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1. 发明专利

TWI396350B 垂直空腔表面發光雷射裝置，垂直空腔表面發光雷射陣列，光學掃瞄設備，影像形成設備，光學傳輸模組及光學傳輸系統有权
简体标题：垂直空腔表面发光激光设备，垂直空腔表面发光激光数组，光学扫瞄设备，影像形成设备，光学传输模块及光学传输系统
公开(公告)号：TWI396350B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW098114632
申请日：2009-05-01
申请人：理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人：軸谷直人 , JIKUTANI, NAOTO , 佐藤俊一 , SATO, SHUNICHI , 菅原悟 , SUGAWARA, SATORU , 本村寬 , MOTOMURA, HIROSHI
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176

2. 发明专利

TW200423507A 高功率半導體雷射結構审中-公开
简体标题：高功率半导体激光结构
公开(公告)号：TW200423507A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092110140
申请日：2003-04-30
申请人：國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：林清富 CHING-FUH LIN , 蔡家偉 CHIA-WEI TSAI , 蔡志宏 CHIH-HUNG TSAI , 蘇益信 YI-SHIN SU
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/10 , H01S5/005 , H01S5/0655 , H01S5/1003 , H01S5/101 , H01S5/1021 , H01S5/1064 , H01S5/1085 , H01S5/14 , H01S5/2231 , H01S5/4068
摘要：本發明係關於一種高功率半導體雷射(high–power semiconductor laser)結構，其主要係在一發光半導體中形成一波導結構，且該波導結構具有可傳導光波之數個波導，各個波導和該發光半導體之間的界面形成可反射光波之反射面，該發光半導體之端面處形成數個劈切面，各個劈切面係由前述之波導延伸至該發光半導體之端面所形成，且係作為反射或透射出光波之結構，但至少具有一劈切面係可透射出光波之結構。另外，各個波導的方向至少在銜接所對應之劈切面的局部區域與該劈切面之方向不互相垂直。因此，本發明之高功率半導體雷射至少可提升功率至2W，同時遠比目前其它半導體雷射之繞射極限光束功率高，又具有平緩之近場分佈，而可減緩加速性光學破壞之發生。
简体摘要：本发明系关于一种高功率半导体激光(high–power semiconductor laser)结构，其主要系在一发光半导体中形成一波导结构，且该波导结构具有可传导光波之数个波导，各个波导和该发光半导体之间的界面形成可反射光波之反射面，该发光半导体之端面处形成数个噼切面，各个噼切面系由前述之波导延伸至该发光半导体之端面所形成，且系作为反射或透射出光波之结构，但至少具有一噼切面系可透射出光波之结构。另外，各个波导的方向至少在衔接所对应之噼切面的局部区域与该噼切面之方向不互相垂直。因此，本发明之高功率半导体激光至少可提升功率至2W，同时远比目前其它半导体激光之绕射极限光束功率高，又具有平缓之近场分布，而可减缓加速性光学破坏之发生。

3. 发明专利

TWI220810B 高功率半導體雷射結構有权
简体标题：高功率半导体激光结构
公开(公告)号：TWI220810B
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092110140
申请日：2003-04-30
申请人：國立台灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：林清富 CHING-FUH LIN , 蔡家偉 CHIA-WEI TSAI , 蔡志宏 CHIH-HUNG TSAI , 蘇益信 YI-SHIN SU
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/10 , H01S5/005 , H01S5/0655 , H01S5/1003 , H01S5/101 , H01S5/1021 , H01S5/1064 , H01S5/1085 , H01S5/14 , H01S5/2231 , H01S5/4068
摘要：本發明係關於一種高功率半導體雷射(high-power semiconductor laser)結構，其主要係在一發光半導體中形成一波導結構，且該波導結構具有可傳導光波之數個波導，各個波導和該發光半導體之間的界面形成可反射光波之反射面，該發光半導體之端面處形成數個劈切面，各個劈切面係由前述之波導延伸至該發光半導體之端面所形成，且係作為反射或透射出光波之結構，但至少具有一劈切面係可透射出光波之結構。另外，各個波導的方向至少在銜接所對應之劈切面的局部區域與該劈切面之方向不互相垂直。因此，本發明之高功率半導體雷射至少可提升功率至2W，同時遠比目前其它半導體雷射之繞射極限光束功率高，又具有平緩之近場分佈，而可減緩加速性光學破壞之發生。
简体摘要：本发明系关于一种高功率半导体激光(high-power semiconductor laser)结构，其主要系在一发光半导体中形成一波导结构，且该波导结构具有可传导光波之数个波导，各个波导和该发光半导体之间的界面形成可反射光波之反射面，该发光半导体之端面处形成数个噼切面，各个噼切面系由前述之波导延伸至该发光半导体之端面所形成，且系作为反射或透射出光波之结构，但至少具有一噼切面系可透射出光波之结构。另外，各个波导的方向至少在衔接所对应之噼切面的局部区域与该噼切面之方向不互相垂直。因此，本发明之高功率半导体激光至少可提升功率至2W，同时远比目前其它半导体激光之绕射极限光束功率高，又具有平缓之近场分布，而可减缓加速性光学破坏之发生。

4. 发明专利

TW200844526A 具有與導波耦合的繞射光柵之光學裝置及其製造方法 OPTICAL DEVICE HAVING DIFFRACTION GRATINGS COUPLING GUIDED WAVE, AND ITS MANUFACTURE METHOD 审中-公开
简体标题：具有与导波耦合的绕射光栅之光学设备及其制造方法 OPTICAL DEVICE HAVING DIFFRACTION GRATINGS COUPLING GUIDED WAVE, AND ITS MANUFACTURE METHOD
公开(公告)号：TW200844526A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097103078
申请日：2008-01-28
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：松田學 MATSUDA, MANABU
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B6/124 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/12 , H01S5/1215 , H01S5/1237 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/3412
摘要：一種形成在一基板上的光學波導結構定義出一光學波導,其用於導引光沿著一平行於該等基板表面之方向的光學導波,並使導波之橫模的一光强度分佈偏向該光學波導路徑的一第一側。一主繞射光柵至少被設在一相對於該第一側的第二側,並係與沿著該光學波導傳播之該導波耦合。一輔助繞射光柵被設在該第一側,並使與該主繞射光柵耦合且沿著該光學波導傳播之導波繞射至一不同於該光學波導之延伸方向的方向。
简体摘要：一种形成在一基板上的光学波导结构定义出一光学波导,其用于导引光沿着一平行于该等基板表面之方向的光学导波,并使导波之横模的一光强度分布偏向该光学波导路径的一第一侧。一主绕射光栅至少被设在一相对于该第一侧的第二侧,并系与沿着该光学波导传播之该导波耦合。一辅助绕射光栅被设在该第一侧,并使与该主绕射光栅耦合且沿着该光学波导传播之导波绕射至一不同于该光学波导之延伸方向的方向。

5. 发明专利

TW200525845A 半導體雷射裝置及使用其之光拾訊裝置 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND OPTICAL APPARATUS USING THE SAME 失效
简体标题：半导体激光设备及使用其之光十讯设备 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND OPTICAL APPARATUS USING THE SAME
公开(公告)号：TW200525845A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW094101583
申请日：2005-01-19
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：高山徹 TAKAYAMA, TORU
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , G11B7/123 , H01S5/0071 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/028 , H01S5/0655 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/2219 , H01S5/2231 , H01S5/34326
摘要：一種半導體雷射裝置，係於基板上形成第1導電型包覆層、活性層、第2導電型包覆層，並具有用來注入載體之條帶構造。條帶寬度沿共振器方向會產生變化，設前端面至條帶寬度最小值的位置間之距離為L1、半導體雷射共振器長度為L、前端面的反射率為Rf、後端面的反射率為Rr、且以L×Loge(Rf)／Loge(Rf×Rr)所代表的距離為Lt時，L1與Lt的差值在200μm以內，且Rf＜Rr。如此可抑制高輸出動作狀態下發光效率之飽和，而能穩定進行基本橫向模式振盪。
简体摘要：一种半导体激光设备，系于基板上形成第1导电型包覆层、活性层、第2导电型包覆层，并具有用来注入载体之条带构造。条带宽度沿共振器方向会产生变化，设前端面至条带宽度最小值的位置间之距离为L1、半导体激光共振器长度为L、前端面的反射率为Rf、后端面的反射率为Rr、且以L×Loge(Rf)／Loge(Rf×Rr)所代表的距离为Lt时，L1与Lt的差值在200μm以内，且Rf＜Rr。如此可抑制高输出动作状态下发光效率之饱和，而能稳定进行基本横向模式振荡。

6. 发明专利

TW483202B 整合高功率半導體雷射有权
简体标题：集成高功率半导体激光
公开(公告)号：TW483202B
公开(公告)日：2002-04-11
申请号：TW089122242
申请日：2000-11-14
申请人：普林斯頓光波股份有限公司
发明人：吉拉德阿根特奧楓斯
IPC分类号： G02B , H01S
CPC分类号： G02B6/02057 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , G02B6/124 , G02B6/4202 , G02B6/4238 , G02B2006/12107 , H01S5/026 , H01S5/0655 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/1064 , H01S5/12
摘要：一種單橫向模式雷射有一共振空腔及一輸出端。一增益媒介部份配置於共振空腔之中。增益媒介部份包括一主動部份。一模式擴展器部份配置於共振空腔內，位於及操作耦合於增益媒介部份與共振空腔輸出端之間。一單模式波導部份配置於共振空腔中，並位於及操作耦合至模式擴展器與共振空腔之輸出端之間。單模式波導部份為被動部份。增益媒介部份，模式擴展器部份及單模式波導部份為整合形成。
简体摘要：一种单横向模式激光有一共振空腔及一输出端。一增益媒介部份配置于共振空腔之中。增益媒介部份包括一主动部份。一模式扩展器部份配置于共振空腔内，位于及操作耦合于增益媒介部份与共振空腔输出端之间。一单模式波导部份配置于共振空腔中，并位于及操作耦合至模式扩展器与共振空腔之输出端之间。单模式波导部份为被动部份。增益媒介部份，模式扩展器部份及单模式波导部份为集成形成。

7. 发明专利

TW477096B 半導體雷射放射裝置失效
简体标题：半导体激光放射设备
公开(公告)号：TW477096B
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：TW090103797
申请日：2001-02-20
申请人：新力股份有限公司
发明人：北村智元 , 濱口雄一
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0655 , H01S5/10 , H01S5/2036 , H01S5/2219 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S2301/18
摘要：為了在一以多橫向模式放射一雷射束之半導體雷射放射裝置中穩定近場圖案(NFP)且延伸裝置之應用領域，一種半導體雷射放射裝置係以一多橫向模式放射一雷射束，且其包含一製成於一主動層上之長條狀覆層，其中該半導體雷射放射裝置之一電流注入區具有一光學吸收損失差異於該電流注入區之內側及外側之間，其中設於該電流注入區外側上之該覆層係製成具有0.7微米以下之厚度。
简体摘要：为了在一以多横向模式放射一激光束之半导体激光放射设备中稳定近场图案(NFP)且延伸设备之应用领域，一种半导体激光放射设备系以一多横向模式放射一激光束，且其包含一制成于一主动层上之长条状覆层，其中该半导体激光放射设备之一电流注入区具有一光学吸收损失差异于该电流注入区之内侧及外侧之间，其中设于该电流注入区外侧上之该覆层系制成具有0.7微米以下之厚度。

8. 发明专利

TW201117500A 邊射型半導體雷射 EDGE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
简体标题：边射型半导体激光 EDGE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
公开(公告)号：TW201117500A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099126563
申请日：2010-08-10
申请人：歐司朗光電半導體公司
发明人：艾奇爾克里斯多夫 , 史奇爾佳利史馬克 , 蘭梅爾泰瑞沙
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要：本發明揭露一種邊射型半導體雷射(1)，包括：n側波導區(21)以及p側波導區(22)；主動區(20)，用於產生電磁輻射；以及，至少一反射層(24)，位於該n側波導區(21)中，其中，該主動區(20)設置於該兩個波導區(21、22)之間，該n側波導區(21)之厚度大於該p側波導區(22)之厚度，該反射層(24)之反射係數小於鄰接於該反射層(24)之該n側波導區(21)之反射係數。
简体摘要：本发明揭露一种边射型半导体激光(1)，包括：n侧波导区(21)以及p侧波导区(22)；主动区(20)，用于产生电磁辐射；以及，至少一反射层(24)，位于该n侧波导区(21)中，其中，该主动区(20)设置于该两个波导区(21、22)之间，该n侧波导区(21)之厚度大于该p侧波导区(22)之厚度，该反射层(24)之反射系数小于邻接于该反射层(24)之该n侧波导区(21)之反射系数。

9. 发明专利

TW201008064A 垂直空腔表面發光雷射裝置，垂直空腔表面發光雷射陣列，光學掃瞄設備，影像形成設備，光學傳輸模組及光學傳輸系統 VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER DEVICE, VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL SCANNING APPARATUS, IMAGE FORMING APPARATUS, OPTICAL TRANSMISSION MODULE AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM 审中-公开
简体标题：垂直空腔表面发光激光设备，垂直空腔表面发光激光数组，光学扫瞄设备，影像形成设备，光学传输模块及光学传输系统 VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER DEVICE, VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER ARRAY, OPTICAL SCANNING APPARATUS, IMAGE FORMING APPARATUS, OPTICAL TRANSMISSION MODULE AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM
公开(公告)号：TW201008064A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098114632
申请日：2009-05-01
申请人：理光股份有限公司
发明人：軸谷直人 , 佐藤俊一 , 菅原悟 , 本村寬
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/18361 , B41J2/442 , B41J2/473 , H01L33/10 , H01L33/105 , H01S5/0655 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/187 , H01S5/3202 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176
摘要：一種揭露的垂直空腔表面發光雷射裝置，其相對於基底正交地發射光線，並包括包括主動層之共振器結構以及半導體多層反射器，其以一種方式設置以將該共振器結構夾於其間，並包括限制結構，其同時限制注入電流及振盪光線之橫向模式。該限制結構具有圍繞電流通過區域之氧化區域。該氧化區域係藉由氧化包括鋁之選擇性氧化層的一部分而形成並包括至少一氧化物。該選擇性氧化層之厚度為至少25奈米。該些半導體多層反射器包括光學限制減少區，其減少在橫向方向中的光學限制。該光學限制減少區相對於該共振器結構設置在基底側上。
简体摘要：一种揭露的垂直空腔表面发光激光设备，其相对于基底正交地发射光线，并包括包括主动层之共振器结构以及半导体多层反射器，其以一种方式设置以将该共振器结构夹于其间，并包括限制结构，其同时限制注入电流及振荡光线之横向模式。该限制结构具有围绕电流通过区域之氧化区域。该氧化区域系借由氧化包括铝之选择性氧化层的一部分而形成并包括至少一氧化物。该选择性氧化层之厚度为至少25奈米。该些半导体多层反射器包括光学限制减少区，其减少在横向方向中的光学限制。该光学限制减少区相对于该共振器结构设置在基底侧上。

10. 发明专利

TW200637092A 半導體雷射元件及使用該半導體雷射元件之光學讀取裝置 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND OPTICAL PICK-UP DEVICE USING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体激光组件及使用该半导体激光组件之光学读取设备 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND OPTICAL PICK-UP DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TW200637092A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW094146134
申请日：2005-12-23
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD
发明人：高山徹 TAKAYAMA, TORU
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/2231 , B82Y20/00 , G11B7/124 , G11B7/127 , H01S5/028 , H01S5/0655 , H01S5/1003 , H01S5/105 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
摘要：一種半導體雷射元件，在一基板上包括：一活性層和兩個將該活性層夾在中間的包覆層；以及一形成於一具有一光子能隙的光子晶體內之波導分岔區，其中該波導分岔區至少岔開成兩個方向，一波導區形成於一光學路徑之端面間。
简体摘要：一种半导体激光组件，在一基板上包括：一活性层和两个将该活性层夹在中间的包覆层；以及一形成于一具有一光子能隙的光子晶体内之波导分岔区，其中该波导分岔区至少岔开成两个方向，一波导区形成于一光学路径之端面间。

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