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1. 发明专利

TWI499148B 外腔雷射器和波分複用無源光網路系統有权
简体标题：外腔激光器和波分复用无源光网络系统
公开(公告)号：TWI499148B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW100146113
申请日：2011-12-14
申请人：華為技術有限公司 , HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：林華楓 , 徐之光 , 彭桂開
IPC分类号： H01S5/14 , H01S3/101
CPC分类号： H04B10/503 , H01S5/0656 , H01S5/141 , H01S5/146 , H01S5/4012 , H01S5/4087 , H01S5/5036 , H01S2301/14 , H04B10/2587 , H04B10/27 , H04J14/0282

2. 发明专利

TW201316843A 產生極紫外光的系統和方法审中-公开
简体标题：产生极紫外光的系统和方法
公开(公告)号：TW201316843A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101135203
申请日：2012-09-26
申请人：極光股份有限公司 , GIGAPHOTON INC.
发明人：長野仁 , NAGANO, HITOSHI , 和田靖典 , WADA, YASUNORI , 柳田達哉 , YANAGIDA, TATSUYA , 若林理 , WAKABAYASHI, OSAMU
IPC分类号： H05G2/00
CPC分类号： H05G2/008 , G03F7/70025 , G03F7/70033 , G03F7/70041 , G21K1/062 , H01L21/0275 , H01S3/005 , H01S3/10038 , H01S3/1075 , H01S3/115 , H01S3/1305 , H01S3/1643 , H01S3/2316 , H01S3/235 , H01S3/2375 , H01S5/4087 , H05G2/005
摘要：提供一種用以產生極紫外光的系統，其中，在一腔室裡面的目標材料會被一雷射射束照射用以變成電漿。該系統包含：一第一雷射設備，其會被配置成用以輸出一第一雷射射束；一第二雷射設備，其會被配置成用以輸出一射束基底(pedestal)與一第二雷射射束；以及一控制器，其會被連接至該等第一雷射設備與第二雷射設備並且會被配置成用以讓該第一雷射射束最先被輸出，該射束基底會在該第一雷射射束後面被輸出，而能量高於該射束基底的第二雷射射束則會在該射束基底後面被輸出。
简体摘要：提供一种用以产生极紫外光的系统，其中，在一腔室里面的目标材料会被一激光射束照射用以变成等离子。该系统包含：一第一激光设备，其会被配置成用以输出一第一激光射束；一第二激光设备，其会被配置成用以输出一射束基底(pedestal)与一第二激光射束；以及一控制器，其会被连接至该等第一激光设备与第二激光设备并且会被配置成用以让该第一激光射束最先被输出，该射束基底会在该第一激光射束后面被输出，而能量高于该射束基底的第二激光射束则会在该射束基底后面被输出。

3. 发明专利

TW201232976A 用於波長分割多工之光子積體電路 PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT FOR WAVELENGTH DIVISION MULTIPLEXING 失效
简体标题：用于波长分割多任务之光子集成电路 PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT FOR WAVELENGTH DIVISION MULTIPLEXING
公开(公告)号：TW201232976A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100134628
申请日：2011-09-26
申请人：阿爾卡特朗訊公司
发明人：布雷諾特羅曼 , 蓋瑞亞力山卓
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H04B10/572 , G02B6/12009 , H01S5/0265 , H01S5/0268 , H01S5/12 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H04J14/02
摘要：本文獻關於波長分割多工(WDM)系統中用於將光訊號多工化的光子積體電路(PIC)。特別地,本文獻關於縮小WDM系統中用於將光訊號多工化的PIC的尺寸之系統及方法。揭示一種光發送器,配置成產生被多工化至輸出波導(34)之具有對應的複數不同波長的複數光訊號。發送器包括:第一轉換器(31aa)及第二轉換器(31ab),分別包含不同的第一及第二活性材料,第一及第二活性材料配置成發射第一波長及不同的第二波長之光。此外,發送器包括橫越第一轉換器(31aa)及第二轉換器(31ab)的第一及第二材料的第一轉換器波導(37a),第二材料在第一轉換器波導(37a)的輸出端,第一材料在第一轉換器波導(37)的輸入端(或後端)、輸出端的上游;其中,第二活性材料對於第一波長的光是透明的;其中,第一轉換器波導(37a)的輸出端通至輸出波導(34)。
简体摘要：本文献关于波长分割多任务(WDM)系统中用于将光信号多任务化的光子集成电路(PIC)。特别地,本文献关于缩小WDM系统中用于将光信号多任务化的PIC的尺寸之系统及方法。揭示一种光发送器,配置成产生被多任务化至输出波导(34)之具有对应的复数不同波长的复数光信号。发送器包括:第一转换器(31aa)及第二转换器(31ab),分别包含不同的第一及第二活性材料,第一及第二活性材料配置成发射第一波长及不同的第二波长之光。此外,发送器包括横越第一转换器(31aa)及第二转换器(31ab)的第一及第二材料的第一转换器波导(37a),第二材料在第一转换器波导(37a)的输出端,第一材料在第一转换器波导(37)的输入端(或后端)、输出端的上游;其中,第二活性材料对于第一波长的光是透明的;其中,第一转换器波导(37a)的输出端通至输出波导(34)。

4. 发明专利

TW201044729A 多波長半導體雷射裝置审中-公开
简体标题：多波长半导体激光设备
公开(公告)号：TW201044729A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW098140958
申请日：2009-12-01
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：大倉裕二
IPC分类号： H01S , G11B
CPC分类号： H01S5/40 , H01L2224/48091 , H01S5/02252 , H01S5/4037 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
摘要： [課題]橫向排列波長不同的雷射二極體晶片而構成多波長半導體雷射裝置時,各雷射二極體晶片的發光點間的距離變長,光學設計變得困難。又,縱向堆疊各雷射二極體晶片時,組裝製程變複雜,製造成本變高。[解決手段]在一子裝置上,安裝波長不同的複數的雷射晶片,構成多波長半導體雷射裝置。可以提供光學設計容易、散熱特性優異、且容易製造的多波長半導體雷射裝置。
简体摘要： [课题]横向排列波长不同的激光二极管芯片而构成多波长半导体激光设备时,各激光二极管芯片的发光点间的距离变长,光学设计变得困难。又,纵向堆栈各激光二极管芯片时,组装制程变复杂,制造成本变高。[解决手段]在一子设备上,安装波长不同的复数的激光芯片,构成多波长半导体激光设备。可以提供光学设计容易、散热特性优异、且容易制造的多波长半导体激光设备。

5. 发明专利

TWI334249B 多波長雷射二極體 MULTIWAVELENGTH LASER DIODE 失效
简体标题：多波长激光二极管 MULTIWAVELENGTH LASER DIODE
公开(公告)号：TWI334249B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW095121240
申请日：2006-06-14
申请人：新力股份有限公司
发明人：壹岐秀人 , 佐藤慎也
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/22 , H01S5/4087 , H01S2302/00
摘要：本發明揭示一種多波長雷射二極體。一第一裝置部分及一第二裝置部分之後端面膜具有：一第一反射膜，其中一或複數組具有一折射率n1之一第一後端面膜與具有一折射率n2(>n1)之一第二後端面膜層疊於該後端面上；以及一第二反射膜，其中一或複數組具有一折射率n3(≦n1)之一第三後端面膜與具有一折射率n4(>n1)之一第四後端面膜層疊於該第一反射膜上。
简体摘要：本发明揭示一种多波长激光二极管。一第一设备部分及一第二设备部分之后端面膜具有：一第一反射膜，其中一或复数组具有一折射率n1之一第一后端面膜与具有一折射率n2(>n1)之一第二后端面膜层叠于该后端面上；以及一第二反射膜，其中一或复数组具有一折射率n3(≦n1)之一第三后端面膜与具有一折射率n4(>n1)之一第四后端面膜层叠于该第一反射膜上。

6. 发明专利

TW201034323A 半導體雷射及其製造方法 SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF 审中-公开
简体标题：半导体激光及其制造方法 SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF
公开(公告)号：TW201034323A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098138094
申请日：2009-11-10
申请人： NEC電子股份有限公司
发明人：小林正英
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0655 , H01S5/0658 , H01S5/2219 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
摘要：本發明旨在提供一種半導體雷射，可橫跨廣闊的光輸出範圍及廣闊的溫度範圍穩定維持自激振盪。其中，依本發明之半導體雷射100包含：下部被覆層103，形成於半導體基板101上；活性層105，形成於下部被覆層103上；第1上部被覆層107，形成於活性層105上；第2上部被覆層109，形成於第1上部被覆層107上，具有台面構造；高階模式濾光層111，連續在第2上部被覆層兩側面上，並自第2上部被覆層兩側面起延伸於第2上部被覆層兩側區域之至少一部分上，具有活性層能帶間隙以下之能帶間隙；及阻擋層BLK，在包含高階模式濾光層111上方之第2上部被覆層兩側區域上，且包含能帶間隙大於活性層能帶間隙之層112。
简体摘要：本发明旨在提供一种半导体激光，可横跨广阔的光输出范围及广阔的温度范围稳定维持自激振荡。其中，依本发明之半导体激光100包含：下部被覆层103，形成于半导体基板101上；活性层105，形成于下部被覆层103上；第1上部被覆层107，形成于活性层105上；第2上部被覆层109，形成于第1上部被覆层107上，具有台面构造；高级模式滤光层111，连续在第2上部被覆层两侧面上，并自第2上部被覆层两侧面起延伸于第2上部被覆层两侧区域之至少一部分上，具有活性层能带间隙以下之能带间隙；及阻挡层BLK，在包含高级模式滤光层111上方之第2上部被覆层两侧区域上，且包含能带间隙大于活性层能带间隙之层112。

7. 发明专利

TWI318815B 多波長半導體雷射陣列及其製作方法 MULTIWAVELENGTH SEMICONDUCTOR LASER ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：多波长半导体激光数组及其制作方法 MULTIWAVELENGTH SEMICONDUCTOR LASER ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI318815B
公开(公告)日：2009-12-21
申请号：TW095148051
申请日：2006-12-20
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林國瑞 , 紀東煒 , 林坤鋒 , 賴志銘
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/1039 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/3412 , H01S5/4087
摘要：一種多波長半導體雷射陣列及其製造方法，利用具有不同發光波長的量子點主動區堆疊結構之雷射共振器，並配合製程方式改變各雷射共振器或上電極層的長度以造成不同的雷射振盪條件，以使各雷射共振器於特定的量子點主動區中產生單一波長雷射，進而獲致可發出多種雷射波長之多波長半導體雷射陣列。 A multiwavelength semiconductor laser array and method of manufacturing the same. By using the laser resonator with different quantum dot stacked active regions, and combining with the process for varying the length of the laser resonators or the top electrode layers such that various laser oscillation conditions are created. And then the respective laser resonator can emit laser light with single wavelength from the specific quantum dot active region to obtain the multiwavelength semiconductor laser array with emitting various wavelength.
简体摘要：一种多波长半导体激光数组及其制造方法，利用具有不同发光波长的量子点主动区堆栈结构之激光共振器，并配合制程方式改变各激光共振器或上电极层的长度以造成不同的激光振荡条件，以使各激光共振器于特定的量子点主动区中产生单一波长激光，进而获致可发出多种激光波长之多波长半导体激光数组。 A multiwavelength semiconductor laser array and method of manufacturing the same. By using the laser resonator with different quantum dot stacked active regions, and combining with the process for varying the length of the laser resonators or the top electrode layers such that various laser oscillation conditions are created. And then the respective laser resonator can emit laser light with single wavelength from the specific quantum dot active region to obtain the multiwavelength semiconductor laser array with emitting various wavelength.

8. 发明专利

TW200840095A 氮化物半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题：氮化物半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200840095A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096148804
申请日：2007-12-19
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：岡本國美 OKAMOTO, KUNIYOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01S5/041 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S5/4043 , H01S5/4087
摘要：本發明之氮化物半導體發光元件具備具有c面以外之疊層主面之III氮化物半導體疊層構造。III族氮化物半導體疊層構造包含:第一活性層,其係具有c面以外之特定結晶面之主面,產生第一波長之光;及第二活性層,其係具有前述特定結晶面之主面,產生與前述第一波長不同之第二波長之光。III族氮化物半導體疊層構造亦可進一步包含N型氮化物半導體層及P型氮化物半導體層。此情況下,前述第一活性層位於前述N型氮化物半導體層及P型氮化物半導體層間,前述第二活性層位於前述N型氮化物半導體層及P型氮化物半導體層間以外之場所亦可。
简体摘要：本发明之氮化物半导体发光组件具备具有c面以外之叠层主面之III氮化物半导体叠层构造。III族氮化物半导体叠层构造包含:第一活性层,其系具有c面以外之特定结晶面之主面,产生第一波长之光;及第二活性层,其系具有前述特定结晶面之主面,产生与前述第一波长不同之第二波长之光。III族氮化物半导体叠层构造亦可进一步包含N型氮化物半导体层及P型氮化物半导体层。此情况下,前述第一活性层位于前述N型氮化物半导体层及P型氮化物半导体层间,前述第二活性层位于前述N型氮化物半导体层及P型氮化物半导体层间以外之场所亦可。

9. 发明专利

TW200810305A 半導體雷射裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体激光设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200810305A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096128493
申请日：2007-08-03
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：高山徹 TAKAYAMA, TORU , 佐藤智也 SATOH, TOMOYA , 早川功一 HAYAKAWA, KOICHI , 木戶口勳 KIDOGUCHI, ISAO
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
摘要：基板上具有多個發光部的半導體雷射器,製造工序簡化,降低了導波路損失且使水平及垂直擴散角相同。半導體雷射裝置,在同一基板(10)上具有紅色發光部(A)和紅外發光部(B)。紅色發光部(A),係具有條紋(14a)的第一導電型第一包覆層(14)、第二導電型第二包覆層(12)夾著AIGaInP系列活性層(13)的構造。紅外發光部(B),係具有條紋(24a)的第一導電型第三包覆層(24)、第二導電型第四包覆層(22)夾著AIGaAs系列活性層(23)的構造。第一、第二、第三及第四包覆層(依次14、12、24、22),均為AIGaInP系列,A1:Ga的組成比依次分別為:X1:1-X1、X2:1-X2、X3:1-X3、X4:1-X4時,滿足X1≧X2以及X3≧X4之關係。
简体摘要：基板上具有多个发光部的半导体激光器,制造工序简化,降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光设备,在同一基板(10)上具有红色发光部(A)和红外发光部(B)。红色发光部(A),系具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AIGaInP系列活性层(13)的构造。红外发光部(B),系具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AIGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22),均为AIGaInP系列,A1:Ga的组成比依次分别为:X1:1-X1、X2:1-X2、X3:1-X3、X4:1-X4时,满足X1≧X2以及X3≧X4之关系。

10. 发明专利

TW200742214A 半導體雷射裝置及其製作方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体激光设备及其制作方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200742214A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096101800
申请日：2007-01-17
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：鹿島孝之 KASHIMA, TAKAYUKI , 牧田幸治 MAKITA, KOUJI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/16 , H01S5/2214 , H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要：本發明係提供一種能夠實現高成品率之單片型多波長半導體雷射裝置及其製作方法。紅外雷射元件(110)和紅色雷射元件(120)形成於同一個基板(101)上。各雷射元件(110及120)分別包括由n型包層(103、113)、活性層(104、114)及p型第一包層(105、115)按照上述順序積層而成的雙重異質結構,以及包含於p型第二包層(107、117)和其上面設置的p型接觸層(109、209)的山脊狀導波路(150、160)。於各山脊狀導波路(150、160)之兩側側壁及其周圍形成了電流阻擋層(132),並於電流阻擋層(132)上形成了漏電防止層(133)。
简体摘要：本发明系提供一种能够实现高成品率之单片型多波长半导体激光设备及其制作方法。红外激光组件(110)和红色激光组件(120)形成于同一个基板(101)上。各激光组件(110及120)分别包括由n型包层(103、113)、活性层(104、114)及p型第一包层(105、115)按照上述顺序积层而成的双重异质结构,以及包含于p型第二包层(107、117)和其上面设置的p型接触层(109、209)的山嵴状导波路(150、160)。于各山嵴状导波路(150、160)之两侧侧壁及其周围形成了电流阻挡层(132),并于电流阻挡层(132)上形成了漏电防止层(133)。

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