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1. 发明专利

TW202030945A 半導體雷射晶片安裝基座、其製造方法以及半導體雷射模組审中-公开
简体标题：半导体激光芯片安装基座、其制造方法以及半导体激光模块
公开(公告)号：TW202030945A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108143126
申请日：2019-11-27
申请人：日商古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：鍛治栄作 , KAJI, EISAKU , 大木泰 , OHKI, YUTAKA
IPC分类号： H01S3/101 , H01L21/50
摘要：本發明的半導體雷射晶片安裝基座，具備：半導體雷射晶片，其具備在長邊方向具有出射端面及後端面，從上述出射端面出射雷射；及安裝上述半導體雷射晶片的基座，上述基座與上述半導體雷射晶片的出射端面側的第1距離，比上述基座與上述半導體部之後端面側的第2距離小。
简体摘要：本发明的半导体激光芯片安装基座，具备：半导体激光芯片，其具备在长边方向具有出射端面及后端面，从上述出射端面出射激光；及安装上述半导体激光芯片的基座，上述基座与上述半导体激光芯片的出射端面侧的第1距离，比上述基座与上述半导体部之后端面侧的第2距离小。

2. 发明专利

TW202014805A 高階諧波產生輻射源审中-公开
简体标题：高级谐波产生辐射源
公开(公告)号：TW202014805A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108127475
申请日：2019-08-02
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：史莫倫伯格比特斯威爾赫瑪斯 , SMORENBURG, PETRUS WILHELMUS , 布魯薩爾德傑瑞特賈寇巴斯亨利德斯 , BRUSSAARD, GERRIT JACOBUS HENDRIK , 歐德威爾大衛 , O DWYER, DAVID
IPC分类号： G03F7/20 , H01S3/101 , G02B27/10
摘要：本發明係關於方法及相應設備，其可經操作以引起一驅動輻射光束與一介質之間的一相互作用以用於藉由高階諧波產生來產生發射輻射，該配置包含：一相互作用區，其定位於一相互作用平面且經組態以容納該介質；一光束阻擋件，其在一光束阻擋平面處定位於該相互作用平面之上游且經組態以部分地阻斷該驅動輻射光束；一光束成形器，其在一物件平面處定位於該光束阻擋平面之上游且經組態以控制該驅動輻射光束之一空間分佈；及至少一個透鏡，其定位於該相互作用平面之上游及該光束阻擋平面之下游，其中該透鏡經定位以使得該驅動輻射光束之該空間分佈之一影像形成於該相互作用平面處。
简体摘要：本发明系关于方法及相应设备，其可经操作以引起一驱动辐射光束与一介质之间的一相互作用以用于借由高级谐波产生来产生发射辐射，该配置包含：一相互作用区，其定位于一相互作用平面且经组态以容纳该介质；一光束阻挡件，其在一光束阻挡平面处定位于该相互作用平面之上游且经组态以部分地阻断该驱动辐射光束；一光束成形器，其在一对象平面处定位于该光束阻挡平面之上游且经组态以控制该驱动辐射光束之一空间分布；及至少一个透镜，其定位于该相互作用平面之上游及该光束阻挡平面之下游，其中该透镜经定位以使得该驱动辐射光束之该空间分布之一影像形成于该相互作用平面处。

3. 发明专利

TW202011653A 用於突發模式可調諧(EML)雷射的波長漂移抑制审中-公开
简体标题：用于突发模式可调谐(EML)激光的波长漂移抑制
公开(公告)号：TW202011653A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108117020
申请日：2019-05-17
申请人：美商谷歌有限責任公司 , GOOGLE LLC
发明人：張滔 , ZHANG, TAO , 林西瑞克鋒 , LAM, CEDRIC FUNG , 殷爽 , YIN, SHUANG , 趙祥君 , ZHAO, XIANGJUN , 杜良 , DU, LIANG , 簡長宏喬伊 , JIANG, CHANGHONG JOY , 巴瑞特亞當艾德溫泰勒 , BARRATT, ADAM EDWIN TAYLOR , 黛桑迪克勞迪歐 , DESANTI, CLAUDIO , 納格拉珍木都 , NAGARAJAN, MUTHU
IPC分类号： H01S3/101 , H01S3/13
摘要：一種在突發接通及突發關斷狀態期間加偏壓於一可調諧雷射(310)之方法(700)包含接收指示該突發接通狀態或該突發關斷狀態之一突發模式信號(514)，及在該突發模式信號指示該突發接通狀態時：將一第一偏壓電流(IGAIN)遞送至安置於該可調諧雷射之一共用基板上之一增益區段二極體(590a)之一陽極；且將一第二偏壓電流(IPH)遞送至安置於該共用基板上之一相位區段二極體(590b)之一陽極。該第二偏壓電流小於該第一偏壓電流。當該突發模式信號轉變為指示該突發關斷狀態時，該方法亦包含：將該第一偏壓電流遞送至該增益區段二極體之該陽極；及將該第二偏壓電流遞送至該相位區段二極體之該陽極，其中該第一偏壓電流小於該第二偏壓電流。
简体摘要：一种在突发接通及突发关断状态期间加偏压于一可调谐激光(310)之方法(700)包含接收指示该突发接通状态或该突发关断状态之一突发模式信号(514)，及在该突发模式信号指示该突发接通状态时：将一第一偏压电流(IGAIN)递送至安置于该可调谐激光之一共享基板上之一增益区段二极管(590a)之一阳极；且将一第二偏压电流(IPH)递送至安置于该共享基板上之一相位区段二极管(590b)之一阳极。该第二偏压电流小于该第一偏压电流。当该突发模式信号转变为指示该突发关断状态时，该方法亦包含：将该第一偏压电流递送至该增益区段二极管之该阳极；及将该第二偏压电流递送至该相位区段二极管之该阳极，其中该第一偏压电流小于该第二偏压电流。

4. 发明专利

TWI607816B 增加粉末利用率之雷射光束輔助照射系統及其方法有权
简体标题：增加粉末利用率之激光光束辅助照射系统及其方法
公开(公告)号：TWI607816B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105136405
申请日：2016-11-09
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：李炫璋 , LEE, HSUAN CHANG , 郭靜男 , KUO, CHING NAN , 陳信助 , CHEN, HSIN CHU , 蔡國騰 , TSAI, KUO TENG
IPC分类号： B23K26/16 , H01S3/101

5. 实用新型

TWM551371U 雷射指示器之光點調焦結構有权
简体标题：激光指示器之光点调焦结构
公开(公告)号：TWM551371U
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106208635
申请日：2017-06-15
申请人：宜葳有限公司
发明人：盧廷享
IPC分类号： H01S3/101

6. 发明专利

TW201431224A 光源系統审中-公开
简体标题：光源系统
公开(公告)号：TW201431224A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102101875
申请日：2013-01-18
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：陳柏洲 , CHEN, PO CHOU
IPC分类号： H01S3/101
CPC分类号： G02B27/283
摘要：本發明提供一種光源系統，其包括雙折射棱鏡、濾光片及第一、第二、第三鐳射源。雙折射棱鏡包括入光面及出光面，其具有從入光面延伸至出光面的快軸和慢軸。第一和第二鐳射源位於入光面一側。濾光片位於出光面一側。第三鐳射源位於與濾光片朝向出光面的一側相對的另一側。第一鐳射源發射出第一偏振方向的第一色光線，第二鐳射源發射出垂直於第一偏振方向的第二偏振方向的第二色光線。第一色光線經過慢軸和第二色光線經過快軸後相混合並沿垂直於出光面的方向射出。從雙折射棱鏡出射的光線和第三鐳射源射出的第三色光線經濾光片透射和反射後相混合。
简体摘要：本发明提供一种光源系统，其包括双折射棱镜、滤光片及第一、第二、第三激光源。双折射棱镜包括入光面及出光面，其具有从入光面延伸至出光面的快轴和慢轴。第一和第二激光源位于入光面一侧。滤光片位于出光面一侧。第三激光源位于与滤光片朝向出光面的一侧相对的另一侧。第一激光源发射出第一偏振方向的第一色光线，第二激光源发射出垂直于第一偏振方向的第二偏振方向的第二色光线。第一色光线经过慢轴和第二色光线经过快轴后相混合并沿垂直于出光面的方向射出。从双折射棱镜出射的光线和第三激光源射出的第三色光线经滤光片透射和反射后相混合。

7. 实用新型

TWM582256U 用於切割低介電值材料(Low-K)晶圓的快速切換光路架構有权
简体标题：用于切割低介电值材料(Low-K)晶圆的快速切换光路架构
公开(公告)号：TWM582256U
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW108204901
申请日：2019-04-19
申请人：雷科股份有限公司 , LASER TEK TAIWAN CO., LTD , 黃萌義 , HUANG, MENG-I , 熊學毅 , HSIUNG, HSUEH-YI , 蘇柏年 , SU, PO-NIEN
发明人：黃萌義 , HUANG, MENG-I , 熊學毅 , HSIUNG, HSUEH-YI , 蘇柏年 , SU, PO-NIEN
IPC分类号： H01S3/101 , H01L21/302

8. 发明专利

TW201824429A 基於水平雷射照射的晶圓減薄設備及方法审中-公开
简体标题：基于水平激光照射的晶圆减薄设备及方法
公开(公告)号：TW201824429A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106123084
申请日：2017-07-10
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：三重野文健 , MIENO, FUMITAKE
IPC分类号： H01L21/67 , H01S3/101
摘要：本發明提供一種基於水平雷射照射的晶圓減薄設備及方法，所述基於水平雷射照射的晶圓減薄設備包括：靜電吸盤，用於吸附待減薄晶圓；雷射發射裝置，位於靜電吸盤一側，且與所述靜電吸盤具有間距；所述雷射發射裝置用於發射水平雷射光束；透鏡位於所述靜電吸盤與所述雷射發射裝置之間，且與所述靜電吸盤及所述雷射發射裝置均具有間距；所述透鏡用於將所述雷射發射裝置發射的水平雷射光束水平會聚於所述待減薄晶圓的邊緣以對所述待減薄晶圓進行減薄。本發明的基於水平雷射照射的晶圓減薄設備透過使用雷射光束對待減薄晶圓進行減薄，操作簡單、減薄速度較快、耗時較短、效率更高，透過設置厚度偵測裝置及控制裝置可以更精確地控制減薄厚度。
简体摘要：本发明提供一种基于水平激光照射的晶圆减薄设备及方法，所述基于水平激光照射的晶圆减薄设备包括：静电吸盘，用于吸附待减薄晶圆；激光发射设备，位于静电吸盘一侧，且与所述静电吸盘具有间距；所述激光发射设备用于发射水平激光光束；透镜位于所述静电吸盘与所述激光发射设备之间，且与所述静电吸盘及所述激光发射设备均具有间距；所述透镜用于将所述激光发射设备发射的水平激光光束水平会聚于所述待减薄晶圆的边缘以对所述待减薄晶圆进行减薄。本发明的基于水平激光照射的晶圆减薄设备透过使用激光光束对待减薄晶圆进行减薄，操作简单、减薄速度较快、耗时较短、效率更高，透过设置厚度侦测设备及控制设备可以更精确地控制减薄厚度。

9. 发明专利

TWI499148B 外腔雷射器和波分複用無源光網路系統有权
简体标题：外腔激光器和波分复用无源光网络系统
公开(公告)号：TWI499148B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW100146113
申请日：2011-12-14
申请人：華為技術有限公司 , HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：林華楓 , 徐之光 , 彭桂開
IPC分类号： H01S5/14 , H01S3/101
CPC分类号： H04B10/503 , H01S5/0656 , H01S5/141 , H01S5/146 , H01S5/4012 , H01S5/4087 , H01S5/5036 , H01S2301/14 , H04B10/2587 , H04B10/27 , H04J14/0282

10. 发明专利

TWI427672B 光源裝置有权
简体标题：光源设备
公开(公告)号：TWI427672B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW098138854
申请日：2009-11-16
申请人：牛尾電機股份有限公司 , USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA , 能量科技股份有限公司 , ENERGETIQ TECHNOLOGY, INC.
发明人：安田幸夫 , YASUDA, YUKIO , 住友卓 , SUMITOMO, TAKU , 加藤雅規 , KATO, MASAKI
IPC分类号： H01J65/08 , H01S3/101
CPC分类号： H01J65/042 , H01J61/025 , H01J61/54

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