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1. 发明专利

TW200950241A 半導體雷射 SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
简体标题：半导体激光 SEMICONDUCTOR LASER
公开(公告)号：TW200950241A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW097139380
申请日：2008-10-14
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：山口勉 , 西田武弘 , 大倉裕二 , 高瀨禎
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/1064 , H01S5/4025 , H01S5/4031
摘要：〔課題〕脊形寬度朝出射端面擴大的喇叭脊形型雙通道構造半導體雷射，水平方向的遠場圖強度中心及形狀將因光輸出的變化而發生變動，無法獲得安定的良率。〔解決手段〕本發明所提供的半導體雷射，係藉由將脊形寬度最狹窄地方二側的通道部寬度，設為較寬於光射出端面部處的通道寬度，便可抑制因光輸出變化所造成的水平方向遠場圖強度中心變動情形，可射出遠場圖形狀安定的雷射光。
简体摘要：〔课题〕嵴形宽度朝出射端面扩大的喇叭嵴形型双信道构造半导体激光，水平方向的远场图强度中心及形状将因光输出的变化而发生变动，无法获得安定的良率。〔解决手段〕本发明所提供的半导体激光，系借由将嵴形宽度最狭窄地方二侧的信道部宽度，设为较宽于光射出端面部处的信道宽度，便可抑制因光输出变化所造成的水平方向远场图强度中心变动情形，可射出远场图形状安定的激光光。

2. 发明专利

TWI437784B 多波長半導體雷射裝置有权
简体标题：多波长半导体激光设备
公开(公告)号：TWI437784B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW098140958
申请日：2009-12-01
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：大倉裕二 , OKURA, YUJI
IPC分类号： H01S5/022 , G11B7/125
CPC分类号： H01S5/40 , H01L2224/48091 , H01S5/02252 , H01S5/4037 , H01S5/4087 , H01L2924/00014

3. 发明专利

TW544984B 半導體裝置的製法有权
简体标题：半导体设备的制法
公开(公告)号：TW544984B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091112060
申请日：2002-06-05
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：谷村純二 , 田代賀久 , 阿部真司 , 笠井信之 , 西口晴美 , 大倉裕二 , 八木哲哉
IPC分类号： H01L , H01S
摘要：本發明提供一種半導體裝置的製法，係包含有：在半導體基板1上設置第1半導體層2的步驟；在該第1半導體層2上設置量子井層180的步驟；在該量子井層180上設置合計膜厚小於500nm的第2半導體層6的步驟；在該第2半導體層6上設置SiO膜7的步驟；以使至少由前述第2半導體層6到前述量子井層180為止的區域中的Si峰值濃度值小於l×1019cm-3的方式，進行由前述SiO膜7上注入Si離子的步驟；以及在進行離子注入步驟之後，進行熱退火，而將位於膜厚方向的量子井層180的部分或是全部無序化的步驟。即使在其有任意的層構造，且上覆蓋層的厚度小於500nm的半導體裝置中，也能夠控制結晶缺陷的產生，並實現量子井層的無序化。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备的制法，系包含有：在半导体基板1上设置第1半导体层2的步骤；在该第1半导体层2上设置量子井层180的步骤；在该量子井层180上设置合计膜厚小于500nm的第2半导体层6的步骤；在该第2半导体层6上设置SiO膜7的步骤；以使至少由前述第2半导体层6到前述量子井层180为止的区域中的Si峰值浓度值小于l×1019cm-3的方式，进行由前述SiO膜7上注入Si离子的步骤；以及在进行离子注入步骤之后，进行热退火，而将位于膜厚方向的量子井层180的部分或是全部无序化的步骤。即使在其有任意的层构造，且上覆盖层的厚度小于500nm的半导体设备中，也能够控制结晶缺陷的产生，并实现量子井层的无序化。

4. 发明专利

TW201044729A 多波長半導體雷射裝置审中-公开
简体标题：多波长半导体激光设备
公开(公告)号：TW201044729A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW098140958
申请日：2009-12-01
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：大倉裕二
IPC分类号： H01S , G11B
CPC分类号： H01S5/40 , H01L2224/48091 , H01S5/02252 , H01S5/4037 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
摘要： [課題]橫向排列波長不同的雷射二極體晶片而構成多波長半導體雷射裝置時,各雷射二極體晶片的發光點間的距離變長,光學設計變得困難。又,縱向堆疊各雷射二極體晶片時,組裝製程變複雜,製造成本變高。[解決手段]在一子裝置上,安裝波長不同的複數的雷射晶片,構成多波長半導體雷射裝置。可以提供光學設計容易、散熱特性優異、且容易製造的多波長半導體雷射裝置。
简体摘要： [课题]横向排列波长不同的激光二极管芯片而构成多波长半导体激光设备时,各激光二极管芯片的发光点间的距离变长,光学设计变得困难。又,纵向堆栈各激光二极管芯片时,组装制程变复杂,制造成本变高。[解决手段]在一子设备上,安装波长不同的复数的激光芯片,构成多波长半导体激光设备。可以提供光学设计容易、散热特性优异、且容易制造的多波长半导体激光设备。

5. 发明专利

TW201004074A 半導體雷射之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
简体标题：半导体激光之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER
公开(公告)号：TW201004074A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097140149
申请日：2008-10-20
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：多田仁史 , 山口勉 , 川津善平 , 大倉裕二
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/2081 , H01S5/209 , H01S5/2214 , H01S5/2224
摘要：〔課題〕得到一種可確保可靠性之高效率半導體雷射之製造方法。〔解決手段〕在砷化鎵基板10(半導體基板)上，依序積層N型包覆層12(第一導電型半導體層)、活性層14、P型包覆層16(第二導電型半導體層)。在P型包覆層16上形成突起20。使用成膜溫度600℃左右之熱CVD技術，在P型包覆層16上形成氮化矽薄膜22(第一絕緣膜)。在氮化矽薄膜22上，使用成膜溫度300℃左右之電漿CVD技術，形成氮化矽薄膜24(第二絕緣膜)。在氮化矽薄膜24上形成電極26。
简体摘要：〔课题〕得到一种可确保可靠性之高效率半导体激光之制造方法。〔解决手段〕在砷化镓基板10(半导体基板)上，依序积层N型包覆层12(第一导电型半导体层)、活性层14、P型包覆层16(第二导电型半导体层)。在P型包覆层16上形成突起20。使用成膜温度600℃左右之热CVD技术，在P型包覆层16上形成氮化硅薄膜22(第一绝缘膜)。在氮化硅薄膜22上，使用成膜温度300℃左右之等离子CVD技术，形成氮化硅薄膜24(第二绝缘膜)。在氮化硅薄膜24上形成电极26。

6. 发明专利

TW544983B 半導體雷射裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW544983B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091109024
申请日：2002-04-30
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：阿部真司 , 八木哲哉 , 宮下宗治 , 西口晴美 , 大倉裕二 , 笠井信之 , 田代賀久 , 谷村純二
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/34
摘要： ﹝課題﹞
獲得具有採用量子阱構造無秩序化程序之窗構造區域的半導體雷射裝置，且可獲得充分高的可靠性、優越溫度特性的半導體雷射裝置。﹝解決手段﹞
半導體雷射裝置係具有窗構造區域，利用矽離子植入、及其後的熱處理而將量子阱構造之活性層無秩序化，藉此而所形成，其中在上述窗構造區域10a及其附近(上覆蓋層9a)均實質的未存在差排環。因此可防止隨差排環所產生的半導體雷射裝置劣化，而可改善半導體雷射裝置的可靠性。
简体摘要： ﹝课题﹞ 获得具有采用量子阱构造无秩序化进程之窗构造区域的半导体激光设备，且可获得充分高的可靠性、优越温度特性的半导体激光设备。﹝解决手段﹞ 半导体激光设备系具有窗构造区域，利用硅离子植入、及其后的热处理而将量子阱构造之活性层无秩序化，借此而所形成，其中在上述窗构造区域10a及其附近(上覆盖层9a)均实质的未存在差排环。因此可防止随差排环所产生的半导体激光设备劣化，而可改善半导体激光设备的可靠性。

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