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1. 发明专利

TWI237431B 雷射二極體元件 LASER DIODE ELEMENT 失效
简体标题：激光二极管组件 LASER DIODE ELEMENT
公开(公告)号：TWI237431B
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093112514
申请日：2004-05-04
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：渡邊大志 WATANABE, HIROSHI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02288 , H01S5/0654 , H01S5/1082 , H01S5/2218 , H01S5/2231
摘要：本發明係在脊形波導通路型之III族氮化合物系化合物半導體雷射二極體元件中，形成包含第1區域，含有中央部且接連於縱方向；以及第2區域，由該第1區域兩側夾住且其平均層厚比該第1區域之平均層厚小之脊形構造。
简体摘要：本发明系在嵴形波导通路型之III族氮化合物系化合物半导体激光二极管组件中，形成包含第1区域，含有中央部且接连于纵方向；以及第2区域，由该第1区域两侧夹住且其平均层厚比该第1区域之平均层厚小之嵴形构造。

2. 发明专利

TW480795B 半導體雷射光發射裝置失效
简体标题：半导体激光光发射设备
公开(公告)号：TW480795B
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：TW090106948
申请日：2001-03-23
申请人：新力股份有限公司
发明人：吉田浩 , 阿部美鈴 , 大原真穗 , 山口恭司 , 中島博
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/2231
摘要：揭露一種半導體雷射光發射裝置，包含：一堆疊膜，係由III族氮化物半導體膜堆疊組成且各含有至少一選自鋁、鎵、鋼、及硼之類型；其中堆疊膜之一頂部係製成一突脊狀長條，以構成一電流注入區；一電流非注入區，製成於突脊狀長條之二側上；及至少一部分電流非注入區係一由化學式鋁x鎵1-x氮(0≦X≦1.0)表示之材料製成。在此裝置中，鋁成分比"X"係指定於0.3≦X≦1.0範圍內之一值，因此半導體雷射光發射裝置建構成為一指標導向型半導體雷射光發射裝置；鋁成分比"X"係指定於0.15
简体摘要：揭露一种半导体激光光发射设备，包含：一堆栈膜，系由III族氮化物半导体膜堆栈组成且各含有至少一选自铝、镓、钢、及硼之类型；其中堆栈膜之一顶部系制成一突嵴状长条，以构成一电流注入区；一电流非注入区，制成于突嵴状长条之二侧上；及至少一部分电流非注入区系一由化学式铝x镓1-x氮(0≦X≦1.0)表示之材料制成。在此设备中，铝成分比"X"系指定于0.3≦X≦1.0范围内之一值，因此半导体激光光发射设备建构成为一指针导向型半导体激光光发射设备；铝成分比"X"系指定于0.15

3. 发明专利

TW200917534A 發射輻射半導體晶片 RADIATION EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
简体标题：发射辐射半导体芯片 RADIATION EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP
公开(公告)号：TW200917534A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097133529
申请日：2008-09-02
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：克里斯托夫艾克勒 EICHLER, CHRISTOPH , 阿佛列雷爾 LELL, ALFRED , 克里斯丁倫波茲 RUMBOLZ, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2218 , H01S5/222 , H01L2924/00
摘要：本發明涉及一種發出輻射的半導體晶片(1),包括:一活性區(2),用來產生波長��之輻射;以及一結構區(3),其具有不規則地配置著的多個結構元件,各結構元件包含第一折射率n1之第一材料且由一種介質所包圍著,該介質具有第二折射率n2之第二材料。此外,本發明亦涉及一種製造上述半導體晶片的方法。
简体摘要：本发明涉及一种发出辐射的半导体芯片(1),包括:一活性区(2),用来产生波长��之辐射;以及一结构区(3),其具有不守则地配置着的多个结构组件,各结构组件包含第一折射率n1之第一材料且由一种介质所包围着,该介质具有第二折射率n2之第二材料。此外,本发明亦涉及一种制造上述半导体芯片的方法。

4. 发明专利

TW200427165A 雷射二極體元件 LASER DIODE ELEMENT 失效
简体标题：激光二极管组件 LASER DIODE ELEMENT
公开(公告)号：TW200427165A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW093112514
申请日：2004-05-04
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：渡邊大志 WATANABE, HIROSHI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02288 , H01S5/0654 , H01S5/1082 , H01S5/2218 , H01S5/2231
摘要：本發明係在脊形波導通路型之III族氮化合物系化合物半導體雷射二極體元件中，形成包含第1區域，含有中央部且接連於縱方向；以及第2區域，由該第1區域兩側夾住且其平均層厚比該第1區域之平均層厚小之脊形構造。
简体摘要：本发明系在嵴形波导通路型之III族氮化合物系化合物半导体激光二极管组件中，形成包含第1区域，含有中央部且接连于纵方向；以及第2区域，由该第1区域两侧夹住且其平均层厚比该第1区域之平均层厚小之嵴形构造。

5. 发明专利

TWI385827B 發出輻射的半導體晶片有权
简体标题：发出辐射的半导体芯片
公开(公告)号：TWI385827B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW097133529
申请日：2008-09-02
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：克里斯托夫艾克勒 , EICHLER, CHRISTOPH , 阿佛列雷爾 , LELL, ALFRED , 克里斯丁倫波茲 , RUMBOLZ, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/22 , H01S5/40 , H01S5/34
CPC分类号： H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01S5/2022 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/2218 , H01S5/222 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW200810305A 半導體雷射裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：半导体激光设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200810305A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096128493
申请日：2007-08-03
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：高山徹 TAKAYAMA, TORU , 佐藤智也 SATOH, TOMOYA , 早川功一 HAYAKAWA, KOICHI , 木戶口勳 KIDOGUCHI, ISAO
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
摘要：基板上具有多個發光部的半導體雷射器,製造工序簡化,降低了導波路損失且使水平及垂直擴散角相同。半導體雷射裝置,在同一基板(10)上具有紅色發光部(A)和紅外發光部(B)。紅色發光部(A),係具有條紋(14a)的第一導電型第一包覆層(14)、第二導電型第二包覆層(12)夾著AIGaInP系列活性層(13)的構造。紅外發光部(B),係具有條紋(24a)的第一導電型第三包覆層(24)、第二導電型第四包覆層(22)夾著AIGaAs系列活性層(23)的構造。第一、第二、第三及第四包覆層(依次14、12、24、22),均為AIGaInP系列,A1:Ga的組成比依次分別為:X1:1-X1、X2:1-X2、X3:1-X3、X4:1-X4時,滿足X1≧X2以及X3≧X4之關係。
简体摘要：基板上具有多个发光部的半导体激光器,制造工序简化,降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光设备,在同一基板(10)上具有红色发光部(A)和红外发光部(B)。红色发光部(A),系具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AIGaInP系列活性层(13)的构造。红外发光部(B),系具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AIGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22),均为AIGaInP系列,A1:Ga的组成比依次分别为:X1:1-X1、X2:1-X2、X3:1-X3、X4:1-X4时,满足X1≧X2以及X3≧X4之关系。

7. 发明专利

TW541776B 半導體雷射裝置有权
简体标题：半导体激光设备
公开(公告)号：TW541776B
公开(公告)日：2003-07-11
申请号：TW091107200
申请日：2002-04-10
申请人：新力股份有限公司
发明人：東條剛 , 內田史朗 , 喜悟
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0655 , H01S5/2218 , H01S5/2219 , H01S5/32341
摘要：揭露一種具有大約410nm振盪波長之突脊波導型氮化物基III-V族化合物半導體雷射裝置，其具有一低驅動電流、在水平於一界面方向中之一FFP之一高半寬度值Θ//、及一高扭結程度(即在高輸出範圍上之良好光輸出-注入電流特徵)。此雷射裝置係在結構上相似於相關技藝之半導體雷射裝置，不同的是形成於一突脊上之電流拘限層，其具有一堆疊膜且由一SiO2膜(600厚)及一利用氣體沉積而形成於SiO2膜上之非晶矽膜(300厚)組成。堆疊膜覆蓋突脊之二側面及一自突脊基部朝側向延伸之p-AlGaN覆層。SiO2膜及矽膜具有各自厚度，係建立以使得基礎水平方向側向模式之吸收係數大於主要水平方向側向模式之吸收係數。此結構造成一較高扭結程度，同時抑制高階水平方向側向模式，一較大有效折射指數差△n值、及一較大Θ//值，而不需要減小突脊寬度。
简体摘要：揭露一种具有大约410nm振荡波长之突嵴波导型氮化物基III-V族化合物半导体激光设备，其具有一低驱动电流、在水平于一界面方向中之一FFP之一高半宽度值Θ//、及一高扭结程度(即在高输出范围上之良好光输出-注入电流特征)。此激光设备系在结构上相似于相关技艺之半导体激光设备，不同的是形成于一突嵴上之电流拘限层，其具有一堆栈膜且由一SiO2膜(600厚)及一利用气体沉积而形成于SiO2膜上之非晶硅膜(300厚)组成。堆栈膜覆盖突嵴之二侧面及一自突嵴基部朝侧向延伸之p-AlGaN覆层。SiO2膜及硅膜具有各自厚度，系创建以使得基础水平方向侧向模式之吸收系数大于主要水平方向侧向模式之吸收系数。此结构造成一较高扭结程度，同时抑制高级水平方向侧向模式，一较大有效折射指数差△n值、及一较大Θ//值，而不需要减小突嵴宽度。

8. 发明专利

TW507406B 半導體雷射裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW507406B
公开(公告)日：2002-10-21
申请号：TW090114285
申请日：2001-06-13
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：宮下宗治 , 佐佐木素子 , 小野健一
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/2202 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/2231 , H01S5/32325
摘要： [課題]本發明係提供一種啟始電流(threshold current)低、電流-光輸出(current-optical output)特性的溫度特性的劣化少、光束(beam)的特性好的半導體雷射裝置。[解決手段]將具有帶狀的開口24的n-A1InP的電流阻擋層22配置在第1上包覆層(upper clad layer)20上，然後以 p-A10.5Ga0.5As的緩衝層26來覆蓋對向該開口24的第1上包覆層20和電流阻擋層22，因為在該緩衝層26上配設有由 p-(A10.7Ga0.3)0.5In0.5P所構成的的第2上包覆層28，而對成長左面對開口24的電流阻擋層22的表面上的結晶層中的格子缺陷(lattice defect)的發生有抑制的效果。
简体摘要： [课题]本发明系提供一种启始电流(threshold current)低、电流-光输出(current-optical output)特性的温度特性的劣化少、光束(beam)的特性好的半导体激光设备。[解决手段]将具有带状的开口24的n-A1InP的电流阻挡层22配置在第1上包覆层(upper clad layer)20上，然后以 p-A10.5Ga0.5As的缓冲层26来覆盖对向该开口24的第1上包覆层20和电流阻挡层22，因为在该缓冲层26上配设有由 p-(A10.7Ga0.3)0.5In0.5P所构成的的第2上包覆层28，而对成长左面对开口24的电流阻挡层22的表面上的结晶层中的格子缺陷(lattice defect)的发生有抑制的效果。

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