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1. 发明专利

TWI596433B 圖案形成方法、以及使用它們的電子元件的製造方法有权
简体标题：图案形成方法、以及使用它们的电子组件的制造方法
公开(公告)号：TWI596433B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW102143031
申请日：2013-11-26
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：岩戸薫 , IWATO, KAORU , 武田信 , TAKEDA, TAKANOBU , 滝沢裕雄 , TAKIZAWA, HIROO
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/26 , G03F7/039 , G03F7/075 , G03F7/34 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/30 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/0275 , H01L21/0337 , H01L21/30604

2. 发明专利

TW201303526A 含聚合物之顯像液审中-公开
简体标题：含聚合物之显像液
公开(公告)号：TW201303526A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101110140
申请日：2012-03-23
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/0275 , H01L21/0337 , H01L21/306
摘要：本發明係提供一種形成微細圖型時，不產生圖型傾倒之顯像液，與使用其之圖型形成方法。本發明之顯像液，係於含有乾式蝕刻遮罩形成用聚合物與有機溶劑之光微影蝕刻製程所使用之顯像液。本發明之顯像液，係聚合物與阻劑相異的樹脂。本發明之顯像液係於阻劑膜之曝光後使用。本發明之顯像液係醋酸丁酯、或醋酸丁酯與醇之混合溶劑亦或2-戊酮、或2-戊酮與醇之混合溶劑。本發明之半導體裝置之製造方法，其係含有如下步驟：於半導體基板上被覆阻劑，形成阻劑層，再進行曝光之步驟(A)；使顯像液與該阻劑層之表面接觸，於阻劑圖型之間形成聚合物層的步驟(B)；以乾式蝕刻去除阻劑層，以形成藉該聚合物所成之逆式圖型的步驟(C)。
简体摘要：本发明系提供一种形成微细图型时，不产生图型倾倒之显像液，与使用其之图型形成方法。本发明之显像液，系于含有干式蚀刻遮罩形成用聚合物与有机溶剂之光微影蚀刻制程所使用之显像液。本发明之显像液，系聚合物与阻剂相异的树脂。本发明之显像液系于阻剂膜之曝光后使用。本发明之显像液系醋酸丁酯、或醋酸丁酯与醇之混合溶剂亦或2-戊酮、或2-戊酮与醇之混合溶剂。本发明之半导体设备之制造方法，其系含有如下步骤：于半导体基板上被覆阻剂，形成阻剂层，再进行曝光之步骤(A)；使显像液与该阻剂层之表面接触，于阻剂图型之间形成聚合物层的步骤(B)；以干式蚀刻去除阻剂层，以形成藉该聚合物所成之逆式图型的步骤(C)。

3. 发明专利

TW200703453A 抗蝕圖案增厚材料及形成抗蝕圖案之方法與半導體裝置及其製造方法 RESIST PATTERN THICKENING MATERIAL AND PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERN, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：抗蚀图案增厚材料及形成抗蚀图案之方法与半导体设备及其制造方法 RESIST PATTERN THICKENING MATERIAL AND PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERN, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200703453A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095102263
申请日：2006-01-20
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：野崎耕司 NOZAKI, KOJI , 小澤美和 KOZAWA, MIWA , 並木崇久 NAMIKI, TAKAHISA
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G11B5/3163 , G03F7/2024 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/0275 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11543 , Y10S430/106 , Y10S430/114
摘要：本發明提供一種抗蝕圖案增厚材料,其可利用ArF激元雷射光;當施加於欲增厚之,例如以直線及空間圖案之形式的抗蝕圖案上時,不管欲增厚之抗蝕圖案的尺寸,其可增加該抗蝕圖案之厚度;且其適於形成超過曝光限制之微細空間圖案或諸如此類。本發明亦提供一種形成抗蝕圖案之方法及製備半導體裝置之方法,其中最好利用本發明之該抗蝕圖案增厚材料。
简体摘要：本发明提供一种抗蚀图案增厚材料,其可利用ArF激元激光光;当施加于欲增厚之,例如以直线及空间图案之形式的抗蚀图案上时,不管欲增厚之抗蚀图案的尺寸,其可增加该抗蚀图案之厚度;且其适于形成超过曝光限制之微细空间图案或诸如此类。本发明亦提供一种形成抗蚀图案之方法及制备半导体设备之方法,其中最好利用本发明之该抗蚀图案增厚材料。

4. 发明专利

TW200505614A 加工方法及半導體裝置之製造方法失效
简体标题：加工方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200505614A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：TW093123507
申请日：2004-08-05
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：竹石知之 TAKEISHI, TOMOYUKI , 川野健二 KAWANO, KENJI , 池上浩 IKEGAMI, HIROSHI , 伊藤信一 ITO, SHINICHI , 渡瀨正美 WATASE, MASAMI
IPC分类号： B23K , H01L
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係在被加工膜上形成保護膜以施行光加工之技術中，容易除去保護膜。本發明之加工方法係包含在基板101上之A1膜107上形成水溶性之保護膜109之工序；照射加工光110，以選擇地除去保護膜109及A1膜107之加工區域之工序；及利用水溶解除去保護膜109之工序。
简体摘要：本发明系在被加工膜上形成保护膜以施行光加工之技术中，容易除去保护膜。本发明之加工方法系包含在基板101上之A1膜107上形成水溶性之保护膜109之工序；照射加工光110，以选择地除去保护膜109及A1膜107之加工区域之工序；及利用水溶解除去保护膜109之工序。

5. 发明专利

TW594417B 製造半導體裝置的方法及形成圖案的方法有权
简体标题：制造半导体设备的方法及形成图案的方法
公开(公告)号：TW594417B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW092117281
申请日：2003-06-25
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：乙黑昭彥 AKIHIKO OTOGURO , 武智敏 SATOSHI TAKECHI , 出口貴敏 TAKATOSHI DEGUCHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： H01L21/76811 , G03F7/0757 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0275 , H01L21/0332 , H01L21/3122 , Y10S438/942 , Y10S438/952
摘要：本發明提供一種製造半導體裝置之方法，其包含於基材上形成用以形成圖案之層合膜之步驟，其中，此用以形成圖案之層合膜包含最內層、內層及表面層，此最內層之消光係數k係0.3或更多，且此內層之消光係數k係0.12或更多。亦提供一種形成圖案之方法，其包含於基材上形成用以形成圖案之層合膜之步驟，其中，此用以形成圖案之層合膜包含最內層、內層及表面層，此最內層之消光係數k係0.3或更多，且此內層之消光係數k係0.12或更多。
简体摘要：本发明提供一种制造半导体设备之方法，其包含于基材上形成用以形成图案之层合膜之步骤，其中，此用以形成图案之层合膜包含最内层、内层及表面层，此最内层之消光系数k系0.3或更多，且此内层之消光系数k系0.12或更多。亦提供一种形成图案之方法，其包含于基材上形成用以形成图案之层合膜之步骤，其中，此用以形成图案之层合膜包含最内层、内层及表面层，此最内层之消光系数k系0.3或更多，且此内层之消光系数k系0.12或更多。

6. 发明专利

TW200403534A 製造半導體裝置的方法及形成圖案的方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING PATTERN 审中-公开
简体标题：制造半导体设备的方法及形成图案的方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING PATTERN
公开(公告)号：TW200403534A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092117281
申请日：2003-06-25
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：乙黑昭彥 AKIHIKO OTOGURO , 武智敏 SATOSHI TAKECHI , 出口貴敏 TAKATOSHI DEGUCHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： H01L21/76811 , G03F7/0757 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0275 , H01L21/0332 , H01L21/3122 , Y10S438/942 , Y10S438/952
摘要：本發明提供一種製造半導體裝置之方法，其包含於基材上形成用以形成圖案之層合膜之步驟，其中，此用以形成圖案之層合膜包含最內層、內層及表面層，此最內層之消光係數k係0.3或更多，且此內層之消光係數k係0.12或更多。亦提供一種形成圖案之方法，其包含於基材上形成用以形成圖案之層合膜之步驟，其中，此用以形成圖案之層合膜包含最內層、內層及表面層，此最內層之消光係數k係0.3或更多，且此內層之消光係數k係0.12或更多。
简体摘要：本发明提供一种制造半导体设备之方法，其包含于基材上形成用以形成图案之层合膜之步骤，其中，此用以形成图案之层合膜包含最内层、内层及表面层，此最内层之消光系数k系0.3或更多，且此内层之消光系数k系0.12或更多。亦提供一种形成图案之方法，其包含于基材上形成用以形成图案之层合膜之步骤，其中，此用以形成图案之层合膜包含最内层、内层及表面层，此最内层之消光系数k系0.3或更多，且此内层之消光系数k系0.12或更多。

7. 发明专利

TW200304046A 光阻圖案改良材料及利用此材料製備光阻圖案之方法 A RESIST PATTERN-IMPROVING MATERIAL AND A METHOD FOR PREPARING A RESIST PATTERN BY USING THE SAME 审中-公开
简体标题：光阻图案改良材料及利用此材料制备光阻图案之方法 A RESIST PATTERN-IMPROVING MATERIAL AND A METHOD FOR PREPARING A RESIST PATTERN BY USING THE SAME
公开(公告)号：TW200304046A
公开(公告)日：2003-09-16
申请号：TW091137057
申请日：2002-12-23
申请人：富士通股份有限公司 FUJITSU LIMITED
发明人：野崎耕司 KOJI NOZAKI , 小澤美和 MIWA KOZAWA
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0275 , Y02E50/343 , Y02W30/47
摘要：本發明提供一種於形成細小圖案期間減少邊緣粗度之改良。欲達成此項目的，於光阻膜圖案化後，塗覆膜形成於光阻膜上，因而光阻膜材料與塗覆膜材料於其間之界面交混而減低邊緣粗度。提供一種光阻圖案改良材料，包含(a)水溶性或鹼溶性組成物，包含：(i)樹脂，以及(ii)交聯劑。另外，該光阻圖案改良材料包含(a)水溶性或鹼溶性組成物，包含：(i)樹脂，以及(ii)非離子性界面活性劑。根據本發明，於下列步驟製備圖案，包含(a)形成光阻圖案；以及(b)塗覆光阻圖案改良材料於該光阻圖案表面上。根據本發明，光阻圖案改良材料與光阻圖案於其間之界面混合。光阻圖案可經由照射ArF準分子雷射光、或波長比ArF準分子雷射光波長更短的雷射光製成。光阻圖案改良材料之圖案包括實質上不會透射ArF準分子雷射光之基本樹脂。
简体摘要：本发明提供一种于形成细小图案期间减少边缘粗度之改良。欲达成此项目的，于光阻膜图案化后，涂覆膜形成于光阻膜上，因而光阻膜材料与涂覆膜材料于其间之界面交混而减低边缘粗度。提供一种光阻图案改良材料，包含(a)水溶性或碱溶性组成物，包含：(i)树脂，以及(ii)交联剂。另外，该光阻图案改良材料包含(a)水溶性或碱溶性组成物，包含：(i)树脂，以及(ii)非离子性界面活性剂。根据本发明，于下列步骤制备图案，包含(a)形成光阻图案；以及(b)涂覆光阻图案改良材料于该光阻图案表面上。根据本发明，光阻图案改良材料与光阻图案于其间之界面混合。光阻图案可经由照射ArF准分子激光光、或波长比ArF准分子激光光波长更短的激光光制成。光阻图案改良材料之图案包括实质上不会透射ArF准分子激光光之基本树脂。

8. 发明专利

TW363146B 抗反射層及形成光阻圖型的方法失效
简体标题：抗反射层及形成光阻图型的方法
公开(公告)号：TW363146B
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：TW082106366
申请日：1993-08-10
申请人：蘇妮股份有限公司
发明人：小川透 , 牛腸哲雄
IPC分类号： G03F
CPC分类号： H01L21/02071 , G03F7/091 , G03F7/70691 , H01L21/0275 , H01L21/0276 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/76838
摘要：以單色光曝光來形成抗蝕圖型時之決定抗反射層之最佳條件的方法、形成抗反射層的方法、形成使用新穎抗反射層之抗蝕圖型的方法、形成膜的方法。決定抗反射層的最佳條件，下述方法形成抗反射層。再者，用來形成抗蝕圖型的方法得到最佳抗反射層。方法包括（一）使用抗反射層的光學條件做為參數，形成關於選擇膜厚度之光抗蝕劑之吸收光量的等高線，（二）對於多個抗蝕膜厚度進行與上述（一）相同的程序，（三）找出關於得到之各軌跡之吸收光量的共同區，藉以決定抗反射層的光學條件，（四）當改變抗反射層的條件時，應用與上述相同的程序，藉以決定抗反射層的光學條件，（五）在抗反射層的某一條件下，決定諸如抗反射層之種類和厚度的最佳光學條件。
简体摘要：以单色光曝光来形成抗蚀图型时之决定抗反射层之最佳条件的方法、形成抗反射层的方法、形成使用新颖抗反射层之抗蚀图型的方法、形成膜的方法。决定抗反射层的最佳条件，下述方法形成抗反射层。再者，用来形成抗蚀图型的方法得到最佳抗反射层。方法包括（一）使用抗反射层的光学条件做为参数，形成关于选择膜厚度之光抗蚀剂之吸收光量的等高线，（二）对于多个抗蚀膜厚度进行与上述（一）相同的进程，（三）找出关于得到之各轨迹之吸收光量的共同区，借以决定抗反射层的光学条件，（四）当改变抗反射层的条件时，应用与上述相同的进程，借以决定抗反射层的光学条件，（五）在抗反射层的某一条件下，决定诸如抗反射层之种类和厚度的最佳光学条件。

9. 发明专利

TWI606034B 化合物、感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜、圖案形成方法、及使用其的電子元件的製造方法及電子元件有权
简体标题：化合物、感光化射线性或感放射线性树脂组成物、抗蚀剂膜、图案形成方法、及使用其的电子组件的制造方法及电子组件
公开(公告)号：TWI606034B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW103111786
申请日：2014-03-28
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：横川夏海 , YOKOKAWA, NATSUMI , 滝沢裕雄 , TAKIZAWA, HIROO , 平野修史 , HIRANO, SHUJI , 二橋亘 , NIHASHI, WATARU , 椿英明 , TSUBAKI, HIDEAKI
IPC分类号： C07C381/12 , G03F7/031 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F7/30 , H01L21/027
CPC分类号： C07C381/12 , C07D309/12 , C07D317/22 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2004 , G03F7/2041 , G03F7/2059 , G03F7/325 , H01L21/0275

10. 发明专利

TWI592772B 含聚合物之顯像液有权
简体标题：含聚合物之显像液
公开(公告)号：TWI592772B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW101110140
申请日：2012-03-23
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 境田康志 , SAKAIDA, YASUSHI , 何邦慶 , HO, BANGCHING
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/0275 , H01L21/0337 , H01L21/306

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