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1. 发明专利

TW201803239A 端面射出型半導體雷射审中-公开
简体标题：端面射出型半导体激光
公开(公告)号：TW201803239A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW105140208
申请日：2016-12-06
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：淵田步 , FUCHIDA, AYUMI , 奧貫雄一郎 , OKUNUKI, YUICHIRO
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/125 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/0425 , H01S5/2022 , H01S5/2027 , H01S5/305 , H01S5/3213 , H01S5/3412 , H01S5/34313 , H01S2301/166
摘要：不使生產性及成品率下降，得到可以抑制隨著溫度變化的振盪波長偏移之端面射出型半導體雷射。半導體基板1上，形成具有第1折射率的第1遮蓋層2。第1遮蓋層2上，形成具有比第1折射率高的第2折射率的活性層3。活性層3上，以λ為振盪波長，n為媒體的折射率，形成厚度分別比λ/4n厚的低折射率層4a與高折射率層4b交互堆疊的布拉格(bragg)反射鏡4。布拉格(bragg)反射鏡4上，形成具有比活性層3小的能帶間隙能量之光吸收層5。光吸收層5上，形成具有比第2折射率低的第3折射率之第2遮蓋層6。
简体摘要：不使生产性及成品率下降，得到可以抑制随着温度变化的振荡波长偏移之端面射出型半导体激光。半导体基板1上，形成具有第1折射率的第1遮盖层2。第1遮盖层2上，形成具有比第1折射率高的第2折射率的活性层3。活性层3上，以λ为振荡波长，n为媒体的折射率，形成厚度分别比λ/4n厚的低折射率层4a与高折射率层4b交互堆栈的布拉格(bragg)反射镜4。布拉格(bragg)反射镜4上，形成具有比活性层3小的能带间隙能量之光吸收层5。光吸收层5上，形成具有比第2折射率低的第3折射率之第2遮盖层6。

2. 发明专利

TW200531319A 半導體元件之製造 FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
简体标题：半导体组件之制造 FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES
公开(公告)号：TW200531319A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW094106604
申请日：2005-03-04
申请人：霆激科技股份有限公司 TINGGI TECHNOLOGIES PRIVATE LIMITED
发明人：袁述 YUAN, SHU , 康學軍 KANG, XUEJUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/187 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01S5/0201 , H01S5/0207 , H01S5/0217 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/2027 , H01S5/34333 , H01S2301/173
摘要：一種用於製造半導體元件之方法，該半導體元件於基板上具有複數層磊晶層。複數層磊晶層包括一主動區域，光能夠產生於該主動區域中。該方法包含施加至少一第一歐姆接觸層至磊晶層的前表面，該第一歐姆接觸層也當作為一反射器。然後從磊晶層的後表面來移除該基板。然後該後表面被結構化。
简体摘要：一种用于制造半导体组件之方法，该半导体组件于基板上具有复数层磊晶层。复数层磊晶层包括一主动区域，光能够产生于该主动区域中。该方法包含施加至少一第一欧姆接触层至磊晶层的前表面，该第一欧姆接触层也当作为一反射器。然后从磊晶层的后表面来移除该基板。然后该后表面被结构化。

3. 发明专利

TW200524236A 帶有干涉濾波器之光電裝置 OPTOELECTRONIC DEVICE INCORPORATING AN INTERFERENCE FILTER 审中-公开
简体标题：带有干涉滤波器之光电设备 OPTOELECTRONIC DEVICE INCORPORATING AN INTERFERENCE FILTER
公开(公告)号：TW200524236A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093136677
申请日：2004-11-29
申请人： NL-那諾半導體股份有限公司 NL-NANOSEMICONDUCTOR GMBH
发明人：旭庫金, 維他立 VITALY SHCHUKIN , 雷登瑟夫, 尼可萊 NIKOLAI LEDENTSOV
IPC分类号： H01S
CPC分类号： G02B5/288 , G02B5/285 , H01L31/02165 , H01L33/105 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/0654 , H01S5/0656 , H01S5/1021 , H01S5/1032 , H01S5/18302 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/2004 , H01S5/2022 , H01S5/2027 , H01S5/4043 , H01S2301/18
摘要：一種新穎干涉濾波器之光電裝置。該濾波器包含至少兩個光學空腔。各個空腔係使至少一光模侷域化。在兩個空腔被侷域化的光模均只在波長為一或數個離散選擇性波長時共振。共振時，該等光學特徵模態係包含一在該兩空腔間的節點處有零強度之模態，此位置之漂移為該波長之函數。一不透光元件(吸收元件、散射體、或反射鏡較佳)係置於兩空腔之間。在波長為一離散選擇性波長時，該光模的節點與不透光元件匹配時，則濾波器是透光的。對於其他的波長，該濾波器不透光。故而得以製造各種對波長有強烈選擇性的光電裝置。
简体摘要：一种新颖干涉滤波器之光电设备。该滤波器包含至少两个光学空腔。各个空腔系使至少一光模局域化。在两个空腔被局域化的光模均只在波长为一或数个离散选择性波长时共振。共振时，该等光学特征模态系包含一在该两空腔间的节点处有零强度之模态，此位置之漂移为该波长之函数。一不透光组件(吸收组件、散射体、或反射镜较佳)系置于两空腔之间。在波长为一离散选择性波长时，该光模的节点与不透光组件匹配时，则滤波器是透光的。对于其他的波长，该滤波器不透光。故而得以制造各种对波长有强烈选择性的光电设备。

4. 发明专利

TW201018031A 二極體激發式光源 DIODE-PUMPED LIGHT SOURCE 审中-公开
简体标题：二极管激发式光源 DIODE-PUMPED LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW201018031A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098129274
申请日：2009-08-31
申请人： 3M新設資產公司
发明人：海斯麥克艾爾伯特 , 米勒湯瑪士詹姆士 , 孫曉光
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/041 , B82Y20/00 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/024 , H01S5/1039 , H01S5/14 , H01S5/18308 , H01S5/2009 , H01S5/2022 , H01S5/2027 , H01S5/309 , H01S5/347 , H01S5/423 , H01S2301/18
摘要：本發明揭示光源。一種所揭示光源包括以III-V為主之一幫浦光源，其包括氮氣且以一第一波長發射光。該光源進一步包括一垂直腔表面發射雷射器(VCSEL)，其將由該幫浦光源發射之第一波長之光之至少一部分轉換為一第二波長之至少一部分相干光。該VCSEL包括形成針對第二波長之光之一光學腔之第一反射鏡及第二反射鏡。該第一反射鏡在第二波長下係大致反射性且包括一第一多層堆疊。該第二反射鏡在第一波長下係大致透射性且在第二波長下係部分反射性及部分透射性。該第二反射鏡包括一第二多層堆疊。該VCSEL進一步包括一半導體多層堆疊，其安置於該第一反射鏡與該第二反射鏡之間且將該第一波長之光之至少一部分轉換為該第二波長之光。該半導體多層堆疊包括一量子井，該量子井包括一Cd(Mg)ZnSe合金。
简体摘要：本发明揭示光源。一种所揭示光源包括以III-V为主之一帮浦光源，其包括氮气且以一第一波长发射光。该光源进一步包括一垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，其将由该帮浦光源发射之第一波长之光之至少一部分转换为一第二波长之至少一部分相干光。该VCSEL包括形成针对第二波长之光之一光学腔之第一反射镜及第二反射镜。该第一反射镜在第二波长下系大致反射性且包括一第一多层堆栈。该第二反射镜在第一波长下系大致透射性且在第二波长下系部分反射性及部分透射性。该第二反射镜包括一第二多层堆栈。该VCSEL进一步包括一半导体多层堆栈，其安置于该第一反射镜与该第二反射镜之间且将该第一波长之光之至少一部分转换为该第二波长之光。该半导体多层堆栈包括一量子井，该量子井包括一Cd(Mg)ZnSe合金。

5. 发明专利

TWI289220B 用於頻率轉換的裝置及方法 APPARATUS FOR AND METHOD OF FREQUENCY CONVERSION 失效
简体标题：用于频率转换的设备及方法 APPARATUS FOR AND METHOD OF FREQUENCY CONVERSION
公开(公告)号：TWI289220B
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW093103972
申请日：2004-02-18
申请人： PBC雷射有限公司 PBC LASERS LTD.
发明人：雷登沙夫尼古拉 LEDENTSOV, NIKOLAI , 席朱金維塔利 SHCHUKIN, VITALY
IPC分类号： G02F , H01S
CPC分类号： H01S5/141 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01S3/109 , H01S5/041 , H01S5/1085 , H01S5/2027
摘要：一種用於光線之頻率轉換的裝置，該裝置包括：一發光元件，用於發射具有一第一頻率的一光線，該發光元件係為一具有一選定之延伸波導的邊射型半導體發光二極體，致使該延伸波導的一基本橫向模態其特徵在於一低光束發散。該裝置進一步包括一光反射器，其經建構及設計因此該光線通過界定在該發光元件與該光反射器之間的一外部腔室數次，並提供一回饋用於產生具有該第一頻率的一雷射光。該裝置進一步包括一非線性光學晶體，配置在該外部腔室中並經選定，因此當具有該第一頻率的該雷射光通過該非線性光學晶體數次時，該第一頻率經轉換成與其不同的一第二頻率。
简体摘要：一种用于光线之频率转换的设备，该设备包括：一发光组件，用于发射具有一第一频率的一光线，该发光组件系为一具有一选定之延伸波导的边射型半导体发光二极管，致使该延伸波导的一基本横向模态其特征在于一低光束发散。该设备进一步包括一光反射器，其经建构及设计因此该光线通过界定在该发光组件与该光反射器之间的一外部腔室数次，并提供一回馈用于产生具有该第一频率的一激光光。该设备进一步包括一非线性光学晶体，配置在该外部腔室中并经选定，因此当具有该第一频率的该激光光通过该非线性光学晶体数次时，该第一频率经转换成与其不同的一第二频率。

6. 发明专利

TWI267244B 半導體雷射陣列及半導體雷射陣列製造方法 SEMICONDUCTOR LASER ARRAY AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LASER ARRAY 失效
简体标题：半导体激光数组及半导体激光数组制造方法 SEMICONDUCTOR LASER ARRAY AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LASER ARRAY
公开(公告)号：TWI267244B
公开(公告)日：2006-11-21
申请号：TW094129319
申请日：2005-08-26
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：田中明 TANAKA, AKIRA
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/02236 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/2027 , H01S5/2231 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4087
摘要：半導體雷射陣列包含一基板及一配置於該基板上用以發射第一波長雷射之第一雷射元件，該第一雷射元件具有第一多層結構，該第一多層結構包含第一主動層及第一波導結構，該第一主動層具有第一發射中心。用以發射第二波長雷射之第二雷射元件係配置於該基板上及該第一多層結構上，該第二雷射元件具有第二多層結構，該第二多層結構包含第二主動層及第二波導結構，該第二主動層具有第二發射中心，該第二發射中心係橫向且垂直地與該第一發射中心間隔開。
简体摘要：半导体激光数组包含一基板及一配置于该基板上用以发射第一波长激光之第一激光组件，该第一激光组件具有第一多层结构，该第一多层结构包含第一主动层及第一波导结构，该第一主动层具有第一发射中心。用以发射第二波长激光之第二激光组件系配置于该基板上及该第一多层结构上，该第二激光组件具有第二多层结构，该第二多层结构包含第二主动层及第二波导结构，该第二主动层具有第二发射中心，该第二发射中心系横向且垂直地与该第一发射中心间隔开。

7. 发明专利

TW200535922A 斜空腔半導體光電元件及其製法 TILTED CAVITY SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
简体标题：斜空腔半导体光电组件及其制法 TILTED CAVITY SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME
公开(公告)号：TW200535922A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW093136425
申请日：2004-11-26
申请人： NL-那諾半導體股份有限公司 NL-NANOSEMICONDUCTOR GMBH
发明人：雷登瑟夫, 尼可萊 NIKOLAI LEDENTSOV , 旭庫金, 維他立 VITALY SHCHUKIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/105 , H01S5/0028 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/06253 , H01S5/0654 , H01S5/1071 , H01S5/1085 , H01S5/141 , H01S5/162 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S5/2004 , H01S5/2027 , H01S5/204 , H01S5/2231 , H01S5/50
摘要：茲揭示一新穎類型半導體發光裝置，或"斜空腔發光裝置"。該裝置包含通常是放在空腔內的至少一帶有主動區的主動元件，該主動區係藉由注入電流產生光學增益；與兩個反射鏡。該裝置產生數個光模，其傳播方向係相對於p–n接合平面及與此平面的垂直方向兩者均呈傾斜。也揭示一種發光二極體，其中係將該空腔與反射鏡設計成使得：所產生的光功率在某一光譜範圍內及在對基板的某一角度範圍內之傳輸最小化。在對應於該發光主動介質的發射範圍及從該裝置出來的某一角度範圍內之光功率傳輸係經最佳化成以達到所需的輸出功率水準。
简体摘要：兹揭示一新颖类型半导体发光设备，或"斜空腔发光设备"。该设备包含通常是放在空腔内的至少一带有主动区的主动组件，该主动区系借由注入电流产生光学增益；与两个反射镜。该设备产生数个光模，其传播方向系相对于p–n接合平面及与此平面的垂直方向两者均呈倾斜。也揭示一种发光二极管，其中系将该空腔与反射镜设计成使得：所产生的光功率在某一光谱范围内及在对基板的某一角度范围内之传输最小化。在对应于该发光主动介质的发射范围及从该设备出来的某一角度范围内之光功率传输系经最优化成以达到所需的输出功率水准。

8. 发明专利

TWI366931B 有機雷射裝置 ORGANIC LASER APPARATUS 有权
简体标题：有机激光设备 ORGANIC LASER APPARATUS
公开(公告)号：TWI366931B
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：TW093118753
申请日：2004-06-25
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：野村亮二 , 安部寬子 , 湯川幹央
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01S5/18305 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5265 , H01S5/0425 , H01S5/1096 , H01S5/12 , H01S5/2004 , H01S5/2027 , H01S5/36 , H01S2301/04
摘要：本發明為，包含於注入電流之際放射雷射光的有機化合物之有機雷射裝置。用於本發明的雷射裝置之有機化合物層，由於可放射雷射光，因此考慮該波長而決定疊層構造及各層的膜厚。於本發明當中，總稱以形成於一對電極之間的有機化合物為主成分之薄膜為有機化合物層。有機化合物層係包夾於一對電極之間而形成，較理想為採用載體輸送特性及發光波長不同的多數層而形成。此外，較理想為介於反射體而形成一對電極之所謂的共振器構造之型態。
简体摘要：本发明为，包含于注入电流之际放射激光光的有机化合物之有机激光设备。用于本发明的激光设备之有机化合物层，由于可放射激光光，因此考虑该波长而决定叠层构造及各层的膜厚。于本发明当中，总称以形成于一对电极之间的有机化合物为主成分之薄膜为有机化合物层。有机化合物层系包夹于一对电极之间而形成，较理想为采用载体输送特性及发光波长不同的多数层而形成。此外，较理想为介于反射体而形成一对电极之所谓的共振器构造之型态。

9. 发明专利

TW200620770A 半導體雷射陣列及半導體雷射陣列製造方法 SEMICONDUCTOR LASER ARRAY AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LASER ARRAY 失效
简体标题：半导体激光数组及半导体激光数组制造方法 SEMICONDUCTOR LASER ARRAY AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LASER ARRAY
公开(公告)号：TW200620770A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094129319
申请日：2005-08-26
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：田中明 TANAKA, AKIRA
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/02236 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/2027 , H01S5/2231 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4087
摘要：半導體雷射陣列包含一基板及一配置於該基板上用以發射第一波長雷射之第一雷射元件，該第一雷射元件具有第一多層結構，該第一多層結構包含第一主動層及第一波導結構，該第一主動層具有第一發射中心。用以發射第二波長雷射之第二雷射元件係配置於該基板上及該第一多層結構上，讓第二雷射元件具有第二多層結構，該第二多層結構包含第二主動層及第二波導結構，該第二主動層具有第二發射中心，該第二發射中心係橫向且垂直地與該第一發射中心間隔開。
简体摘要：半导体激光数组包含一基板及一配置于该基板上用以发射第一波长激光之第一激光组件，该第一激光组件具有第一多层结构，该第一多层结构包含第一主动层及第一波导结构，该第一主动层具有第一发射中心。用以发射第二波长激光之第二激光组件系配置于该基板上及该第一多层结构上，让第二激光组件具有第二多层结构，该第二多层结构包含第二主动层及第二波导结构，该第二主动层具有第二发射中心，该第二发射中心系横向且垂直地与该第一发射中心间隔开。

10. 发明专利

TW200605462A 用於高速資料傳輸之可調波長光電共振腔光電裝置 ELECTROOPTICALLY WAVELENGTH-TUNABLE RESONANT CAVITY OPTOELECTRONIC DEVICE FOR HIGH-SPEED DATA TRANSFER 审中-公开
简体标题：用于高速数据传输之可调波长光电共振腔光电设备 ELECTROOPTICALLY WAVELENGTH-TUNABLE RESONANT CAVITY OPTOELECTRONIC DEVICE FOR HIGH-SPEED DATA TRANSFER
公开(公告)号：TW200605462A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094118317
申请日：2005-06-03
申请人： NL-那諾半導體股份有限公司 NL-NANOSEMICONDUCTOR GMBH
发明人：雷登瑟夫, 尼可萊 NIKOLAI LEDENTSOV , 旭庫金, 維他立 VITALY SHCHUKIN
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/18302 , G02B5/28 , H01S5/0078 , H01S5/0607 , H01S5/1021 , H01S5/18311 , H01S5/1833 , H01S5/18341 , H01S5/2027
摘要：一種裝置，含有至少一以作用電壓控制之波長可調整元件及至少兩共振腔室，其波長可調整元件最好於一腔室或多數腔室使用共振波長之量子侷限史塔克效應，產生一系統調變傳輸。一激光媒介物最好介入於其中一腔室，使該光電裝置經由作用一注入電流而成為強度可調變之發光二極體或二極體雷射。此裝置最好包括三個可作用前向或反向偏壓之電性接點，並可作為一垂直腔面射型激光件或調變器或一斜面腔激光件或調變器。增入少數區段部可應用於半導體光學放大器，頻率轉換器或鎖相光學放大器。
简体摘要：一种设备，含有至少一以作用电压控制之波长可调整组件及至少两共振腔室，其波长可调整组件最好于一腔室或多数腔室使用共振波长之量子局限史塔克效应，产生一系统调制传输。一激光媒介物最好介入于其中一腔室，使该光电设备经由作用一注入电流而成为强度可调制之发光二极管或二极管激光。此设备最好包括三个可作用前向或反向偏压之电性接点，并可作为一垂直腔面射型激光件或调制器或一斜面腔激光件或调制器。增入少数区段部可应用于半导体光学放大器，频率转换器或锁相光学放大器。

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