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1. 发明专利

TWI229481B 半導體雷射元件,其製造方法及多波長積體化半導體雷射裝置失效
简体标题：半导体激光组件,其制造方法及多波长积体化半导体激光设备
公开(公告)号：TWI229481B
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：TW092133609
申请日：2003-11-28
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：田中明 TANAKA, AKIRA , 鹽澤秀夫 SHIOZAWA, HIDEO , 渡邊實 WATANABE, MINORU , 玄永康一 GEN-EI, KOICHI , 田中宏和
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0658 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要：本發明係關於一種半導體雷射元件，其製造方法及多波長積體化半導體雷射裝置；也就是說，本發明係提供一種得到自感振盪至高輸出為止並且在寬廣輸出範圍來得到自感振盪之半導體雷射元件，其製造方法及多波長積體化半導體雷射裝置。
本發明係提供一種半導體雷射元件，其特徵為：具備：基板；及形成在前述基板上之第1導電型包層；及形成在前述第1導電型包層上並且藉由電流注入而放射出光之活化層；及形成在前述活化層上之第1之第2導電型包層；及屬於沿著第1方向而形成於前述第1之第2導電型包層上之帶狀之第2層之第2導電型包層，其中垂直於前述第1方向之垂直方向上之切斷面係，具有互相面對之上邊和下邊及連結它們的2個側邊且最小幅寬為最大幅寬之70%以上、100%以下之形狀的帶狀之第2層之第2導電型包層；此外，在既定之輸出區域進行自感振盪。
简体摘要：本发明系关于一种半导体激光组件，其制造方法及多波长积体化半导体激光设备；也就是说，本发明系提供一种得到自感振荡至高输出为止并且在宽广输出范围来得到自感振荡之半导体激光组件，其制造方法及多波长积体化半导体激光设备。本发明系提供一种半导体激光组件，其特征为：具备：基板；及形成在前述基板上之第1导电型包层；及形成在前述第1导电型包层上并且借由电流注入而放射出光之活化层；及形成在前述活化层上之第1之第2导电型包层；及属于沿着第1方向而形成于前述第1之第2导电型包层上之带状之第2层之第2导电型包层，其中垂直于前述第1方向之垂直方向上之切断面系，具有互相面对之上边和下边及链接它们的2个侧边且最小幅宽为最大幅宽之70%以上、100%以下之形状的带状之第2层之第2导电型包层；此外，在既定之输出区域进行自感振荡。

2. 发明专利

TWI236790B 半導體雷射裝置及其製法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD 失效
简体标题：半导体激光设备及其制法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TWI236790B
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：TW093113784
申请日：2004-05-14
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：田中明 TANAKA, AKIRA , 伊藤義行 ITOH, YOSHIYUKI , 堀內理 HORIUCHI, OSAMU , 幕田章雄 MAKUTA, AKIO , 玄永康一 GEN-EI, KOICHI , 鹽澤秀夫 SHIOZAWA, HIDEO
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/0654 , H01S5/0658 , H01S5/2022 , H01S5/2081 , H01S5/209 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要：一種半導體雷射裝置包含：一第一導電率型之包覆層；一設在包覆層上之主動層；及一設在主動層上一第二導電率層之包覆層。第二導電率型之包覆層之至少一部分具一脊狀條。脊狀條包含：一側壁實質上為垂直之上部分；且一下部位之側壁為傾斜，故條片朝主動層變寬。
简体摘要：一种半导体激光设备包含：一第一导电率型之包覆层；一设在包覆层上之主动层；及一设在主动层上一第二导电率层之包覆层。第二导电率型之包覆层之至少一部分具一嵴状条。嵴状条包含：一侧壁实质上为垂直之上部分；且一下部位之侧壁为倾斜，故条片朝主动层变宽。

3. 发明专利

TWI230489B 半導體雷射及其製造方法失效
简体标题：半导体激光及其制造方法
公开(公告)号：TWI230489B
公开(公告)日：2005-04-01
申请号：TW092105510
申请日：2003-03-13
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：田中明 TANAKA, AKIRA , 田中宏和 , 伊藤義行 ITOH, YOSHIYUKI , 玄永康一 GEN-EI, KOICHI
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/2086 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3432
摘要：在實折射率波導型的半導體雷射之中，得到高輸出的半導體雷射。本發明係提供一種半導體雷射，其特徵為具備：第1導電型披覆層、藉由電流注入放射光的活性層、第1的第2導電型披覆層、作為脊型波導電路的第2的第2導電型披覆層、隔著前述第2的第2導電型披覆層而形成於其兩側而具有較前述第1和第2的第2導電型披覆層大的帶間隙(band gap)的阻流層、以導入電流於前述第2的第2導電型披覆層而具有僅阻止流向上述阻流層的洩漏電流的流入的移動度所構成的第3的第2導電型披覆層。
简体摘要：在实折射率波导型的半导体激光之中，得到高输出的半导体激光。本发明系提供一种半导体激光，其特征为具备：第1导电型披覆层、借由电流注入放射光的活性层、第1的第2导电型披覆层、作为嵴型波导电路的第2的第2导电型披覆层、隔着前述第2的第2导电型披覆层而形成于其两侧而具有较前述第1和第2的第2导电型披覆层大的带间隙(band gap)的阻流层、以导入电流于前述第2的第2导电型披覆层而具有仅阻止流向上述阻流层的泄漏电流的流入的移动度所构成的第3的第2导电型披覆层。

4. 发明专利

TW200505118A 半導體雷射裝置及其製法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD 失效
简体标题：半导体激光设备及其制法 SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
公开(公告)号：TW200505118A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093113784
申请日：2004-05-14
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：田中明 TANAKA, AKIRA , 伊藤義行 ITOH, YOSHIYUKI , 堀內理 HORIUCHI, OSAMU , 幕田章雄 MAKUTA, AKIO , 玄永康一 GEN-EI, KOICHI , 鹽澤秀夫 SHIOZAWA, HIDEO
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0421 , H01S5/0601 , H01S5/0654 , H01S5/0658 , H01S5/2022 , H01S5/2081 , H01S5/209 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要：一種半導體雷射裝置包含：一第一導電率型之包覆層；一設在包覆層上之主動層；及一設在主動層上一第二導電率層之包覆層。第二導電率型之包覆層之至少一部分具一脊狀條。脊狀條包含：一側壁實質上為垂直之上部分；且一下部位之側壁為傾斜，故條片朝主動層變寬。
简体摘要：一种半导体激光设备包含：一第一导电率型之包覆层；一设在包覆层上之主动层；及一设在主动层上一第二导电率层之包覆层。第二导电率型之包覆层之至少一部分具一嵴状条。嵴状条包含：一侧壁实质上为垂直之上部分；且一下部位之侧壁为倾斜，故条片朝主动层变宽。

5. 发明专利

TW200417097A 半導體雷射元件,其製造方法及多波長積體化半導體雷射裝置失效
简体标题：半导体激光组件,其制造方法及多波长积体化半导体激光设备
公开(公告)号：TW200417097A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092133609
申请日：2003-11-28
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：田中明 TANAKA, AKIRA , 鹽澤秀夫 SHIOZAWA, HIDEO , 渡邊實 , 玄永康一 GEN-EI, KOICHI , 田中宏和
IPC分类号： H01S
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0658 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要：本發明係關於一種半導體雷射元件，其製造方法及多波長積體化半導體雷射裝置；也就是說，本發明係提供一種得到自感振盪至高輸出為止並且在寬廣輸出範圍來得到自感振盪之半導體雷射元件，其製造方法及多波長積體化半導體雷射裝置。本發明係提供一種半導體雷射元件，其特徵為：具備：基板；及形成在前述基板上之第1導電型包層；及形成在前述第1導電型包層上並且藉由電流注入而放射出光之活化層；及形成在前述活化層上之第1之第2導電型包層；及屬於沿著第1方向而形成於前述第1之第2導電型包層上之帶狀之第2層之第2導電型包層，其中垂直於前述第1方向之垂直方向上之切斷面係，具有互相面對之上邊和下邊及連結它們的2個側邊且最小幅寬為最大幅寬之70％以上、100％以下之形狀的帶狀之第2層之第2導電型包層；此外，在既定之輸出區域進行自感振盪。
简体摘要：本发明系关于一种半导体激光组件，其制造方法及多波长积体化半导体激光设备；也就是说，本发明系提供一种得到自感振荡至高输出为止并且在宽广输出范围来得到自感振荡之半导体激光组件，其制造方法及多波长积体化半导体激光设备。本发明系提供一种半导体激光组件，其特征为：具备：基板；及形成在前述基板上之第1导电型包层；及形成在前述第1导电型包层上并且借由电流注入而放射出光之活化层；及形成在前述活化层上之第1之第2导电型包层；及属于沿着第1方向而形成于前述第1之第2导电型包层上之带状之第2层之第2导电型包层，其中垂直于前述第1方向之垂直方向上之切断面系，具有互相面对之上边和下边及链接它们的2个侧边且最小幅宽为最大幅宽之70％以上、100％以下之形状的带状之第2层之第2导电型包层；此外，在既定之输出区域进行自感振荡。

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