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1. 发明专利

TW201722074A 接合基板及其製造方法與使用了此接合基板的表面聲波裝置审中-公开
简体标题：接合基板及其制造方法与使用了此接合基板的表面声波设备
公开(公告)号：TW201722074A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105130380
申请日：2016-09-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 加藤公二 , KATO, KOJI , 桑原由則 , KUWABARA, YOSHINORI
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H03H9/25
摘要：本發明的目的在於提供一種溫度特性優良，抑制了在接合界面的彈性波的反射造成的不需要的響應的Q大，翹曲小的接合基板。本發明的特徵為在於，將LiTaO3基板和基礎基板接合而構成，該LiTaO3基板的和基礎基板結合的接合面上的Li濃度比該接合基板的LiTaO3基板側表面的Li濃度還要大。另外，LiTaO3基板的和基礎基板結合的接合面上的Li濃度和所述接合基板的LiTaO3基板側表面的Li濃度的差為0.1mol%以上為優選。進一步，LiTaO3基板的和基礎基板結合的接合面上的Li濃度為Li/(Li+Ta)×100=(50+α)mol%，α為-1.2＜α＜0.5的範圍，接合基板的LiTaO3基板側表面的Li濃度為Li/(Li+Ta)×100=(48.5+β)mol%，β為-0.5＜β＜0.5的範圍，從LiTaO3基板和基礎基板的接合界面到LiTaO3基板側的表面的厚度比表面聲波或者洩露表面聲波的波長的5倍還要大，但是比20倍要小為優選。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种温度特性优良，抑制了在接合界面的弹性波的反射造成的不需要的响应的Q大，翘曲小的接合基板。本发明的特征为在于，将LiTaO3基板和基础基板接合而构成，该LiTaO3基板的和基础基板结合的接合面上的Li浓度比该接合基板的LiTaO3基板侧表面的Li浓度还要大。另外，LiTaO3基板的和基础基板结合的接合面上的Li浓度和所述接合基板的LiTaO3基板侧表面的Li浓度的差为0.1mol%以上为优选。进一步，LiTaO3基板的和基础基板结合的接合面上的Li浓度为Li/(Li+Ta)×100=(50+α)mol%，α为-1.2＜α＜0.5的范围，接合基板的LiTaO3基板侧表面的Li浓度为Li/(Li+Ta)×100=(48.5+β)mol%，β为-0.5＜β＜0.5的范围，从LiTaO3基板和基础基板的接合界面到LiTaO3基板侧的表面的厚度比表面声波或者泄露表面声波的波长的5倍还要大，但是比20倍要小为优选。

2. 发明专利

TW201639293A 表面聲波元件用氧化物單結晶基板的製造方法审中-公开
简体标题：表面声波组件用氧化物单结晶基板的制造方法
公开(公告)号：TW201639293A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105101613
申请日：2016-01-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：阿部淳 , ABE, JUN , 丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 桑原由則 , KUWABARA, YOSHINORI
IPC分类号： H03H3/08 , C30B31/02 , H01L41/43 , H01L41/187 , H03H9/25
CPC分类号： H01L41/39 , C30B29/30 , C30B31/02 , H01L41/18 , H03H3/08 , H03H9/02559 , H03H9/25
摘要：本發明的目的是提供一種基板面內特性的差異小的氧化物單結晶基板的製造方法。本發明的製造方法的特徵在於：使含有Li化合物的粉體分散於介質中製成漿料，在使該漿料與氧化物單結晶基板的表面接觸的狀態下進行加熱，從而進行使Li從基板表面向內部擴散的改質處理，或者使上述漿料成為與氧化物單結晶基板的表面接觸的狀態，將該氧化物單結晶基板埋入含有Li化合物的粉體中進行加熱，從而進行使Li從基板表面向內部擴散的改質處理。
简体摘要：本发明的目的是提供一种基板面内特性的差异小的氧化物单结晶基板的制造方法。本发明的制造方法的特征在于：使含有Li化合物的粉体分散于介质中制成浆料，在使该浆料与氧化物单结晶基板的表面接触的状态下进行加热，从而进行使Li从基板表面向内部扩散的改质处理，或者使上述浆料成为与氧化物单结晶基板的表面接触的状态，将该氧化物单结晶基板埋入含有Li化合物的粉体中进行加热，从而进行使Li从基板表面向内部扩散的改质处理。

3. 发明专利

TW201635702A 彈性表面波元件用鉭酸鋰單晶基板以及使用該基板的器件及其製造方法和檢查方法审中-公开
简体标题：弹性表面波组件用钽酸锂单晶基板以及使用该基板的器件及其制造方法和检查方法
公开(公告)号：TW201635702A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105100862
申请日：2016-01-13
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 阿部淳 , ABE, JUN , 桑原由則 , KUWABARA, YOSHINORI , 櫛引淳一 , KUSHIBIKI, JUNICHI
IPC分类号： H03H9/25 , H03H3/08
CPC分类号： H03H9/02559 , G01N29/043 , G01N29/07 , G01N29/22 , H01L41/18 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02834 , H03H9/02897 , H03H9/25
摘要：本發明的目的是提供一種溫度特性比以往的旋轉式Y形切割LiTaO3 基板小，並且能夠根據行動電話的頻帶適當地調整機電耦合係數的彈性表面波元件用鉭酸鋰單晶基板及其製造方法。本發明是一種鉭酸鋰單晶基板，其使Li從晶體取向為旋轉36°Y～49°Y切割的旋轉式Y形切割LiTaO3 基板的表面向內部擴散，具有基板表面與基板內部的Li濃度不同的濃度分佈，其特徵在於，該LiTaO3 基板表面的沿X軸方向傳播的彈性波中的以厚度方向和傳播方向的振動為主成分的垂直剪切型彈性波的聲速為3140m/s以上且3200m/s以下。並且，所述鉭酸鋰單晶基板的製造方法的特徵在於，在800～1000℃的範圍實施退火處理，將垂直剪切型彈性波的聲速調節成3140m/s以上且3200m/s以下。
简体摘要：本发明的目的是提供一种温度特性比以往的旋转式Y形切割LiTaO3 基板小，并且能够根据移动电话的频带适当地调整机电耦合系数的弹性表面波组件用钽酸锂单晶基板及其制造方法。本发明是一种钽酸锂单晶基板，其使Li从晶体取向为旋转36°Y～49°Y切割的旋转式Y形切割LiTaO3 基板的表面向内部扩散，具有基板表面与基板内部的Li浓度不同的浓度分布，其特征在于，该LiTaO3 基板表面的沿X轴方向传播的弹性波中的以厚度方向和传播方向的振动为主成分的垂直剪切型弹性波的声速为3140m/s以上且3200m/s以下。并且，所述钽酸锂单晶基板的制造方法的特征在于，在800～1000℃的范围实施退火处理，将垂直剪切型弹性波的声速调节成3140m/s以上且3200m/s以下。

4. 发明专利

TW201832391A 複合基板及複合基板的製造方法审中-公开
简体标题：复合基板及复合基板的制造方法
公开(公告)号：TW201832391A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107101622
申请日：2018-01-17
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 白井省三 , SHIRAI, SHOZO , 丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI
IPC分类号： H01L41/16 , H01L41/22
摘要：本發明之課題為，提供可在300℃之製程後保持高電阻的複合基板及複合基板的製造方法。　　本發明之解決手段為，本發明之複合基板，其特徵為，藉由於壓電材料基板，貼合晶格間氧濃度為2至10 ppma的矽(Si)晶圓作為支撐基板，並在貼合後，將壓電材料基板進行薄化而製作。壓電材料基板，特佳係設為鉭酸鋰晶圓(LT)基板或是鈮酸鋰(LN)基板。
简体摘要：本发明之课题为，提供可在300℃之制程后保持高电阻的复合基板及复合基板的制造方法。　　本发明之解决手段为，本发明之复合基板，其特征为，借由于压电材料基板，贴合晶格间氧浓度为2至10 ppma的硅(Si)晶圆作为支撑基板，并在贴合后，将压电材料基板进行薄化而制作。压电材料基板，特佳系设为钽酸锂晶圆(LT)基板或是铌酸锂(LN)基板。

5. 发明专利

TWI629869B 接合基板及其製造方法與使用了此接合基板的表面聲波裝置有权
简体标题：接合基板及其制造方法与使用了此接合基板的表面声波设备
公开(公告)号：TWI629869B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW105130380
申请日：2016-09-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 加藤公二 , KATO, KOJI , 桑原由則 , KUWABARA, YOSHINORI
IPC分类号： H03H9/25

6. 发明专利

TW201733175A 複合基板及複合基板之製造方法审中-公开
简体标题：复合基板及复合基板之制造方法
公开(公告)号：TW201733175A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106102981
申请日：2017-01-25
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/22
摘要：本發明係一種複合基板及複合基板之製造方法，其課題為提供可在壓電材料層與支持基板之貼合中得到充分之接合強度的複合基板及複合基板之製造方法。解決手段為本發明係具備：將第1元素作為主成分之單結晶支持基板，和加以設置於單結晶支持基板上，將第2元素(除了氧以外)作為主成分之氧化物單結晶層，和加以設置於單結晶支持基板與氧化物單結晶層之間，包含第1元素，第2元素及Ar之非晶質層的複合基板，其特徵為非晶質層係具有：第1元素的比例則成為較第2元素的比例為高之第1非晶質範圍，和第2元素的比例則成為較第1元素的比例為高之第2非晶質範圍，而含於第1非晶質範圍之Ar的濃度係較含於第2非晶質範圍之Ar的濃度為高，且為3原子%以上者。
简体摘要：本发明系一种复合基板及复合基板之制造方法，其课题为提供可在压电材料层与支持基板之贴合中得到充分之接合强度的复合基板及复合基板之制造方法。解决手段为本发明系具备：将第1元素作为主成分之单结晶支持基板，和加以设置於单结晶支持基板上，将第2元素(除了氧以外)作为主成分之氧化物单结晶层，和加以设置於单结晶支持基板与氧化物单结晶层之间，包含第1元素，第2元素及Ar之非晶质层的复合基板，其特征为非晶质层系具有：第1元素的比例则成为较第2元素的比例为高之第1非晶质范围，和第2元素的比例则成为较第1元素的比例为高之第2非晶质范围，而含于第1非晶质范围之Ar的浓度系较含于第2非晶质范围之Ar的浓度为高，且为3原子%以上者。

7. 发明专利

TW201841400A 複合基板、表面彈性波裝置及複合基板之製造方法审中-公开
简体标题：复合基板、表面弹性波设备及复合基板之制造方法
公开(公告)号：TW201841400A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106137845
申请日：2017-11-02
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI
IPC分类号： H01L41/18 , H03H9/02 , H01L41/39
摘要：本發明的課題為提供一種不需要產生金屬雜質的擴散之高溫製程，放熱性優異，且對於高頻率的損失小之基板之製造方法及高熱傳導性基板。　　作為本發明的解決手段，本發明之複合基板為具有壓電單晶基板、與支持基板、與設置在前述壓電單晶基板與前述支持基板之間的介在層之複合基板。其特徵為介在層係由無機材料所構成之膜，至少其一部分為熱合成二氧化矽。介在層係沿著複合基板的接合面，可至少分成2層，與支持基板接觸之第1介在層成為可含有熱合成二氧化矽之層。
简体摘要：本发明的课题为提供一种不需要产生金属杂质的扩散之高温制程，放热性优异，且对于高频率的损失小之基板之制造方法及高热传导性基板。　　作为本发明的解决手段，本发明之复合基板为具有压电单晶基板、与支持基板、与设置在前述压电单晶基板与前述支持基板之间的介在层之复合基板。其特征为介在层系由无机材料所构成之膜，至少其一部分为热合成二氧化硅。介在层系沿着复合基板的接合面，可至少分成2层，与支持基板接触之第1介在层成为可含有热合成二氧化硅之层。

8. 发明专利

TW201810740A 彈性表面波裝置用複合基板的製造方法审中-公开
简体标题：弹性表面波设备用复合基板的制造方法
公开(公告)号：TW201810740A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106122262
申请日：2017-07-03
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 白井省三 , SHIRAI, SHOZO
IPC分类号： H01L41/04 , H01L41/22
CPC分类号： B23K20/00 , B23K20/24 , H03H3/08 , H03H9/25
摘要：本發明課題在於提供一種在貼合後的步驟中加熱至400℃以上，也不會發生壓電單晶膜的整面剝落的彈性表面波裝置用複合基板。解決手段為準備壓電單晶基板與支持基板，在壓電單晶基板與支持基板的至少任一者形成由無機材料構成的膜，將壓電單晶基板與支持基板，以夾持由無機材料構成的膜的方式予以接合來製造複合基板。
简体摘要：本发明课题在于提供一种在贴合后的步骤中加热至400℃以上，也不会发生压电单晶膜的整面剥落的弹性表面波设备用复合基板。解决手段为准备压电单晶基板与支持基板，在压电单晶基板与支持基板的至少任一者形成由无机材料构成的膜，将压电单晶基板与支持基板，以夹持由无机材料构成的膜的方式予以接合来制造复合基板。

9. 发明专利

TW201702440A 鉭酸鋰單結晶基板及其接合基板與其製造方法以及使用該基板的彈性表面聲波裝置审中-公开
简体标题：钽酸锂单结晶基板及其接合基板与其制造方法以及使用该基板的弹性表面声波设备
公开(公告)号：TW201702440A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105111419
申请日：2016-04-13
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 阿部淳 , ABE, JUN , 加藤公二 , KATO, KOJI , 桑原由則 , KUWABARA, YOSHINORI
IPC分类号： C30B29/30 , C30B31/08 , B32B9/04 , B32B5/14 , H03H3/08 , H03H9/25
CPC分类号： C30B29/30 , C01D15/02 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/90 , C04B37/00 , C04B37/02 , C04B2237/343 , C04B2237/365 , C30B29/605 , C30B31/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H03H9/02559
摘要：提供一種變形小，沒有破裂以及傷痕，而且，溫度特性與以往的回轉Y切割LiTaO3 基板良好，電氣機械結合係數大，進一步，裝置的Q值高的鉭酸鋰單結晶基板。本發明的鉭酸鋰單結晶基板為一種從使結晶方位回轉36°Y～49°Y切割的回轉Y切割LiTaO3 基板的表面到內部進行Li的擴散，基板表面和基板內部的Li濃度為不同的濃度分布的LiTaO3 單結晶基板，其特徵在於：該LiTaO3 單結晶基板，進行了單一分極處理，從基板表面到在LiTaO3 基板表面傳送的彈性表面聲波或者洩露彈性表面聲波的波長的5～15倍的深度，具有大略相同的Li濃度。
简体摘要：提供一种变形小，没有破裂以及伤痕，而且，温度特性与以往的回转Y切割LiTaO3 基板良好，电气机械结合系数大，进一步，设备的Q值高的钽酸锂单结晶基板。本发明的钽酸锂单结晶基板为一种从使结晶方位回转36°Y～49°Y切割的回转Y切割LiTaO3 基板的表面到内部进行Li的扩散，基板表面和基板内部的Li浓度为不同的浓度分布的LiTaO3 单结晶基板，其特征在于：该LiTaO3 单结晶基板，进行了单一分极处理，从基板表面到在LiTaO3 基板表面发送的弹性表面声波或者泄露弹性表面声波的波长的5～15倍的深度，具有大略相同的Li浓度。

10. 发明专利

TW201804510A 複合晶圓之製造方法审中-公开
简体标题：复合晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW201804510A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106114122
申请日：2017-04-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：秋山昌次 , AKIYAMA, SHOJI , 丹野雅行 , TANNO, MASAYUKI , 加藤公二 , KATO, KOJI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02 , H03H3/08
摘要：本發明之課題為，提供於熱膨脹係數低的支撐基板上層合有熱膨脹係數高的鉭酸鋰膜之複合晶圓中，可減低因所射入的訊號在鉭酸鋰膜與支撐基板之接合界面反射所產生的寄生訊號之複合晶圓之製造方法。本發明之解決手段為，於藉由將熱膨脹係數為高的鉭酸鋰晶圓與熱膨脹係數為小的支撐晶圓貼合而製造複合晶圓的複合晶圓之製造方法中，在貼合之前，先藉由從鉭酸鋰晶圓及/或支撐晶圓的貼合面注入離子，而擾亂各個貼合面附近之結晶性。
简体摘要：本发明之课题为，提供于热膨胀系数低的支撑基板上层合有热膨胀系数高的钽酸锂膜之复合晶圆中，可减低因所射入的信号在钽酸锂膜与支撑基板之接合界面反射所产生的寄生信号之复合晶圆之制造方法。本发明之解决手段为，于借由将热膨胀系数为高的钽酸锂晶圆与热膨胀系数为小的支撑晶圆贴合而制造复合晶圆的复合晶圆之制造方法中，在贴合之前，先借由从钽酸锂晶圆及/或支撑晶圆的贴合面注入离子，而扰乱各个贴合面附近之结晶性。

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