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1. 发明专利

TWI601451B 產生極紫外光的系統和方法有权
简体标题：产生极紫外光的系统和方法
公开(公告)号：TWI601451B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW101135203
申请日：2012-09-26
申请人：極光股份有限公司 , GIGAPHOTON INC.
发明人：長野仁 , NAGANO, HITOSHI , 和田靖典 , WADA, YASUNORI , 柳田達哉 , YANAGIDA, TATSUYA , 若林理 , WAKABAYASHI, OSAMU
IPC分类号： H05G2/00
CPC分类号： H05G2/008 , G03F7/70025 , G03F7/70033 , G03F7/70041 , G21K1/062 , H01L21/0275 , H01S3/005 , H01S3/10038 , H01S3/1075 , H01S3/115 , H01S3/1305 , H01S3/1643 , H01S3/2316 , H01S3/235 , H01S3/2375 , H01S5/4087 , H05G2/005

2. 发明专利

TW201708846A 一種用於極紫外和軟X射線光學元件的塗層审中-公开
简体标题：一种用于极紫外和软X射线光学组件的涂层
公开(公告)号：TW201708846A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105120858
申请日：2016-06-30
申请人：傑西瓦爾蘇普利亞 , JAISWAL, SUPRIYA
发明人：傑西瓦爾蘇普利亞 , JAISWAL, SUPRIYA
IPC分类号： G02B1/10
CPC分类号： G21K1/062 , G21K2201/067
摘要：一種用於波長範圍為0.1nm~250nm的極紫外/軟-X射線/深紫外的塗層，所述波長範圍包括一個或多個交替的亞波長“A-層”與亞波長“B-層”。A-層包括第1主族，第2主族和第18族材料。B-層包括過渡金屬、鑭系元素、錒系元素或其任一組合。A-層和/或B-層包括具有尺寸和形狀類似於預期缺陷的特徵的納米結構。附加頂層包括較高原子序數的A-層材料、疏水材料、或帶電荷材料。所述材料可用於製備組件，例如反射鏡、透鏡或其它光學元件、面板、光源設備、光掩模、光阻材料、或用於如下應用的其它部件，如光刻、晶片圖案、天文和太空應用、生物醫學、生物技術的應用、或其他應用。
简体摘要：一种用于波长范围为0.1nm~250nm的极紫外/软-X射线/深紫外的涂层，所述波长范围包括一个或多个交替的亚波长“A-层”与亚波长“B-层”。A-层包括第1主族，第2主族和第18族材料。B-层包括过渡金属、镧系元素、锕系元素或其任一组合。A-层和/或B-层包括具有尺寸和形状类似于预期缺陷的特征的纳米结构。附加顶层包括较高原子序数的A-层材料、疏水材料、或带电荷材料。所述材料可用于制备组件，例如反射镜、透镜或其它光学组件、皮肤、光源设备、光掩模、光阻材料、或用于如下应用的其它部件，如光刻、芯片图案、天文和太空应用、生物医学、生物技术的应用、或其他应用。

3. 发明专利

TWI537689B 多層膜反射鏡、曝光裝置、元件製造方法以及多層膜反射鏡的製造方法有权
简体标题：多层膜反射镜、曝光设备、组件制造方法以及多层膜反射镜的制造方法
公开(公告)号：TWI537689B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103103333
申请日：2008-04-22
申请人：尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人：白石雅之 , SHIRAISHI, MASAYUKI
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/08
CPC分类号： B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/064 , G21K2201/067

4. 发明专利

TWI529499B 偏向鏡與包含此偏向鏡之用於微影之投射曝光裝置有权
简体标题：偏向镜与包含此偏向镜之用于微影之投射曝光设备
公开(公告)号：TWI529499B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW101109461
申请日：2012-03-20
申请人：卡爾蔡司SMT有限公司 , CARL ZEISS SMT GMBH
发明人：恩基施哈姆特 , ENKISCH, HARTMUT , 穆藍德史蒂芬 , MUELLENDER, STEPHAN , 安德烈斯馬丁 , ENDRES, MARTIN
IPC分类号： G03F7/20 , G02B17/06 , G21K1/06
CPC分类号： G03F7/702 , B82Y10/00 , G02B17/06 , G02B17/0663 , G03F7/70191 , G03F7/70308 , G03F7/70316 , G21K1/062 , G21K2201/061 , G21K2201/067

5. 发明专利

TWI494616B 多層反射鏡結構有权
简体标题：多层反射镜结构
公开(公告)号：TWI494616B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103103092
申请日：2014-01-28
申请人：國立臺灣大學 , NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：李佳翰 , LI, JIA HAN , 李彥旻 , LEE, YEN MIN , 蔡坤諭 , TSAI, KUEN YU
IPC分类号： G02B5/08
CPC分类号： G03F7/70316 , G02B5/0875 , G02B5/0891 , G03F7/70958 , G21K1/062

6. 发明专利

TW201530196A 审中-公开
公开(公告)号：TW201530196A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103103092
申请日：2014-01-28
申请人： UNIV NAT TAIWAN
发明人： LI JIA-HAN , LEE YEN-MIN , TSAI KUEN-YU
IPC分类号： G02B5/08
CPC分类号： G03F7/70316 , G02B5/0891 , G03F7/70958 , G21K1/062

7. 发明专利

TW201443549A 超平滑層紫外線微影術鏡及基板與其製造及微影術系統审中-公开
简体标题：超平滑层紫外线微影术镜及基板与其制造及微影术系统
公开(公告)号：TW201443549A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103107027
申请日：2014-03-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴爾曼蘇門德拉N , BARMAN, SOUMENDRA N. , 比斯利卡拉 , BEASLEY, CARA , 美歐里克愛柏亥吉巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU , 霍夫曼賴夫 , HOFMANN, RALF , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/72 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/24 , G03F7/164 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要：一種超紫外線鏡或基板生產系統包括：第一沉積系統，用於在半導體襯底上沉積平坦化層；第二沉積系統，用於在該平坦化層上沉積超平滑層，該超平滑層具有重組分子；以及第三沉積系統，用於在該超平滑層上沉積多層堆疊。該超紫外線基板包括：襯底；該襯底上之平坦化層；該平坦化層上之超平滑層，該超平滑層具有重組分子；多層堆疊；以及該多層堆疊上之封蓋層。一種超紫外線微影術系統包括：超紫外線光源；鏡，用於導引來自該超紫外線光源之光；主光罩台，用於將超紫外線遮罩基板與平坦化層置放在一起且將超平滑層置放在該平坦化層上；以及晶圓臺，用於置放晶圓。
简体摘要：一种超紫外线镜或基板生产系统包括：第一沉积系统，用于在半导体衬底上沉积平坦化层；第二沉积系统，用于在该平坦化层上沉积超平滑层，该超平滑层具有重组分子；以及第三沉积系统，用于在该超平滑层上沉积多层堆栈。该超紫外线基板包括：衬底；该衬底上之平坦化层；该平坦化层上之超平滑层，该超平滑层具有重组分子；多层堆栈；以及该多层堆栈上之封盖层。一种超紫外线微影术系统包括：超紫外线光源；镜，用于导引来自该超紫外线光源之光；主光罩台，用于将超紫外线遮罩基板与平坦化层置放在一起且将超平滑层置放在该平坦化层上；以及晶圆台，用于置放晶圆。

8. 发明专利

TW201428437A 微影裝置及方法审中-公开
简体标题：微影设备及方法
公开(公告)号：TW201428437A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW103114084
申请日：2011-04-19
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：亞庫寧安卓米克哈洛維奇 , YAKUNIN, ANDREI MIKHAILOVICH , 白尼凡丁葉弗真葉米希 , BANINE, VADIM YEVGENYEVICH , 洛卜史塔艾瑞克羅勒夫 , LOOPSTRA, ERIK ROELOF , 凡德蕭特海曼克萊斯 , VAN DER SCHOOT, HARMEN KLAAS , 史蒂文生路卡斯亨利克斯喬漢斯 , STEVENS, LUCAS HENRICUS JOHANNES , 凡卡姆潘馬騰 , VAN KAMPEN, MAARTEN
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F1/64 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/20 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B5/204 , G02B5/208 , G02B27/0006 , G03B27/54 , G03F1/24 , G03F1/62 , G03F7/70058 , G03F7/702 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , G21K1/062 , G21K2201/061 , H01B1/04 , H01B1/24
摘要：本發明揭示一種微影裝置，該微影裝置包括：一輻射源，該輻射源經組態以產生一輻射光束；及一支撐件，該支撐件經組態以支撐一圖案化元件。該圖案化元件經組態以向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束。一腔室位於該輻射源與該圖案化元件之間。該腔室含有經組態以反射該輻射光束之至少一光學組件，且經組態以准許輻射自該輻射源傳遞通過該腔室。一隔膜經組態以准許該輻射光束之傳遞，且防止污染粒子傳遞通過該隔膜。一粒子截留結構經組態以准許氣體沿著自該腔室內部至該腔室外部之一間接路徑流動。該間接路徑經組態以實質上防止污染粒子自該腔室內部傳遞至該腔室外部。
简体摘要：本发明揭示一种微影设备，该微影设备包括：一辐射源，该辐射源经组态以产生一辐射光束；及一支撑件，该支撑件经组态以支撑一图案化组件。该图案化组件经组态以向该辐射光束赋予一图案以形成一经图案化辐射光束。一腔室位于该辐射源与该图案化组件之间。该腔室含有经组态以反射该辐射光束之至少一光学组件，且经组态以准许辐射自该辐射源传递通过该腔室。一隔膜经组态以准许该辐射光束之传递，且防止污染粒子传递通过该隔膜。一粒子截留结构经组态以准许气体沿着自该腔室内部至该腔室外部之一间接路径流动。该间接路径经组态以实质上防止污染粒子自该腔室内部传递至该腔室外部。

10. 发明专利

TWI417647B ＥＵＶ微影術用之反射性空白遮光罩及用於彼之具有功能性薄膜的基板失效
简体标题：ＥＵＶ微影术用之反射性空白遮光罩及用于彼之具有功能性薄膜的基板
公开(公告)号：TWI417647B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW096120167
申请日：2007-06-05
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：林和幸 , HAYASHI, KAZUYUKI , 門脇一生 , KADOWAKI, KAZUO , 杉山享司 , SUGIYAMA, TAKASHI , 三上正樹 , MIKAMI, MASAKI
IPC分类号： G03F1/24 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/22 , G21K1/062

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