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1. 发明专利

TW200641423A 拋物線波導型準直透鏡及具有該透鏡之可調外腔雷射二極體 PARABOLIC WAVEGUIDE-TYPE COLLIMATING LENS AND TUNABLE EXTERNAL CAVITY LASER DIODE PROVIDED WITH THE SAME 失效
简体标题：抛物线波导型准直透镜及具有该透镜之可调外腔激光二极管 PARABOLIC WAVEGUIDE-TYPE COLLIMATING LENS AND TUNABLE EXTERNAL CAVITY LASER DIODE PROVIDED WITH THE SAME
公开(公告)号：TW200641423A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW094142777
申请日：2005-12-05
申请人：韓國電子通信研究院 ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE
发明人：金鉉洙 KIM, HYUN-SOO , 沈恩德 SIM, EUN-DEOK
IPC分类号： G02B , G01S
CPC分类号： H01S5/141 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , G02B2006/12102 , G02B2006/12107 , G02B2006/12121 , H01S5/0071 , H01S5/026 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/143 , H01S5/2231
摘要：本發明係關於一種基於半導體之拋物線波導型準直透鏡及一種單片(monolithically)整合式可調外腔雷射二極體光源。該單片整合式可調外腔雷射二極體光源包括：一增益介質(gain medium)，其用於產生一光訊號之一增益；一準直透鏡，其用於將一發散光束修正為一平行光束；一被動波導，該平行光束穿過該被動波導傳播；一光偏轉器，其回應一外部電訊號而改變穿過平板波導(slab waveguide)傳播之該平行光束之一傳播路徑上的介質的一折射率，來改變該平行光束的一傳播方向；及一繞射光柵，其使通過該光偏轉器之該平行光束發生繞射，其中將此等整合於一個由一InP基半導體以及一諸如GaAs基半導體、一Si基半導體、一LiNbO3基半導體或其類似物之材料所製成的基板上。
简体摘要：本发明系关于一种基于半导体之抛物线波导型准直透镜及一种单片(monolithically)集成式可调外腔激光二极管光源。该单片集成式可调外腔激光二极管光源包括：一增益介质(gain medium)，其用于产生一光信号之一增益；一准直透镜，其用于将一发散光束修正为一平行光束；一被动波导，该平行光束穿过该被动波导传播；一光偏转器，其回应一外部电信号而改变穿过平板波导(slab waveguide)传播之该平行光束之一传播路径上的介质的一折射率，来改变该平行光束的一传播方向；及一绕射光栅，其使通过该光偏转器之该平行光束发生绕射，其中将此等集成于一个由一InP基半导体以及一诸如GaAs基半导体、一Si基半导体、一LiNbO3基半导体或其类似物之材料所制成的基板上。

2. 发明专利

TWI251393B 可變波長雷射失效
简体标题：可变波长激光
公开(公告)号：TWI251393B
公开(公告)日：2006-03-11
申请号：TW094109545
申请日：2005-03-28
申请人：日本電氣股份有限公司 NEC CORPORATION
发明人：山崎裕幸 HIROYUKI YAMAZAKI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G02F1/0147 , G02B6/12004 , G02B6/12007 , G02F1/011 , G02F2203/15 , H01S5/02248 , H01S5/02446 , H01S5/0654 , H01S5/06804 , H01S5/0687 , H01S5/142
摘要：〔課題〕提供一種高可靠性、高性能而且低價位之可變波長雷射。〔解決手段〕可變波長雷射10包括：雙重環共振器11，大小相異之環共振器111、112經由方向性耦合器122連結而成；LD側導波路13，一端131經由方向性耦合器121和環共振器111連接；反射側導波路14，一端141經由方向性耦合器123和環共振器112連接；PLC基板15，形成了環共振器111等；高反射膜16，設置於反射側導波路14之另一端142；LD晶片17，在相向之2個發光端面171、172之一方形成低反射膜18，LD側導波路13之另一端132和低反射膜18光耦合；以及膜狀加熱器191~194，令雙重環共振器11之共振波長變化。
简体摘要：〔课题〕提供一种高可靠性、高性能而且低价位之可变波长激光。〔解决手段〕可变波长激光10包括：双重环共振器11，大小相异之环共振器111、112经由方向性耦合器122链接而成；LD侧导波路13，一端131经由方向性耦合器121和环共振器111连接；反射侧导波路14，一端141经由方向性耦合器123和环共振器112连接；PLC基板15，形成了环共振器111等；高反射膜16，设置于反射侧导波路14之另一端142；LD芯片17，在相向之2个发光端面171、172之一方形成低反射膜18，LD侧导波路13之另一端132和低反射膜18光耦合；以及膜状加热器191~194，令双重环共振器11之共振波长变化。

3. 发明专利

TWI236790B 半導體雷射裝置及其製法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD 失效
简体标题：半导体激光设备及其制法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TWI236790B
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：TW093113784
申请日：2004-05-14
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：田中明 TANAKA, AKIRA , 伊藤義行 ITOH, YOSHIYUKI , 堀內理 HORIUCHI, OSAMU , 幕田章雄 MAKUTA, AKIO , 玄永康一 GEN-EI, KOICHI , 鹽澤秀夫 SHIOZAWA, HIDEO
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/0654 , H01S5/0658 , H01S5/2022 , H01S5/2081 , H01S5/209 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要：一種半導體雷射裝置包含：一第一導電率型之包覆層；一設在包覆層上之主動層；及一設在主動層上一第二導電率層之包覆層。第二導電率型之包覆層之至少一部分具一脊狀條。脊狀條包含：一側壁實質上為垂直之上部分；且一下部位之側壁為傾斜，故條片朝主動層變寬。
简体摘要：一种半导体激光设备包含：一第一导电率型之包覆层；一设在包覆层上之主动层；及一设在主动层上一第二导电率层之包覆层。第二导电率型之包覆层之至少一部分具一嵴状条。嵴状条包含：一侧壁实质上为垂直之上部分；且一下部位之侧壁为倾斜，故条片朝主动层变宽。

4. 发明专利

TWI489713B 前及後ＤＢＲ光柵部份之分裂控制失效
简体标题：前及后ＤＢＲ光栅部份之分裂控制
公开(公告)号：TWI489713B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW099111349
申请日：2010-04-12
申请人：康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：阮宏宇 , NGUYEN, HONG KY , 查慶安 , ZAH, CHUNG EN
IPC分类号： H01S5/06
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/0092 , H01S5/0261 , H01S5/0612 , H01S5/0654

5. 发明专利

TW200707869A 可調雷射 TUNABLE LASER 失效
简体标题：可调激光 TUNABLE LASER
公开(公告)号：TW200707869A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095110874
申请日：2006-03-29
申请人：日本電氣股份有限公司 NEC CORPORATION
发明人：山崎裕幸 YAMAZAKI, HIROYUKI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/142 , H01S5/02248 , H01S5/02415 , H01S5/0612 , H01S5/0654 , H01S5/0687 , H01S5/1032
摘要：一種可調雷射,具有:一多重環形共振器,包含具有個別環型波導及個別不同光路徑長的複數個環形共振器的;一輸入/輸出側光波導,耦合至該多重環形共振器;一光輸入/輸出裝置(例如雷射二極體),耦合至該輸入/輸出側光波導;一反射側光波導,耦合至該多重環形共振器;一光反射器,耦合至該反射側光波導;一波長改變機構,用以一改變該多重環形共振器的共振波長;以及一濾波器,用以避免高階模式的光被導入該多重環形共振器,並在該多重環形共振器內傳播基本模式的光。
简体摘要：一种可调激光,具有:一多重环形共振器,包含具有个别环型波导及个别不同光路径长的复数个环形共振器的;一输入/输出侧光波导,耦合至该多重环形共振器;一光输入/输出设备(例如激光二极管),耦合至该输入/输出侧光波导;一反射侧光波导,耦合至该多重环形共振器;一光反射器,耦合至该反射侧光波导;一波长改变机构,用以一改变该多重环形共振器的共振波长;以及一滤波器,用以避免高级模式的光被导入该多重环形共振器,并在该多重环形共振器内传播基本模式的光。

6. 发明专利

TWI237431B 雷射二極體元件 LASER DIODE ELEMENT 失效
简体标题：激光二极管组件 LASER DIODE ELEMENT
公开(公告)号：TWI237431B
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093112514
申请日：2004-05-04
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：渡邊大志 WATANABE, HIROSHI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02288 , H01S5/0654 , H01S5/1082 , H01S5/2218 , H01S5/2231
摘要：本發明係在脊形波導通路型之III族氮化合物系化合物半導體雷射二極體元件中，形成包含第1區域，含有中央部且接連於縱方向；以及第2區域，由該第1區域兩側夾住且其平均層厚比該第1區域之平均層厚小之脊形構造。
简体摘要：本发明系在嵴形波导通路型之III族氮化合物系化合物半导体激光二极管组件中，形成包含第1区域，含有中央部且接连于纵方向；以及第2区域，由该第1区域两侧夹住且其平均层厚比该第1区域之平均层厚小之嵴形构造。

7. 发明专利

TW200524236A 帶有干涉濾波器之光電裝置 OPTOELECTRONIC DEVICE INCORPORATING AN INTERFERENCE FILTER 审中-公开
简体标题：带有干涉滤波器之光电设备 OPTOELECTRONIC DEVICE INCORPORATING AN INTERFERENCE FILTER
公开(公告)号：TW200524236A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093136677
申请日：2004-11-29
申请人： NL-那諾半導體股份有限公司 NL-NANOSEMICONDUCTOR GMBH
发明人：旭庫金, 維他立 VITALY SHCHUKIN , 雷登瑟夫, 尼可萊 NIKOLAI LEDENTSOV
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G02B5/288 , G02B5/285 , H01L31/02165 , H01L33/105 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/0654 , H01S5/0656 , H01S5/1021 , H01S5/1032 , H01S5/18302 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/2004 , H01S5/2022 , H01S5/2027 , H01S5/4043 , H01S2301/18
摘要：一種新穎干涉濾波器之光電裝置。該濾波器包含至少兩個光學空腔。各個空腔係使至少一光模侷域化。在兩個空腔被侷域化的光模均只在波長為一或數個離散選擇性波長時共振。共振時，該等光學特徵模態係包含一在該兩空腔間的節點處有零強度之模態，此位置之漂移為該波長之函數。一不透光元件(吸收元件、散射體、或反射鏡較佳)係置於兩空腔之間。在波長為一離散選擇性波長時，該光模的節點與不透光元件匹配時，則濾波器是透光的。對於其他的波長，該濾波器不透光。故而得以製造各種對波長有強烈選擇性的光電裝置。
简体摘要：一种新颖干涉滤波器之光电设备。该滤波器包含至少两个光学空腔。各个空腔系使至少一光模局域化。在两个空腔被局域化的光模均只在波长为一或数个离散选择性波长时共振。共振时，该等光学特征模态系包含一在该两空腔间的节点处有零强度之模态，此位置之漂移为该波长之函数。一不透光组件(吸收组件、散射体、或反射镜较佳)系置于两空腔之间。在波长为一离散选择性波长时，该光模的节点与不透光组件匹配时，则滤波器是透光的。对于其他的波长，该滤波器不透光。故而得以制造各种对波长有强烈选择性的光电设备。

8. 发明专利

TWI360272B 可調雷射 TUNABLE LASER 失效
简体标题：可调激光 TUNABLE LASER
公开(公告)号：TWI360272B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW095110874
申请日：2006-03-29
申请人：日本電氣股份有限公司
发明人：山崎裕幸
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/142 , H01S5/02248 , H01S5/02415 , H01S5/0612 , H01S5/0654 , H01S5/0687 , H01S5/1032
摘要：一種可調雷射，具有：一多重環形共振器，包含具有個別環型波導及個別不同光路徑長的複數個環形共振器的；一輸入/輸出側光波導，耦合至該多重環形共振器；一光輸入/輸出裝置(例如雷射二極體)，耦合至該輸入/輸出側光波導；一反射側光波導，耦合至該多重環形共振器；一光反射器，耦合至該反射側光波導；一波長改變機構，用以改變該多重環形共振器的共振波長；以及一濾波器，用以避免高階模式的光被導入該多重環形共振器，並在該多重環形共振器內傳播基本模式的光。
简体摘要：一种可调激光，具有：一多重环形共振器，包含具有个别环型波导及个别不同光路径长的复数个环形共振器的；一输入/输出侧光波导，耦合至该多重环形共振器；一光输入/输出设备(例如激光二极管)，耦合至该输入/输出侧光波导；一反射侧光波导，耦合至该多重环形共振器；一光反射器，耦合至该反射侧光波导；一波长改变机构，用以改变该多重环形共振器的共振波长；以及一滤波器，用以避免高级模式的光被导入该多重环形共振器，并在该多重环形共振器内传播基本模式的光。

9. 发明专利

TW200537773A 可變波長雷射失效
简体标题：可变波长激光
公开(公告)号：TW200537773A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094109545
申请日：2005-03-28
申请人：日本電氣股份有限公司 NEC CORPORATION
发明人：山崎裕幸 HIROYUKI YAMAZAKI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G02F1/0147 , G02B6/12004 , G02B6/12007 , G02F1/011 , G02F2203/15 , H01S5/02248 , H01S5/02446 , H01S5/0654 , H01S5/06804 , H01S5/0687 , H01S5/142
摘要：〔課題〕提供一種高可靠性、高性能而且低價位之可變波長雷射。〔解決手段〕可變波長雷射10包括：雙重環共振器11，大小相異之環共振器111、112經由方向性耦合器122連結而成；LD側導波路13，一端131經由方向性耦合器121和環共振器111連接；反射側導波路14，一端141經由方向性耦合器123和環共振器112連接；PLC基板15，形成了環共振器111等；高反射膜16，設置於反射側導波路14之另一端142；LD晶片17，在相向之2個發光端面171、172之一方形成低反射膜18，LD側導波路13之另一端132和低反射膜18光耦合；以及膜狀加熱器191～194，令雙重環共振器11之共振波長變化。
简体摘要：〔课题〕提供一种高可靠性、高性能而且低价位之可变波长激光。〔解决手段〕可变波长激光10包括：双重环共振器11，大小相异之环共振器111、112经由方向性耦合器122链接而成；LD侧导波路13，一端131经由方向性耦合器121和环共振器111连接；反射侧导波路14，一端141经由方向性耦合器123和环共振器112连接；PLC基板15，形成了环共振器111等；高反射膜16，设置于反射侧导波路14之另一端142；LD芯片17，在相向之2个发光端面171、172之一方形成低反射膜18，LD侧导波路13之另一端132和低反射膜18光耦合；以及膜状加热器191～194，令双重环共振器11之共振波长变化。

10. 发明专利

TWI240470B 使用張力補償多層量子井戶之單一型雷射二極體失效
简体标题：使用张力补偿多层量子井户之单一型激光二极管
公开(公告)号：TWI240470B
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：TW093106849
申请日：2004-03-15
申请人：韓國科學技術研究院 KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：韓日基 HAN, IL KI , 李精一 LEE, JUNG IL , 曹雲朝 CHO, WOON JO , 崔原準 CHOI, WON JUN , 許斗暢 HEO, DU CHANG
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2304/04
摘要：本發明係提供一種使用張力補償多層量子井戶之單一型雷射二極體及其製造方法。
本發明係提供一種單一型雷射二極體及其製造方法，該單一型雷射二極體包含：基板；於基板上形成之n型覆蓋層；於n型覆蓋層上形成之n型SCH層；於n型SCH層上形成並用以產生預先設定之波長帶域之光的多層量子井戶；於多層量子井戶上形成並用以約束光的p型SCH層；於p型SCH層上形成並用以防止光之損失的p型覆蓋層；於p型覆蓋層上形成並用以調節歐姆接觸之歐姆層；以及用以將用以產生光用之電流注入至多層量子井戶之電極；其中n型覆蓋層防止光之損失，n型SCH層約束光，多層量子井戶藉由以預先設定之疊層週期交互形成之複數個壓縮張力井戶層以及複數個拉伸張力屏障層而進行張力補償。
简体摘要：本发明系提供一种使用张力补偿多层量子井户之单一型激光二极管及其制造方法。本发明系提供一种单一型激光二极管及其制造方法，该单一型激光二极管包含：基板；于基板上形成之n型覆盖层；于n型覆盖层上形成之n型SCH层；于n型SCH层上形成并用以产生预先设置之波长带域之光的多层量子井户；于多层量子井户上形成并用以约束光的p型SCH层；于p型SCH层上形成并用以防止光之损失的p型覆盖层；于p型覆盖层上形成并用以调节欧姆接触之欧姆层；以及用以将用以产生光用之电流注入至多层量子井户之电极；其中n型覆盖层防止光之损失，n型SCH层约束光，多层量子井户借由以预先设置之叠层周期交互形成之复数个压缩张力井户层以及复数个拉伸张力屏障层而进行张力补偿。

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