄膜)；一框架；一动作耦合，其中，当一电压被施加到该膜(薄膜)时，该动作耦合会施加一力在该框架上以提供反馈；以及一用户界面，其中第一反馈模块系被架构以提供经由用户界面的反馈。该方法包含施加具有第一波型的第一电压到第一反馈模块，第一反馈模块包含介电弹性膜(薄膜)、框架与动作耦合，其中当第一电压被施加到介电弹性膜(薄膜)时，该动作耦合会施加一力到该框架上。

9. 发明专利

TWI701850B 超聲波偵測裝置及其製法有权
简体标题：超声波侦测设备及其制法
公开(公告)号：TWI701850B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108120233
申请日：2019-06-12
申请人：千竣科技有限公司 , QIAN JUN TECHNOLOGY LTD.
发明人：李啟聖 , LEE, CHI-SHEN , 傅玉燕 , FU, YU-YEN , 葉柏村 , YEH, PO-CHUN , 陳東孚 , CHEN, DONG-FU , 鄭智文 , CHENG, CHIH-WEN , 黃棋麟 , HUANG, CHI-LIN , 嚴育屏 , YEN, YU-PING
IPC分类号： H01L41/02 , H01L41/22 , H01J31/495

10. 发明专利

TWI697204B 複合基板上的表面聲波裝置有权
简体标题：复合基板上的表面声波设备
公开(公告)号：TWI697204B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW108111025
申请日：2019-03-28
申请人：法商佛雷克恩股份有限公司 , FREC'N'SYS
发明人：巴朗德拉塞爾凡 , BALLANDRAS, SYLVAIN , 拉若許蒂埃里 , LAROCHE, THIERRY
IPC分类号： H03H3/08 , H03H9/02 , H01L41/02 , H01L41/22

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